「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(178ページ目) - Weblio英語例文検索

In the signal line having the redundant wiring structure, the contact hole 41 for the signal line upper and lower layers is formed at a position, where the drain electrode 32 is branched from the lower layer wiring 31 of the signal line.例文帳に追加

このような冗長配線構造の信号線にあって、信号線上下層間コンタクトホール４１は、信号線下層配線３１からドレイン電極３２が枝分かれする個所に設けられる。 - 特許庁

Thereafter, the upper ends 13B and 23B of the wires 13 and 23 are exposed on the surface 3A of the resin layer 3 in a state where the ends 13B and 23B are flushed with the surface 3A in a grinding step.例文帳に追加

この後、研削工程を行うことにより、ワイヤ１３、２３の上端１３Ｂ、２３Ｂが樹脂層３の表面３Ａに露出され、かつ樹脂層３の表面３Ａと面一となるようにされる。 - 特許庁

Over- etching is conventionally performed by stopping the etching by using an end monitor, however, the upper layer metal film 7 is etched at a part of a substrate due to dispersion of the etching in a lot surface and dispersion of the etching in a substrate surface.例文帳に追加

従来、エンドモニタを使用してエッチングを止め、オーバーエッチングをしていたが、ロット面内エッチングバラツキと基板面内でエッチングバラツキから基板一部において上層金属膜７がエッチングされてしまう。 - 特許庁

The word line 6a to be connected to the lower MR element 4a and the word line 6b to be connected to the upper MR element 4b are formed by using the same conductive layer at the same time as the digit line 8.例文帳に追加

下側のＭＲ素子４ａに接続されるワード線６ａと、上側のＭＲ素子４ｂに接続されるワード線６ｂは、ディジット線８と同時に同じ導体層を用いて形成される。 - 特許庁

A boundary between the exposed portion 3a of the electrode wiring of the FPC1 and an insulating resist layer 4 is located at a position on a backup stage 10 where a recess 14 is formed, and the ACF5 is placed on the upper surface of the FPC1.例文帳に追加

バックアップステージ１０における凹部１４の形成位置にＦＰＣ１の電極配線の露出部３ａと絶縁レジスト層４との境界部を位置させてＦＰＣ１の上面にＡＣＦ５を載置する。 - 特許庁

The dummy gate pattern 13 is cut at a predetermined position in the gate width direction in the upper part of the diffusion layer 10, and performs a high-speed operation of the MOS transistor by reducing a resistance right beneath a cut portion 13a.例文帳に追加

ダミーゲートパターン１３は、拡散層１０の上部におけるゲート幅方向の所定位置で切断され、切断部１３ａの直下で抵抗を低減して高速なＭＯＳトランジスタの動作を実現する。 - 特許庁

Image output is performed by combining the LUT groups of lowermost layer and gray scale skip is eliminated in the vicinity of boundary, by correcting the coefficients used in the processing of one stage upper hierarchy, after the LUT groups are coupled.例文帳に追加

画像出力は、最下層のＬＵＴ群を組み合わせて行い、ＬＵＴ群の結合処理後、一段上階層の処理に用いた係数の補正によって、境界付近の階調飛びをなくす。 - 特許庁

Lower and upper auxiliary magnetic pole layers 32 and 33 are provided adjacent to the main magnetic pole layer 35 of the recording part 12 on a leading side and a trailing side with respect to a medium moving direction, retreating from a floating surface 41.例文帳に追加

記録部１２の主磁極層３５に隣接して、媒体移動方向に対しリーディング側とトレーリング側に、浮上面４１から後退して下部および上部補助磁極層３２，３３が設けられる。 - 特許庁

The apparatus-side connection part 10a is fitted in the recess 1a of the continuous footing 1 such that the upper part of the apparatus-side connection part 10a is positioned approximately immediately below the air layer 3c inside a wall body 3.例文帳に追加

器具側接続部10ａは、布基礎１の凹部１ａに嵌め込んだ際に器具側接続部10ａの上方が壁体３内部の空気層３ｃの略直下となるように位置決めされている。 - 特許庁

Furthermore, an interlayer insulating film 7 covering the wire 6, a connection hole 8 provided in this interlayer insulating film 7, and an upper layer wire 9 connected to the wire 6 via the connection hole 6, are provided.例文帳に追加

さらに、配線６を覆う層間絶縁膜７、この層間絶縁膜７に設けられた接続孔８、接続孔８を介して配線６に接続された上層配線９が設けられている。 - 特許庁

The first fiber layer 21 consists of a compressive stress region 21A which is an upper region with respect to the neutral axis Sa and a tensile stress region 21B which is a lower region with respect to the neutral axis Sa.例文帳に追加

第１繊維層２１は、中立軸Ｓａに対する上側領域である圧縮応力領域２１Ａと、中立軸Ｓａに対する下側領域である引張応力領域２１Ｂを有している。 - 特許庁

An extension region 6 is formed to an upper layer of the silicon substrate 1 with a channel region under the gate electrode 5 inbetween and a source / drain region 9 connected to the extension region 6 is formed.例文帳に追加

ゲート電極５下方のチャネル領域を挟んでシリコン基板１上層にエクステンション領域６が形成され、エクステンション領域６に接続するソース・ドレイン領域９が形成されている。 - 特許庁

The separation regions 13A and the like continuously extend from an upper face to a lower face of a semiconductor substrate 11, and an insulator layer 14A consisting of a silicon oxide film etc. is formed inside.例文帳に追加

この分離領域１３Ａ等は、半導体基板１１の上面から下面まで連続して延在していおり、内部にはシリコン酸化膜等から成る絶縁物層１４Ａが形成されている。 - 特許庁

Pattern data showing such a state that each layer of the fiber sheet is independently observed from the upper part are individually prepared, and rendering is operated in a state that the fiber sheet is mapped on a virtual object.例文帳に追加

繊維シートの各レイヤーを単独で上方から観察した状態を示す絵柄データをそれぞれ別個に用意し、仮想物体上にこの繊維シートをマッピングした状態のレンダリングを行う。 - 特許庁

For example, the upper layer film is formed by mixing colloidal silica and alumina sol in various ratios and baking the mixture to the steel sheet having the forsterite film in the temperature range of 900 to 1,050°C.例文帳に追加

例えば、上記上層被膜はコロイダルシリカとアルミナゾルを種々の割合で混合し、この混合物をフォルステライト被膜のある鋼板に900℃から1050℃の温度範囲で焼き付けることで形成される。 - 特許庁

To keep a semiconductor device formed of a plurality of semiconductor chips as thinner as possible, and to improve a degree of freedom on the occasion of forming an electronic device on the semiconductor chip in the upper layer.例文帳に追加

複数の半導体チップが積層されて成る半導体装置の厚さを極力薄く抑えると共に、上層の半導体チップに電子デバイスを形成する際の自由度を向上させる。 - 特許庁

The surface layer 10a having almost uniform thickness is formed at the upper part of the semiconductor light emitting element 2 so as to be separated from this so that the color non-uniformity at the time of lighting of the semiconductor light emitting device 2 can be prevented.例文帳に追加

略均一な厚さを有する表面層(10a)は半導体発光素子(2)から離間して上方に形成されるので、半導体発光装置(2)の点灯時の色むらを防止することができる。 - 特許庁

A contact hole having a larger upper opening diameter is formed through an interlayer dielectric 8A on a diffusion layer and a first film 9A having such a film thickness that the film 9A does not fill up completely the contact hole is formed in the hole.例文帳に追加

層間絶縁膜８Ａを介して拡散層上にその上部の開口径が広いコンタクト孔を形成し、当該コンタクト孔内が完全に埋まらない膜厚で第１の膜９Ａを形成する。 - 特許庁

A positioning guide 13 is not continuously formed over the whole periphery of the case 5, and the atmospheric layer 12 formed between the case 5 and the upper bracket 3 is not sealed and is communicated with the outside.例文帳に追加

位置決めガイド１３は、ケース５の全周に亘って連続的に形成されておらず、ケース５とアッパーブラケット３との間に形成された大気層１２は、密閉されることなく外部と連通している。 - 特許庁

To provide a nonvolatile storage device with self-aligningly formed wiring for connecting an upper electrode of a ferroelectric capacitor with a diffusion layer of a cell transistor, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

強誘電体キャパシタの上部電極とセルトランジスタの拡散層を接続するための配線が、自己整合的に形成された不揮発性記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a disk mirroring controller which continues an operation with respect to an upper layer even when an error occurs in a copy source disk during data copying to restore the mirroring state of the disk.例文帳に追加

ディスクのミラーリング状態を復旧するためのデータコピー処理中にコピー元ディスクでエラーが発生した場合でも、上位層に対し動作継続が可能となるディスクミラーリング制御装置を提供する。 - 特許庁

A piezoelectric thin film resonator 1 has such a structure as an adhesive layer 12, a lower surface electrode 13, a piezoelectric thin film 14 and an upper surface electrode 15 are laminated in this order on a supporting substrate 11.例文帳に追加

圧電薄膜共振子１は、支持基板１１の上に、接着層１２、下面電極１３、圧電体薄膜１４及び上面電極１５をこの順序で積層した構造を有している。 - 特許庁

The lower end portion of the aluminum weld 7 melts in the surface layer of said aluminum material 3, and the upper end portion thereof melts and is joined to a weld bead 5 formed over the surface of said steel material 2.例文帳に追加

前記アルミニウム接合部７は、その下端部がアルミニウム板３の表面に溶け込み、その上端部が前記鉄鋼板２の表面に被覆形成された溶接ビード５に溶融接合している。 - 特許庁

A laminated ceramic capacitor 1 is provided with a ceramic substrate 3 having an inner layer 9 and a pair of upper and lower outer layers 11 and 13, and a pair of external electrodes 5 and 7 provided on both sides thereof.例文帳に追加

積層セラミックコンデンサ１は、内層部分９及び上下一対の外層部分１１、１３を有するセラミック基体３と、その左右に設けられた一対の外部電極５、７とを備える。 - 特許庁

A gate insulating film 121 is formed on the upper layer side of the base protective film and the semiconductor film 109a, while a scanning line 163 and a gate electrode 143 are formed on the gate insulating film 121.例文帳に追加

下地保護膜および半導体膜１０９ａの上層側にはゲート絶縁膜１２１が形成され、ゲート絶縁膜１２１上には走査線１６３およびゲート電極１４３が形成されている。 - 特許庁

The piezoelectric driving portion 20 constituted by laminating a cylindrical lower electrode 21, a piezoelectric layer 22, and an upper electrode 24 is provided on an outer peripheral face of a cylindrical base material 10 having a flowing path 12 for compressing an ink and discharging outlet 11.例文帳に追加

インクを加圧する流路１２と吐出口１１を有する円筒基材１０の外周面に、筒状の下電極２１、圧電層２２、上電極２４を積層した圧電駆動部２０を設ける。 - 特許庁

In this manufacturing mold 84 for anisotropic conductive sheet, an upper small magnetic pole part 80 is a plated layer, while a lower small magnetic pole part 74 is formed by selectively etching a magnetic material substrate 70.例文帳に追加

異方導電性シート製造用金型８４によれば、上部小磁極部８０はメッキ層であり、下部小磁極部７４は磁性体基板７０を選択的にエッチングして形成されたものである。 - 特許庁

There are independently provided: a dispensing station 18 for performing dispensing treatment; and an interface detection station 14 for detecting the interface of the upper and lower sides of a layer of the serum (specimen) 86 of an original specimen container 12.例文帳に追加

分注処理を行う分注ステーション１８と、元検体容器１２の血清（検体）８６の層の上側、下側の界面を検出する界面検出ステーション１４とを独立して設ける。 - 特許庁

This electrode structure 300 is provided with a plurality of scan signal lines, a plurality of data signal lines, a plurality of switch devices and a plurality of pixel electrodes 301, 302 which are respectively independent above a surface of a glass substrate upper layer.例文帳に追加

ガラス基板上層表面の上方に複数のスキャン信号ライン、複数の資料信号ラインと複数のスイッチデバイス、及びそれぞれが独立した複数の画素電極３０１，３０２が設けられる。 - 特許庁

In the absorbent article 10, the entire main surface on the absorbent side of a diffusion preventing sheet 1 for storing the excrement is not bonded and a space R2 is formed with an upper layer sheet 11.例文帳に追加

吸収性物品１０では、排泄物を蓄積する拡散防止シート１の吸収体側の主面全体が非接着とされて、上層シート１１との間に空間Ｒ２が形成される。 - 特許庁

On the upper surface of the p-type contact layer 7, a concave-convex shape is intentionally formed by gas phase etching using the mixed gas of H_2 gas and HCl gas as etching gas after a crystal growth is completed.例文帳に追加

このｐ型コンタクト層７の上面には、結晶成長完了後にＨ_2 ガスとＨＣｌガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いた気相エッチングによって凹凸形状が故意に形成されている。 - 特許庁

Then, the second cooling treatment is performed, and the upper silicon 16 is formed by crystal growing the silicon in the silicon containing low melting point metal fused solution 13 on the area starting from the lower silicon layer 14.例文帳に追加

そして第２の冷却処理を行い、シリコン含有低融点金属溶融液１５中のシリコンを下層シリコン層１４を起点に結晶成長させて上層シリコン層１６を形成する。 - 特許庁

This configuration prevents the occurrence of a paraelectric layer between the dielectric film 50 and the upper electrode 60, thereby further thinning the dielectric film 50 while maintaining desired characteristics.例文帳に追加

これにより、誘電体膜５０と上部電極膜６０との間に常誘電体層が発生することが抑制され、所望の特性を維持しつつ誘電体膜５０のより一層の薄膜化が可能になる。 - 特許庁

When carrying out the production of the acrylonitrile by the ammoxidation reaction, methanol in combination with steam is charged to the fluidized catalytic layer from a gas-feeding opening installed in the upper part of the fluidized bed.例文帳に追加

アンモ酸化反応によりアクリロニトリル製造を行うに際して、流動層上部に設置されたガス導入口からメタノールを水蒸気と共に高い線速速で流動触媒層に送入する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method which has upper and lower wirings connected through a thick layer insulation film without using a new mask and without increasing the number of its manufacturing processes.例文帳に追加

新たなマスクを用いることなく、製造工程の増加を招くことなく、上層配線と下層配線が厚い層間絶縁膜を介して接続される半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The thermal sensor is mounted on a sensor pedestal supported by a heat insulation support part above the semiconductor device, and the sensor pedestal and heat insulation support member are formed of porous materials laminated on the insulation upper layer.例文帳に追加

熱型センサは、断熱支持部によって半導体装置の上方に支持されるセンサ台座に搭載され、センサ台座及び断熱支持部材は絶縁上層に積層された多孔質材料で形成される。 - 特許庁

The second adjustment layer 16 of SiO_2 is formed also on the surface of the substrate 11 not covered with the lower electrode film 12 or the upper electrode film 14 and on the surface of the piezoelectric film 13.例文帳に追加

また、ＳｉＯ_２の第２の調整層１６は、下部電極膜１２または上部電極膜１４で被覆されていない基板１１表面上および圧電膜１３表面上にも形成されている。 - 特許庁

Contact plugs 7, which pass through the extension pad electrode 12B and connect an aluminum wiring 8 and the extension pad electrode 12B in an upper layer of the extension pad electrode 12B is further provided.例文帳に追加

さらに、この延長パッド電極部１２Ｂを貫通し、延長パッド電極部１２Ｂの上層において、アルミ配線８と延長パッド電極部１２Ｂとを接続するコンタクトプラグ７が設けられている。 - 特許庁

Subsequently, through the laser process using the laser beam irradiation, the opening area is formed continuously on the upper insulating layer 15 and overcoat film 12 area corresponding to a connection pad for the interconnect line 11.例文帳に追加

この後、レーザビームを照射するレーザ加工により、配線１１の接続パッド部に対応する部分における上層絶縁膜１５およびオーバーコート膜１２に開口部を連続して形成する。 - 特許庁

The observed patterns of the upper- and lower-layer wiring sections 1 and 2 are obtained by projecting an electron beam upon the surface of the integrated circuit and detecting secondary charged particles by means of a secondary electron detector 10.例文帳に追加

そして、半導体集積回路の表面に電子ビームを照射して２次電子検出器１０により２次荷電粒子を検出することにより、上層及び下層配線の観察パターンを得る。 - 特許庁

To provide constitution which materializes the drop of contact resistance by securing the contact area between a contact plug and an upper conductive layer connected to it, even in a semiconductor integrated circuit with improved integration.例文帳に追加

集積度が向上した半導体集積回路においても、コンタクトプラグと、それに接続される上部の導電層との接触面積を確保して、コンタクト抵抗の低下を実現する構成を提供する。 - 特許庁

The lower and upper layer storage capacitors are formed so as to span nonopening regions of two pixel regions adjacent from side to side and the area is sufficiently wider than that in the case of formed within a pixel region.例文帳に追加

下層及び上層蓄積容量は、左右に隣接した２画素領域の非開口領域にまたがって形成され、その面積は１画素領域に形成される場合よりも十分に広い。 - 特許庁

In the piezoelectric oscillator plate having a piezoelectric ceramics plate, electrodes formed on upper and lower surfaces thereof and a layout electrode, both electrodes are composed of a metal layer formed by nonelectrolytic plating.例文帳に追加

圧電セラミックス板と、その上面および下面に形成した電極と、引き回し電極を有する圧電振動子板において、その電極のいずれも無電解メッキで形成した金属層で構成する。 - 特許庁

To provide a burying method for a drainpipe in the existing highway bridge, a burying structure and the drainpipe capable of preventing the upper end section of the drainpipe buried for exhausting water infiltrated into an asphalt layer of the existing highway bridge from being damaged in the case an asphalt paving is repaired.例文帳に追加

既設道路橋のアスファルト層に浸透した水を排水するために埋設される水抜管の上端部が、アスファルト舗装の改修時に損傷されないようにすることである。 - 特許庁

The method further includes a step of forming rewiring circuits 3, 4 on both the upper and lower surfaces of the wafer 1, and connecting the rewiring circuits 3, 4 by a plating 9 applied on the insulating layer 14 in the through hole 2.例文帳に追加

該ウエハ１の上下両面に再配線回路３、４を形成すると共に該再配線回路３、４を前記スルーホール２内において絶縁層１４上に施したメッキ９により接続する。 - 特許庁