「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(154ページ目) - Weblio英語例文検索

The magnetic resistance sensor comprises a lower electrode layer, an insulator matrix provided on the lower electrode layer, a nano-tube structural film consisting of a plurality of nano-tubes arranged so as to be dispersed in the insulator matrix, a magnetic resistance film provided on the nano-tube structural film, and an upper electrode layer provided on the magnetic resistance film.例文帳に追加

磁気抵抗センサであって、下部電極層と、下部電極層上に設けられた、絶縁体マトリックスと、該絶縁体マトリックス中に分散配置された複数のナノチューブからなるナノチューブ構造膜と、ナノチューブ構造膜上に設けられた磁気抵抗膜と、磁気抵抗膜上に設けられた上部電極層とを含んでいる。 - 特許庁

An active layer 15 has a structure of a different gain wavelength along the waveguide direction of light, and at least one electrode layer 19 on a upper or lower surface is constituted of two or more electrodes 19a, 19b and 19c separated from each other in the waveguide direction so that the spectrum distribution of light emitted from the active layer 15 is made variable.例文帳に追加

活性層15が光の導波方向に沿って利得波長の異なる構造を備え、上面または下面の少なくともいずれか一方の電極層19を、活性層15が生ずる光のスペクトル分布を可変とするように、導波方向に互いに分離された２以上の電極19ａ、19ｂおよび19ｃから構成する。 - 特許庁

To provide a chip resistor that is equipped with an upper electrode layer which is never corroded even if a gap is formed between a protective layer and a plating layer, and reduced in manufacturing cost, by decreasing material conducive to a corrosion preventing effect in amount as much as possible, keeping a corrosion preventive effect high.例文帳に追加

保護層とメッキ層間に隙間が形成されても、上面電極層が腐食しないチップ抵抗器を提供すると共に、上記の腐食防止効果を維持しつつ、この腐食防止効果を呈する物質の使用量を極力減らすことにより製造コストを低減させることが可能なチップ抵抗器を提供する。 - 特許庁

An upper metallic coating layer 42 is formed on the lower metallic coating layer 41 by applying a second metallic coating material 42B containing 10 to 20 wt.%, based on the entire solids content, scaly luminescent material 5 onto the coating layer 41 in such a manner that the coating weight of the solids content is 5 to 9 g/m^2 and drying the applied second coating.例文帳に追加

次いで、下側メタリック塗料層４１の上に、塗料固形分中に１０〜２０ｗｔ％の鱗片状の光輝材５を含有してなる第２メタリック塗料４０Ｂを、塗料固形分の塗装量が５〜９ｇ／ｍ^2になるよう塗装し乾燥させて、上側メタリック塗料層４２を形成する。 - 特許庁

The lithographic printing plate precursor is obtained by disposing on a support a recording layer including a lower layer containing resin having a phenol skeleton and a urea bond in a backbone structure and an upper layer containing a water-insoluble but alkali-soluble resin and an infrared absorbent and having solubility in an alkaline aqueous solution increased by exposure.例文帳に追加

支持体上に、主鎖構造中にフェノール骨格と尿素結合とを有する樹脂を含有する下層と、水不溶性且つアルカリ可溶性樹脂及び赤外線吸収剤を含有し、露光によりアルカリ性水溶液に対する溶解性が増大する上層と、を含む記録層を設けてなることを特徴とする。 - 特許庁

The light emitting element 12 has a structure of a lower clad layer 18, an active layer 20 acting as a waveguide and an upper clad layer 22 laminated on a substrate 16 and has an emitting plane 12a, formed by cleaving and a reflective plane 12b formed parallel to the emitting plane 12a by cleaving.例文帳に追加

発光素子１２は、基板１６上に、下側クラッド層１８、導波路として作用する活性層２０、上側クラッド層２２が順次積層された構造となっており、劈開によって形成された出射面１２ａと、同じく劈開によって形成され、出射面１２ａと平行な反射面１２ｂとを有している。 - 特許庁

A plurality of signal wirings 3 are provided in a plurality of grooves 30 of a substrate 1, respectively, and a sensor portion 103 having a semiconductor layer 6 for generating charges according to the irradiation of an electromagnetic wave and a collecting electrode 11 for collecting the charges generated in the semiconductor layer 6, is provided on an upper layer of the substrate 1.例文帳に追加

複数の信号配線３を基板１の複数の溝３０内にそれぞれ設けており、電磁波の照射に応じて電荷を発生する半導体層６及び当該半導体層６に発生した電荷を収集する収集電極１１を有するセンサ部１０３を基板１の上層に設けた。 - 特許庁

To prevent migration of copper in a copper wiring from an interface between a barrier metal layer and a nitride layer to an interlayer insulating film and thus to prevent the occurrence of a leak current and a short circuit between neighboring wirings, by simply covering the upper surface of the copper wiring formed in a wiring trench via a barrier metal layer with a nitride film.例文帳に追加

配線溝の内部にバリアメタル層を介して形成した銅配線の上面に窒化膜を単に被覆した構成では、バリアメタル層と窒化膜との界面より層間絶縁膜方向に移動しようとする銅配線中の銅の移動を阻止し、リーク電流を発生および隣接する銅配線との短絡を防止する。 - 特許庁

It comprises a multi-layer board composed of a plurality of laminated layers, packaging components mounted on the upper layer surface of the board, and at least one built-in component wired to the packaging component through vias composed of a pattern formed on at least one layer of the laminated layers in a solid region of the board.例文帳に追加

複数層を積層してなる多層基板と、多層基板の最上位層表面に搭載した実装部品と、多層基板の内部の立体領域内にて、複数層の少なくとも一層に形成したパターンからなり、実装部品とビアホールを介して配線された少なくともひとつの内蔵部品とを備える。 - 特許庁

An insulating layer 20 is formed on the insulating substrate 10 so as to surround all periphery of the center contact pattern 50, the periphery contact pattern 70 is formed on the insulating layer 20 including the upper part of the first extraction pattern 60, and the thickness of the first extraction pattern 60 is formed thinner than the thickness of the insulating layer 20.例文帳に追加

絶縁基板１０上に中央接点パターン５０の全周を囲むように絶縁層２０を形成し、且つ外周接点パターン７０は、第一引出パターン６０の上部をも含む絶縁層２０上に形成され、さらに第一引出パターン６０の厚みは絶縁層２０の厚みよりも薄く形成されている。 - 特許庁

On a transparent insulating substrate 1, a titanium film as a lower layer 2a, an aluminum film as a middle layer 2b and a nitrogen containing titanium film as an upper layer 2c are laminated by a sputtering process by 30 nm, 100 nm, 50 nm respectively in this order and a gate electrode and gate signal line 2 are formed by a photolithography-dry etching technique.例文帳に追加

透明絶縁性基板１上にスバッタ法を用いて下層２ａにチタニウム膜、中間層２ｂにアルミニウム膜、上層２ｃに窒素を含有したチタニウム膜を順にそれぞれ３０ｎｍ、１００ｍｍ、５０ｎｍ積層し、フォトリソ・ドライエッチ技術を用いて、ゲート電極及びゲート信号線２を形成した。 - 特許庁

This movable contact for the panel switch is manufactured by sticking together a separator 13 to a base sheet 11 in which the central upper surface of the movable contact 3 is held with an adhesive layer on the lower surface, so that a part corresponding to the movable contact 3 is positioned in a slight adhesion layer region 14 and other parts are positioned in a releasing layer region 15.例文帳に追加

可動接点３の中央部上面を下面の粘着層１２で粘着保持したベースシート１１に対して、可動接点３に対応する部分が微粘着層領域１４で、その他の部分が離型層領域１５に構成されたセパレータ１３を貼り合わせてパネルスイッチ用可動接点体とする。 - 特許庁

To provide a power distribution monitoring control device and a monitoring control system for an electric power distribution system, which enable multihop communication by making an upper layer of a layer structure conform to the ZigBee (R), making a lower layer conform to the Ethernet (R), and properly managing a transmitting/receiving destination.例文帳に追加

レイヤ構造の上位層をＺｉｇＢｅｅ（登録商標）に準拠させ、下位層をイーサネット（登録商標）に準拠させるとともに、信号の送受信先を適切に管理することでマルチホップな通信が可能となる配電系監視制御装置及び電力配電システム用監視制御システムを提供する。 - 特許庁

An optical waveguide device comprises a lower clad layer deposited on a substrate, an optical waveguide core formed on the lower clad layer, bank portions provided along the optical waveguide core and aligned as a pair with at least one bank portion on each of two sides of the optical waveguide core, and an upper clad layer that covers the optical waveguide core and the bank portions.例文帳に追加

基板上に成膜された下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に形成された光導波路コアと、前記光導波路コアに沿って前記光導波路コアの両側に少なくとも１列ずつ対を成して並んだ堤部と、前記光導波路コアおよび前記堤部を覆う上部クラッド層と、を有している。 - 特許庁

The phase change memory element includes a lower electrode 12 formed on a substrate 10; a composite layer 20, containing a dielectric material 16 and a low heat-conducting material 18, which is formed on an insulating layer 14; a phase change material 24 filled in a through-hole formed in the composite layer 20; and an upper electrode 26.例文帳に追加

相変化メモリ素子は、基板１０上に形成された下電極１２と、絶縁層１４上に形成され、誘電材料１６と低熱伝導材料１８からなる複合層２０と、複合層２０に形成された貫通孔に充填される相変化物質２４と、上電極２６からなる。 - 特許庁

A Schottky barrier diode 1 is provided with an n-type substrate 3 and an n^+ epitaxial layer 5; an anode electrode 9 formed on the upper surface 5a of the n^+ epitaxial layer 5; a cathode electrode 7 formed on the lower surface 3b of the n-type substrate 3; and a p-type impurity region 13 formed in the n^+ epitaxial layer 5.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１は、ｎ型基板３およびｎ^+エピタキシャル層５と、ｎ^+エピタキシャル層５の上面５ａに形成されたアノード電極９と、ｎ型基板３の下面３ｂに形成されたカソード電極７と、ｎ^+エピタキシャル層５中に形成されたｐ型不純物領域１３とを備えている。 - 特許庁

The light-emitting device 1 includes: a substrate 3; the light-emitting part 5, which is formed by laminating a plurality of semiconductor layers on the substrate 3, wherein a contact layer 15 comprising a Ga-containing phosphide semiconductor is provided on an uppermost layer of the light-emitting part; and the electrode 7, which is connected to the upper surface of the contact layer 15.例文帳に追加

本発明に係る発光装置１は、基板３と、基板３の上に複数の半導体層を積層して形成されており、Ｇａを含む燐化物半導体からなるコンタクト層１５が最上層に設けられている発光部５と、コンタクト層１５の上面に接続されている電極７と、を備えている。 - 特許庁

A power trench MOS gate device is provided with a heavily- doped semiconductor substrate 201, a deep trench gate 213 separated by an insulating layer 212 in an upper layer composed of an N-epitaxial layer 202, doped to a first conductivity-type and well layers 215 doped to a second conductivity-type, and a strongly conductive drain region 211 below the trench gate 213.例文帳に追加

重くドープした半導体基体２０１と、この基体上に第１導電型にドープしたＮ−エピタキシャル層２０２と第２導電型にドープしたウエル層２１５からなる上側層内に、絶縁層２１２で分離された深いトレンチゲート２１３とを設け、トレンチゲート２１３の下に強導電性ドレイン領域２１１を設ける。 - 特許庁

An anisotropic conductive adhesive layer 5 mixed with conductive grains into a thermosetting adhesive is provided at the terminal upper section of a conductive circuit pattern 3 wired on a flexible film 2, and an insulating adhesive layer 7 having the fluidity higher than that of the anisotropic conductive adhesive layer at the heat seal temperature is provided on it.例文帳に追加

レキシブルフィルム２に配線された導電回路パターン３の端子部上部に熱硬化性接着剤に導電粒子４をまぜた異方導電性接着剤層５を設け、さらにその上部に異方導電性接着剤層よりもヒートシール温度において流動性のよい絶縁性接着剤層７を設けた。 - 特許庁

A plug electrode extending from a semiconductor substrate to the upper surface of an interlayer insulation film is divided into a first plug electrode 5 and a second plug electrode 13 which are then connected by an LI layer 7a, and an LI layer 7b is laid under an alignment mark 15 and used as an etching stopper layer.例文帳に追加

半導体基板から層間絶縁膜の上面に至るプラグ電極を第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とに分け、第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とをＬＩ層７ａで繋ぐと共に、ＬＩ層７ｂを合わせマーク１５の下に敷いてエッチングストッパ層として使用する。 - 特許庁

With respect to an arbitrary projection surface, the first region of the projection where the projected lower spin state variable layer 102 is projected on the normal line direction of the flat surface of the spin state fixed layer 104, does not coincide with the second region of the projection where the upper spin state variable layer 106 is projected to the above surface of projection.例文帳に追加

任意の投影面に対し、下部スピン状態可変層１０２をスピン状態固定層１０４の平面の法線方向に投影した射影である第１領域と、同様に上記投影面に対して上部スピン状態可変層１０６を投影した射影である第２領域とが一致していない。 - 特許庁

After forming an electron transport layer 16D composed of a nitrogen-containing heterocyclic compound having electron mobility of 1.0×10^-6 to 1.0×10^-1 cm^2/Vs on the entire surface of the blue light-emitting layer 16CB, an electron injection layer 16E and an upper electrode 17 are formed thus obtaining an organic EL display device.例文帳に追加

青色発光層１６ＣＢの全面に電子移動度が１．０×１０^-6ｃｍ^2／Ｖｓ以上１．０×１０^-1ｃｍ^2／Ｖｓ以下の含窒素複素環式化合物からなる電子輸送層１６Ｄを形成したのち電子注入層１６Ｅおよび上部電極１７を形成し有機ＥＬ表示装置を得る。 - 特許庁

In a semiconductor device 1, an underlaying insulating film 250, an interlayer insulating film 220, and an upper layer insulating film 260 are almost constant in the film thickness, and in a first wiring layer 210, a film thickness d11 at an intersection part 280 with a second wiring layer 230 is thinner than a film thickness d12 of its peripheral part.例文帳に追加

半導体装置１において、下地絶縁膜２５０、層間絶縁膜２２０、および上層絶縁膜２６０は、その膜厚が略一定であるが、第１の配線層２１０は、第２の配線層２３０との交差部分２８０での膜厚ｄ１１がその周辺部分の膜厚ｄ１２よりも薄い。 - 特許庁

Furthermore, smoothness on the surface of the lower layer via hole 46 is high because cover plating 58 is performed after a filling agent 54 in the via hole 46 is flattened by polishing and thereby high connection reliability is ensured between the lower layer via hole 46 and an upper layer via hole 66.例文帳に追加

また、バイアホール４６に充填された充填剤５４を研磨により平坦にしてから蓋めっき５８を配設し、この上に上層バイアホール６６が形成されているため、下層バイアホール４６表面の平滑性が高く、当該下層バイアホール４６と上層バイアホール６６との接続信頼性に優れる。 - 特許庁

The underlay conductive member 28 which has a thermal expansion coefficient smaller than that of the metal wiring 23 is interposed between the metal wiring 23 and solder layer 14, so that thermal stress due to the difference in thermal expansion coefficient between the upper and lower members which is applied to the solder layer 14 is reduced to suppress cracking of the solder layer 14.例文帳に追加

金属配線２３と半田層１４との間に、金属配線２３よりも熱膨張係数の小さい下敷き導電部材２８が介在しているので、半田層１４に印加される上下部材間の熱膨張係数差に起因する熱応力が緩和され、半田層１４のクラックの発生が抑制される。 - 特許庁

Next, the sintered sheet is cut in a prescribed direction to make a strip thermistor element assembly 13, and the first and second glass pastes are printed sequentially on the cut surfaces of both sides of the thermistor element assembly and dried and then burned to form a glass layer having a lower glass layer and an upper glass layer.例文帳に追加

次に上記焼結シートを所定の方向に切断して短冊状サーミスタ素体１３を作り、このサーミスタ素体の両側の切断面に上記と同一の第１及び第２ガラスペーストを順次印刷して乾燥した後に焼成して下ガラス層及び上ガラス層を有するガラス層を形成する。 - 特許庁

The etching stop layer 15 has a quantum well structure in which a first thin film 15A of p-GaInP and a second thin film 15B of p-AlGaInP are cyclically laminated, with the composition ratio of aluminum in the second thin film 15B being smaller than the intermediate cladding layer 14 and upper side cladding layer 16.例文帳に追加

エッチングストップ層１５は、ｐ−ＧａＩｎＰからなる第１の薄膜１５Ａとｐ−ＡｌＧａＩｎＰからなる第２の薄膜１５Ｂとが周期的に積層された量子井戸構造を有しており、第２の薄膜１５Ｂのアルミニウムの組成比は中間クラッド層１４及び上側クラッド層１６と比べて小さい。 - 特許庁

The cathode catalyst layer contains a cathode catalyst and a polymer electrolyte, and an amount of the polymer electrolyte contained in a part opposed to an upper-stream part of the fuel passage of the cathode catalyst layer is less than that of the polymer electrolyte contained in the part opposed to a down-stream part of the fuel passage of the cathode catalyst layer.例文帳に追加

カソード触媒層は、カソード触媒と高分子電解質を含んでおり、カソード触媒層の燃料流路の上流部に対向する部分に含まれる記高分子電解質の量が、カソード触媒層の燃料流路の下流部に対向する部分に含まれる高分子電解質の量よりも少ない。 - 特許庁

To make it easy to form a layered structure of an organic electronic material layer by a wet process, without causing dissolution of a lower layer by a solvent of liquid for forming an upper layer, whether an organic electronic material is made of a low molecular system organic substance or a polymer system organic substance.例文帳に追加

有機電子材料が低分子系有機物及び高分子系有機物のいずれであっても、上層を形成するための液の溶媒による下層の溶解を引き起こすことなく湿式法により有機電子材料層の積層構造を形成することが容易な電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of improving a recovery ratio of a target layer by cutting a cylindrical member along the lower end of the target recovery layer with a cutting means in addition to an opening in the upper part of a container and carrying out face discharge of an unnecessary layer without using a conventional one point suction method.例文帳に追加

容器の上部の開口部に加え下部は目的回収層回収時に目的回収層の下端に沿って前記筒型部材を前記切断手段にて切断することで、従来の一点吸引ではなく、面排出に近づけ、目的層回収率の向上ができる方法を提供すること。 - 特許庁

To solve the problem that an embedded layer is hardly etched and a polymer residual is generated around the embedded layer remaining in a trench, when performing the trench etching of an interlayer insulation film having a low relative dielectric constant in which an organic-based embedded layer is formed on an upper surface including the inside of a via hole collectively using a prescribed etching gas when forming a dual damascene structure.例文帳に追加

デュアルダマシン構造形成の際に、ビアホール内部を含む上面に有機系の埋込層を設けた比誘電率の低い層間絶縁膜を、所定のエッチングガスを用いて一括してトレンチエッチングすると、埋込層が殆どエッチングされず、トレンチ内に残った埋込層の周囲にポリマーの残渣が生じる。 - 特許庁

To provide a method for producing a wiring board advantageous for mass production because an insulation layer having a flat upper surface can be formed on a wiring layer and the gap for forming the insulation layer can be controlled easily, a composite sheet for producing the wiring board, and a wiring board being produced by that method.例文帳に追加

配線層上に平坦な上面を有する絶縁層を形成することができ、しかも絶縁層を形成するためのギャップの制御が容易なため量産化に有利な配線基板の製造方法、それに用いる配線基板製造用複合シート、並びに、その製法で得られうる配線基板を提供する。 - 特許庁

This mat comprises an upper layer 10 obtained by mixing ceramic powder having far-infrared ray emitting effect to a synthetic rubber comprising ethylene-propylene-diene monomer, an intermediate layer 20 composed of a foamed ethylene-vinyl acetate resin and a lower layer 30 obtained by mixing an antibacterial agent comprising a modified ceramics powder and a synthetic rubber comprising ethylene-propylene-diene monomer.例文帳に追加

エチレンプロピレンジエンモノマからなる合成ゴムに遠赤外線放射効果を有するセラミックス粉末が混合された上層１０と、発泡エチレン酢酸ビニル樹脂により形成される中層２０と、エチレンプロピレンジエンモノマからなる合成ゴムと変性セラミックス粉末からなる抗菌剤が混合された下層３０とを有する。 - 特許庁

Excavation mucks are layeredly tightened fixedly to form a tightly fastened layer 9, when executing the muck bank 1, using, as a banking material, the excavation mucks containing a pyrite generating acidic water by hydration, and a neutralization layer 10 for neutralizing the acidic water is formed on an upper face of the tightly fastened layer 9.例文帳に追加

含水によって酸性水を発生する黄鉄鉱を含んだ掘削ずりを盛土材料とするずり盛土１を施工するに際し、掘削ずりを層状に締め固めて締固め層９を形成することと、酸性水を中和する中和層１０を締固め層９の上面に形成することを行う。 - 特許庁

The barrier metal electrode, inserted between the solder ball 20 and the wiring pad 12, has the barrier metal layer 16 of a two-layer structure, which is constituted of a lower Ni-V layer having tensile stress and a granular crystal organization and an upper Ni-V film, having compression stress and columnar crystal organization.例文帳に追加

半田ボール２０と配線パッド１２との間に挿入されるバリアメタル電極は、引張応力を有し且つ粒状結晶組織を有する下層のＮｉ−Ｖ層と、圧縮応力を有し且つ柱状結晶組織を有する上層のＮｉ−Ｖ膜とから成る２層構造のバリアメタル層１６を有する。 - 特許庁

When the electric conductive pattern is printed on the insulating layer in the half hardened state, the affinity becomes still better, and when the half hardened insulating layer and the electric conductive pattern printed on its upper portion are simultaneously heat treated, since the electric conductive pattern is baked in a process in which the half hardened insulating layer is full hardened, the adhesion is improved.例文帳に追加

半硬化状態の絶縁層に導電パターンが印刷されると親熟性がさらに良くなり、また、半硬化絶縁層とその上部に印刷された導電パターンを同時に熱処理すると、半硬化絶縁層が完全硬化される過程で導電パターンは焼成されるため密着性が改善される。 - 特許庁

The elastic body unit 10 includes: a support layer 3; the plurality of columnar elastic bodies 4 arranged in the support layer 3 so as to project from the upper surface of the support layer 3; and fall preventing parts 5 arranged between at least the partial and adjacent columnar elastic bodies 4 among the columnar elastic bodies 4.例文帳に追加

弾性体ユニット１０は、支持層３と、支持層３の上面よりも突出するように支持層３に設けられ複数の柱状弾性体４と、複数の柱状弾性体４のうち隣設する少なくとも一部の柱状弾性体４間に設けられた倒れ込み防止部５とを備えている。 - 特許庁

A main magnetic pole layer 12 is constituted so as to form the laminated structure with a lower main pole layer 12A having 1st saturated magnetic flux density J1 while being positioned at the medium inflow side and an upper main pole layer 12B having 2nd saturated magnetic flux density J2 larger than the 1st saturated flux density J1 while being positioned at the medium outflow side.例文帳に追加

媒体流入側に位置して第１の飽和磁束密度Ｊ１を有する下部主磁極層１２Ａと、媒体流出側に位置して第１の飽和磁束密度Ｊ１よりも大きい第２の飽和磁束密度Ｊ２を有する上部主磁極層１２Ｂとの積層構造をなすように主磁極層１２を構成する。 - 特許庁

A reinforcing fiber base material layer 2 is formed on a mold 1 and a resin diffusing net 3 for accelerating the diffusion of an injection resin is laid on the upper surface of the reinforcing fiber base material layer 2 to cover the mold with the reinforcing fiber base material layer 2 and the resin diffusing net 3 using a bag film 5 to form a molding part.例文帳に追加

成形型１上に強化繊維基材層２を形成し、注入樹脂の拡散を促進する樹脂拡散ネット３を強化繊維基材層２の上層に敷設して、これらの強化繊維基材層２および樹脂拡散ネット３をバッグフィルム５によって成形型上に気密に被覆して成形部を形成する。 - 特許庁

A reinforcing fiber base material layer 2 is formed on a mold 1 and a resin diffusing net 4 for accelerating the diffusion of an injection resin is laid on the upper surface of the reinforcing fiber base material layer 2 to cover the mold with the reinforcing fiber base material layer 2 and the resin diffusing net 4 using a bag film 6 to form a molding part.例文帳に追加

成形型１上に強化繊維基材層２を形成し、注入樹脂の拡散を促進する樹脂拡散ネット４を強化繊維基材層２の上層に敷設して、これらの強化繊維基材層２および樹脂拡散ネット４をバッグフィルム６によって成形型上に気密に被覆して成形部を形成する。 - 特許庁

A lower electrode S1b formed of a first polysilicon layer is formed on an element isolation insulating film 2b, a dielectric film 6 is formed on the lower electrode S1b, an upper electrode S2b formed of a second polysilicon layer, whose sheet resistance is higher than that of the first polysilicon layer, is formed on the dielectric film 6 and a capacitance Y1 is formed.例文帳に追加

素子分離用絶縁膜２ｂの上に第１のポリシリコン層からなる下部電極Ｓ１ｂが形成され、下部電極Ｓ１ｂの上に誘電膜６が形成され、誘電膜６の上に第１のポリシリコン層よりシート抵抗の高い第２のポリシリコン層からなる上部電極Ｓ２ｂが形成され、容量Ｙ１が形成される。 - 特許庁

The method comprises a process for coating an uneven wafer surface with a photoresist layer, to cover the undesirable characteristics in the structure of the wafer for coating to a uniform height and for obtaining the substantially flat upper surface of the photoresist layer; and a process for etching the photoresist 40, having substantially the same rate and an insulating layer 30.例文帳に追加

第１に、凸凹なウェーハ表面上にフォトレジスト層を塗布してウェーハの望ましくない構造的特徴を覆って均一な高さにコーティングし、実質的に平坦なフォトレジスト層の上部表面を得る工程と、第２に、実質的に同率にフォトレジスト４０および絶縁層３０をエッチングする工程と、から成る。 - 特許庁

To provide a reference section forming device which can exactly parallelize the position within the plane of a lower layer and the position within the plane of an upper layer formed thereon even when the reference section formed on the lower layer cannot be visually recognized or can be hardly visually recognized in successively laminating a plurality of the layers.例文帳に追加

複数の層を順に積層していく際に、下の層に形成された基準部を、視認できなかったり視認し難かったりするような場合であっても、下の層の平面内の位置と、その上に形成された上の層の平面内の位置とを、的確に対応させることができる基準部形成装置を提供する。 - 特許庁

The ultrasonic wave vibrator with a curved face is characterized in that two grooves or more placed side by side in a width direction are formed to a lower surface of an acoustic matching layer and adhesive adhering the upper electrode and the acoustic matching layer is filled in the grooves of the acoustic matching layer.例文帳に追加

音響整合層の下側表面に、幅方向に沿って並列する二個以上の溝部が形成されていて、該上側電極と該音響整合層とを貼り付けている接着剤が、該音響整合層の溝部にも充填されていることを特徴とする湾曲面を有する超音波振動子。 - 特許庁

The wiring 512 has such a structure where the upper layer 511 extends in parallel with the surface of the board 500 from the lower layer 510 by 100 nm or above, by which a short circuit can be prevented between the wirings even if a hillock 513 is produced on the lower layer 510 in a lateral direction, and thus a wiring board 514 free from a short circuit can be obtained.例文帳に追加

配線が、上層５１１が下層５１０よりも基板表面と平行な方向に１００ｎｍ以上張り出ている構造を有することにより、下層５１０に横方向のヒロック５１３が生じても配線間の短絡を防止することができ、短絡不良のない配線基板５１４を得ることができる。 - 特許庁