「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(144ページ目) - Weblio英語例文検索

Then a 3rd electrode layer 6 made of Al or an alloy whose principal component is Al or made of Au or an alloy whose principal component is Au is formed to cover an upper face and side faces of the 2nd electrode layer 5.例文帳に追加

そして、第２の電極層５の上面および側面を被覆するように、Ａｌもしくはこれを主成分とする合金またはＡｕもしくはこれを主成分とする合金からなる第３の電極層６を形成する。 - 特許庁

A transmission/reflection layer 3 is provided on the inner surface of a substrate of the light emission side of a scatter/transmission type liquid crystal cell 2, and a linear prism 12 is arranged and formed on its upper surface, and a light absorbing layer 5 is provided on the lower side of the liquid crystal cell 2.例文帳に追加

散乱透過型の液晶セル２の光出射側の基板７の内面に透過反射層３を設け、その上面にリニアプリズム１２を配列形成し、液晶セル２の下側に光吸収層５を設けた。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head preventing magnetic flux from being leaked from an end edge of a lower shield layer and/or an upper shield layer of a read head element, and to provide a magnetic head assembly, a magnetic disk drive and a manufacturing method of the thin film magnetic head.例文帳に追加

読出しヘッド素子の下部シールド層及び／又は上部シールド層の端縁からの磁束漏れを防ぐことが可能な薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ、磁気ディスクドライブ装置及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

Each through hole 8 has a tapered shape consisting of a small hole part 10 on the side of the upper layer 2 and a large hole part 11 on the side of the lower layer 3 and getting wider outwards so as to be able to receive vaporized matter from a vaporization source 4 over a wide angle.例文帳に追加

各通孔８は、上段層２側の小孔部１０と、下段層３側の大孔部１１とからなる外広がり状のテーパー形状とし、広い角度で気化源４からの気化物を受け入れられるようにする。 - 特許庁

Non-magnetic layers 16 are formed on the inner part of the recessed part H and an upper part of the resist mask R respectively and the film thickness of the non-magnetic layer 16 formed on the recessed part H and the film thickness (the depth of the recessed part H) of the storage layer 15 are made nearly equal to each other.例文帳に追加

次いで、凹部Ｈの内部と、レジストマスクＲの上部と、にそれぞれ非磁性層１６を形成し、凹部Ｈに形成する非磁性層１６の膜厚と、記憶層１５の膜厚（凹部Ｈの深さ）と、を略同じ厚さにした。 - 特許庁

In the interlayer insulating films 10, the second interlayer insulating film 102 is provided in the interlayer of a region, where the lower layer wiring 11 is overlapped to the upper layer wiring 12, and other regions are occupied by the first interlayer insulating film 101.例文帳に追加

これら層間の絶縁膜１０のうち、下層配線１１と上層配線１２の重なり合う領域の層間では第２層間絶縁膜１０２が配され、その他の領域は第１層間絶縁膜１０１で占められている。 - 特許庁

A light emitting semiconductor layer 3 having a light emitting junction 33 formed in a boundary between a first conductivity type clad 31 and a second conductivity type clad 32 arranged at lower and upper sites is formed on the layer 2.例文帳に追加

第１コンタクト層２上には、第１導電型クラッド３１と第２導電型クラッド３２が夫々下位と上位に配されてそれらの境界に発光接合部３３が形成された発光半導体層３が積層されている。 - 特許庁

To provide a practically high reversible thermosensitive recording medium enabling to obtain favorable resistance against light without forming a special ultraviolet absorbing layer by a method wherein ultraviolet absorbing inorganic particles are included in an upper portion in a recording layer.例文帳に追加

記録層内の上部に紫外線吸収性無機微粒子を含有せしめることにより、特別な紫外線吸収層を設けることなく耐光性が良好となる実用性の高い可逆性感熱記録媒体の提供。 - 特許庁

Also, particularly, by further impairing this base body, a flexibility of a certain section of a layer beneath the base body is improved, and the base body is made to be deformed in the flexible section region, without damaging the conductivity of the upper layer on which a diode is disposed.例文帳に追加

また特に、この基体をより脆弱にすることによって、その下層のある区域の可撓性を高め、ダイオードが配置された上層の導電性を損なわずに、基体を前記可撓性区域領域内で変形できるようにする。 - 特許庁

An upper layer metal film 5 containing tungsten (W) is dry- etched using a resist mask, whereby with the film 5 processed into a wiring shape, one part of the surface of a lower layer metal film 4 containing Ti is made to expose.例文帳に追加

レジストマスク７を用いて、Ｗを含む上層金属膜５をドライエッチングし、それによって、上層金属膜５を配線形状に加工するとともに、Ｔｉを含む下層金属膜４の表面の一部を露出させる。 - 特許庁

A deposition film comprising a plurality of layers 302, 304 formed on a substrate 301 is subjected to scribing while determining the scribe position of the upper layer with reference to the scribe position 303 of the lower layer 302.例文帳に追加

基板３０１上に複数の層３０２，３０４が積層してなる堆積膜に対して、下部層３０２のスクライブ位置３０３を基準として上部層のスクライブ位置を決定しながらスクライブ加工を行うことを特徴とする。 - 特許庁

A pad oxidizing film is removed from the upper surface of the layer 10, together with the formed regions 12 and 14, and then a high-quality silicon oxidation film 22 is subjected to thermal growth, until the thickness reaches about 60 Å on the surface of the layer 10.例文帳に追加

形成された領域１２および領域１４とともに、層１０の上表面はパッド酸化膜が取り除かれ、層１０の表面に高品質シリコン酸化膜２２が厚さ約６０Åまで熱成長を行う。 - 特許庁

The laminated substrate is pattern-molded, by using a standard photograph flat-plate technology and etching is applied, and a rectangular or a columnar column is formed on the upper part of the substrate, composed of conductive layer(s) and non-conducive layer(s).例文帳に追加

積層された基板を標準的な写真平板技術を使用してパターン成形し、そしてエッチングして、導電性層及び非導電性層からなる基板の上部に矩形状または円柱状の柱を形成する。 - 特許庁

In the display device, a thin-film transistor for driving a pixel electrode 31 is formed on a substrate 11, and conductive light shielding layers 27, 28 are formed in the position corresponding to the upper layer of the thin- film transistor and to the lower layer of the pixel electrode 31.例文帳に追加

表示装置は、基板１１上に画素電極３１の駆動用の薄膜トランジスタが設けられ、この薄膜トランジスタの上層でかつ画素電極３１の下層の位置に導電性の遮光層２７，２８が設けられている。 - 特許庁

The upper layer optical fiber 2a and the lower layer optical fiber 2b are almost parallel fixed onto planar substrates 3a and 3b closely to the crossing 51 of optical fibers 2 and have flexibility integrally with the substrates 3a and 3b.例文帳に追加

前記光ファイバ２の交差点５１近傍において上層光ファイバ２ａと下層光ファイバ２ｂがほぼ平行に平面状の基材３ａ、３ｂに固定されており、前記基材３ａ、３ｂと一体となって可撓性を有する。 - 特許庁

The optical waveguide is provided with a recessed part 110 formed from an upper clad layer 104 up to a part of a lower clad layer 102 and a bent end face 103a to be the outside end face of a bend position of a core 103 is exposed.例文帳に追加

上部クラッド層１０４から下部クラッド層１０２の一部に達する凹部１１０を備え、そのコア１０３の屈曲箇所においてはその外側端面である屈曲端面１０３ａが露出された状態とする。 - 特許庁

The plurality of lower electrodes 13 and the undersurface of a thermoelectric element 15 are fixed together with the bonding layer 16, and the plurality of upper electrodes 14 and the top surface of the thermoelectric element 15 are fixed together with the bonding layer 17, thereby the thermoelectric conversion module 10 is formed.例文帳に追加

そして、複数の下部電極１３と熱電素子１５の下面とを接合層１６で固定し、複数の上部電極１４と熱電素子１５の上面を接合層１７で固定して熱電変換モジュール１０を形成した。 - 特許庁

Carrier confinement layers 16 and 20 formed by (AlGa)InP that is subjected to pull distortion are formed at upper and lower parts 20 and 16 of the channel layer 18, a carrier is confined to the channel layer 18, and a high breakdown voltage is given.例文帳に追加

引張ひずみをかけられた（ＡｌＧａ）ＩｎＰによって形成されるキャリア閉込め層１６，２０が、チャネル層１８の上部２０と下部１６の両方に形成されて、チャネル層１８にキャリアを閉じ込め、高い降伏電圧を与える。 - 特許庁

To provide a method of producing sintered ore using heat generation source-containing particles by which a heat source in the upper layer part of a sintering raw material layer is secured, and consequently the yield and the productivity of the whole of the sintered ore is improved.例文帳に追加

焼結原料層の上層部の熱源を確保し、焼結鉱の全体の歩留り向上、及び生産性の向上を図ることが可能な発熱源を含有した粒子を用いた焼結鉱の製造方法を提供する。 - 特許庁

A heating means 3 comprises a sheet heater 21 laid between a base member 2 and a lower stage layer 5, cut-out switches 15, 17 provided on an upper stage layer 4, and a heat conductivity improving spacer 22 interposed between a mass flow controller 16 and the heater 21.例文帳に追加

加熱手段3は、ベース部材2と下段層5との間に介在された面状ヒータ21と、上段層4の遮断開放器15,17およびマスフローコントローラ16とヒータ21との間に介在された熱伝導向上用スペーサ22とからなる。 - 特許庁

The first base 6 and the second base 7 are respectively fixed to the upper surface of the base part 2 through a first adhesive layer 8 and a second adhesive layer 9 while respectively leaving non-fixed parts 6a and 7a on the dividing region 5 side.例文帳に追加

第１ベース６及び第２ベース７は、分割域５側にそれぞれ非固定部６ａ及び７ａを残して、それぞれ第１接着剤層８及び第２接着剤層９を介して基部２の上面に固定される。 - 特許庁

As a consequence, an n-type impurity is not implanted into the part of the p-type silicon layer 3 positioned between the bottom face of an element-isolation insulation film 5 and the upper face of a box layer 2, and therefore it is possible to avoid the reduction of the isolation withstand voltage.例文帳に追加

従って、素子分離絶縁膜５の底面とＢＯＸ層２の上面との間に位置している部分のｐ型のシリコン層３内に、ｎ型の不純物が注入されないため、分離耐圧が低下することを回避できる。 - 特許庁

A gap between an edge of the waterproof sheet and the sealant is blocked with a step correcting material; and subsequently, the edge of the upper layer-side waterproof sheet is overlapped on that of the lower layer-side waterproof sheet, so that both the edges can be welded together.例文帳に追加

防水シートの縁部とシール材との間の隙間が段差修正材により塞がれたうえで、下層側の防水シートの縁部に上層側の防水シートの縁部が重ねられて双方の縁部どうしが溶着されている。 - 特許庁

To appropriately suppress variations in a reflection factor due to the mutual interference of each reflection light on the upper surface of an SOI wafer, an interface between an SOI layer and an insulating film, and an interface between the insulating layer and a support substrate for the application of laser beams related to dicing.例文帳に追加

ダイシングに係るレーザ光照射に際しての、ＳＯＩウェハ上表面、ＳＯＩ層＝絶縁膜界面、絶縁層＝支持基板界面における各反射光の相互干渉による反射率の変動を好適に抑制する。 - 特許庁

In this magnetic element, a planar coil is sandwiched between the upper magnetic layer and the lower magnetic layer and, at the middle of the planar coil, a primary coil region and a secondary coil region are partitioned and a tap is provided for connection to the outside.例文帳に追加

上部磁性層と下部磁性層との間に平面コイルを狭持した構造になる磁気素子において、該平面コイルの中間位置に、１次コイル領域と２次コイル領域とを区画し、かつ外部と接続するためのタップを設ける。 - 特許庁

A solid pattern 7p of the upper layer side conductive pattern 7s is in contact with the lower layer side conductive pattern 6s through the contact portion 115s and the end part of the auxiliary wiring 8a is in contact with the solid pattern portion 7p overlapping the solid pattern portion 7p.例文帳に追加

上層側導電パターン７ｓのベタパターン部７ｐは、コンタクト部１１５ｓを介して下層側導電パターン６ｓに接し、補助配線８ａの端部は、ベタパターン部７ｐに重なってベタパターン部７ｐに接している。 - 特許庁

By the composite action of the predetermined surface treatment film as the lower layer film and the upper layer film obtained by blending a predetermined organometallic compound into a solvent-based organic resin, particularly excellent planar part and corrosion resistance after working or the like can be obtained.例文帳に追加

下層皮膜である特定の表面処理皮膜と、溶剤系有機樹脂に特定の有機金属化合物を配合した上層皮膜との複合作用により、特に優れた平板および加工後の耐食性などが得られる。 - 特許庁

In the side periphery of the outer layers, a joint line 4 between the upper-part outer layer 2a and the lower-part outer layer 2b lies at the height corresponding to 1/2, preferably 1/3 thickness from the bottom surface of the egg processed food 1A.例文帳に追加

また、外層の側周において、上部外層２ａと下部外層２ｂの継ぎ目４は、卵加工食品１Ａの底面から卵加工食品の１／２厚までの高さに位置し、好ましくは１／３厚までの高さに位置する。 - 特許庁

Namely, a part of a pattern of metal wiring material located at a layer upper than a channel layer of a thin-film transistor constituting a pixel circuit is laid out so that spacing in the pattern comprising a lower electrode material of a light emitting element is blocked.例文帳に追加

すなわち、画素回路を構成する薄膜トランジスタのチャネル層よりも上層に位置する金属配線材料の一部パターンを、発光素子の下部電極材料で構成されるパターン間の隙間を塞ぐようにレイアウトする。 - 特許庁

This agricultural film is characterized by forming a lower layer coated membrane containing a synthetic resin on the surface of a substrate film becoming the inside of the green house on being extended, and further forming an upper layer coated membrane containing an inorganic particle as a main component.例文帳に追加

展張時にハウスの内側となる基体フィルムの面に、合成樹脂を含む下層塗膜を形成し、更に無機微粒子を主成分として含む上層塗膜を形成してなることを特徴とする農業用フィルム。 - 特許庁

A first conductive pattern 16 has a first conductive element 18 formed on an upper surface of a first dielectric layer 12 and functioning as a first plate of a capacitor 20, and a second dielectric layer 22 functioning as a potential lead for the integrated circuit element 24.例文帳に追加

第１導電パターン16は、第１誘電体層12の上面に形成されてコンデンサ20の第１プレートとして機能する第１導電要素１８と、集積回路素子24用の電位リードとして機能する第２導電要素22を有する。 - 特許庁

In this thin film bulk acoustic resonator, an acoustic reflection film 11 made of a material having an acoustic reflection function in a single layer is formed on a substrate 10, and an elastic resonance film 15 is formed on an upper layer of the acoustic reflection film 11.例文帳に追加

基板１０上に、単層で音響反射機能を有する材料からなる音響反射膜１１が形成されており、その上層に弾性共振膜１５が形成されている構成の薄膜バルク音響共振子とする。 - 特許庁

Next, a piezoelectric layer 32 is formed by accumulating the particles of the piezoelectric material on the oscillating board 31 by an AD (aerosol deposition) method so as to cover a plurality of pressure rooms 14 on the upper face of the oscillating board 31 (a piezoelectric layer forming process).例文帳に追加

次に、振動板３１の上面に、複数の圧力室１４を覆うように、ＡＤ法により圧電材料の粒子を振動板３１上に堆積させることにより圧電層３２を形成する（圧電層形成工程）。 - 特許庁

The nonlinear substance 28 buried in the aperture of a reverse ladder structure firmed in the silicon deposited layer 25 in an etching step is partially exposed through the bottom surface of the silicon deposited layer 23 as the upper structure.例文帳に追加

エッチング工程によってシリコン蒸着層２３に形成された逆梯形構造のアパーチャ２５に埋め込まれた非線形物質２８は、上部構造としてのシリコン蒸着層２３の底面を通して一部が露出される。 - 特許庁

Also, the second insulating layer 8 has a second opening 8a for exposing the upper surface of the wiring 6 on the wiring 6, and a third metal layer 7 is formed in a region exposed from the second opening 8a in the wiring 6.例文帳に追加

また、第２の絶縁層８は配線６上に配線６上面を露出させる第２開口部８ａを有し、配線６のうち、第２開口部８ａから露出した領域上には第３の金属層７が形成されている。 - 特許庁

This aerobic filter bed vessel 41 to be placed in a sewage septic tank, is divided into two filter bed layers, i.e., an upper filter bed layer R and a lower filter bed layer F, each of which is packed with a granular carrier 14 consisting of a synthetic resin based material.例文帳に追加

汚水浄化槽内に備える好気濾床槽であって、前記好気濾床槽４１は、上下２つの濾床層（Ｒ、Ｆ）に分けられ、この上下２つの濾床層（Ｒ、Ｆ）には合成樹脂系の粒状担体（１４）が充填されている。 - 特許庁

To prevent detrimental effect on the characteristics of a semiconductor device by preventing contamination and film wear of an insulation film, in formation of a contact between a first conductive film of the lower layer and a second conductive film of the upper layer, which are set apart from each other by an insulation film.例文帳に追加

絶縁膜で隔てられた下層の第１の導電膜と上層の第２の導電膜とのコンタクトの形成において、絶縁膜の汚染や膜減りを防止し、半導体装置の特性に悪影響を及ぼさない。 - 特許庁

To manufacture a magnetic recording medium wherein dry of a magnetic paint is relaxed and superior alignment efficiency is realized and which has a high squareness ratio, when an upper magnetic layer is formed as a thin layer of 50 nm or smaller by wet-on-dry system.例文帳に追加

ウェット・オン・ドライ方式により、上層の磁性層を５０ｎｍ以下の薄層に形成する場合において、磁性塗料の乾燥を緩和し、優れた配向効率を実現し、高い角形比を有する磁気記録媒体を作製する。 - 特許庁

In the pillow body 1, the split pouches (splits) 8 of a (front split layer 5) house hard cylindrical granular materials 21 and spherical granular materials 23, while an upper rear split layer 6a houses soft cylindrical granular materials 22 and spherical granular materials 23.例文帳に追加

枕本体１の分割嚢（分割体）８（表分離層５）には硬質筒粒状物２１及び球粒状物２３が内蔵され、上裏分離層６ａには軟質筒粒状物２２及び球粒状物２３が内蔵される。 - 特許庁

The upper polysilicone layer of a capacity Cl(l-1) to Cl1 corresponding to a low-order bit (L-DAC) is all connected to a common node on the side of the low-order bit and each lower polysilicone layer is connected to analog switches SWl(l-1) to SWl1.例文帳に追加

また、下位ビット（Ｌ−ＤＡＣ）に対応する容量Ｃ_l(l-1)〜Ｃ_l1の上層ポリシリコンを全て下位ビット側の共通ノードに接続すると共に下層ポリシリコンの各々を対応するアナログスイッチＳＷ_l(l-1)〜ＳＷ_l1に接続する。 - 特許庁

Thus, the waveguide type rat race circuit has excellent characteristics in which deterioration in electric characteristics due to resonance of an electromagnetic wave leaking in an area surrounded with the upper main conductor layer 51a, lower main conductor layer 51b, and inner peripheral waveguide wall through-conductor group 52a is prevented.例文帳に追加

上側主導体層51ａ，下側主導体層51ｂ，内周管壁用貫通導体群52ａで囲まれた領域内に漏洩した電磁波の共振による電気特性の劣化が防止された良好な電気特性を有する。 - 特許庁

Although the growth temperature of the 1st upper guide layer 106 is 650°C, the rise of the growth temperature is started simultaneously with the growth of the layer 106, gradually increased up to the end of growth and reached 750°C at the end of growth.例文帳に追加

この第一上ガイド層１０６の成長温度は、成長開始時は６５０℃であるが、成長と同時に成長温度の上昇を開始して、成長終了時まで徐々に昇温して、成長終了時に７５０℃にする。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has a flat first shading film 12 formed in a first insulating layer 11, and a second insulating layer 13 which is provided on an upper portion of the first shading film 12 and formed of a plurality of recesses 131.例文帳に追加

半導体装置１は、第一絶縁膜１１中に形成された平膜状の第一遮光膜１２と、この第一遮光膜１２の上部に設けられ、複数の凹部１３１が形成された第二絶縁膜１３とを有する。 - 特許庁

A plurality of contact holes (for example, a pair of contact holes 12A and 12B) are provided at each wiring connection part that connects the end of the layer (11B or 11C), including the high-melting point metal wiring and the end of the upper wiring layer 14B.例文帳に追加

高融点金属配線を含む層（１１Ｂまたは１１Ｃ）の端部と上層配線層１４Ｂの端部を接続する配線接続部ごとにコンタクトホールが複数（例えば、１２Ａと１２Ｂ等のペア）で設けられている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a simple radiation detector by separately forming a scintillator crystal layer to inspect an upper face and a lower face of the scintillator crystal layer so as to surely remove an inferior crystal.例文帳に追加

シンチレータ結晶層を別個に形成することによって、シンチレータ結晶層の上面、および下面を検査可能として不良結晶を確実に除去するとともに、簡便な放射線検出器の製造方法を提供する。 - 特許庁