「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(146ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve display quality in a liquid crystal display device which comprises an upper electrode and a lower electrode formed via an insulation layer and has an opening part for transmitting an electric field for driving liquid crystal molecules, formed on the upper electrode.例文帳に追加

絶縁層を介して形成された上部電極と下部電極を有し、前記上部電極に液晶分子を駆動するための電界を通す開口部を形成する液晶表示装置において、表示品質を向上することである。 - 特許庁

A layer of air and/or an air flow is formed between a fuel spray sprayed from the injection value and a piston upper surface and/or a combustion chamber inner wall surface, and a devised surface shape for guiding this air flow is also formed on the piston upper surface.例文帳に追加

噴射弁から噴霧された燃料噴霧とピストン上面および／または燃焼室内壁面との間に、空気および／または空気流の層を形成し、更にピストン上面にはこの空気流をガイドする工夫された面形状が形成される。 - 特許庁

A multiple layered thin film layer formed by successively laminating thin films of a plurality of kinds of materials is provided between an organic substance film 2 formed on an upper surface of a transparent substrate 1 and the transparent conductive film 6 formed on the upper side of the organic substance film 2.例文帳に追加

透明基板１の上面に形成された有機物膜２と前記有機物膜２の上方に形成される透明導電性膜６との間に、複数種の物質の薄膜を順次積層させて成膜した多層薄膜層を配設する。 - 特許庁

A sub-mount substrate 12 includes an upper surface and a lower surface opposite to a substrate 11, and it includes a first light reflection surface 12r being open in the upper surface and a first translucent material layer 12t surrounded by the first light reflection surface 12r.例文帳に追加

サブマウント基板１２は、上面と基体１１に対向する下面とを有しており、上面に開口された第１の光反射面１２ｒと第１の光反射面１２ｒによって囲まれた第１の透光性材料層１２ｔとを含んでいる。 - 特許庁

To easily control the sheet thickness of the material to be subjected to compression molding by detecting the layer thickness of powder fed to the upper face of a roll and adjusting the feed per unit time of the powder fed to the upper face of the roll.例文帳に追加

ロール上面に供給された粉末の層厚を検出してロール上面に供給する粉末の単位時間当たり供給量を調節することにより、圧縮成形する材料の板厚を容易に精度良く制御できるようにする。 - 特許庁

To provide a technique contributing to an improvement of power supply efficiency to an upper layer semiconductor chip, reduction of power supply noise interference between upper and lower semiconductor chips, attainment of the low power supply noise, and high speed operation of a laminated semiconductor device (CoC).例文帳に追加

上層の半導体チップへの給電効率の向上と上下の半導体チップ間の電源ノイズ干渉の低減を可能とし、低電源ノイズを実現し、積層半導体装置（ＣｏＣ）の高速化に寄与する技術を提供する。 - 特許庁

To solve such a problem that an operating voltage is raised by forming insulation protective films in a nitride semiconductor light emitting device in which there are formed the consecutive insulation protective films from an upper part of a nitride semiconductor layer to an upper part of a positive electrode.例文帳に追加

窒化物半導体層上から正電極上にかけて連続した絶縁保護膜が形成された窒化物半導体発光素子において、絶縁保護膜の形成によって動作電圧が上昇するという問題を解決すること。 - 特許庁

In the first and second porous insulation films 11a, 11b, a C/Si ratio of at least each upper layer thereof is ≥1.5, and the maximum diameter of holes included in at least the upper layers of the first and second porous insulation films 11a, 11b is ≤1.3 nm.例文帳に追加

第一、第二の多孔質絶縁膜１１ａ、１１ｂは、少なくとも上層のＣ／Ｓｉ比が１．５以上であり、かつ、第一、第二の多孔質絶縁膜１１ａ、１１ｂの少なくとも上層に含有される空孔の最大径が１．３ｎｍ以下である。 - 特許庁

SImultaneously with the formation of the 2nd layer of the conductor coil 2b, a dummy pattern (wall) 9 having almost as wide as the upper magnetic film 1 is formed between the contact part 3 and the rear end of the position where the upper magnetic film 1 is formed in the inner circumferential part of the spirals.例文帳に追加

二層目の導体コイル２ｂを形成すると同時に、渦巻の内周部で上部磁性膜１が形成される位置の後端とコンタクト部３の間に、上部磁性膜１とほぼ同じ幅を有するダミーパターン（壁）９を形成する。 - 特許庁

A second insulation film 2 due to anodic oxidation is formed on the upper surface around a forming region of the electron source of the upper-layer electrode film, and a third insulation film due to anodic oxidation is formed similarly in the forming region of the electron source as a tunnel film.例文帳に追加

上層電極膜の電子源の形成領域の周囲上面には陽極酸化による第２絶縁膜２が形成され、電子源の形成領域には同じく陽極酸化による第３絶縁膜がトンネル膜として形成されている。 - 特許庁

The wiring structure 500 has an upper substrate 20 joined via an adhesive layer 3 onto a lower substrate 10, and is equipped with a wiring line 34 drawn from a top face side of the upper substrate 20 through a side face to a top face side of the lower substrate 10.例文帳に追加

下部基体１０上に接着層３を介して上部基体２０が接合され、上部基体２０の上面側から側面を通って下部基体１０の上面側まで引き回される配線３４を備える、配線構造５００である。 - 特許庁

An auxiliary heat-insulating plate 21 composed of calcium silicate of a heat-insulating material having high stiffness is installed in the upper part of the heat-insulating material 12 and the frame-constituting member 15 and a surface layer plate 13 made of aluminum provided on the outside of hood is installed in the upper part.例文帳に追加

断熱材１２と枠構成部材１５の上部には、剛性の高い断熱材の珪酸カルシウム板で成る補助断熱板２１を配設し、その上部にはフード外側に設けられるアルミ製の表層板１３を配設している。 - 特許庁

Subsequently, upper and lower surfaces of the sintered compact 1 provided with the side surface insulating layer 2 are polished, a guard mask is placed on the sintered compact 1, an electrode 3 is formed on each of the upper and lower polished surfaces by high-speed spraying of metal powder, thus completing a nonlinear resistor.例文帳に追加

続いて、側面絶縁層２を設けた焼結体１の上下面を研磨した後、焼結体１にガードマスクを被せ、上下の研磨面に、金属粉末の高速吹き付け法により電極３を形成し、非直線抵抗体を完成する。 - 特許庁

A pair of terminal electrodes 12, 12 are arranged, having a gap along two end edges facing each other of the lower surface of a chip-type thermistor element assembly 11 formed of a hexahedron, and an upper surface insulating layer 14 is arranged on the whole upper surface of the thermistor element assembly 11.例文帳に追加

６面体からなるチップ状サーミスタ素体１１の下面の相対向する２つの端縁に沿って間隔をあけて一対の端子電極１２，１２が設けられ、サーミスタ素体１１の上面全体に上面絶縁層１４とが設けられる。 - 特許庁

The adhesive 15 is applied to a pair of diagonal parts so as to connect the upper/lower substrates, the diagonal parts located at parts different from both ends of longest layers out of the layer structure formed by ferroelectric liquid crystal molecules outside a seal member 3 for sticking the upper/lower substrates.例文帳に追加

接着剤１５は、上下基板を接着するシール部材３の外側の強誘電性液晶分子の形成する層構造のうち最も長い層の両端とは異なる一対の対角部分に上下基板１，２を繋いで塗布されている。 - 特許庁

An upper part 17A of a lip stick bulk 17 filled in a molding container 2 is solely and rapidly cooled by an upper cooling part 15 and the lower part 17B of the lip stick bulk 17 is slowly cooled with an air layer 16.例文帳に追加

成形容器２内に充填された口紅バルク１７の上側部分１７Ａのみを上側冷却部１５により冷却して速く温度を下げると共に、口紅バルク１７の下側部分１７Ｂの温度を空気層部１６により徐々に低下させる。 - 特許庁

The semiconductor device includes a lower electrode, a first ferroelectric layer formed on the lower electrode and containing Pb, Zr and Ti, a second ferroelectric layer formed on the first ferroelectric layer and containing Pb, Zr and Ti, and an upper electrode formed on the second ferroelectric layer, the composition ratio of Ti of the second ferroelectric layer being larger than that of the first ferroelectric layer.例文帳に追加

半導体装置は、下部電極と、前記下部電極上に形成されたＰｂ，Ｚｒ，Ｔｉを含む第１の強誘電体層と、前記第１の強誘電体層上に形成され、Ｐｂ，Ｚｒ，Ｔｉを含む第２の強誘電体層と、前記第２の強誘電体層上に形成された上部電極と、を含み、前記第２の強誘電体層のＴｉの組成比は、前記第１の強誘電体層のＴｉの組成比より大きいことを特徴とする。 - 特許庁

In this tile carpet obtained by laminating a backing material to the back of a surface material, the brightness (L value) of an upper layer part of the backing material face to the surface material is ≥60.例文帳に追加

表装材の裏面に裏打ち材を積層したタイルカーペットにおいて、表装材に面する裏打ち材の上層部の明度（Ｌ値）を６０以上としたタイルカーペット。 - 特許庁

Then, the mutual connection of the upper and lower semiconductor devices 10 is carried out through the through-holes, and the connection of the semiconductor device 10 in the lowest layer with a mounting substrate 50 is processed.例文帳に追加

この貫通孔を介して上下の半導体装置１０の相互接続が行われ、最下層の半導体装置１０の実装基板５０に対する接続が行われる。 - 特許庁

Regulation ribs 15 and 16 for preventing winding disorders of the tape-wound layer 12 and protrusion of the edge are provided on respective upper wall inner surface 17 and bottom wall inner surface 18 of the body case 1.例文帳に追加

本体ケース１の上壁内面１７および底壁内面１８のそれぞれに、テープ巻層１２の巻き乱れやエッジ飛び出しを防ぐ規制リブ１５・１６を設ける。 - 特許庁

A marginal part 160A of the upper layer film 160 after being developed is formed in a state of enclosing the marginal part 150A of the light shielding film 150 at a fixed thickness.例文帳に追加

そして、現像後の上層膜１６０の周縁部１６０Ａは、遮光膜１５０の周縁部１５０Ａを一定の厚みで包囲する状態で形成される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a resist composition or composition for upper-layer film formation for liquid immersion in which a fine pattern is formed without mixing of foreign matters.例文帳に追加

異物の混入が少なく、微細なパターンを形成することができるレジスト組成物又は液浸用上層膜形成用組成物の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a system and method for recovering a waste chemical fluid capable of facilitating the recovery work of a waste fluid forming an upper layer section in a gelled shape or a semisolid shape.例文帳に追加

上層部がゲル状あるいは半固形状になる廃液の回収作業を容易化することができる薬液廃液回収システムおよび方法を提供する。 - 特許庁

A top toy which is formed by attaching a plurality of members in a polymerized state and in which an upper layer member among the members can rotate independently of other members.例文帳に追加

本発明は、複数の部材を重合状態に取り付けて形成され、該部材のうち、上層部材が、その他の部材とは独立に回動可能であるコマ玩具である。 - 特許庁

The pattern on the upper layer is made smaller to expand the gap between the patterns, thereby preventing the flow of the developing solution or the etching liquid from being blocked.例文帳に追加

この際、各層のパターンを上層ほど小さく形成することによってマスクパターン同士の隙間を広げ、現像液やエッチング液の流れが阻害されないようにする。 - 特許庁

The constituent scales of the luminescent material 5 are distributed in the upper metallic coating layer 42 so that they are substantially horizontal to the design surface 101 of the ceramic building board 1.例文帳に追加

そして、上側メタリック塗料層４２に含有された光輝材５を、窯業系建築板１の意匠表面１０１に対して略水平状に分布させる。 - 特許庁

A metal plating layer 14 covers an uneven surface portions 11d formed on the flange 11a, and is formed so as to reach the upper and lower cut edges 11c of the cut portion 11b.例文帳に追加

金属めっき層１４は、フランジ１１ａに形成された凹凸面部１１ｄを被覆し、切断部１１ｂの上下の切断縁１１ｃに至るように、形成される。 - 特許庁

When the sound wave enters the space between the upper face section 21 and the wall surface, energy of the sound wave is consumed by the air layer including the aperture 21A, and sound is absorbed.例文帳に追加

音波が上面部２１と壁面との間の空間に入り込むと、開口部２１Ａを有する空気層により、音波のエネルギーが消費されて音が吸音される。 - 特許庁

A rounded steel pipe 9 is erected in a predetermined position of a soil cement column wall 1 with the lower end of the rounded steel pipe 9 reaching rather closer to the depth of the upper end of a sound layer 4.例文帳に追加

ソイルセメント柱列壁１の所定の位置に丸型鋼管９を、丸型鋼管９の下端が砂層４のやや上端の深度に到達するまで建て込む。 - 特許庁

The pressure-sensitive adhesive layer 2 of the upper reinforcing seal 7A of adjoiningly stacked ones is separated from the flat face part 5 of the uneven releasing face 8 of a lower reinforcing seal 7B.例文帳に追加

また、隣り合って積層された上方の補強シール７Ａの粘着層２が、下方の補強シール７Ｂの凹凸剥離面８の平坦面部５と離間している。 - 特許庁

The plurality of semiconductor blocks 30 are jointed to the ridge 25 via an upper electrode 27 and a metal layer 40 and are arranged in the extending direction of the ridge 25.例文帳に追加

複数の半導体ブロック３０は、上部電極２７および金属層４０を介してリッジ部２５に接合されており、リッジ部２５の延在方向に沿って配列されている。 - 特許庁

A structure to bury the flexible printed wiring 152 in a layer structure is adopted as an outer-sheath 141 of an upper leg part 121 on the man type two-leg walking mobile robot.例文帳に追加

人型の２足歩行移動ロボットにおける上脚部１２１の外装１４１として、その層構造にフレキシブルプリント配線１５２が埋め込まれた構造を採用する。 - 特許庁

To provide a rotary electric machine wherein temperature rise at an upper-layer coil side is suppressed and characteristics can be ensured without an insulating material high in heat resistance.例文帳に追加

上層コイル辺の温度上昇を抑え、耐熱性の高い絶縁材料を用いることなく、特性を確保することができる回転電機を提供することを目的とする。 - 特許庁

At respective parts on the upper surface of the thin film transistor substrate 1, a gate electrode 8 composed of an aluminum based metal, an auxiliary capacity line 6 and the reflection layer 7 are simultaneously formed.例文帳に追加

薄膜トランジスタ基板１の上面の各所定の箇所に、アルミニウム系金属からなるゲート電極８、補助容量ライン６および反射層７を同時に形成する。 - 特許庁

Each piece of system equipment constituting a system reports its own logic path and host name or the like in a virtual name space to system equipment of the next upper layer in the virtual name space.例文帳に追加

システムを構成する各システム機器は、仮想ネームスペースにおける１つ上の階層のシステム機器に、自身の仮想ネームスペースにおける論理パス及びホスト名等を通知する。 - 特許庁

A supporting base 13 is installed for supporting a plurality of parts to be formed in their arranged state on the upper surface of a foundation unit 12 in the device 11 for forming the coating layer.例文帳に追加

被覆層形成装置１１における土台ユニット１２の上面には、複数の形成対象部品を並べた状態で支持するための支持台１３が設けられている。 - 特許庁

Thereby, the OFF-state drain potential is interrupted by the junction structure, and the high potential based on the potential of the drain gets hard to enter the upper part of the N-type channel layer 6.例文帳に追加

これにより、オフ時のドレイン電位がジャンクション構造によって遮られ、ドレインの電位に基づく高電位がＮ−型チャネル層６の上方に入り込み難くなる。 - 特許庁

The solid-state imaging device has a light-receiving section 2 formed on a substrate 1, and an on-chip lens 10 formed on the upper layer of the substrate 1 for condensing lights on the light-receiving section 2.例文帳に追加

固体撮像装置は、基板１に形成された受光部２と、基板１の上層に形成され、光を受光部２へ集光するオンチップレンズ１０とを有する。 - 特許庁

Contrast at the time of reflection display can be enhanced by providing the first retardation plate above a partial reflection layer in the liquid crystal cell as the upper side retardation plate.例文帳に追加

また、第１の位相差板を上側位相差板として液晶セル内の部分反射層上に設けることにより、反射表示時のコントラストの向上を図ることができる。 - 特許庁

An upper electrode 11 is formed on the lower electrode 3a at a bottom part of the pixel opening 7a with an intercalation of an organic light-emitting function layer 9 to obtain the organic electroluminescent element EL.例文帳に追加

画素開口７ａ底部の下部電極３ａ上に有機発光機能層９を介して上部電極１１を形成し、有機電界発光素子ＥＬを得る。 - 特許庁

The conductor pattern 13 and a bump 14p of the semiconductor device 14 are provided on the resin layer 16 and via-holes 19a, 19b are formed on the upper part of these elements.例文帳に追加

樹脂層１６には、導電パターン１３及び半導体装置１４のバンプ１４ｐが設けられ、それらの上部にビアホール１９ａ，１９ｂが形成されている。 - 特許庁

The electronic device has a planar exterior resin 3 at an upper part, an external terminal at a lower part, and a release agent layer 20 on the entire surface of the planar exterior resin 3.例文帳に追加

上部に平面状の外装樹脂３を有し、下部に外部端子を有し、平面状の外装樹脂３の表面の全面に離型剤層２０を有する。 - 特許庁

The holding portion 28 made of a self-adhesive layer having self-adhesiveness is formed at the center of the upper part of a body front face wall 26 of the container body 16.例文帳に追加

容器本体１６における本体前面壁２６の上部中央部分には、自己粘着性を有する自己粘着層からなる保持部２８が形成されている。 - 特許庁

To supply a semiconductor device where the degree of freedom of design of a power source line arranged in the upper layer of a unit circuit is high, and a chip region is small.例文帳に追加

本発明目的は、単位回路の上層に配置される電源線の設計自由度が高くかつ、チップ面積が小さな半導体装置を供給することである。 - 特許庁

The bottom and lateral faces of the upper layer wiring 10 and the via 12 are continuously cladded with a barrier film 13 consisting of a material having barrier performance against Cu diffusion.例文帳に追加

上層配線１０およびビア１２の底面および側面は、Ｃｕの拡散に対するバリア性を有する材料からなるバリア膜１３で連続して被覆されている。 - 特許庁