「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(153ページ目) - Weblio英語例文検索

The magnetic sensor 10 is equipped with a single substrate 10a, ordinary GMR devices 11 and 12 each comprising a spin valve film equipped with a single film fixed layer, and SAF devices 13 and 14 each comprising a synthetic spin valve film equipped with a multi-layer film laminate fixed layer formed so as to be superposed an an upper part of each of the GMR devices.例文帳に追加

磁気センサ１０は、単一の基板１０ａと、単一膜固定層を備えたスピンバルブ膜からなる通常ＧＭＲ素子１１及び１２と、これらの通常ＧＭＲ素子のそれぞれの上部に重なるように形成された多層膜積層固定層を備えたシンセティックスピンバルブ膜からなるＳＡＦ素子１３，１４とを備える。 - 特許庁

After reproducing data are recorded in the data zone DZ0 of an upper side recording layer L0 and the data zone DZ1 of a lower side recording layer L1, a lower side middle zone recording operation is carried out for recording prescribed data into the middle zone MZ1 of the lower side recording layer L1 from a disk outer peripheral side to a disk inner peripheral side.例文帳に追加

上位側記録層Ｌ０のデータゾーンＤＺ０と下位側記録層Ｌ１のデータゾーンＤＺ１とに再生用データを記録した後は、下位側記録層Ｌ１のミドルゾーンＭＺ１に規定データをディスク外周側からディスク内周側へ記録する下位側ミドルゾーン記録動作が実行される。 - 特許庁

To obtain a positive type photoresist composition having high sensitivity and high resolving power of ≤0.2 μm in the production of a semiconductor device, giving a photoresist of a rectangular shape and less liable to cause a dimensional shift in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step when the composition is used as the upper layer resist of a two- layer resist system.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、高感度で0.2μｍ以下の高解像力を有し、かつ矩形形状のフォトレジストを与え、また二層レジストシステムの上層レジストとして使用した場合、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが少ないポジ型フォトレジスト組成物を得る。 - 特許庁

In a connection pad structure for a COG package, an upper layer conductive film 12 is made smaller than a lower layer conductive film 9 and made larger than an opening 11 of an insulating film 10 in shape, and thereby the insulating part is exposed to step parts 10a, 10b to be formed on the periphery of the lower layer conductive film 9.例文帳に追加

ＣＯＧ実装を行う接続パッドの構造において、上層導電膜１２を下層導電膜９の形状より小さくかつ絶縁膜１０の開口部１１の形状より大きくすることにより、下層導電膜９の辺縁に形成される段差部１０ａ，１０ｂに絶縁部分を露出させる。 - 特許庁

This grid holder sandwiches from the upper and lower sides and fixes this grid for the transmission electron microscope having a base material 1 having at least one opening part 6, a carbon film 2 for covering a first face and the opening part of the base material, a metal later (for example, a tantalum layer) formed on the carbon film, and a ceramic layer (for example, an alumina layer).例文帳に追加

少なくとも１つの開口部６を有する基材１と、基材の第１面および開口部を被覆するカーボン膜２と、カーボン膜上に形成された金属層（例えばタンタル層）３と、セラミック層（例えば酸化アルミニウム層）４とを有する透過型電子顕微鏡用グリッドと、それを上下から挟んで固定するホルダー。 - 特許庁

When nodes N8-N10 at the lower layer of the node N4 are drawn, each node N8-N10 is drawn while being assigned with an angle proportional to the weight information of each node N8-N10 out of angles assigned to the node N4 and then the nodes N8-N10 on the lower layer are connected with the node N4 on the upper layer.例文帳に追加

次に、ノードＮ４に対する下位層のノードＮ８〜Ｎ１０を描画するに際して、ノードＮ４に割り当てられた角度のうち、各ノードＮ８〜Ｎ１０の重み情報に比例した角度を各ノードＮ８〜Ｎ１０に割り当てて描画し、当該下位層のノードＮ８〜Ｎ１０と上位層のノードＮ４とを結線描画する。 - 特許庁

Consequently, according to the lower electrode (151e), it is possible to scatter light of incident light injected from an upper side of a photosensor (151) to the photosensor (151) passing through an n-type semiconductor layer (151b), a photosensitive layer (151c) and a p-type semiconductor layer (151d) to a separate direction other than an incidence direction of incident light.例文帳に追加

したがって、下電極（１５１ｅ）によれば、フォトセンサ（１５１）の上側からフォトセンサ（１５１）に入射した入射光のうちｎ型半導体層（１５１ｂ）、受光層（１５１ｃ）及びｐ型半導体層（１５１ｄ）を透過した光を、入射光の入射方向とは別の方向に散乱させることが可能である。 - 特許庁

The first surface layer plate 3 is folded with an edge 2a of the middle plate 2 expanded so that the inside of the first surface layer plate 3 becomes a cavity to form an expanding part 3a, and the first surface layer plate 3 is further overlapped on an upper surface of the middle part 2 at a part in the vicinity of the edge 2a of the middle plate 2.例文帳に追加

第１表層板３は、中間板２の縁２ａで該第１表層板３の内側が空洞となる様に膨らんだ状態で曲げられて、膨らみ部３ａを形成し、更に該第１表層板３が中間板２の縁２ａ近傍部分で該中間板２の上面にも重ねられている。 - 特許庁

An inorganic board 10 having an upper layer and a lower layer 11 and 12 consisting essentially of a mineral substance fiber, an inorganic powdery body and a binder is coated with a ground treating material composed of 50-80 wt.% of a pigment and 20-50 wt.% of a synthetic resin and having 40,000-70,000 cps viscosity to form a ground treated layer 14.例文帳に追加

上，下層部１１，１２が鉱物質繊維、無機粉状体および結合剤を主体とする無機質板１０に、顔料５０〜８０重量％および合成樹脂２０〜５０重量％からなる粘度４００００〜７００００ｃｐｓの下地処理材を塗布し、下地処理層１４を形成する。 - 特許庁

In the image forming member comprising an integral base material containing at least one image receptive layer and an upper surface layer containing at least one polyester layer and a polymer of a polyester or polyolefin and a blueing agent, a spectral transmittance of the base material is equal to or larger than 90%.例文帳に追加

少なくとも１つの画像受容層、並びに少なくとも１つのポリエステル層及びポリエステル又はポリオレフィンの重合体と青味剤とを含有する上面層を含む一体基材材料を含んでなる画像形成部材であって、前記一体基材材料の分光透過率が９０％より大きい画像形成部材。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor substrate, a gate insulating film formed on the semiconductor substrate, a metal-containing layer formed on the gate insulating film, and a gate electrode comprising a polycrystalline silicon layer that includes impurity ions covering the upper face and side faces of the metal-containing layer.例文帳に追加

本発明の一態様に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された金属含有層、並びに前記金属含有層の上面および側面を覆う不純物イオンを含んだ多結晶シリコン層からなるゲート電極と、を有する。 - 特許庁

The semiconductor laminated layers 10 have a current block layer 23 having an opening exposing the upper surface of the semiconductor laminated layers 10 and a protection layer 24 composed of a group III-V nitride compound continuously covering at least a part of the current block layer 23 along the opening formed thereon.例文帳に追加

半導体層積層体１０の上には、半導体層積層体１０の上面を露出する開口部を有する電流ブロック層２３と、電流ブロック層２３の上面の少なくとも一部を開口部に沿って連続して覆うIII−Ｖ族窒化物系化合物からなる保護層２４とが形成されている。 - 特許庁

The positive lithographic printing original plate comprises an intermediate layer containing a polymer having a lactone group, a lower layer containing a water-insoluble and alkali-soluble resin, and an upper thermosensitive layer containing a water-insoluble and alkali-soluble resin and an IR ray absorbing dye, successively layered on a supporting body.例文帳に追加

支持体上に、ラクトン基を有する重合体を含有する中間層と、水不溶性且つアルカリ可溶性樹脂を含む下層と、水不溶性且つアルカリ可溶性樹脂及び赤外線吸収染料を含む上部感熱層とを順次積層してなることを特徴とするポジ型平版印刷版原版である。 - 特許庁

Then, the N+type source layer 13 that is exposed to the bottom face of the contact opening 25 and the N+type source layer 13 that is exposed to the recess section 16, and a source extraction electrode 17a that is connected to the P+type contact layer 14 by laying the electrode under the ground inside the contact opening 25 by its upper end and is extended are formed.例文帳に追加

次にコンタクト用開口２５の底面に露出するＮ＋型ソース層１３及びくぼみ部１６に露出するＮ＋型ソース層１３、Ｐ＋型コンタクト層１４に接続し、コンタクト用開口２５内をその上端まで埋設して延在するソース引き出し電極１７ａを形成する。 - 特許庁

In processing method of a lithographic printing plate having physical development nuclei layer as an upper layer over silver halide emulsion layer formed on a support by using a silver salt diffusion transfer method, the processing method is characterized to use treatment liquid containing polyethylene imines having average molecular weight of 200 or more after development.例文帳に追加

支持体上に設けられたハロゲン化銀乳剤層の上層に物理現像核層を有する銀塩拡散転写法を利用した平版印刷版の処理方法において、現像処理後に平均分子量が２００以上のポリエチレンイミンを含有する処理液にて処理することを特徴とする平版印刷版の処理方法。 - 特許庁

The extraction electrodes (31B, 32B) include an underlayer formed in the piezoelectric frame and a first metal layer formed from a material differing from that of the underlayer on an upper surface of the underground layer, and the first metal layer is formed from the same material as the sealing material (70) from a position connected to the through hole wiring to a prescribed position.例文帳に追加

そして引出電極（３１Ｂ、３２Ｂ）は、圧電フレームに形成される下地層と該下地層とは異なる材料で下地層の上面に形成される第１金属層とを含み、第１金属層はスルーホール配線に接続される位置から所定の位置まで封止材（７０）と同じ材料で形成されている。 - 特許庁

On both end faces of a semiconductor laser 100 in a lengthwise direction L, core layers 123 are formed which are composed of GaInAsP not containing Al and work as passive waveguide layers, instead of a lower part SCH layer 112, a multiple quantum well active layer 113 and an upper part SCH layer 114 which are positioned in the center of the lengthwise direction L.例文帳に追加

半導体レーザ１００の長さ方向Ｌの両端面に、長さ方向Ｌの中央に位置する部分の、下部ＳＣＨ層１１２、多重量子井戸活性層１１３、上部ＳＣＨ層１１４の代わりに、Ａｌを含まないＧａＩｎＡｓＰでなる、受動導波路層としてのコア層１２３が形成されている。 - 特許庁

The container packing to be thermally pressure-welded to the internal top face of the lid for use has an upper layer to be thermally compressed to the internal top face of the lid made of a polyethylene resin, a lower layer to serve as a sealing face made of polypropylene resin, and a foaming layer made of synthetic resin between them.例文帳に追加

蓋の内頂面に熱圧着して容器の密封のために使用する容器用パッキンであって、蓋の内頂面に熱圧着される上層をポリエチレン樹脂製とし、シール面となる下層をポリプロピレン樹脂製とし、中間に合成樹脂製の発泡層を有する構成とすること、に有る。 - 特許庁

An insulating layer 102, a lower electrode layer 103 provided commonly, a plurality of metal oxide layers 104 that are approximately 30-200 nm thick composed of Bi, Ti, and O, and an upper electrode 105 provided for each metal oxide layer 104 are provided on a substrate 101 made of single-crystal silicon.例文帳に追加

単結晶シリコンからなる基板１０１の上に絶縁層１０２，共通に設けられた下部電極層１０３，ＢｉとＴｉとＯとから構成された膜厚３０〜２００ｎｍ程度の複数の金属酸化物層１０４，金属酸化物層１０４毎に設けられた上部電極１０５を備える。 - 特許庁

A selecting function 30 compares the version numbers of the common functional layers ('L2CAP', 'SDP', 'RFCOMM' equivalent to an intermediate layer and 'profile' equivalent to an upper layer) to execute the selection processing of each functional layer (or to allow a user to select the version numbers of the common functional layers on a display screen).例文帳に追加

選択機能３０は、共通する機能層（中間層に相当する「Ｌ２ＣＡＰ」、「ＳＤＰ」、「ＲＦＣＯＭＭ」、及び上位層に相当する「プロファイル」）のバージョン番号を比較することにより、機能層毎の選択処理を行う（もしくは共通する機能層のバージョン番号を画面表示して使用者に選択させる）。 - 特許庁

This capacitive element is provided with a diffusion preventing layer 10a, a capacitive lower electrode 12 formed on the diffusion preventing layer 10a, a capacitive film 13 constituted of a ferroelectric having a bismuth layer-shaped structure formed on the capacitive lower electrode 12, and a capacitive upper electrode 14 formed on the capacitive film 13.例文帳に追加

容量素子は、拡散防止層１０ａと、拡散防止層１０ａの上に形成された容量下部電極１２と、容量下部電極１２の上に形成されたビスマス層状構造を有する強誘電体よりなる容量膜１３と、容量膜１３の上に形成された容量上部電極１４とを備える。 - 特許庁

This is a display panel film with electromagnetic wave shielding and light transmitting characteristics, which has an adhesive layer on its transparent plastic base material and a mesh-shaped metal foil layer on top of that, wherein the adhesive layer's upper part is in contact with the metal foil layer and air, and the haze of the mesh part is equal to or less than 10%.例文帳に追加

透明プラスチック基材上に接着剤層を有し、その上にメッシュ状の金属箔層を有し、接着剤層上部が金属箔層及び空気と接しており、メッシュ部分のヘイズが１０％以下であることを特徴とする、電磁波シールド性と光透過性を有するディスプレーパネル用フィルム。 - 特許庁

A solid layer 6 formed of a material with high durability against breakage and disabled to compress or slightly enabled to compress is disposed between an upper side layer 4 having a high returning force and formed of a volumetrically compressible porous material and a lower side layer 5 formed of a plastically elastic material.例文帳に追加

高い戻し力を有する、容量圧縮可能な微孔性の材料から成る上側の層（４）と、可塑性の弾性的材料から成る下側の層（５）との間に、高い裂断耐久性を有する材料から成る、圧縮不能な、又は極わずかにだけ圧縮可能な中実の層（６）が配置されているようにした。 - 特許庁

Moreover, a mixture of light more than three colors becomes possible, by the use of the epoxy resin or inorganic material where a fluorescent material is added to the upper layer of the cap layer as a sealing layer, and luminescence of red, green , and yellow and luminescence of white, and of proper color rendering can be obtained by a suitable combination thereof.例文帳に追加

さらに上記キャップ層の上層に封止層として蛍光材料を添加したエポキシ樹脂または無機材料を用いることによって３色以上の光の混合が可能になり、適当な組み合わせによって赤色、緑、黄色などの発光や演色性の良い白色を発光することができる。 - 特許庁

It is preferable that an upper 50 vol.% of the ore-coke mixture layer includes 60 mass% or more of the coke mixed into the ore-coke mixture layer, and that an amount of the coke mixed into the ore-coke mixture layer is 10 mass% or more of the total amount of the coke charged from the furnace top.例文帳に追加

コークス混合鉱石層の上部５０体積％内にコークス混合鉱石層内に混合されるコークスの６０質量％以上が混合されていること、コークス混合鉱石層中に混合されるコークス量を、炉頂から装入する全コークス量に対して１０ｍａｓｓ％以上とすることが好ましい。 - 特許庁

A mesa structure (first mesa structure) 13 formed on the lower face 11a of the semiconductor substrate 11 is such a mesa structure that has a so-called element function in which an active layer 12 is a light emitting layer, and a mesa structure (second mesa structure) 23 formed on the upper face 11b of the semiconductor substrate 11 is a dummy mesa structure having no active layer.例文帳に追加

半導体基板１１の下面１１ａに形成されたメサ構造（第１のメサ構造）１３は活性層１２が発光部となる、いわば素子機能を有するメサ構造であり、半導体基板１１の上面１１ｂに形成されたメサ構造（第２のメサ構造）２３は、活性層をもたないダミーのメサ構造である。 - 特許庁

The protective film for a thin film device formed on an upper part of a substrate comprises at least a first layer as a hydrogen diffusion protecting layer formed on the side of the thin film device, and a second layer formed by a CVD method or sputtering to which hydrogen is introduced in depositing the film.例文帳に追加

基板上部に形成される薄膜素子のための保護膜であって、薄膜素子側に位置する水素拡散防止層としての第一層と、前記第一層の上部にＣＶＤ法または成膜時に水素を導入したスパッタ法により形成された第二層とを少なくとも有することを特徴とする保護膜。 - 特許庁

In the state an electric field higher than the threshold value is applied to a liquid crystal layer 18, an incident light from an upper substrate 12 passes through the liquid crystal layer 18, is reflected with a reflection plate 19 to be made again incident on a boundary between the liquid crystal layer 18 and a pixel electrode 13 via the lower substrate 11 and totally reflected on the boundary.例文帳に追加

上基板１２から入射した光は、液晶層１８にしきい値以上の電界が印加された状態では、液晶層１８を透過し、反射板１９により反射され、再び、下基板１１を介して液晶層１８と画素電極１３との界面に入射し、この界面で全反射する。 - 特許庁

The structure of a refractory element forming the body of an upper nozzle 10 is a three layered structure composed of a dense refractory layer 2 arranged so as to face the inside bore, a dense refractory layer 3 arranged so as to face the outside peripheral surface, and a permeable refractory layer 4 formed in the radial direction from the inside bore surface 1 toward the outside periphery.例文帳に追加

上ノズル１０の本体を形成する耐火物構造は、内孔面１から外周方向の半径方向にかけて、内孔に面して設けられた緻密質耐火物層２と外周面に面した設けられた緻密質耐火物層３の間に形成された通気性耐火物層４の三層構造からなる。 - 特許庁

This pressure-sensitive adhesive sheet 1 with scratch print is formed of a transparent base film 2, a concealable printing layer 4 laminated on the upper surface of the base film 2, a transparent pressure-sensitive adhesive layer 3 laminated on the lower surface of the base film 2 and a mold release sheet 5 laminated on the lower surface of the pressure-sensitive adhesive layer 3.例文帳に追加

透明な基材フィルム２と、この基材フィルム２の上面に積層された隠蔽性のある印刷層４と、基材フィルム２の下面に積層された透明な粘着材層３と、粘着剤層３の下面に積層された離型シート５を有するスクラッチ印刷付粘着シート１である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a capacitor formed in a multi-layer wiring layer for preventing the generation of the short-circuit of the upper electrode of a capacitor and wiring and the capacitor embedded in an inter-layer insulating film, or the excessive etching of a via bottom at the time of forming via/wiring on the capacitor with high reliability.例文帳に追加

キャパシタの上部電極と層間絶縁膜中に埋め込み形成された配線とキャパシタがショートする問題やキャパシタ上のビア／配線形成時にビア底の過エッチングを防ぐことができ、高い信頼性を持つ、多層配線層内に形成されたキャパシタを有す半導体装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device includes: first and second blocks having a plurality of memory cells MT installed in a semiconductor substrate 11 and a plurality of selection transistors ST2 serially connected to one ends of the current paths of the plurality of memory cells MT; an embedded wiring layer 32; and an upper layer wiring layer SL.例文帳に追加

半導体記憶装置は、半導体基板１１に設けられた複数のメモリセルＭＴと、複数のメモリセルＭＴの電流経路の一端に直列に接続された複数の選択トランジスタＳＴ２とを有する第１及び第２のブロックと、埋め込み配線層３２と、上層配線層ＳＬとを含む。 - 特許庁

The lubricative film includes a lower lubricant layer 13 comprising a 1st polymer having a polar group or a group with ≥7 introduced πelectrons as a terminal group and an upper lubricant layer 14 comprising a 2nd polymer applied on the lower lubricant layer 13 and having a terminal group different from that of the 1st polymer.例文帳に追加

未端基に極性基または７つ以上のπ電子が導入された基を有する第１のポリマーからなる下側の潤滑剤層１３と、下側の潤滑剤層１３の上に塗布され且つ末端に第１のポリマーと異なる末端基を有する第２のポリマーからなる上側の潤滑剤層１４とを含む。 - 特許庁

The printed circuit board includes: an upper circuit layer 600 including connection pads 630 made of a conductive metal and buried in an insulation layer 700; and metal bumps 500 of a constant diameter, which are integrated with the connection pads 630, protrude over the connection pads 630 and also protrude over the insulation layer 700.例文帳に追加

絶縁層７００上に埋め込まれた電気伝導性金属でなる接続パッド６３０を含む上部回路層６００；及び接続パッド６３０と一体を成し、接続パッド６３０の上部に突出するとともに絶縁層７００の上部に突出した一定直径の金属バンプ５００を含む。 - 特許庁

On the upper surface of a second interlayer insulation layer 7, a second local interconnect line 8 connecting the source region 4A of an MOS transistor T with the lower electrode layer 10A of a ferroelectric capacitor C and connecting a part of the gate electrodes 3A and 3C of the MOS transistor T with the uppermost layer interconnect line 12 is formed.例文帳に追加

また、第二の層間絶縁層７の上面に、ＭＯＳトランジスタＴのソース領域４Ａと強誘電体キャパシタＣの下部電極層１０Ａとを接続し、且つ、ＭＯＳトランジスタＴの一部のゲート電極３Ａ、３Ｃと最上層配線１２とを接続する第二の局所配線８を形成する。 - 特許庁

That is, the gate wiring 8 is made a double layer structure of the metallic film of a row like wiring pattern and the storage ITO film 9, and by prolonging the pixel electrode 4 on the upper layer of the double layer structure, the structure forming the auxiliary capacitance by the part where the pixel electrode 4 is overlapped the gate wiring 8 is obtained.例文帳に追加

つまり、ゲート配線８を行状の配線パターンの金属膜とストレージＩＴＯ膜９との２層構造とし、その２層構造の上層に画素電極４を延在させることにより、画素電極４がゲート配線８とオーバーラップする部分にて補助容量を形成する構造とする。 - 特許庁

The gate electrode 9 has a lower conductive layer 7 formed on the gate insulating film 4 and having a first width W1 in a channel widthwise direction, and an upper conductive layer 8 formed on the lower conductive layer 7 and having a second width W2 larger than the first width W1 in the channel widthwise direction.例文帳に追加

フローティングゲート電極９は、ゲート絶縁膜４上に形成されてチャネル幅方向に第１の幅Ｗ１を有する下部導電層７と、下部導電層７上に形成されてチャネル幅方向に第１の幅Ｗ１よりも大きい第２の幅Ｗ２を有する上部導電層８とを含む。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: an n-type epitaxial layer 2; a trench 3 formed on the n-type epitaxial layer 2, where an embedded electrode 5 is provided inside; and a p^+-type impurity region 2a formed at a prescribed region at the upper surface side of the n-type epitaxial layer 2 with a prescribed interval to the trench 3 when viewed in plan view.例文帳に追加

この半導体装置は、ｎ型エピタキシャル層２と、このｎ型エピタキシャル層２に形成され、内部に埋め込み電極５が設けられたトレンチ３と、ｎ型エピタキシャル層２の上面側の所定領域に、平面的に見て、トレンチ３と所定の間隔を隔てて形成されたｐ^+型不純物領域２ａとを備えている。 - 特許庁

The low-resistance ground-plane may have a slot for reducing a loop size of an eddy current path; and the ground-plane is formed from at least one of an upper IC metal layer, a copper pad formed between a non-activated layer in IC and the dielectric layer, and a part or combination of metal portions used in formation of the micro-coil.例文帳に追加

低抵抗グランドプレーンは、渦電流路のループサイズを減少するためにスロットを設けることができ、１つ以上の上部ＩＣメタル層、ＩＣ不活性化層と誘電体層との間に形成された銅パッド、マイクロコイルの形成に使用されるメタルの部分又はその組合せから形成される。 - 特許庁

The electrode (123) is composed of a lower layer electrode high in luminous efficiency and an upper layer high in water resistance and gas barrier property and excellent in conductivity and connected to the wiring layer (107) of the power source on the side of the substrate (100) within the sealing part of the sealing substrate (200) while doubling with a part of the wiring.例文帳に追加

前記２層電極（１２３）は、発光効率の高い下層電極と、耐水性およびガスバリア性が高く、かつ導電性の優れた上層電極からなり、上層電極は配線の一部を兼ねると共に封止基板（２００）の封止部内にて基板側の電源の配線層（１０７）と接続される。 - 特許庁

A gate electrode 7P of the PMOS transistor consists of a lower layer film comprising an a-Si film 71 and a SiGe film 72, an upper layer film comprising a polysilicon film 73, a barrier film (SiO) 74 and a cap silicon film (a-Si) 75 thereover, and a metal silicide layer 12 formed on the surface of the cap silicon film 75.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタのゲート電極７Ｐはａ−Ｓｉ膜７１及びＳｉＧｅ膜７２からなる下層膜と、その上のポリシリコン膜７３、バリア膜（ＳｉＯ）７４、キャップシリコン膜（ａ−Ｓｉ）７５からなる上層膜と、キャップシリコン膜７５の表面に形成された金属シリサイド層１２とを備えている。 - 特許庁

This system is provided with a double floor 10 consisting of a lower layer sheet 11 laid on the ground surface, making a prescribed drain gradient, intermediate floor blocks 40 arranged on the lower layer sheet 11 lengthwise and breadthwise in consideration of the drain gradient, and an upper layer sheet 12 laid on the intermediate floor blocks 40 so as to cover the whole surface thereof.例文帳に追加

地盤面上に所定排水勾配をつけて敷設された下層シート１１と、この下層シート１１上に排水勾配を考慮して縦横方向に配設された中間床ブロック４０と、中間床ブロック４０の全面を覆うように敷設された上層シート１２とからなる２重床１０を備える。 - 特許庁

When the medium access control layer measures the traffic volume, the medium access control layer measures the traffic volume in the unit of transmission channels, the measured traffic volume in the unit of transmission channels is compared with a predetermined threshold value in the event triggered mode, and the measured traffic volume is reported to the upper layer when the volume is out of a given range.例文帳に追加

媒体接続制御階層でトラフィックボリュームを測定する時、伝送チャネル単位でトラフィックボリュームを測定し、その測定される伝送チャネル単位のトラフィックボリュームをイベントトリガーモードでは定められたしきい値と比較し、しきい値を超える該伝送チャネルに対して上位階層にトラフィックボリュームを報告する。 - 特許庁

The method for fabricating a thin device 1 comprises a process for forming a flat film 3 on a substrate 2, a process for forming a lower conductor layer 10 on the flat film 3, a process for forming a dielectric film 20 on the lower conductor layer 10, and a process for forming an upper conductor layer 30 on the dielectric film 20.例文帳に追加

薄膜デバイス１の製造方法は、基板２の上に平坦化膜３を形成する工程と、平坦化膜３の上に下部導体層１０を形成する工程と、下部導体層１０の上に誘電体膜２０を成膜する工程と、誘電体膜２０の上に上部導体層３０を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

In a cover cap member 14, a semitransparent half mirror layer 15 having a front face side of a metal-tone color is formed, and on the lower face side of the half mirror layer 15, a light shielding layer with a slit 16a formed in a portion overlapping an upper face part 13i of an indicator body 13 in a top view, is formed.例文帳に追加

カバーキャップ部材１４には、表面側が金属調の色彩を有して、半透明のハーフミラー層１５が形成されてると共に、ハーフミラー層１５の下面側には、上面視で、指針本体１３の上面部１３ｉと重複する部分にスリット１６ａが形成された遮光層が設けられている。 - 特許庁