「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(157ページ目) - Weblio英語例文検索

When the optical path difference adjusting layer is formed, a hole is formed at a position on the upper face of the optical path difference adjusting layer and corresponding to the formation of the second photospacer PS-12, by using the above described photomask PM6, and the second photospacer is formed on the hole.例文帳に追加

光路差調整層を形成する際に、上記フォトマスクＰＭ６を用い第二フォトスペーサーＰＳ−１２の形成に対応した光路差調整層上面の位置にホールを形成し、該ホール上に第二フォトスペーサーを形成すること。 - 特許庁

To provide a recorder capable of normal recording while controlling layer-to-layer shift caused between upper and lower sheets of recording sheets in a recording process of a recording head after the terminals of the recording sheets run out of a feeding driven roller.例文帳に追加

記録用紙の終端が紙送り従動ローラから外れた後の記録ヘッドによる記録工程において、記録用紙の「上紙」と「下紙」との間に生じる層間ずれを抑制して、正常な記録を行うことができる記録装置を提供すること。 - 特許庁

Next, a laser beam 5 having an irradiation diameter corresponding to a predetermined rib width is radiated to the insulation layer 4 at a predetermined rib interval while scanning it at a speed at which only the surface of the insulation layer 4 is thermally set, so that the upper part of a part to be formed into ribs is thermally set.例文帳に追加

次に絶縁層４に、所定のリブ幅に対応させた照射径のレーザー光５を、所定のリブ間隔で、絶縁層４の表面のみが熱硬化する速度で走査しつつ照射して、リブとなる部分の上部を熱硬化させる。 - 特許庁

An insulating film 13 is formed covering at least part of a top surface of the semiconductor layer 12 and a region S2 on the top surface of the substrate 11, and a p-side electrode 14 is provided covering upper parts of the insulating film 13 and semiconductor layer 12.例文帳に追加

半導体層１２の上面の少なくとも一部と基板１１表面の領域Ｓ２とを覆うように絶縁膜１３が形成され、この絶縁膜１３と半導体層１２の上部を覆うように、ｐ側電極１４が設けられている。 - 特許庁

Magnetic material layers 1a and 1b and 1c and 1d formed by making magnetic powder scatter in a polyvinyl benzyl ether compound are respectively provided on the upper and lower sides of composite layers, which respectively consist of the strip lines 4 and 5 forming the pair and the layer 2a and the strip lines 6 and 7 having the pair and the layer 2b.例文帳に追加

対をなすストリップライン４、５または６、７と非磁性体層２ａまたは２ｂでなる複合層の上下に、ポリビニルベンジルエーテル化合物に磁性粉末を分散させた磁性体層１ａ、１ｂまたは１ｃ、１ｄを設ける。 - 特許庁

The ceramic wafer 11 in the wafer laminate 15 is then sliced to separate the circuit layers 12 one by one, thereby manufacturing a secondarily processed wafer 20 having a structure in which the upper and lower parts of the circuit layer 12 are sandwiched by the ceramic layer 13.例文帳に追加

次に、ウェハー積層体１５におけるセラミックウェハー１１の部分をスライスすることにより、回路層１２を１枚ずつ分離し、これにより回路層１２の上下がセラミック層１３に挟まれた構造を有する２次加工ウェハー２０を作製する。 - 特許庁

The electrode pad PAD is essentially an aluminum layer 11 connected to an inside conductive region, is formed on an interlayer insulation film 10 such as an SiO_2 film, and is so structured as to be exposed in an opening of a passivation film 12 formed in the most upper layer.例文帳に追加

電極パッドＰＡＤは、内部の導電領域と接続される実質的なアルミニウム層１１で、ＳｉＯ_2膜などの層間絶縁膜１０上に形成され、最上層のパッシベーション膜１２の開口部に露出するように構成されている。 - 特許庁

The upper layer of the vapor water permeable metal layer may be sealed by an organic matter, where the mass change is 1 mg/24 hours or less in an exposure area of 50 cm^2 when being exposed to a temperature of 40±0.5°C and a relative humidity of 90±2%.例文帳に追加

水蒸気不透過性金属層の上層に、温度４０±０．５℃、相対湿度９０±２％の条件下に暴露したときにその質量変化が、暴露面積５０ｃｍ^２で１ｍｇ／２４時間以下の有機物で密閉しても良い。 - 特許庁

This packaging comprises a three laminated resin layers, an intermediate layer 30 is a resin layer containing a light transmission preventive material such as zinc oxide, titanium oxide and iron oxide, and upper and lower layers 10 and 20 are resin layers having a reinforcing structure of polyethylene and polypropylene.例文帳に追加

３層の樹脂層を積層してなり、中間の層３０は酸化亜鉛、酸化チタン、酸化鉄等の光透過防止材を含有した樹脂層であり、上下の層１０，２０はポリエチレン、ポリプロピレンの補強構造を有する樹脂層である包装材。 - 特許庁

The Y-direction width of the lower part of a first conductive layer 6 becomes narrower than the Y-direction width of the upper part, because the side wall of the first conductive layer 6 is subjected to etching or the reaction product of the etching is removed.例文帳に追加

第１の導電層６の側壁をエッチング処理や当該処理時の反応生成物の除去処理等により除去することで第１の導電層６の下部のＹ方向の幅がその上部のＹ方向の幅よりも狭く形成される。 - 特許庁

In the intake for the cooling water, the impervious slab for cutting off an upper layer water section on the front section of an channel port is connected between an anchor placed on the bottom having an opening section for a deep layer water intake and a floating body in a tiltable manner.例文帳に追加

本発明の冷却水のための取水口においては水路口の前面部の上層水部を遮る遮水版を、深層水取水用の開口部を設けた水底に配置したアンカーと、浮体の間に傾動自在に連結する。 - 特許庁

The total thickness (about 3 μm) of the p-side electrode 10 and the p-side pad electrode 11 is larger than a distance (about 1.0 μm to about 2.1 μm) from the lower face of an n-type clad layer 3 below an MQW active layer 4 to the upper face of the ridge part.例文帳に追加

そして、ｐ側電極１０とｐ側パッド電極１１との合計厚み（約３μｍ）は、ＭＱＷ活性層４の下のｎ型クラッド層３の下面からリッジ部の上面までの距離（約１．０μｍ〜約２．１μｍ）よりも大きい。 - 特許庁

This decoupling capacitor unit is equipped with odd-numbered decoupling capacitors 104a and 104b mounted on a first upper metal layer 102a, and even-numbered decoupling capacitors 104c and 104d mounted on a second lower metal layer 102b.例文帳に追加

奇数番のデカップリング・コンデンサ１０４ａ、１０４ｂが上面の第１の金属層１０２ａに取り付けられ、偶数番のデカップリング・コンデンサ１０４ｃ、１０４ｄが底面の第２の金属層１０２ｂに取り付けられる複数のデカップリング・コンデンサを備える。 - 特許庁

The original plate for lithographic printing comprises a hydrophilic upper layer containing metal compound particles having surface hydrophilicity and photocatalysis carrying fine pieces of a photothermal conversion substance on the surface and a lipophilic lower layer.例文帳に追加

支持体上に、光熱変換性物質の微小片を表面に担持した表面親水性でかつ光触媒性を有する金属化合物粒子を含有する親水性の上層と、親油性の下層とを有することを特徴とする平版印刷用原板。 - 特許庁

A plurality of upper layer wires 16 having protruding electrodes 17 are formed by patterning the metallic plate, then a plurality of semiconductor device having at least of the semiconductor constitutional body are obtained by cutting the sheet for forming the insulating layer.例文帳に追加

次に、金属板をパターニングすることにより突起電極１７を有する複数の上層配線１６を形成し、この後、絶縁層形成用シートを切断して少なくとも前記半導体構成体を１つ含む複数の半導体装置を得る。 - 特許庁

When light is generated from the active layer 21 and the generated light is strengthened by diffraction in the 2D photonic crystal layer 23, strong laser light is generated from the periphery of the upper electrodes 33 from which the current is led to the outside.例文帳に追加

これにより、活性層２１で光が発生し、その光が２次元フォトニック結晶層２３において回折により強められることにより、電流を導入した上部電極３３の周囲から外部に向かって強いレーザ光が発せられる。 - 特許庁

In a semiconductor manufacturing process, an organic reflection preventing film provides selectivity for a lower layer and/or minimizes the etching speed in the lateral direction of photoresist of an upper layer which maintains a critical dimension determined by a photo resist.例文帳に追加

半導体製造プロセスであって、このプロセスは、有機反射防止膜が、下層に対して選択性を与え、及び／又は、フォトレジストによって定められるクリティカルディメンジョンを維持する上層のフォトレジストの横方向のエッチング速度を最小化する。 - 特許庁

To obtain a source electrode and a drain electrode which obtains a proper ohmic contact to an organic semiconductor layer, prepared in an upper portion, at low cost without damaging the insulating layer of a ground that comprises an organic material.例文帳に追加

有機材料からなる下地の絶縁性層に対してダメージを与えることなく、かつ上部に設けられる有機半導体層に対して良好なオーミックコンタクトが得られるソース電極およびドレイン電極を低コストで得ることを可能にする。 - 特許庁

The insulating film is constituted by forming coating layers comprising polyphenylene ether type organic matter on the upper and rear surfaces of a liquid crystal polymer layer 1 and the liquid crystal polymer layer 1 contains a light absorber absorbing light with a wavelength of 150-500 nm.例文帳に追加

液晶ポリマー層１の上下面にポリフェニレンエーテル系有機物から成る被覆層２を形成して成り、液晶ポリマー層１は、波長150〜500ｎｍの光を吸収する光吸収剤を含有していることを特徴とする絶縁フィルム。 - 特許庁

A bipolar transistor and a capacitive element are formed on the same semiconductor substrate 11 wherein a base region 20 formed of an epitaxial layer and the upper electrode 21 of the capacitive element are patterned from a vapor phase epitaxial growth layer formed simultaneously.例文帳に追加

同一の半導体基板１１にバイポーラトランジスタ及び容量素子が形成され、エピタキシャル層で形成されたベース領域２０及び容量素子の上部電極２１が、同時に形成された気相成長層からパターニングされて形成されている。 - 特許庁

To provide a distributed feedback semiconductor laser, having a structure that improves the planarity of crystal layer growth in the upper layer of a diffraction grating, and further, improves the reliability of an element by reducing the density of crystal defects.例文帳に追加

回折格子層の上層における結晶層成長の平坦性の向上と、結晶欠陥密度の低減を図ることにより、素子信頼性の向上を図ることを可能とする構造を備える分布帰還型半導体レーザを提供する。 - 特許庁

The upper layer 5a of the sealing resin 5 includes an additive for shielding the electromagnetic field or electrostatic field for ferrite and conductive material, and concentration of this additive is relatively larger than that of the lower layer 5b of the sealing resin 5.例文帳に追加

封止樹脂５の上層部５ａは、フェライトや導電体材料などの電磁界または静電気に対してシールド効果を有する添加物を含んでおり、その添加物の濃度は、封止樹脂５の下層部５ｂよりも相対的に大きい。 - 特許庁

The electron emission element 1 includes a particulate layer 4 between a substrate 2 and an upper part electrode 3, and the particulate layer 4 contains metal particulates 6 having high antioxidant power and particulates 5 of an insulator which have larger sizes than that of the metal particulates 6.例文帳に追加

電子放出素子１は、基板２と上部電極３との間に微粒子層４を備え、微粒子層４は、抗酸化力が高い金属微粒子６と、金属微粒子６の大きさより大きい絶縁体の微粒子５とを含んでいる。 - 特許庁

An image forming material of the present invention is formed by sequentially laminating on a substrate a lower layer containing water-insoluble, alkali-soluble resin; and an upper layer containing polyurethane with solubility to an alkali aqueous solution improved by an infrared absorbent and infrared exposure.例文帳に追加

支持体上に、水不溶かつアルカリ可溶性樹脂を含む下層と、赤外線吸収剤及び赤外線露光によりアルカリ水溶液への溶解性が向上するポリウレタンを含む上層と、を順次積層してなる画像形成材料である。 - 特許庁

The layers 39 are formed in such a way that upper end edges 39a1 of side end faces 39a facing the multilayer film T1 are overlapped with a face S1a on the opposite side of a face facing the nonmagnetic material layer 36 of the layer S1.例文帳に追加

第１絶縁層３９は、多層膜Ｔ１に対向する側端面３９ａの上端縁３９ａ１が鏡面反射層Ｓ１の非磁性材料層３６に対向する面と反対側の面Ｓ１ａと重なるように成膜される。 - 特許庁

Hot water generated from an electric heater 6 at a regeneration time circulates through an upper part activated carbon layer 3 and a lower part activated carbon layer 4 by an air bubbles pump part 5, and generated steam is discharged through a gas discharge port and purified water outflow port 7.例文帳に追加

再生時には電気加熱器６から発生した熱水が気泡ポンプ部５よって上部活性炭層３及び下部活性炭層４を循環し、発生した蒸気はガス排気口兼浄水流出口７を通って排気される。 - 特許庁

Earthquake resistance is thereby increased, the lower layer story can ensure a big span used for a parking space or a store and, at the same time, the large space required in the case the upper layer story is used for a dwelling can be ensured.例文帳に追加

それにより、耐震性を高め、下層階は駐車スペースまたは店舗に使用するための大きなスパンを確保することができるとともに、上層階は住居として使用する場合に望まれる大きな空間を確保することができる。 - 特許庁

Because the nonvolatile memory element has the block layer 14 capable of blocking the phase change of the recording layer 13, radiation is inhibited to the side of the upper electrode 15, and a phase changing area P is largely limited when a write current is applied.例文帳に追加

本発明によれば、記録層１３の相変化をブロック可能なブロック層１４を有していることから、上部電極１５側への放熱が抑制されるとともに、書き込み電流を印加した場合の相変化領域Ｐが大きく制限される。 - 特許庁

There is the relationship of T1<T3<T2<T3+30°C among the softening point of the major glass powder used for the lower dielectric layer (T1), that of the major glass powder used for the upper dielectric layer (T2), and firing temperature of the major glass powders (T3).例文帳に追加

上記下側誘電体層に使用される主要ガラス粉末の軟化点（Ｔ１）と、上記上側誘電体層に使用される主要ガラス粉末の軟化点（Ｔ２）と、上記主要ガラス粉末の焼成温度（Ｔ３）とが関係Ｔ１＜Ｔ３＜Ｔ２＜Ｔ３＋３０℃を満たす。 - 特許庁

The first lower and upper portions form an undoped region ND having a thickness of >0.5 μm and the difference Δn_opt in light refractive index between either one of the coating layers 1 and 2 and the guide layer adjoining the coating layer is adjusted to <0.02.例文帳に追加

第１の下方および上方部分は、厚さが０．５μｍより大きいドープされていない領域ＮＤを形成し、被覆層の少なくともいずれか１つと、前記隣接するガイド層との光屈折率の差Δｎ_ｏｐｔは０．０２未満である。 - 特許庁

There is provided a laminated nonwoven fabric having upper and lower layers of thermoplastic continuous fiber layers having a birefringence of not more than 0.040, and an intermediate layer of a thermoplastic microfiber layer having an average fiber diameter of not less than 2 μm, wherein the layers are integrated each other by thermal bonding.例文帳に追加

複屈折率が０．０４０以下である熱可塑性長繊維層を上下層とし、平均繊維径が２μｍ以上の熱可塑性微細繊維層を中間層とし、各層が熱接着で一体化されていることを特徴とする積層不織布。 - 特許庁

After a know novolak resist is rotatively coated as a lower layer resist 2 on a to-be-processed substrate (a), it is hard-baked at a high temperature (b), and a chemical amplification resist of a thin film is coated as an upper layer resist 3 on the hard-baked novolak resist (c).例文帳に追加

被加工基板（ａ）上に下層レジスト２として、周知のノボラックレジストを回転塗布した後、高温でハードベークし（ｂ）、該ハードベークしたノボラックレジスト上に化学増幅型レジストを薄膜で上層レジスト３として塗布する（ｃ）ようにした。 - 特許庁

A lateral mode adjustment layer 30 is provided on an upper surface of the mesa section 17, where the lateral mode adjustment layer 30 includes a high-reflection region 23A corresponding to the unoxidized region 18B and an annular low-reflection region 23B on the periphery of the high-reflection region 23A.例文帳に追加

メサ部１７の上面には、未酸化領域１８Ｂに対応して高反射領域２３Ａを有すると共に、高反射領域２３Ａの周縁に環状の低反射領域２３Ｂを有する横モード調整層３０が設けられている。 - 特許庁

Since a chemically instable Schottky layer is covered with the cap layer and the boundary region between the Schottky layer/cap layer and the Schottky electrode susceptible to surface defect is covered with the upper structure of the Schottky electrode, occurrence of surface detect is retarded and a highly reliable semiconductor device can be fabricated at high yield.例文帳に追加

かかる構成によれば，化学的に不安定なショットキ層がキャップ層に覆われるとともに，表面欠陥が生じやすい，ショットキ層／キャップ層とショットキ電極との境界領域についても，ショットキ電極の上部構造により，覆われるので，表面欠陥が生じにくく，したがって高い信頼性を有する半導体装置を高い歩留まりで製造することが可能となる。 - 特許庁

In the method for producing the sintered ore where, when a sintering raw material is charged to the surface of a circularly moving pallet 2 so as to form a charged layer on the pallet 2, and when the charged layer is sintered, using a sintering machine 1 sintering the charged layer and producing a sintered ore, oxygen, air and gaseous fuel are supplied to the upstream side of the charged layer from the upper part.例文帳に追加

循環移動するパレット２上に焼結原料を装入してパレット２上に装入層を形成し、該装入層を焼結して焼結鉱を製造する焼結機１を用い、装入層を焼結する際に、酸素と空気と気体燃料とを装入層の上流側に上部から供給することを特徴とする焼結鉱の製造方法を用いる。 - 特許庁

A surface emitting laser module 10 is constituted into such a structure that the module 10 is provided with a semiconductor substrate 18, an upper side clad layer 14, an active layer layer 12 and a lower side clad layer 16, which are laminated in order.例文帳に追加

面発光型レーザモジュール１０は、半導体基板１８、上側クラッド層１４、活性層１２、下側クラッド層１６を順次積層し、下側クラッド層１６の下面及び半導体基板１８の上面にそれぞれ形成された下部電極２０及び上部電極２２を有する面発光型半導体光増幅器と、半導体基板１８の上側に設けられた光ファイバ２４を備えて構成されている。 - 特許庁

This printed wiring board 1 is provided with: a flexible substrate 10 having flexibility; a rigid substrate 20 formed on the upper and lower surfaces of the flexible substrate 10 and having an insulating layer 22 and a conductor layer 23 laminated; and a blocking layer 30 arranged between the flexible substrate 10 and the rigid substrate 20 and having water-vapor permeability lower than that of the insulating layer 22 of the rigid substrate 20.例文帳に追加

このプリント配線基板１は、可撓性を有するフレキシブル基板１０と、フレキシブル基板１０の上面上および下面上に形成され、絶縁層２２および導体層２３が積層されたリジッド基板２０と、フレキシブル基板１０およびリジッド基板２０の間に配置され、リジッド基板２０の絶縁層２２よりも小さい水蒸気透過度を有する遮断層３０とを備える。 - 特許庁

A resin compound made of phenoxy resin having a weight-average molecular weight of 20,000 or more and a solvent is applied to the surface of the conductor and is calcinated to form a primer layer, and further, the insulating layer mainly made of at least one or more resin selected from a group of polyester imide, polyamide imide, polyester, and polyimide is formed on an upper layer of the primer layer.例文帳に追加

導体表面に、重量平均分子量が２００００以上のフェノキシ樹脂と溶媒からなる樹脂組成物を塗布し、焼き付けることによってプライマー層を形成し、さらに、当該プライマー層の上層にポリエステルイミド、ポリアミドイミド、ポリエステル及びポリイミドからなる群から選ばれる少なくとも１種以上の樹脂を主体とする絶縁層を形成する。 - 特許庁

In the rubber-reinforcing glass fiber, a primary coating layer is formed by providing the coating layer by applying the coating liquid for coating the glass fiber containing a phenols-formaldehyde condensation product and an acrylonitril-butadiene copolymer is applied to a strand obtained by bundling a plurality of high strength glass fiber filaments, and a secondary coating layer containing clorosulfonated polyethylene and bisallylnadiimide is formed on the upper layer.例文帳に追加

複数本の高強度ガラス繊維フィラメントを集束させたストランドにフェノール類−ホルムアルデヒド縮合物とアクリロニトリル−ブタジエン共重合体とを含有するガラス繊維被覆用塗布液を塗布し被覆層を設けて１次被覆層を形成し、その上層にクロロスルホン化ポリエチレンとビスアリルナジイミドを含有する２次被覆層を設けてなることを特徴とするゴム補強用ガラス繊維。 - 特許庁

The snow-melting sheet is formed by arranging a sheet heating element and a conductive layer between insulating sheets arranged on upper and lower surfaces of the sheet, providing electrodes at both side edges of the sheet heating element, connecting lead wires to the electrodes, laminating the sheet heating element and the conductive layer with an insulating layer interposed therebetween, and establishing a ground for the conductive layer.例文帳に追加

この発明の融雪シートは、上面及び下面に設けた絶縁シートの間に面状発熱体及び導電層を配設し、前記面状発熱体の両側端縁には電極を設け、前記電極にリード線を締結するとともに、面状発熱体と導電層との間には絶縁層を設けて積層し、前記導電層にはアースを設けたことを特徴とする。 - 特許庁

A color filter substrate includes a substrate 210, the retardation layer 230b which faces part of one principal surface of the substrate 210 and contains a liquid crystal substance having mesogen fixed or a polymer thereof, or a crosslinking body, and a color filter layer 220 including a colored layer 220b covering the entire upper surface and side surfaces of the retardation layer 230b.例文帳に追加

本発明のカラーフィルタ基板は、基材２１０と、前記基材２１０の一方の主面の一部と向き合い、メソゲンが固定化された液晶物質又はその重合体若しくは架橋体を含んだ位相差層２３０ｂと、前記位相差層２３０ｂの上面及び側面の全体を被覆した着色層２２０ｂを含んだカラーフィルタ層２２０とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

This radio resource allocation device includes: a radio resource using amount recording part 3 for recording a radio resource amount used for the transmission of physical layer packets for each physical layer packet; and a retransmission maximum radio resource amount determination part 4 for determining the upper limit value of the radio resource amount allocated for the retransmission of one physical layer packet on the basis of the radio resource amount used for the transmission of the physical layer packet.例文帳に追加

物理層パケット毎に物理層パケットの送信に使用された無線リソース量を記録する無線リソース使用量記録部３と、一物理層パケットの再送用に割り当てる無線リソース量の上限値を当該物理層パケットの送信に使用された無線リソース量に基づいて決定する再送最大無線リソース量決定部４とを備える。 - 特許庁

There are laminated, on a plug 11a composed of polysilicon, a titanium layer 13 silicified by silicon diffused from the plug 11a, a lower layer 141 composed of titanium silicide, a middle layer 142 composed of titanium silicide oxidized, an upper layer 143 obtained by further nitriding the oxidized titanium silicide, a capacitor lower electrode 15 composed of platinum, and an oxide dielectric 17, in this order.例文帳に追加

ポリシリコンからなるプラグ１１ａ上には、プラグ１１ａから拡散したシリコンによってシリサイド化されたチタン層１３と、チタンシリサイドからなる下層１４１と、酸化されたチタンシリサイドからなる中層１４２と、酸化されたチタンシリサイドに更に窒化を施して得られる上層１４３と、白金からなるキャパシタ下部電極１５と、酸化物誘電体１７とが、この順に積層される。 - 特許庁

The semiconductor device 8 contains a lower layer metal wiring 2 formed on a base film 1, an organic interlayer film 4 composed of an insulating material formed on the base film 1 and on the lower layer metal wiring 2, an upper layer metal wiring 7 formed on the organic interlayer film 4, contact metal members 12 that are connected to the lower layer metal wiring 2 piercing the organic interlayer film 4.例文帳に追加

半導体装置８は下地膜１の上に形成された下層金属配線２と、下地膜１および下層金属配線２の上に形成された絶縁材料から成る有機層間膜４と、有機層間膜４の上に形成された上層金属配線７と、有機層間膜４を貫通して下層金属配線２に接続するコンタクトメタル１２を含んでいる。 - 特許庁

In the organic electroluminescent element 3, in which at least a hole-transporting layer 503 and a light emitting layer 505 are stacked one above the other from the anode side and sandwiched between a lower electrode 4 serving as an anode and an upper electrode 6 serving as a cathode, the light emitting layer 505 is made from a spiro compound and the hole-transporting layer 503 is made from a triphenylamine tetramer.例文帳に追加

陽極となる下部電極４と陰極となる上部電極６の間に、少なくとも正孔輸送層５０３及び発光層５０５を陽極側から順に積層させた状態で挟持してなる有機電界発光素子３において、発光層５０５がスピロ化合物からなり、正孔輸送層５０３がトリフェニルアミン４量体からなることを特徴としている。 - 特許庁