「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(142ページ目) - Weblio英語例文検索

The laminated structure having the brightness-improving film 13 formed by arranging a plurality of prism forms having different height on the upper surface comprises the brightness-improving film 13 on the upper surface of which the plurality of the prism forms each having different upper surface height are arranged and an optical layer 8 or 18 stuck on the upper surface of the brightness-improving film 13 at the periphery and having optical transparency.例文帳に追加

輝度上昇フィルム１３は上面に高さが異なる複数のプリズム形状を配列して構成し、輝度上昇フィルムを具備する積層構造は、上面に高さが異なる複数のプリズム形状を配列した輝度上昇フィルム１３と、前記輝度上昇フィルム１３の上面に周囲が接着された光透過性を有する光学層８又は１８とで構成する。 - 特許庁

A semiconductor constituent body 4 called CSP is provided on the upper surface of a base plate 1 provided with upper wiring 2 and lower wiring 3, an insulating layer 16 like a square frame is formed therearound, then first and second upper re-wirings 20 and 24 are formed thereon, and a solder ball 27 is provided on the connection pad of the second upper re-wiring 24.例文帳に追加

上層配線２および下層配線３を有するベース板１の上面にはＣＳＰと呼ばれる半導体構成体４が設けられ、その周囲には矩形枠状の絶縁層１６が設けられ、それらの上には第１、第２の上層再配線２０、２４が設けられ、第２の上層再配線２４の接続パッド部上には半田ボール２７が設けられている。 - 特許庁

The flat fluorescent lamp has an upper glass substrate 411, a lower glass substrate 421 bonded facing to the upper glass substrate 411, electrodes 414, 424 formed on the outer plane of the upper glass substrate 411 and the lower glass substrate 421, and a dielectric layer 413 formed between the upper glass substrate 411 and the electrode 414.例文帳に追加

本発明による平板蛍光ランプは、上部ガラス基板４１１と、上部ガラス基板４１１と対向接合されている下部ガラス基板４２１と、上部ガラス基板４１１と下部ガラス基板４２１の外部面に形成されている電極４１４、４２４と、上部ガラス基板４１１と電極４１４との間に形成されている誘電層４１３とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

A second electrode 14 is connected to an upper layer wire at the upper surface via the contact holes 15a with a part thereof connected to a first electrode 12 via an insulating film 13 formed on the surface of the first electrode 12 and the other part thereof provided in parallel to be superimposed on the upper part of the first electrode 12.例文帳に追加

第２の電極１４を、第１の電極１２の表面に形成された絶縁膜１３を介してその一部が第１の電極１２間に、他の部分が第１の電極１２の上方に重畳されるように並設されてその上面がコンタクトホール１５ａを介して上層配線に接続される態様で形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device functioning as a three-dimensional device by bonding two semiconductor chips, rear surface of the upper semiconductor chip 20 is ground, side face of the upper semiconductor chip 20 is covered entirely with a resin layer 30, or the central part of the upper semiconductor chip 20 is made thicker than the circumferential part.例文帳に追加

２枚の半導体チップを接合した三次元デバイスとして機能する半導体装置において、上側の半導体チップ２０の裏面を研磨したり、上側の半導体チップ２０の側面全体を樹脂層３０により覆ったり、あるいは、上側の半導体チップ２０の中央部を周辺部よりも厚くする。 - 特許庁

This LED module (illumination device) 100 is equipped with a wiring circuit board 10 having a wiring layer 13 formed on the upper face, a plurality of light-emitting parts 20 installed on the upper face of the wiring circuit board 10, and constant current circuits 30 installed on the upper face of the wiring circuit board 10 and electrically connected to the light-emitting parts 20.例文帳に追加

このＬＥＤモジュール（照明装置）１００は、上面上に配線層１３が形成された配線基板１０と、配線基板１０の上面上に設けられた複数の発光部２０と、配線基板１０の上面上に設けられ、発光部２０と電気的に接続された定電流回路３０とを備えている。 - 特許庁

To provide a GaN-based LED which suppresses increase in contact resistance of an upper electrode, improves the light extraction efficiency during flip-chip mounting, and improves the problem that fluctuations in contact resistance between a contact layer and the upper electrode due to the variation in the lamination state of the upper electrode and a reflection film occur.例文帳に追加

上部電極の接触抵抗の増大を抑えながら、フリップチップ実装時の光取り出し効率を改善するとともに、上部電極と反射膜との積層状態のバラツキにより、コンタクト層と上部電極との接触抵抗の変動が生じるという問題を改善した、ＧａＮ系ＬＥＤの提供。 - 特許庁

An upper electrode P12 composing of metal material is partially formed on a surface of a contact layer 15 of a GaN-based light-emitting diode, and a reflection film P13 composing of metal material is formed, so that it cannot contact with the upper electrode P12, on an area where the upper electrode P12 is not formed.例文帳に追加

ＧａＮ系発光ダイオードのコンタクト層１５の表面に、金属材料からなる上部電極Ｐ１２を部分的に形成するとともに、前記上部電極Ｐ１２が形成されていない部分に、前記上部電極Ｐ１２と接しないように、金属材料からなる反射膜Ｐ１３を形成する。 - 特許庁

A metal plate 12 brought into contact with an upper surface side conductor 11 connected to an upper surface electrode layer of a semiconductor device 8 fixed on a DBC substrate 5 is connected to copper circuit foil 7 of a metal plate fixing DBC substrate 13 so as to press the upper surface side conductor 11 to the semiconductor device 8 direction.例文帳に追加

ＤＢＣ基板５上に固定された半導体素子８の上面電極層と接続される上面側導体１１に接触する金属板１２が、上面側導体１１を半導体素子８方向へ押圧するように金属板固定用ＤＢＣ基板１３の銅回路箔７に接続される。 - 特許庁

A joint surface 512a facing one surface 80a of an upper electrode film (electrode) 80 in a terminal part 512 of a flexible board 500 includes a flat part 513 expanding nearly in parallel to the one surface 80a of the upper electrode film 80 and stuck to the upper electrode film 80 through a joint material layer 85.例文帳に追加

フレキシブル基板５００の端子部５１２における上電極膜（電極）８０の一面８０ａと対向する接合面５１２ａは、上電極膜８０の一面８０ａに対して略平行に広がり、接合材層８５を介して上電極膜８０に接着される平坦部５１３を備えている。 - 特許庁

The semiconductor package includes an upper electrode 18 and a lower electrode 20 formed in flat plate shapes; a dielectric layer 14 interposed between the upper electrode 18 and the lower electrode 20; and a coating component 24 composed of an insulating resin covering the outside of at least either the upper electrode 18 or the lower electrode 20.例文帳に追加

平板状に形成された上部電極１８および下部電極２０と、前記上部電極１８と下部電極２０とによって挟まれて配置された誘電体層１４と、前記上部電極１８および下部電極２０の少なくとも一方の外面を被覆する絶縁樹脂からなる被覆部２４とを備える。 - 特許庁

In this semiconductor device functioning as a three-dimensional device for which two semiconductor chips are joined, the back surface of the semiconductor chip on the upper side is ground, the entire side face of the semiconductor chip on the upper side is covered with a resin layer, or the center of the semiconductor chip on the upper side is made thicker than a peripheral part.例文帳に追加

２枚の半導体チップを接合した三次元デバイスとして機能する半導体装置において、上側の半導体チップの裏面を研磨したり、上側の半導体チップの側面全体を樹脂層により覆ったり、あるいは、上側の半導体チップの中央部を周辺部よりも厚くする。 - 特許庁

A MIM capacitor 11 (constituted of a lower electrode film 8a, a capacitor insulating film 9a, and an upper electrode film 10a) formed on a lower interlayer insulating film 3, can dispense with connection holes for the upper electrode, by being formed with a height same as that of a plug 14a connecting between a lower layer wiring 6 and an upper wiring 14c.例文帳に追加

下層層間絶縁膜３上に形成されたＭＩＭ型キャパシタ１１（下部電極膜８ａ、キャパシタ絶縁膜９ａ、上部電極膜１０ａからなる）は、下層配線６と上層配線１４ｃを接続するプラグ１４ａと同じ高さに形成することにより、上部電極用接続孔を必要としない。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device has at least a stage for providing an upper groove at one side of a metallic plate of a heat spreader, a stage for adhering a board having a wiring layer to the metallic plate and filling the upper groove with resin, and a stage for forming a lower groove at the other surface of the metallic plate to connect the upper and lower grooves.例文帳に追加

ヒートスプレッダとなる金属板の片面に上溝を設ける工程、該金属板に配線層を有する基板を接着するとともに上記の上溝に樹脂を充填する工程、金属板の別の面に下溝を設けて上下の溝を連結する工程を少なくとも有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

This manufacturing method is executed by forming a photoresist 35 acting as a mask so that the tip part of the upper pole is exposed after the upper pole 34 is formed so as to cover the pole chip 28 and applying anisotropic etching, in which an insulation layer 29 filling up the surrounding of the pole chip constitutes an etching stopper, thereby retreating the tip face of the upper pole from the air bearing surface.例文帳に追加

ポールチップ２８を覆うように上部ポール３４を形成した後、マスクとして作用するフォトレジスト３５を、上部ポールの先端部分が露出するように形成し、ポールチップの周囲を埋める絶縁層２９をエッチングストッパとする異方性エッチングを施して、上部ポールの先端面をエアベアリング面から後退させる。 - 特許庁

In the manufacture of the fereoelectric element comprising a lower electrode, a lead- base ferrolectric layer formed on the lower electrode, and an upper electrode formed on the lead-base ferroelectric layer, at least the upper electrode, of either the upper and lower electrodes, is formed through depositing CaRuO3 into a thickness of 50 nm or smaller by organic metal compound CVD method at a substrate temperature 65°C or lower.例文帳に追加

下部電極と下部電極上の鉛基強誘電体層と鉛基強誘電体層上の上部電極を有する強誘電体素子の製造方法において下部電極および上部電極のうち少なくとも上部電極を、有機金属化合物化学的気相堆積法を用い、基板温度を６５０℃以下の条件下でＣａＲｕＯ_3 を堆積して形成し、かつ膜厚を５０ｎｍ以下とする製造方法。 - 特許庁

The electroforming mold 1 comprises: a substrate 2 that transmits ultraviolet rays; a conductive film 3 that has electric conductivity on a surface of the substrate and has UV-ray transmissibility; and a first photoresist layer that is formed on the upper surface of the conductive film and has a first through-hole inclined toward the upper surface of the first photoresist layer 4 from the upper surface of the conductive film.例文帳に追加

電鋳型１は、紫外線に対して透過性を有する基板２と、前記基板の表面に導電性を有し、かつ紫外線に対して透過性を有する導電膜３と、前記導電膜の上面に形成され、前記導電膜の上面から前記第１のフォトレジスト層４の上面に向かって傾斜する第１の貫通孔を有する第１のフォトレジスト層と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

A light-emitting device comprises: a semiconductor stack including a light-emitting layer; a first upper electrode directly connected to the semiconductor stack on the semiconductor stack; at least one second upper electrode that is connected to the semiconductor stack via a first contact layer above the semiconductor stack and extend from the first upper electrode; and a lower electrode provided under the semiconductor stack.例文帳に追加

実施形態によれば、発光素子は、発光層を含む半導体積層体と、半導体積層体の上で、半導体積層体に直接的に接続された第１上部電極と、半導体積層体の上で、半導体積層体に第１コンタクト層を介して接続され、第１上部電極から延出された、少なくとも１つの第２上部電極と、半導体積層体の下に設けられた下部電極と、を備える。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescence element where the upper electrode side of an organic layer has sufficient transmittance to emitted light in a configuration for taking out the emitted light from an upper electrode side used as a negative electrode, proper electron injection efficiency from the upper electrode side to the organic layer and hole blocking properties are ensured, and hence light-emitting intensity and a luminous life can be increased.例文帳に追加

陰極として用いられた上部電極側から発光光を取り出す構成において、有機層の上部電極側が発光光に対して充分な透過率を有すると共に、当該上部電極側から有機層への適正な電子注入効率と正孔ブロック性が確保され、これにより発光強度および発光寿命の向上を図ることが可能な、有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁

The outer peripheral edge of the electrocondutive film EM is mounted and supported on the elastic sealing layer 18 and the upper parts 16 of the respective spring electrodes 14 are exposed from the elastic sealing layer 18 and are brought into pressurized contact with the outer peripheral edge of the electroconductive film EM.例文帳に追加

そして、弾性シール層１８上に導電皮膜ＥＭの外周縁部を搭載支持させ、弾性シール層１８から各バネ電極１４の上部１６を露出させて導電皮膜ＥＭの外周縁部に圧接させる。 - 特許庁

In the display apparatus, a thin film transistor driving a transparent pixel electrode 31 is provided on a substrate 11 and conductive light shielding layers 27 and 28 are provided in a position of an upper layer of the thin film transistor and a lower layer of the pixel electrode 31.例文帳に追加

表示装置は、基板１１上に透明画素電極３１を駆動する薄膜トランジスタが設けられ、この薄膜トランジスタの上層でかつ画素電極３１の下層の位置に導電性の遮光層２７，２８が設けられている。 - 特許庁

To provide stable coating without coating defects such as poor coating, liquid repellency and coating streak when a non-contact coater is used as a coating device for the upper layer to conduct sequential multi-layer coating.例文帳に追加

上層の塗布手段として非接触方式の塗布コータを使用して複層を逐次重層塗布する場合に、塗り付け不良や液はじき、あるいは塗布スジ等の塗布欠陥が発生しないように安定塗布することができる。 - 特許庁

A fuse part 13 and a pad electrode 17 are formed with a metal writing layer of the top layer over an interlayer insulating film 12, over which an inorganic insulating protective film 14 is formed, and then an opening part 18 at the upper part of the pad electrode 17 is formed.例文帳に追加

層間絶縁膜１２上に、ヒューズ部１３及びパッド電極１７を最上層の金属配線層で形成し、その上に無機絶縁保護膜１４を形成後、パッド電極１７の上部の開口部１８を形成する。 - 特許庁

The thickness-adjusting layer 6 has slopes 60 at boundaries between the reflective display regions 31 and the transmissive display regions 32, and the upper ends 65 and the ends 45 of the light-reflecting layer 4 overlap each other in plan view.例文帳に追加

層厚調整層６において、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界部分は斜面６０になっており、その上端縁６５と光反射層４の端縁４５とが平面的に重なっている。 - 特許庁

By this arrangement, the distance between the lower shield layer 12 and the upper shield layer 19 is satisfactorily secured, and the occurrence of the electric or magnetic short-circuit on the confronted surfaces of the magnetic recording medium is prevented.例文帳に追加

これにより、下層シールド層１２と上層シールド層１９との間の距離を十分に確保することができ、磁気記録媒体の対向面における電気的或いは磁気的な短絡が発生することを防止することができる。 - 特許庁

In this manufacturing method of the optical master disk, when making grooves lie in zigzag lines, the height of a low part is made to be ≥70% with respect to the height of a high part in the height after the development of the upper layer used as the mask of the under layer.例文帳に追加

本発明の光ディスク用原盤の製造方法では、形成する溝を蛇行させる時、下層のマスクとなる上層の現像後の高さにおいて、低い部分の高さが高い部分に対して７０％以上とする。 - 特許庁

Further, since the double layer resist pattern 105 and the soluble layer pattern 102 are arranged so as to be successively removed by using specified solvents respectively for them, so that a burr does not occur on an upper surface of the 1st thin-film pattern 111, then a smooth lift-off is attained.例文帳に追加

さらに、所定の溶剤をそれぞれ用いて２層レジストパターン１０５と可溶層パターン１０２とを順次除去するようにしたので、第１薄膜パターン１１１の上面にバリが発生せず、円滑なリフトオフが可能となる。 - 特許庁

The upper part of the p-type clad layer 22 and the p-type cap layer 24 are formed as a ridge-shaped wide stripe having a stripe width w of 100 mm, and current non-injection regions 26 are formed on both the sides of the ridge-shaped wide stripe.例文帳に追加

ｐ型クラッド層２２の上部及びｐ型キャップ層２４は、ストライプ幅Ｗが１００μｍのリッジ状ワイドストライプとして形成され、リッジ状ワイドストライプの両側は電流非注入領域２６となっている。 - 特許庁

In an n-type lower clad layer 4, thin buffer layers 5 of Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) are formed, and in a p-type upper clad layer 7, thin buffer layers 8 of Al_xGa_1-xN(0≤x≤1) are formed.例文帳に追加

ｎ型下部クラッド層４中に薄層のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）緩衝層５が形成され、ｐ型上部クラッド層７中に薄層のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）緩衝層８が形成されている。 - 特許庁

Consequently, misfit dislocation occurs at a predetermined density in the crystal(upper layer part of the quantum well layer) of the semiconductor light-emitting element 1, and the misfit dislocation acts to ease the distortion energy stored in the crystal.例文帳に追加

これにより、半導体発光素子１の結晶内部（量子井戸層よりも上層部分）に所定の密度でミスフィット転位が発生し、このミスフィット転位が結晶内部に蓄積された歪みエネルギーを緩和するように作用する。 - 特許庁

Thereafter, in the formation of a layer formed later, the part left in the uncured state or a state cured at a weaker level is cured in a level ensuring the adhesion of a just under layer along with the upper part thereof.例文帳に追加

その後、より後に形成される層の形成に際し、上記の未硬化の状態またはより弱いレベルで硬化された状態に残された部分を、その上方部分と共に、直下の層への接着を保証するレベルで硬化する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which oxide films each having a uniform and optimum film thickness are formed on an interface between a lower-layer electrode and an upper-layer electrode of a memory cell, and an interface between a substrate and a diode electrode of a protective diode.例文帳に追加

メモリセルにおける下層電極と上層電極との界面及び保護ダイオードにおける基板とダイオード電極との界面に、均一で且つ最適な膜厚の酸化膜が形成された半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

In such a case, a reaction-proofing layer mainly composed of a monocrystal is formed so that the chemical reaction of the wafer and the group III nitride compound semiconductor on the upper layer caused by stress and heat can not occur in a production process.例文帳に追加

ここに主として単結晶から成る反応防止層を形成し、製造工程中に応力と熱による基板と上層のIII族窒化物系化合物半導体との化学反応を起こさないようにすることができる。 - 特許庁

This solar battery includes a substrate 11, and a lower electrode film 12, a compound semiconductor thin film 13, a compound semiconductor thin film 14, a compound thin film (buffer layer) 15, a window layer 16 and an upper electrode film 17 which are laminated sequentially on the substrate 11.例文帳に追加

基板１１と、基板１１上に順次積層された、下部電極膜１２、化合物半導体薄膜１３、化合物半導体薄膜１４、化合物薄膜（バッファ層）１５、窓層１６および上部電極膜１７とを含む。 - 特許庁

A micro lens having a relatively high refractive index and consisting of an inorganic substance is formed as it has a convex-shaped lower side surface, and is focused on a lower side photo diode by refracting a light passing from an upper side spacer layer to a lower side spacer layer.例文帳に追加

比較的高い屈折率を有する無機物質からなるマイクロレンズを凸状の下側表面を有するように形成し、上から下側のスペーサー層を通過する光を屈折させて下側のフォトダイオード上に集束させる。 - 特許庁

A substrate treatment apparatus 1 comprises a liquid nozzle 16 for horizontally transporting a substrate 2 and simultaneously forming a liquid layer X of a developer solution on the upper face of the substrate and removal means for removing the liquid layer X formed on the substrate 2.例文帳に追加

基板処理装置１は、基板２を水平搬送しながらその上面に現像液の液層Ｘを形成するための液ノズル１６と、基板２上に形成された液層Ｘを除去するための除去手段とを備える。 - 特許庁

To obtain a manufacturing method of a substrate for thin film photoelectric conversion device capable of suppressing the occurrence of defects in a photoelectric conversion layer formed on an upper layer while enhancing the photoelectric conversion efficiency of a thin film photoelectric conversion device.例文帳に追加

上層に形成される光電変換層の欠陥発生を抑制するとともに薄膜光電変換装置の光電変換効率を向上可能な薄膜光電変換装置用基板の製造方法を得ること。 - 特許庁

On the top face of the P type GaN layer 3 exposed above the mesa 4 and the upper end face of the insulating film 5A, a P side electrode 6 larger than the top face of the P type GaN layer 3 (top face of the mesa 4) is formed.例文帳に追加

また、メサ部４の上部に露出するＰ型ＧａＮ層３の上面と絶縁膜５Ａの上端面には、Ｐ型ＧａＮ層３の上面（メサ部４の上面）よりも大きなＰ側の電極６が形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a chromium-free surface-treated galvanized steel sheet by two-step treatment of forming an underlayer as a bonding layer by a coating agent containing tannic acid, and then forming an upper functional coating layer.例文帳に追加

タンニン酸を含むコーティング剤による下層接着層の形成と、その後の上層機能性被覆層の形成の２段階処理により非クロム型処理亜鉛系めっき鋼板を製造する新しい方法を提供すること。 - 特許庁

The thin film type electron source ELS constitutes an MIM diode from a laminated structure of an image signal wiring (d) which is a lower electrode, a tunnel insulating layer TAO which is an electron acceleration layer and a connecting electrode ELC which is an upper electrode.例文帳に追加

薄膜型電子源ＥＬＳは下部電極である画像信号配線ｄと電子加速層であるトンネル絶縁層ＴＡＯと上部電極である接続電極ＥＬＣとの積層構造からなるＭＩＭダイオードを構成する。 - 特許庁

A dummy chip 8 having a conductor film 9 formed on the upper surface is arranged on a semiconductor chip 6 through an adhesive layer 7, and a semiconductor chip 11 is face-up mounted on the conductor film 9 through an adhesive layer 10.例文帳に追加

半導体チップ６上には、導電体膜９が上面に形成されたダミーチップ８を接着層７を介して配置し、導電体膜９上には、接着層１０を介して半導体チップ１１をフェースアップ実装する。 - 特許庁

The capacity of an integrated circuit contains a first dielectric substance layer 42 which is arranged adjacent to a substrate 24 and is provided with a groove therein and a metallic plug 32, which includes an upper part extending upward in the groove and a lower part arranged in the first dielectric substance layer 42.例文帳に追加

集積回路容量は基板に隣接しその中に溝をもつ第１の誘電体層及び溝中に上方に延びる上部部分と第１の誘電体層中に配置された下部部分を含む金属プラグを含む。 - 特許庁

In the plastic optical component forming a moisture-proof coat on at least an outside air contact face, the moisture-proof coat is composed of a multilayer film comprising a lower layer inorganic coat and an upper layer organic coat.例文帳に追加

少なくとも外気接触面に防湿被膜が形成されたプラスチック製光学部品であって、前記防湿被膜は、下層の有機系被膜と、上層の無機系被膜と、からなる多層膜で構成されるプラスチック製光学部品。 - 特許庁

The multilayer tape 10 for thermal adhesion comprises a base layer 1 composed of a styrene elastomer containing a substance for atmosphere improvement, and surface layers 2a and 2b containing a polyolefin resin, which are provided for coating an upper and a lower faces 1a and 1b of the base layer.例文帳に追加

雰囲気改良物質を含むスチレン系エラストマーからなる基材層１と、基材層の上下表面１ａ、１ｂを被覆する、ポリオレフィン系樹脂を含む表面層２ａ、２ｂからなる熱接着用多層テープ１０。 - 特許庁

In the in-vehicle network device, a plurality of lower layer networks 21 to 24, to which each ECU having a program rewritable memory is connected are connected to an upper layer network 10 via respective managers 11 to 14.例文帳に追加

車載ネットワーク装置には、車両の上層ネットワーク１０に、各マネージャー１１〜１４を介して、プログラムの書き換え可能なメモリーを有する各ＥＣＵが接続される複数の下層ネットワーク２１〜２４がそれぞれ接続されている。 - 特許庁