「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(160ページ目) - Weblio英語例文検索

With a second resist pattern 203 for covering the upper side of the sacrificial layer 9 as a mask, the conductive film 13 part on the structure film 11 is etched according to the shape of a wiring pattern 13a.例文帳に追加

犠牲層９の上方を覆う第２レジストパターン２０３をマスクに用いて構造体膜１１上の導電膜１３部分を配線パターン１３ａの形状にエッチングする。 - 特許庁

To perform initialization, later operation, and return from a one-place fault while requiring a short time to the return by a generic system which is independent of a transmission path control system of an upper layer.例文帳に追加

上位層となる伝送路制御方式に依存しない汎用的な方式で初期化やその後の運用や一箇所故障からの復帰を行い、更に、復帰まで短時間に行う。 - 特許庁

Physical vapor deposited film(PVD) process generally generates liner/barrier layers (110 and 214) or a seed layer (112) having a thick overhung part (111) at the upper corner of a trench (108), a via (106) or a contact (212).例文帳に追加

物理気相堆積膜（ＰＶＤ）プロセスは、一般にトレンチ（108）、ビア（106）、またはコンタクト（212）の上部コーナに厚いオーバハング部分（111）を有するライナー／バリア層（110,214）またはシード層（112）を生じる。 - 特許庁

The solvent of an upper layer in the water tank 50 is sucked through the prefilter part 56 by a liquid sending pump 58 and sent with pressure into a space surrounded by the filter 59a of the granulating part 59.例文帳に追加

送液ポンプ５８により貯液槽５０内の上層の溶剤をプレフィルタ部５６を通して吸引し、粗粒化部５９のフィルタ５９ａで囲まれる空間内に圧送する。 - 特許庁

By virtue of this structure when a vertical load is applied to the horizontal load elastically bearing device 1, the vertical load is absorbed by shear deformation of the elastic layer 3b of the upper shoe 3.例文帳に追加

これにより、水平荷重弾性支持装置１に鉛直荷重がかかった場合、その鉛直荷重を上沓３の弾性層３ｂのせん断変形によって吸収することができる。 - 特許庁

Plating is performed with an electrolytic filler plating liquid, after performing the non-electrolytic plating of the front-end and also before arranging the plating resist for the upper layer wiring, and then hole filling is performed in the via hole through electrolytic plating.例文帳に追加

下地無電解めっき後で上層配線用のめっきレジストを設ける前に、電解フィルドめっき液によるめっきをした後、電解めっきでビアホールの穴埋めをする。 - 特許庁

Thereafter, the 2nd layer of the conductor coil 2b is covered with an insulating film 4b, and a plating substrate film 6 for forming the upper magnetic film 1 is formed on the insulating film 4b by sputtering or the like.例文帳に追加

その後、二層目の導体コイル２ｂを絶縁膜４ｂで覆い、絶縁膜４ｂの上に上部磁性膜１を形成するための、メッキ用下地膜６をスパッタリング等で形成する。 - 特許庁

When sputtering is performed from the lower surface side following to the upper surface side, a lower layer thin metal film 18T1 of substantially uniform thickness is formed on the side face.例文帳に追加

上面側からスパッタリングを行った後、下面側からスパッタリングを行うことによって、側面にも略均一の厚みの下層金属薄膜１８Ｔ１が形成されることとなる。 - 特許庁

A lower layer coating material Pd is extruded from the slit 3A and an upper coating material Pu is extruded from the slit 4A in a mutual adhesion without entrapping air between them.例文帳に追加

そして、下層材スリット３Ａからは下層材Ｐｄが、上層材スリット４Ａからは上層材Ｐｕが、間に空気を巻き込むことなく、互いに密着した状態で押し出される。 - 特許庁

The protruding area 1a is formed in the rectangular shape, and the width dimension T1 of the protruding area 1a coincides with the width dimension Tw of a tip 7a of a upper core layer 7.例文帳に追加

前記隆起部１ａは矩形状で形成されており、前記隆起部１ａの幅寸法Ｔ1が、上部コア層７の先端部７ａの幅寸法Ｔｗと一致している。 - 特許庁

To provide an automatic sunshine system for irradiating sunshine to a garden of every floor without having an influence of an upper floor, in sunshine of a solid garden laid on a multiple-layer building.例文帳に追加

複層建築物に敷設する立体庭園の日照において、各階庭園へ、上階の影響を受けずに日光を照射するための自動日照システムを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a memory mixedly mounted such that a wiring layer has the same height between a capacity plate upper surface where a plurality of capacity parts are connected and a logic part, and a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

複数の容量部が接続された容量プレート上面とロジック部とで配線層の高さを同じにするメモリ混載の半導体装置、および製造方法を提供する。 - 特許庁

In addition, in the scribe region 34, a removal region 38 is provided by removing an oxide film 16 covering the upper surface of the semiconductor substrate 12 and each insulating layer.例文帳に追加

そして、スクライブ領域３４には、半導体基板１２の上面を被覆する酸化膜１６および各絶縁層が除去されることにより、除去領域３８が設けられている。 - 特許庁

In a fixing device of an external heating system using a balloon film whose surface layer is black, the balloon film is compressed between upper and lower metal rollers on a downstream side of a fixing nip.例文帳に追加

表層黒色のバルーンフィルムを用いた外部加熱方式の定着装置において、分離ニップ下流側で、上下金属ローラ間でバルーンフィルムを、圧縮する構成とする。 - 特許庁

The sauce is filled in the frozen dessert 2 so that sauce layers 6 are each contacted to the upper or under side of each chocolate layer 4 in the section of the vertically cut frozen dessert 2.例文帳に追加

ソースは、冷菓２を上下方向に切断した断面において、各チョコレート層４の層上または層下にソース層６がそれぞれ当接するように、冷菓２の中に充填されている。 - 特許庁

The metal layer 12 is made of the metal material, provided on an upper surface or lower surface of the composite member 11, and formed integrally with the plurality of vias 12 by plating.例文帳に追加

金属層１２は、上記金属材料からなり、複合部材１１の上面または下面に設けられているとともに、メッキによって複数のビア１２と一体的に形成されている。 - 特許庁

Rising of a resist layer 6 at the presser part 12 assures a distance enough to fluidity of a molding resin as the distance between the semiconductor chip 21 and the upper mold 33.例文帳に追加

押さえ部１２におけるレジスト層６の盛り上がりによって、半導体チップ２１と上型３３との間の距離として、モールド樹脂の流動に十分な距離が確保される。 - 特許庁

To provide a thermal head having an intermediate layer between a supporting substrate and an upper plate substrate, the thermal head suppressing heat dissipation to the supporting substrate while maintaining printing quality.例文帳に追加

支持基板と上板基板との間に中間層を有するサーマルヘッドにおいて、印字の品質を保ちつつ支持基板への放熱を抑制することができるサーマルヘッドを提供する。 - 特許庁

In an upper pattern layer 83 of the display panel 10, formation areas of the light-receiving transistor Tr21 and the holding capacitance element C1 are selectively formed with openings 110.例文帳に追加

表示パネル１０上の上部パターン層８３において、受光用トランジスタＴｒ２１および保持容量素子Ｃ１の形成領域に、選択的に開口１１０が設けられている。 - 特許庁

The magnetic flux leakage prevention metal cap 14 includes a ferromagnetic metal material such as iron, cobalt or nickel and covers from the upper part of the planar coil layer 12 to the side of the substrate 11.例文帳に追加

磁束漏洩防止金属キャップ１４は、鉄、コバルト、又はニッケルのような強磁性を示す金属材料からなり、平面コイル層１２の上方から基板１１の側面までを被覆する。 - 特許庁

A groove 25 extending from an upper end of the AlInN layer 15 to a middle part thereof is formed, and a gate electrode 26 is schottky-connected to at least a part of a bottom of the groove 25.例文帳に追加

ＡｌＩｎＮ層１５の上端から途中まで伸びている溝２５が形成されており、その溝２５の底部の少なくとも一部にゲート電極２６がショットキー接続されている。 - 特許庁

As a result, the second insulating film 162 is left in regions planarly overlapping boundary regions 9s between adjacent pixel electrodes 9a, of the upper layer of the first insulating film 161.例文帳に追加

その結果、第１絶縁膜１６１の上層のうち、隣り合う画素電極９ａの間の境界領域９ｓと平面的に重なる領域に第２絶縁膜１６２が残される。 - 特許庁

The grid pattern plate is arranged on an upper part of the bottom surface part, and the attenuation material layer has at least two zones positioned on places having each different interval from the grid pattern.例文帳に追加

前記格子パターン板は、前記底面部の上部に配置され、前記減衰材料層は、前記格子パターンから異なる間隔のところに位置する少なくとも２つのゾーンを有する。 - 特許庁

To secure pressing force and a puncturing speed required when a needle tube punctures the skin, and to reliably position a needle tip of the needle tube on the upper layer of the skin.例文帳に追加

針管を皮膚に穿刺する際に必要な押圧力及び穿刺する速度を確保することができ、確実に針管の針先を皮膚上層部に位置させることができるようにする。 - 特許庁

In the early stage of the second etching process, the initial groove mask 54 covers a portion of the upper surface of the bottom formation layer 42 in a region where the second portion is scheduled to be formed.例文帳に追加

第２のエッチング工程の当初は、第２の部分が形成される予定の領域における底部形成層４２の上面の一部が初期溝マスク５４によって覆われている。 - 特許庁

When the polysilicon layer 9 is etched, conditions such as Cl2: 150 sccm, HBr: 450 sccm, CHF3: 100 sccm, pressure: 100 mTorr, RF power in an upper counter electrode 15: 500 W and RF power in a lower counter electrode 13: 300 W are adopted.例文帳に追加

ここで、ポリシリコン層9のエッチングにおいて、例えば、Cl_2:150sccm、HBr:450sccm、CHF_3:100sccm、圧力:100mTorr、上部対向電極15におけるRFパワー:500W、および下部対向電極13におけるRFパワー:300Wの条件を用いる。 - 特許庁

The structured surface layer, which includes a plurality of non-parallel adjacent columnar structures, can gather light and can reduce the optical interference, is disposed on an upper surface of the substrate.例文帳に追加

複数の非平行で近接する柱状構造を有し、集光が可能であり、光学干渉を減少させることが可能な構造化された表面層を基板の上面上に配置する。 - 特許庁

To provide a double layer type elevator capable of installing two elevator cars which can be run separately from each other in a single elevator shaft without making the upper elevator car in a special form.例文帳に追加

上側エレベータかごを特殊な形状とすることなく、かつ単一昇降路内に独立して走行可能な２台のエレベータかごを設置できる二層形エレベータの提供。 - 特許庁

To provide a dwelling unit structure of a multi-layer building capable of preventing various construction work noise, life noise, and vibration generated in an indoor space of one dwelling unit from being transmitted between dwelling units at upper and lower stories.例文帳に追加

一住戸の室内空間で発生する各種工事音，生活音，振動が上下階の住戸間で伝播するのを防止できる多層建物の住戸構造を提供する。 - 特許庁

The upper magnetic pole layer 13 consists of plural laminated magnetic material layers 13a to 13c and resistance layers 21, 22 arranged between adjacent magnetic material layers.例文帳に追加

上部磁極層１３は、積層された複数の磁性材料層１３ａ〜１３ｃと、隣接する２つの磁性材料層の間に配置された抵抗層２１，２２とによって構成されている。 - 特許庁

In addition, a lower electrode 34a of a DRAM capacitative element and a lower electrode 34b of a phase-change device are formed at the upper part of the bit line 25 by a common conductive layer.例文帳に追加

更に、ＤＲＡＭの容量素子の下部電極３４ａと相変化型素子の下部電極３４ｂとが共通の導電層で形成され、ビット線２５の上部に配置される。 - 特許庁

To provide a system and a method capable of measuring or detecting alignment patterns of an upper layer and one or a plurality of layers formed precedently before the formation of the next feature pattern.例文帳に追加

次のフィーチャパターンの形成前に、上部の層および先行して形成される１つまたは複数の層のアライメントパターンを測定または検出できるシステムおよび方法を提供する。 - 特許庁

On the upper surface of a layer comprising the internal electrode 3 and the dielectric 4 for step cancellation, a second ceramic green sheet 2 is formed by die-coating, and thus an intermediate laminate 10 is formed.例文帳に追加

この内部電極３と段差解消用誘電体４とからなる層の上面に、第２のセラミックグリーンシート２をダイコートにより形成して、中間積層体１０を形成する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the thick film multilayer substrate, a thick film resistor 6 on a ceramic substrate 1 is burnt at a higher temperature than a glass insulating layer 2 which is burnt while contacting with the upper surface of thick film resistor 6.例文帳に追加

本発明の厚膜多層基板の製造方法では、セラミック基板１上の厚膜抵抗６をその上に接して焼成されるガラス絶縁層２よりも高温で焼成する。 - 特許庁

To provide a three-dimensional dielectric memory excellent in characteristics with a high yield by stably forming a contact structure for extracting the potential of an upper electrode into a conductive layer on a substrate.例文帳に追加

上部電極の電位を基板上の導電層に引き出すためのコンタクト構造を安定して形成し、特性の優れた立体型の強誘電体メモリ装置を高歩留で提供する。 - 特許庁

A color filter 10, an overcoat layer 7 and a transparent electrode 8 are formed on a glass substrate 12, and a light reflection film 18 is formed so as to cover part of the upper surface of the transparent electrode 8.例文帳に追加

ガラス基板１２上にカラーフィルタ１０とオーバーコート層７と透明電極８とを形成し、透明電極８の一部上面を覆うように、光反射膜１８を形成する。 - 特許庁

The portable terminal device receives images and image link information and arranges the received images in order from an upper layer according to the received image link information (S502 to S505).例文帳に追加

携帯端末装置は、画像および画像リンク情報を受信し、受信した画像リンク情報に基づいて、受信した画像を上位の階層から順に配置する（Ｓ５０２〜Ｓ５０５）。 - 特許庁

In addition, an anode terminal 7 is connected to the top of an anode lead 1a of the anode 1, and a conductive adhesive layer 5 and a cathode terminal 6 are formed on the upper surface of the cathode 4.例文帳に追加

また、陽極１の陽極リード１ａ上には、陽極端子７が接続され、陰極４の上面には、導電性接着剤層５と陰極端子６が形成されているている。 - 特許庁

Conductive layers CL1, CL2 are arranged on the upper layer part of each of storage nodes SN1, SN2 so as to be electrically connected with the storage nodes SN1, SN2 of each of inverters IV1, IV2.例文帳に追加

各インバータＩＶ１，ＩＶ２の記憶ノードＳＮ１，ＳＮ２と電気的に接続されるように、各記憶ノードＳＮ１，ＳＮ２の上層部分にそれぞれ導電層ＣＬ１，ＣＬ２を配置する。 - 特許庁

The concave lens 50a is supported by the main body part 411 of the upper die, the core part 412 is released from the resin layer 52, and then the main body part 411 is detached from the concave lens 50a.例文帳に追加

凹レンズ５０ａを上金型の本体部４１１で保持するとともに、コア部４１２を樹脂層５２から離型した後、本体部４１１を凹レンズ５０ａから離間する。 - 特許庁

Succeedingly, the sapphire substrate 101 is separated, an Au upper electrode 108 is formed on the AIN thin film surface, and the resonator is formed, wherein an air gap 111 is formed under the AIN layer 103.例文帳に追加

続いてサファイア基板１０１を分離し、AlN薄膜表面にAu上部電極１０８を形成し、AlN層１０３下方に空隙１１１が形成された共振器を形成する。 - 特許庁

On the upper surface of a core 103 of an area held between an electrode 141 and an electrode 151, a silicon oxide layer 107 formed by oxidizing the core 103 of this area is provided.例文帳に追加

電極１４１および電極１５１に挟まれた領域のコア１０３の上面に、この領域のコア１０３を酸化することで形成した酸化シリコン層１０７を備える。 - 特許庁

Light beam L3 reflected by a projection optical system after transmitted through a counter substrate 40 is never made incident on the polycrystalline silicon film since the light beam L3 is reflected by the upper light shielding layer.例文帳に追加

また、対向基板４０を透過した後、投射光学系によって反射された光Ｌ３も、上部遮光層で反射されるため、多結晶シリコン膜に入射することがない。 - 特許庁

A source electrode 4 on an upper surface 9 of the FET 1 is connected to the ground of a circuit substrate 2, using the connection conductive layer 16 formed based on conductive paste.例文帳に追加

ＦＥＴ１の上面９のソース電極４を導電性ペーストに基づいて形成された接続導体層１６によって回路基板２のグランド導体層１０に接続する。 - 特許庁

A plurality of projecting parts 102s, which are formed in a nearly rod type, having a trapezoidal cross section are arranged on the surface of a substrate 101 at prescribed intervals, and a polysilicon film 107 is formed on the upper layer.例文帳に追加

断面が台形状を有する略棒型に形成された凸部１０２を基板１０１の表面に所定間隔で複数配置し、その上層にポリシリコン膜１０７を形成する。 - 特許庁