「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(140ページ目) - Weblio英語例文検索

A flash memory having hierarchical bit line configuration is provided with column reset/bit line test transistor regions 4a commonly to a plurality of cell blocks 3a sharing upper layer bit lines MBL0, MBL1, etc., so that data lines DL connected with sense amplifiers can be selectively disconnected from the upper layer bit lines.例文帳に追加

階層ビット線構成を有するフラッシュメモリにおいて、上層ビット線ＭＢＬ０，ＭＢＬ１，…を共有している複数のセルブロック３ａに対して共通にカラムリセット兼ビット線テストトランジスタ領域４ａを設け、センスアンプが接続されるデータ線ＤＬを上層ビット線から選択的に切り離し得るようにした。 - 特許庁

A hexagonal cone-like GaN-based semiconductor light-emitting element 11, whose crystal is selectively grown, is embedded and fixed on the upper surface of a substrate 20 by using an insulation layer 21 made of epoxy resin, and the insulation layer 21 is selectively dry-etched in an oxygen atmosphere, to expose the upper end part of the element 11.例文帳に追加

選択的に結晶成長させた六角錐形状のＧａＮ系半導体発光素子１１を基体２０の上面にエポキシ樹脂からなる絶縁層２１で埋め込んで固定した後、酸素プラズマ雰囲気下に絶縁層２１を選択的にドライエッチングしてＧａＮ系半導体発光素子１１の上端部を露出させる。 - 特許庁

The main pole layer has the magnetic pole end with a shortened structure which is not connected to the write shield layer, and an upper yoke pole section and/or lower yoke pole section with a larger size than the magnetic pole end, and has a joined structure wherein the upper yoke pole section and/or lower yoke section is joined to the magnetic pole end.例文帳に追加

主磁極層は、ライトシールド層に接続されない縮長構造を有する磁極端部と、磁極端部よりも大きさが大きい上部ヨーク磁極部または／および下部ヨーク磁極部とを有し、かつ、磁極端部に上部ヨーク磁極部または／および下部ヨーク磁極部が接合された接合構造を有している。 - 特許庁

In the order of lamination on an upper surface of a ferrite 20, in both terminal portions of a center electrode 22 in the first layer, electrode thickness is enlarged by charging electrodes 24a, 25a formed within openings 50a, 51a of insulating films 50, 51 formed on the side of an upper surface of both the terminal portions of the center electrode 22 in the first layer.例文帳に追加

フェライト２０の上面への積層順で、第１層目の中心電極２２の両端部は、第１層目の中心電極２２の両端部の上面側に形成された絶縁膜５０，５１の開口部５０ａ，５１ａ内に形成されている充填電極２４ａ，２５ａにて電極厚みが厚くなっている。 - 特許庁

The method includes the steps of forming an optical bonding resin layer on the underside of a transparent film, attaching a filter to the upper surface of the transparent film, and attaching the optical bonding resin layer to the upper surface of a display panel using a plate-to-plate method.例文帳に追加

本発明は、透明フィルムの下面にオプティカルボンディング（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｂｏｎｄｉｎｇ）樹脂層を形成するステップと、前記透明フィルムの上面にフィルタを付着するステップ、及び、前記オプティカルボンディング樹脂層とディスプレイパネルの上面をプレート・トゥ・プレート（Ｐｌａｔｅ ｔｏ Ｐｌａｔｅ）方式で付着するステップと、を含む。 - 特許庁

For the absorptive article 100, an absorber 3 is interposed between a liquid permeable top sheet 1 and a liquid impermeable back sheet 2, and a lower layer absorber 32 whose lower surface 32B is adhered to the back sheet 2 and an upper layer absorber 31 laminated on its upper surface 32A are provided as the absorber 3.例文帳に追加

透液性トップシート１と不透液性バックシート２との間に、吸収体３が介在された吸収性物品１００であって、吸収体３として、下面３２Ｂがバックシート２に接着された下層吸収体３２と、この上面３２Ａ上に積層された上層吸収体３１とが設けられる。 - 特許庁

A surface acoustic wave device 1 using an SH wave comprises: a crystal substrate 2 which has an upper surface and a lower surface and has grooves formed on the upper surface; and an IDT electrode 4 comprising a metal layer 3a filling the grooves, wherein the metal layer 3a is made of a metal having a heavier density than aluminum.例文帳に追加

上面と下面とを有し、上面に溝が形成されている水晶基板２と、前記溝内に充填されている金属層３ａを有し、該金属層３ａがアルミニウムよりも密度の重い金属からなるＩＤＴ電極４とを備え、ＳＨ波を利用している弾性表面波装置１。 - 特許庁

When a base substrate and an optical waveguide mother board are integrally bonded, ultraviolet-curing resin 20a is supplied between a lower surface of a lower cladding layer 18 and an upper surface of the silicon substrate 21b and a spacer 32 provided on the upper surface of the silicon substrate 21b of the base substrate is brought into contact with the lower surface of the lower cladding layer 18.例文帳に追加

ベース基板と光導波路親基板を重ねて接合するとき、下部クラッド層１８の下面とシリコン基板２１ｂの上面との間に紫外線硬化樹脂２０ａを供給し、ベース基板のシリコン基板２１ｂ上面に設けられたスペーサ３２を下部クラッド層１８の下面に当接させる。 - 特許庁

The semiconductor device 100 is provided with the semiconductor substrate; a lower layer wiring 101 provided on the semiconductor substrate and provided with a recess on its upper surface, dielectrics 102a, 102b, 102c and 102d covering the inner surface of the recess; and an upper layer wiring 104 provided on the dielectrics 102a, 102b, 102c and 102d.例文帳に追加

半導体基板と、半導体基板上に設けられ、上面に凹部が設けられた下層配線１０１と、凹部の内面を覆う誘電体１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ、１０２ｄと、誘電体１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ、１０２ｄ上に設けられた上層配線１０４と、を備える半導体装置１００を提供する。 - 特許庁

The apparatus 20 for rubbing the alignment layer includes a frame 50, a rubbing table 30 which is installed in the frame 50 and to which a substrate 3 having the alignment layer 10 is loaded, the rubbing roll 35 disposed at an upper portion of the rubbing table 30, and a head 60 disposed at an upper portion of the frame 50 that supports the rubbing roll 35.例文帳に追加

配向膜ラビング装置２０は、フレーム５０と、フレーム５０の内部に設置され、配向膜１０が形成された基板３が載置されるラビングテーブル３０と、ラビングテーブル３０の上部に設置されるラビングロール３５と、フレーム５０の上部に設置されてラビングロール３５を支持するヘッド６０とを含む。 - 特許庁

A recording head has a lower magnetic pole layers 8 (8a-8c), an upper magnetic pole layer 13, a recording gap layer 12 which is provided between the pole parts of these magnetic pole layers, and a thin film coil 10 which is disposed in an insulated state between the lower and the upper magnetic pole layers 8, 13.例文帳に追加

記録ヘッドは、下部磁極層８（８ａ〜８ｃ）と、上部磁極層１３と、これらの磁極層の各磁極部分の間に設けられた記録ギャップ層１２と、下部磁極層８および上部磁極層１３の間に、これらに対して絶縁された状態で配設された薄膜コイル１０とを有している。 - 特許庁

The light source device 1 is provided with a mounting board 2 having a plate-shaped first metal layer 23 mounted on its upper surface and composed of a metal material and at least one light emitting device 4 which is mounted on an upper face side of the mounting board 2 so as to contact the first metal layer 23 and has a light emitting element.例文帳に追加

光源装置１は、板状をなし、その上面に形成され、金属材料で構成された第１の金属層２３を有する搭載基板２と、搭載基板２の上面側に第１の金属層２３と接触するように搭載され、発光素子を有する少なくとも１つの発光装置４とを備えている。 - 特許庁

In the field effect transistor of the double-hetero structure including channel layers 5 sandwiched in the upper and lower portions by a couple of carrier supplying layers 3a, 3b, higher electron mobility can be attained by setting doping concentration of the upper carrier supplying layer 3a to 2 to 4 times the doping concentration of the lower carrier supplying layer 3b.例文帳に追加

上下に二つのキャリア供給層３ａ、３ｂで挟まれたチャネル層５を有するダブルヘテロ構造の電界効果トランジスタにおいて、上側のキャリア供給層３ａのドーピング濃度を下側のキャリア供給層３ｂのドーピング濃度の２〜４倍の範囲内することにより、より高い電子移動度が得られる。 - 特許庁

The light source device 1 is provided with a mounting substrate 2 having a first metal layer 23 which is of a plate shape, is formed on its upper surface, and is composed of a metal material, and a plurality of light-emitting devices 4 which are mounted on an upper surface side of the mounting substrate 2 in contact with the metal layer 23 and have light-emitting diode elements.例文帳に追加

光源装置１は、板状をなし、その上面に形成され、金属材料で構成された第１の金属層２３を有する搭載基板２と、搭載基板２の上面側に第１の金属層２３と接触するように搭載され、発光ダイオード素子を有する複数の発光装置４とを備えている。 - 特許庁

A 1st level difference correcting layer 31 is arranged on the upper surface of a gate insulating film 7 between a gate line 2 and an auxiliary capacitance line 3, and a 2nd level difference correcting layer 32 is arranged on the upper surface of the gate insulating film 7 and a pixel electrode 6 on the opposite side of the auxiliary capacitance line 3 of the gate line 2.例文帳に追加

ゲートライン２と補助容量ライン３との間におけるゲート絶縁膜７の上面には第１段差修正層３１が設けられ、ゲートライン２の助容量ライン３とは反対側におけるゲート絶縁膜７および画素電極６の上面には第２段差修正層３２が設けられている。 - 特許庁

A reversible evaginated part 2a is fitted at one upper-layer sheet part 2 made by folding a sheet of flexible board 1, and an upper contact point 4 is printed on an undersurface of the evaginated part 2a, while, an inner fixed contact point 7 and an outer contact point 8 are printed on the top face of the other lower-layer sheet part 3.例文帳に追加

１枚のフレキシブル基板１を折り返してなる一方の上層シート部２に反転可能な膨出部２ａを設け、この膨出部２ａの下面に上部接点４を印刷形成しておき、他方の下層シート部３の上面には内側固定接点７と外側固定接点８とを印刷形成しておく。 - 特許庁

A memory element 1 comprises a field effect transistor element which is composed of two impurity diffusion areas 11, a gate electrode 13, and a gate insulating layer 12 on a p-type silicon board 10; and a variable resistance element which is composed of a lower electrode 19, an upper electrode 21, and a variable resistance layer 20 interposed between the lower and upper electrodes 19, 21.例文帳に追加

メモリ素子１は、ｐ型シリコン基板１０に、２箇所の不純物拡散領域１１とゲート電極１３およびゲート絶縁層１２から構成される電界効果型トランジスタ素子部と、下部電極１９と上部電極２１とで可変抵抗層２０を挟み構成された可変抵抗素子部とからなる。 - 特許庁

A semiconductor device 1B of the upper layer includes an external connection electrode 6b which is connected with the upper surface connection terminal 7a of the semiconductor device 1A of the lower layer and a recess 9b into which a plurality of resin extrusions 8a of the sealing resin portion 5a are inserted on the lower surface of the wiring substrate 2b.例文帳に追加

上層の半導体装置１Ｂは、その配線基板２ｂの下面に、前記下層の半導体装置１Ａの上面接続端子７ａに対向して接続した外部接続電極６ｂと、前記封止樹脂部５ａの複数の樹脂突起８ａが挿入された凹部９ｂとを有している。 - 特許庁

The refractory layer 3 is constituted with the first regular shaped brick 40 parting the upper part of the molten metal passing-through hole W, the second regular shaped brick 43 having as engaging hole 43a engaged with the outer peripheral part at the upper part of the first regular shaped brick 40 and a castable layer 45 inserting the first regular shaped brick 40 and the second regular shaped brick 43.例文帳に追加

耐火物層３は、溶湯通過孔Ｗの上部を区画する第１定形れんが４０と、第１定形れんが４０の上部の外周部を嵌合する嵌合孔４３ａをもつ第２定形れんが４３と、第１定形れんが４０及び第２定形れんが４３を鋳包むキャスタブル層４５とで構成されている。 - 特許庁

Furthermore, after forming a resist pattern on the piezoelectric substrate, the lower layer electrode film, the upper layer electrode film, and the coating electrode film are sequentially formed and an anisotropic dry etching is applied to the element 1 to etch only the upper side of the coating electrode film and then the resist is exfoliated to obtain an electrode structure where the coated electrode film is formed on the side faces only.例文帳に追加

また、圧電基板にレジストパターンを形成した後、下層電極膜、上層電極膜、被覆電極膜を順に形成し、次いで、異方性ドライエッチングによって、被覆電極膜の上面のみをエッチングし、その後、レジストを剥離して、側面部のみに被覆電極膜が形成された電極構造を得る。 - 特許庁

The light source device 1 is provided with a plate-shaped mounting board 2 having a first metal layer 23 formed on its upper face and made of a metal material and at least one light emitting unit 4 mounted so as to contact the metal layer on an upper face side of the mounting board 2 and having a light emitting diode 42.例文帳に追加

光源装置１は、板状をなし、その上面に形成され、金属材料で構成された第１の金属層２３を有する搭載基板２と、搭載基板２の上面側に金属層と接触するように搭載され、発光ダイオード４２を有する少なくとも１つの発光装置４とを備えている。 - 特許庁

The base station includes a means for determining the transmission rate of a control channel for transmitting the control signal of an upper layer, and a means for assigning a predetermined band to the control channel for transmitting the control signal of an upper layer according to a transmission rate thus determined and transmitting the control signal.例文帳に追加

基地局に、上位レイヤの制御信号を送信する制御チャネルの伝送速度を決定する伝送速度決定手段と、決定された伝送速度にしたがって、上位レイヤの制御信号を送信する制御チャネルに所定の帯域を割り当て、送信する送信手段とを備えることにより達成される。 - 特許庁

In the manufacturing method for the fatty acid methyl ester, a step for reacting fats and oils, methanol and calcium hydroxide or calcium oxide is performed, and an amount of methanol in the reaction step is used in an amount such that the reaction mixture after the reaction step is separated to two layers, a main component of an upper layer is methanol, and the upper layer becomes transparent.例文帳に追加

脂肪酸メチルエステルの製造方法として、油脂と、メタノールと、水酸化カルシウムまたは酸化カルシウムとを反応させる工程を行い、反応工程におけるメタノールの量を、反応工程後の反応混合物は二層に分離し、上層の主成分がメタノールであり、かつ、上層が透明になるような量で使用すること。 - 特許庁

Furthermore, the organic electroluminescence element manufacturing device is arranged by forming an angle of 30 to 70 ° relative to the upper face of the organic electroluminescence element in which a protective layer should be formed on the upper part, and has a sputtering device provided with two targets of a protective layer constituent material impressed with alternating current power, respectively.例文帳に追加

また本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置は、上部に保護層を形成すべき有機エレクトロルミネッセンス素子の上面に対して３０〜７０度の角度を成して配置され、各々交流電力の印加される保護層構成材質の二つのターゲットを備えたスパッタリング装置を有する。 - 特許庁

The upper shielding layer is constituted of a Ni-Fe alloy base film formed by sputter-deposition and a Ni-Fe alloy plating film formed on the base film by electroplating and the distribution of the composition ratio of Fe in the direction of the thickness of the upper shielding layer is specified to be 17-19 mass %.例文帳に追加

上部シールド層を、スパッタ蒸着により形成されたＮｉ−Ｆｅ合金下地膜と、電解めっきにより前記下地膜上に形成されたＮｉ−Ｆｅ合金めっき膜とから構成し、上部シールド層の厚さ方向のＦｅ組成比分布を１７乃至１９質量％の範囲とした。 - 特許庁

This light-emitting diode enables suppression of electric current flowing in a light-emitting layer 5 of the lower part of an upper electrode 11 of the side of the upper electrode 11 (light extraction side) and to reflect a radiating light from a lightemitting layer 5 to a light extracting side.例文帳に追加

半導体多層膜からなる電流ブロック層７を上部電極１１と発光層５との間に挿入することにより、上部電極１１側（光取出し側）の上部電極１１下方部分の発光層５に電流が流れるのを抑制し、かつ発光層５からの放射光を光取出し側へ反射させることができる。 - 特許庁

The semiconductor structure includes the inductor including the upper surface, bottom surface and sidewall and a means that allows the inductor to be electrically contacted, the lower section of the inductor is extended by a distance that the lower section of the inductor is fixed in the dielectric layer formed on the substrate, and the upper section thereof is extended on the dielectric layer.例文帳に追加

半導体構造は、上表面、底表面および側壁を含むインダクタと、前記インダクタを電気的に接触させる手段とを含み、前記インダクタの下側部分は、半導体基板上に形成された誘電層中に固定した距離だけ延び、上側部分は、前記誘電層の上に延在する。 - 特許庁

Moreover, the method of manufacturing the electrode for the lithium battery includes interface part forming step of forming the interface part containing the lithium metal oxide on the current collector by a sputtering method, and an upper layer part forming step of forming the upper layer part containing the lithium metal oxide on this interface part by a vapor-deposition method.例文帳に追加

また、本発明のリチウム電池用電極の製造方法は、集電体上にスパッタリング法によりリチウム金属酸化物を含む界面部を形成する界面部形成工程と、この界面部上に蒸着法によりリチウム金属酸化物を含む上層部を形成する上層部形成工程とを備える。 - 特許庁

The upper layer film forming composition used for forming the upper layer film on a surface of a photoresist film comprises a resin (A) soluble in an alkaline developer and having a molecular weight distribution (Mw/Mn) of 1.20-1.70 and a nonionic fluorine-free surfactant (B).例文帳に追加

フォトレジスト膜の表面上に上層膜を形成するために用いられる上層膜形成組成物であって、アルカリ性の現像液に可溶であるとともに、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．２０〜１．７０である樹脂（イ）と、非イオン性であり、かつ、フッ素を含有しない界面活性剤（ロ）と、を含有する上層膜形成組成物。 - 特許庁

To put it concretely, the display 5 is constituted of a transparent insulation base plate 11 on which an EL layer 12 is formed on an upper surface side, and a printed board 17 which is opposed to the plate 11 and seals the layer 12, and a CCD sensor 23 for photoelectric conversion is arranged on the upper surface side of the plate 17.例文帳に追加

より具体的には、ＥＬディスプレイ５を、ＥＬ層１２がその上面側に形成された透明な絶縁基板１１と、絶縁基板１１と対向しＥＬ層１２を封止するためのプリント基板１７で構成し、光電変換用のＣＣＤセンサー２３をプリント基板１７の上面側に配置する。 - 特許庁

The liquid crystal device comprises a liquid crystal layer 11 sandwiched between upper and lower substrates 10, 20 placed opposite to each other and is characterized by having heat dissipation layers 15, 25 in contact with alignment layers 17, 24 or the liquid crystal layer 11 formed on at least one inside surface side of the upper or lower substrates 10, 20.例文帳に追加

本発明に係る液層装置は、互いに対向して配置された上下基板１０，２０間に液晶層１１を挟持し、前記上下基板１０，２０の少なくとも一方の内面側に、配向膜１７，２４又は液晶層１１に接する放熱層１５，２５が形成されていることを特徴としている。 - 特許庁

The solar cell comprises a texture layer 3 having a texture structure on the upper surface thereof, a lower electrode 4, a photoelectric conversion layer 5 and an upper electrode 6 formed sequentially on a substrate 2 of flexible film wherein the texture structure has protrusions and recesses arranged regularly.例文帳に追加

フレキシブル性をもつフィルムからなる基板２上に、上面にテクスチャ構造をもつテクスチャ層３、下部電極４、光電変換層５および上部電極６をこの順で有する太陽電池であって、前記テクスチャ構造は、それぞれ規則的に配列した凹部および凸部を有する凹凸からなる太陽電池。 - 特許庁

Moreover, on the lower layer side of the insulating film, electrodes 27 for inspecting common electrodes electrically connected with all the common electrodes 9 are formed, and on the upper layer side of the insulating film, electrodes 25 for inspecting segment electrodes electrically connected with all the segment electrodes 7 on the upper substrate base material 22 side are formed.例文帳に追加

また、絶縁膜の下層側に全てのコモン電極９と電気的に接続されたコモン電極検査用電極２７が形成され、絶縁膜の上層側に上基板母材２２側の全てのセグメント電極７と電気的に接続されたセグメント電極検査用電極２５が形成されている。 - 特許庁

The upper surface 10 side of the substrate 1 is polished at the same time when etching it by a mechanical polishing method, so that the part of the sheet metal layer 4 and the metal plating layer 5 which is formed on the upper surface 10 of the substrate 1 is polished and removed, resulting in forming through-hole electrodes 3 and 3 in the through-holes 2 and 2 of the substrate 1.例文帳に追加

その後、基板１の上面１０側を化学的機械的ポリッシング法によってエッチングと同時に研磨を行い、シートメタル層４及び金属めっき層５のうち基板１の上面１０に形成された部分を研磨除去し、スルーホール電極３，３を基板１のスルーホール２，２に形成する。 - 特許庁

A piezoelectric thin film resonator 11 includes: an acoustic multilayer film 13 on an upper surface of a substrate 12, in which a high acoustic impedance layer and a low acoustic impedance layer are alternately stacked; and a lower electrode 14, a piezoelectric thin film 15; and an upper electrode 16 which are stacked on the film 13, and further includes a compression stress film 17 on a lower surface of the substrate.例文帳に追加

圧電薄膜共振子１１は、基板１２の上面に高音響インピーダンス層と低音響インピーダンス層とを交互に積層した音響多層膜１３と、その上に積層した下部電極１４、圧電薄膜１５及び上部電極１６とを備え、更に基板の下面に圧縮応力膜１７とを備える。 - 特許庁

The polymer optical waveguide 10 is structured such that a core layer 12 arranged on a lower clad layer 11 composed of a polymer has no clad part fixed to the side face or the side face and the upper face of a core and that the side face or the side face and the upper face of the core having no clad part is covered with a silicone resin 14.例文帳に追加

高分子光導波路１０は、高分子からなる下部クラッド層１１上に配置されたコア層１２が、コアの側面、あるいは側面及び上面に固着したクラッド部を持たないで、クラッド部を持たないコアの側面、あるいは側面及び上面が、シリコーン樹脂１４により被覆されている。 - 特許庁

This is the organic electroluminescent display device which includes the lower part electrode formed on a substrate, the organic electroluminescent layer formed on the lower part electrode, and the upper electrode formed on the organic electroluminescent layer, and which has a dispersing member on the upper electrode.例文帳に追加

基板上に形成された下部電極と、下部電極上に形成された有機エレクトロルミネッセンス層と、有機エレクトロルミネッセンス層上に形成された上部電極とを含む有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、上部電極上に散乱部材を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 - 特許庁

The upper-layer film forming composition is used to form the upper-layer film on a surface of a photoresist film, and contains (A) a polymer having a repeating structure unit expressed by formula (1), (B) a polymer other than (A) and having a sulfonic acid group, and (C) a solvent.例文帳に追加

フォトレジスト膜の表面上に上層膜を形成するために用いられる上層膜形成組成物であって、（Ａ）下記式（１）で示される繰り返し構造単位を有する重合体、（Ｂ）上記（Ａ）以外の重合体であって、スルホン酸基を有する重合体および（Ｃ）溶剤を含有する上層膜形成組成物。 - 特許庁

A semiconductor constitution body 2 called a CSP is provided on the top surface of a base plate 1, and a wiring plate 13 is provided in its circumference; and 1st and 2nd upper-layer wires 28 and 32 are provided on their top surfaces, and a semiconductor ball 35 is provided on a connection pad part of the 2nd upper-layer wire 32.例文帳に追加

ベース板１の上面にはＣＳＰと呼ばれる半導体構成体２が設けられ、その周囲には配線板１３が設けられ、それらの上面には第１、第２の上層配線２８、３２が設けられ、第２の上層配線３２の接続パッド部上には半田ボール３５が設けられている。 - 特許庁

An upper electrode unit 60 provided in a vacuum chamber 51 of a plasma etching equipment 50 includes an electrode plate 61 with a disc shape, formed by laminating a silicon layer and a graphite layer, and an electrode support member 62 made of aluminum, supporting the electrode plate 61, and a chilling unit 80 is provided above the upper electrode unit 60.例文帳に追加

プラズマエッチング装置５０の真空チャンバ５１に設けられた上部電極ユニット６０は、シリコン層とグラファイト層とを貼り合わせた円盤状の電極板６１と、電極板６１を支持するアルミニウム製の電極支持部材６２とからなり、この上部電極ユニット６０の上部にはチーリングユニット８０が設けられている。 - 特許庁

A weld part 13 formed by melting the side of the upper face 12c of the second ring 12 and sticking it to the lower side of the first ring 11 is formed between the first ring 11 positioned in an upper layer and the second ring 12 positioned in a lower layer, and the first ring 11 and the second ring 12 are integrated by the weld part 13.例文帳に追加

上層に位置する第１リング１１と下層に位置する第２リング１２との間に、第２リング１２の上面１２ｃ側が溶解して第１リング１１の下面側に接合した溶着部１３が形成され、この溶着部１３によって第１リング１１と第２リング１２とが一体化されている。 - 特許庁

The drain side selection gate wire SGD includes a drain side lower selection gate wire SGDd layer arranged by providing the gaps of a predetermined pitch, and a drain side upper selection gate wire SGDu arranged on the gaps of the drain side lower selection gate wire SGDd, being an upper layer than the drain side lower selection gate wire SGDd.例文帳に追加

ドレイン側選択ゲート線ＳＧＤは、所定ピッチの間隙を設けて配置されたドレイン側下部選択ゲート線ＳＧＤｄ層と、ドレイン側下部選択ゲート線ＳＧＤｄより上層であり且つドレイン側下部選択ゲート線ＳＧＤｄの間隙上に配置されたドレイン側上部選択ゲート線ＳＧＤｕとを備える。 - 特許庁

The electron emitting source has a lamination structure in which a lower electrode 1002, an electron emitting layer 1003, an insulating membrane 1004, and an upper electrode 1005 are laminated sequentially, and the insulating membrane 1004 and the upper electrode 1005 have numerous hole parts 1006, and the electron emitting layer 1003 is a thin film made of a carbonaceous material.例文帳に追加

下部電極１００２、電子放出層１００３、絶縁膜１００４、上部電極１００５とが順次積層した積層構造を有し、絶縁膜１００４、上部電極１００５は、多数の孔部１００６を有し、電子放出層１００３はカーボン系材料からなる薄膜であることを特徴とする。 - 特許庁

An adhesive layer 6 is formed by heat-sensitive adhesive on the inner surface of upper and lower shells 1 and 2, then after a liner 5 is placed on the adhesive layer 6, heat and pressure are applied based on a specified recessed and projected pattern by a heating and pressurizing means, and the liner 5 is fixed to the inner surface of the upper and lower shells 1 and 2.例文帳に追加

上シェル１及び下シェル２の内面に予め感熱接着剤による接着層６を塗設し、次に、ライナー５を接着層６上に載置した後、加熱加圧手段により所定の凹凸形状のパターンで加熱加圧し、ライナー５を上シェル１及び下シェル２の内面に固着する。 - 特許庁

The PE flake precipitates to the lower layer part of the specific gravity liquid is received by a pipe conveyor 4E and conveyed from the bottom part of the specific gravity liquid tank 4C, and the PP flake surfacing to the upper layer part of the specific gravity liquid is scraped out by a conveyer 4F with a rake and conveyed from the upper part of the specific gravity liquid tank 4C.例文帳に追加

そして、比重液の下層部に沈降したＰＥフレークは、パイプコンベア４Ｅにより受け取られて比重液槽４Ｃの底部から搬出され、比重液の上層部に浮上したＰＰフレークは、レーキ付きコンベア４Ｆにより掻き出されて比重液槽４Ｃの上部から搬出される。 - 特許庁