「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(150ページ目) - Weblio英語例文検索

A plant 13 having roots is arranged so that a part of root 13a is positioned in at least one of the upper part and the inner part of the culture layer 12.例文帳に追加

根付きの植物１３は、根１３ａの部分が前記培養層１２の上部及び内部の少なくともいずれかに位置するように栽培容器１１に配置される。 - 特許庁

There occurs no unevenness on the upper surface of the adhesive resin layer that tends to deform the thin substrate, so that the change in quantity of a cream solder due to deformation can be efficiently prevented.例文帳に追加

粘着樹脂層上面に薄型基板が歪むような凹凸が形成されないので、歪みが原因となるクリームハンダの量のバラツキが有効に防止される。 - 特許庁

An adhesive agent is charged into through-holes 11 formed on the non-conductive regions 81, and the upper plate material is joined to the woody part of the heat insulating material layer by the adhesive agent.例文帳に追加

非導電領域８１に形成した貫通孔１１に接着剤が充填され、接着剤により上部板材が断熱材層の木質部に接合される。 - 特許庁

There are provided a first via hole 31 provided in a first insulating layer 11 and second via holes 30, 32 provided at the positions corresponding to apertures at the upper and lower ends of the first via hole 31.例文帳に追加

第１絶縁層１１に設けた第１ビアホール３１と，第１ビアホール３１の上端又は下端の開口部に対応する位置に第２ビアホール３０，３２とを有する。 - 特許庁

Impurities 18 locally present in an upper layer portion 7a of a growth source solution is discharged from a reaction chamber 18, and then a single crystal 8 is grown in the source solution 7.例文帳に追加

育成原料溶液の上層部7aに局在する不純物18を反応容器１から排出し、次いで原料溶液７中で単結晶８を育成する。 - 特許庁

As for a contact hole 6 for connecting wiring 8 to a diffused layer 4, an upper part A has a sequence taper configuration and a lower part B is processed to have an approximately perpendicular side wall.例文帳に追加

配線８を拡散層４に接続するためのコンタクト孔６は、上部Ａが順テーパ形状を有し、下部Ｂは略垂直側壁を持つように加工されている。 - 特許庁

It is preferable that the upper electrode 66 is disposed in a third region 86 that extends from the phase change layer 63 along a plane that intersects the direction of lamination at right angles.例文帳に追加

上部電極６６は、相変化層６３から積層方向に直交する平面に沿って延在している第３の領域８６内に配設されていることが好ましい。 - 特許庁

Since the upper ends 13B and 23B of the wires 13 and 23 are surely positioned on the surface 3A of the resin layer 3, the connection reliability of the substrate can be secured.例文帳に追加

このようにすれば、ワイヤ１３、２３の上端１３Ｂ、２３Ｂが確実に樹脂層３の表面３Ａに位置するようにできるため、接続信頼性を確保できる。 - 特許庁

A high-melting point metallic silicide, such as the tungsten silicide, cobalt silicide, etc., having a high light shielding property is used as the material of the upper gate wiring layer used as the light shielding film.例文帳に追加

遮光膜として用いる上層のゲート配線層の材料には、高融点金属シリサイド、例えばタングステンシリサイドやコバルトシリサイドなどの遮光性の高い材質を用いる。 - 特許庁

In order to crystallize a material, a thin layer 3 of an amorphous or polycrystalline material is deposited on at least one region of a surface of an upper part 2 of a substrate 1.例文帳に追加

材料を結晶化させるために、非晶質または多結晶材料の薄層（３）が、基板（１）の上部（２）の表面の少なくとも１つの領域上に堆積される。 - 特許庁

By feeding water from a water-feeding part 5 positioned in between the first introducing part 2 and column top part 4 to form a water layer in the upper direction of the first introducing part 2.例文帳に追加

第１導入部２と塔頂部４との間に位置する水供給部５から水を供給して、第１導入部２よりも上方に水層を形成する。 - 特許庁

Although the phosphor layer may have an uniform thickness, preferably a thickness of a part above the clearance between the LED chips is thinner than a thickness of a part on the upper surface of the LED chips.例文帳に追加

蛍光体層は、厚みが均一であってもよいが、好ましくは、ＬＥＤチップ間の間隙の上側の部分の厚みがＬＥＤチップ上面の厚みよりも薄い。 - 特許庁

The stage 24 disposed on the upper layer is attracted to an ongoing passage (rails 26 and 28) by a magnet mechanism 42, and driven by a stage drive mechanism 30 to be carried.例文帳に追加

上層に配置されたステージ２４は、マグネット機構４２によって往路（レール２６、２８）に引付けられ、さらにステージ駆動機構３０で駆動されて搬送される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a multi-layered wiring board which can surely connect a lower and an upper wiring layer together by a connecting conductor in a through-hole.例文帳に追加

下部配線層と上部配線層とをスルーホール内の接続導体でもって確実に接続させておくことが可能な多層配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Next, a chip 4 arranged with a plurality of pads 4 is confronted to the upper surface of the first resin layer 3, and the bump 2 and the pads of the chip 4 are electrically connected.例文帳に追加

次に複数のパッド４２を配設してあるチップ４を第１樹脂層３の上面に対向させ、バンプ２とチップ４のパッド４２とを電気的に接続する。 - 特許庁

To reduce the capacitance of a pad electrode, and improve the adhesive strength of a connective terminal to the pad electrode when forming the connective terminal on an upper pad layer in a semiconductor device.例文帳に追加

パッド電極の容量を低減し、かつ上部パッド層上に接続端子を形成した場合パッド電極と接続端子との密着強度を向上させること。 - 特許庁

For an oxide film 21c as an upper part insulating layer, when forming an opening part for a contact wiring 22c, the oxide film 21c including a fuse region 26 is removed.例文帳に追加

上部絶縁層である酸化膜２１ｃに対して、引上配線２２ｃのための開口部を形成する際に、ヒューズ領域２６も含めて酸化膜２１ｃを除去する。 - 特許庁

Since the increase of the capacity of the output line directly results in performance deterioration in the case of an image sensor, the shielding layer is not formed near upper and lower sides of the output lines 142, 200.例文帳に追加

イメージセンサの場合、出力線の容量増加は直ちに性能低下に結びつくため、出力線１４２，２００の上下近傍にはシールド層を設けない。 - 特許庁

A formation interval of the first thin film coil 5 is selected, the flatness of the upper face of a first insulating layer 6 is improved and in addition, the formation position of the second thin film coil 8 is selected.例文帳に追加

第１薄膜コイル５の形成間隔を選定し、第１絶縁層６上面の平坦性を向上させ、さらに第２薄膜コイル８の形成位置を選定する。 - 特許庁

A surface gap distance between the upper end of a second magnetic pole tip part and the first magnetic pole layer 68 is increased, and the leakage of a magnetic flux crossing a surface gap 72 is reduced.例文帳に追加

第２の磁極先端部の上端部と第１の磁極層６８との間の表面ギャップ距離が増加し、表面ギャップ７２を横切る磁束漏れが減少する。 - 特許庁

A restart determination section 101 determines the restart of an ATM device 706, and a dummy cell sending section 102 that operates by an upper layer protocol sends a dummy cell to a rooter device 701.例文帳に追加

ＡＴＭ装置７０６の再起動時を１０１が判定し、上位レイヤプロトコルで動作するダミーセル送出部１０２が、ルータ装置７０１に向けてダミーセルを送出する。 - 特許庁

An electrically conductive layer 2b is formed on the wall surface of the secondary through-hole 1a to electrically connect upper and lower signal interconnections 2a via the secondary through-hole 1a.例文帳に追加

導電層２ｂは、上下の信号配線２ａを２次貫通穴１ａを介して電気的に接続するために２次貫通穴１ａの壁面に形成されている。 - 特許庁

In the figure, the radiation layer 101 is provided on a top magnetic pole 33 among an upper coil 37 and the top magnetic pole 33 which constitute a magnetic circuit of the write element 31.例文帳に追加

図１では、ライト素子３１の磁気回路を構成する上コイル３７，上部磁極３３のうちの上部磁極３３上に放熱層１０１を設けている。 - 特許庁

Upper layer electric wiring 7 connect the electric heaters 5 with each other, which are arranged in the columnar direction of the above crossing parts arrayed in a matrix form, via vertical electric wiring connection bodies 6.例文帳に追加

上層電気配線７はマトリクス状配列の上記交差部の列方向に並ぶ電気ヒータ５同士を上下電気配線接続体６を介し接続する。 - 特許庁

To provide an integrated circuit device which allows various constitutions of upper circuits to be integrated while keeping the high performance of the circuit of a physical layer.例文帳に追加

物理層の回路の高性能を維持しながら、種々の構成の上層の回路を組み込むことができる集積回路装置及びこれを用いた電子機器を提供すること。 - 特許庁

And a time setting value is defined by adding the time of the programmable controller at the upper layer to the calculated time and transmitted according to the timing of the CPU interruption signal (d5).例文帳に追加

そして、この求めた時間に上位層のプログラマブルコントローラの時刻を加算して時刻設定値とし、ＣＰＵ割込信号１５のタイミングに従って送信する（ｄ５）。 - 特許庁

The void portions 13a, 13b enable the dislocations D1 to be uniformly blocked, thus, a crystal layer of a low dislocation density can be formed in the upper part by the void portions 13a, 13b.例文帳に追加

転位Ｄ_1 は空間部１３ａ，１３ｂによって一様に遮断され、空間部１３ａ，１３ｂより上層部では低転位密度の結晶層が得られる。 - 特許庁

After connection hole wirings 10 are buried in the contact holes, a modified SOG film 11 and an upper metal wiring layer 12 are formed using the damascene method.例文帳に追加

コンタクトホール９ａ，９ｂ内に接続孔配線１０を埋め込んだ後、ダマシン法を用いて、改質ＳＯＧ膜１１及び上層金属配線１２を形成する。 - 特許庁

A light shielding body 302 of the opposite side formed on a peripheral part of an upper side substrate 301 is disposed so as not to overlap a sealing layer 201 provided on a lower side substrate 101.例文帳に追加

上側基板３０１の周辺部に形成された対向側遮光体３０２が下側基板１０１に設けられたシール層２０１とオーバーラップしないように配置する。 - 特許庁

The first layer is made stretchable, allowing a notch 20 that forms an inlet for supplemental water to reside in the upper portion of the suspending aperture toward a stretchable direction.例文帳に追加

第１層は延伸がかけられており、補水口を形成するための切り込み２０が、吊下げ時の吊下げ用開口よりも上方の位置に、且つ延伸方向にいれられている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a crystal semiconductor layer with a high yield even with a substrate having a low upper temperature limit.例文帳に追加

耐熱温度が低い基板を用いた場合でも結晶半導体層を備えた半導体装置を歩留まり高く作製する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The display comprises an upper polarizer with opening 22 formed in an opaque masking layer to allow light to pass through inactive portions 28A of the display such as peripheral portions of a display 14.例文帳に追加

ディスプレイ１４の周囲部分などのディスプレイの不活性部分２８Ａに、光を透過させるために、開口部２２を不透明マスク層に形成した上部偏光子を備える。 - 特許庁

The organic EL display device emits light by impressing a voltage by an image signal between an upper electrode 23 and a lower electrode that pinches an organic EL layer.例文帳に追加

有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ層を挟持する上部電極２３と下部電極の間に映像信号による電圧を印加することによって発光する。 - 特許庁

The piezoelectric resonator 120 has a a structure in which a cavity 121, a lower electrode 122, a piezoelectric layer 123, and an upper electrode 124 are formed in order on the substrate 101.例文帳に追加

また、圧電共振器１２０は、基板１０１上に、キャビティ１２１、下部電極１２２、圧電体層１２３、及び上部電極１２４を順に形成した構成である。 - 特許庁

To improve a step coverage of an upper protection film for protecting a heating resistor layer and a pair of electrodes formed thereon and to make the protection film thin.例文帳に追加

発熱抵抗層とこの上層に形成した一対の電極とを保護する上部保護膜のステップカバレージを良好にするとともに、保護膜の薄膜化を図る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which does not damage an underlying wiring layer and forms a wiring element of dual Damascene structure at its upper part.例文帳に追加

本発明は、下層配線層を損傷させず、その上部にデュアルダマシン構造の配線要素を形成する半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The extension 18a of the gate electrode 18 is further connected to a metal wiring formed on an upper layer by the contact that penetrates an interlayer insulating film.例文帳に追加

さらに、ゲート電極１８の延出部１８ａは、層間絶縁膜を貫通するコンタクトによって、その上層に形成されている金属配線に接続されている。 - 特許庁

The component for wiring is used by being incorporated in an electronic device package including a circuit element containing a semiconductor chip arranged on a substrate with a wiring layer formed on an upper surface.例文帳に追加

配線用部品は、上面に配線層を形成した基板上に半導体チップを含む回路素子を配置した電子デバイスパッケージに組み込んで用いられる。 - 特許庁

Since the lowermost part of the die coater 30 is arranged at a position higher than the upper surface coated with an adhesive B, the lower layer of the adhesive A is not scraped up.例文帳に追加

ダイコータ３０は、その最下端の部位が塗工した粘着剤Ｂの上面よりも高い位置に配備されているので、下層の粘着剤Ａを掻き上げることがない。 - 特許庁

The non-volatile memory device includes a substrate and a stack of the memory device including a phase change material layer formed in an upper part of the substrate.例文帳に追加

基板と、基板の上部に形成された相変化材料層を含むメモリ素子のスタックとを含み、前記相変化材料層は、アンチモン及び亜鉛合金で形成される。 - 特許庁

A cathode terminal 7 is formed on the upper of the cathode 5 through a conductive adhesive layer 6, and an anode terminal 8 is connected onto an anode lead 1b.例文帳に追加

陰極５の上面には、導電性接着剤層６を介して陰極端子７が形成され、陽極リード１ｂ上には、陽極端子８が接続されている。 - 特許庁

A plurality of semiconductor light emitting elements (LED chips) 102 are disposed with a gap L, and the phosphor layer 103 is formed on the upper surface bridging the gap between the LED chips.例文帳に追加

複数の半導体発光素子（ＬＥＤチップ）102が間隙Lを有して配置され、その上面にＬＥＤチップ間の間隙を架橋して蛍光体層103が形成されている。 - 特許庁

The upper server layer 3 compares the history information of the data obtained from the common database with the current clock time, thereby determining whether the latest traffic data is stored in the obtained data.例文帳に追加

上位サーバ層３は、共通データベースから取得したデータの履歴情報と現在時刻を比較し、取得データに最新のトラフィックデータが格納されているかを判定する。 - 特許庁

The third wiring is formed on an upper wiring layer of the semiconductor substrate while being arranged above the control terminal of the transistor, and is formed integrally with the control signal line.例文帳に追加

第３の配線は、前記半導体基板の上方の配線層で、かつ、前記トランジスタの制御端子の上方に配置されて、前記制御信号線と一体に形成される。 - 特許庁

Pulse light 5 is irradiated to the depletion layer 4 by applying a reverse voltage between the upper electrode 2 and the lower electrode 3 when the terahertz electromagnetic wave 6 is generated.例文帳に追加

テラヘルツ電磁波６を発生させる際には、上部電極２と下部電極３との間に逆方向電圧を加えた状態で、空乏層４にパルス光５を照射する。 - 特許庁