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wall methodの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 7820



例文

The method for manufacturing a halftone phase shift mask includes steps of forming the MoSi halftone phase shift film having a film thickness giving the phase difference of135° on the quartz glass substrate by reactive sputtering and etching the quartz glass substrate using a chromium film as a mask by dry etching by magnetic neutral line discharge plasma with addition of a gas having an effect of protecting a side wall to the process gas.例文帳に追加

また、本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクの製造法は、石英ガラス基板上に、反応性スパッタリング法によりMoSi系のハーフトーン位相シフト膜を位相差が135°以下となるような膜厚に成膜し、続いてクロム膜をマスクとして、磁気中性線放電プラズマによるドライエッチングによりプロセスガスに側壁保護効果をもつガスを添加して、石英ガラス基板をエッチング処理することから成る。 - 特許庁

To provide an electric aluminum plating liquid that not only can perform good electrical plating with high current efficiency even at a temperature around 100°C because addition of a lot of aluminum halides does not remarkably raise the melting point but also is not attached on the interior wall of a plating device or the like by evaporation or sublimation, and a method for forming an aluminum plating film using the same.例文帳に追加

アルミニウムハロゲン化物を多量に添加しても融点が顕著に上昇することがないことで、100℃前後の温度でも高い電流効率で付きまわりのよい電気めっきが可能であり、さらに、蒸発や昇華によってめっき装置などの内壁に付着するといったことがない電気アルミニウムめっき液、およびそれを使用したアルミニウムめっき被膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing the through-electrode has a process for forming a porous layer 15 by making at least the porous wall surface of a fine pore 12 formed in a vertical direction with respect to the main surface of a semiconductor substrate 11 porous, an oxidation process for oxidizing the porous layer for forming the insulation layer 16, and a metal charging process for charging conductive matter 17 to the fine pore.例文帳に追加

貫通電極の製造方法が、少なくとも、半導体基板11の主面に対し垂直方向に形成された細孔12の孔壁表面を多孔質化して多孔質層15を形成する多孔質層形成工程と、前記多孔質層を酸化して絶縁層16を形成する酸化工程と、前記細孔に導電性物質17を充填する金属充填工程とを有する。 - 特許庁

A method includes the steps of: preparing a substrate; sequentially forming a lower semiconductor layer, an active layer, and an upper semiconductor layer on the substrate; forming a photoresist pattern on the upper semiconductor layer so that its side wall is inclined to an upper surface of the substrate; and sequentially etching the upper semiconductor layer, the active layer, and the lower semiconductor layer by using the photoresist pattern as an etching mask.例文帳に追加

基板を用意する段階と、前記基板上に、下部半導体層、活性層及び上部半導体層を順次形成する段階と、前記上部半導体層上に、その側壁が前記基板の上部面に対して傾斜するように、フォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして使用し、前記上部半導体層、活性層及び下部半導体層を順次にエッチングする段階とを有する。 - 特許庁

例文

The method for optically measuring particles passing through a passage includes steps of forming a referential material along at least a part of a wall surface in the passage; and at least detecting optical information from the fine particles or the referential material at a predetermined location in the passage.例文帳に追加

流路を通流する微小粒子を光学的に測定する方法であって、前記流路中の壁面の少なくとも一部に沿って参照用物質を含む層流を形成する参照用層流形成工程と、 前記流路の所定位置において、前記微小粒子及び前記参照用物質からの光学的情報を検出する光学的情報検出工程と、を少なくとも行う微小粒子の光学的測定方法を提供する。 - 特許庁


例文

To provide a method for filling the desalting chamber of an electric regeneration-type pure water making apparatus with the ion exchange resin, requiring no highly skilled technique, not damaging the performance of the ion exchange resin, not having the risk of damaging an ion exchange resin membrane constituting the wall surface of the desalting chamber, capable of uniformly filling respective chambers, and capable of improving the removal efficiency of weak electrolyte components further.例文帳に追加

電気再生式純水製造装置の脱塩室にイオン交換樹脂を充填する方法であって、高度の熟練した技術を必要とせず、イオン交換樹脂の性能を損なうことなく、脱塩室の壁面を構成するイオン交換膜を破損する恐れがなく、しかも、各部屋に均一に充填することが出来、さらに、弱電解質成分の除去効率を高めることが出来るイオン交換樹脂の充填方法を提供する。 - 特許庁

This electromagnetic shielding method is characterized in that a flexible electromagnetic shielding material 5 is laid on ceiling-wall finishing backing 1a and floor slabs to form a shielding layer immediately before the installation of equipment arranged in and after a process of an interior finishing material of an object room and then to install the equipment arranged in and after the process of the interior finishing material.例文帳に追加

そこで、本発明では、対象室の内装仕上材及び内装仕上材以降の工程で配置される設備機器が設置される直前の状態において、天井及び壁の仕上用下地1a及び床スラブに可撓性を有する電磁シールド材5を敷設してシールド層を形成し、その後、内装仕上材及び内装仕上材以降の工程で配置される設備機器を設置することを特徴とする電磁シールド工法を提案している。 - 特許庁

The manufacturing method comprises forming first trenches into a one conductivity type semiconductor substrate 1, forming side wall spacers 5 of a first insulation layer along the side walls of the first trenches, forming second trenches 6 into the bottom faces of the first trenches, and filling a second insulation film into the first and second trenches 6.例文帳に追加

本発明の請求項1に係る半導体装置の製造方法は、一導電型の半導体基板1に第一のトレンチ4を形成する工程と、第一のトレンチ4の側壁に沿って第一の絶縁膜からなるサイドウォールスペーサ5を形成する工程と、第一のトレンチ4の底面に第二のトレンチ6を形成する工程と、第一及び第二のトレンチ4,6の内部に第二の絶縁膜7を充填する工程とを含んでいることを特徴とする。 - 特許庁

In the manufacturing method of the honeycomb structure wherein the honeycomb structure consisting of a honeycomb sintered body is manufactured by preparing a cylindrical honeycomb formed body wherein many cells are arranged side by side in a longitudinal direction across a cell wall and sintering the honeycomb formed body, a process for removing the adhering product adhered to the surface of the honeycomb formed body after sintering the honeycomb formed body is included.例文帳に追加

セラミック原料を成形することで、多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設された柱状のハニカム成形体を作製した後、上記ハニカム成形体を焼成して、ハニカム焼成体からなるハニカム構造体を製造するハニカム構造体の製造方法であって、上記ハニカム成形体を焼成した後、上記ハニカム焼成体の表面に付着した付着物を除去する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

例文

The short carbon nanotube having widened surface area, the method of cutting the carbon nanotube by which the structure change or the surface improvement of the carbon nanotube is facilitated to wholly facilitate the dispersion of the carbon nanotubes and an active component is enabled to insert into the inner wall of the carbon nanotube to increase the insertion efficiency, the carbon nanotube, the field emitter, the catalyst support and the mixed material of the carbon nanotube are provided.例文帳に追加

本発明によれば、表面積の拡大した短いカーボンナノチューブ、カーボンナノチューブの構造変化または表面改質を容易にすることによって、全体的なカーボンナノチューブの分散を容易にし、カーボンナノチューブの内壁への活性成分の挿入を可能にすることによって、挿入効率を増大させうるカーボンナノチューブの切断方法、カーボンナノチューブ、フィールドエミッタ、触媒担体、およびカーボンナノチューブの混成物質が提供される。 - 特許庁

例文

In this method, a low limit position PL of the piston 18, below which the cylinder wall 26 will get wet by the fuel jet from the injector 20, is found, an actual position of the piston 18 with respect to the low limit position PL is specified, and a fuel injection parameter is regulated in compliance with the actual position of the piston 18 to the low limit position PL.例文帳に追加

本発明によれば、本方法は、下限位置PLよりも下方のシリンダの壁26がインジェクタ20からの燃料ジェットで濡れるであろうピストン18の下限位置PLを求めることと、このピストン18の実際の位置を求めることと、下限位置PLに対するピストン18のこの実際の位置を特定することと、下限位置PLに対するピストン18の実際の位置に応じて燃料噴射パラメータを調節することとからなる。 - 特許庁

The method of degassing the thermoplastic resin composition transferred in the cylinder 5 provided in the extruder includes a step of delivering the molten thermoplastic resin composition into a zone where the temperature of the inner wall surface is controlled to less than the melting point of a thermoplastic resin contained in the thermoplastic resin composition in the cylinder 5 and a step of degassing the thermoplastic resin composition delivered to the zone by reducing the pressure.例文帳に追加

押出機に備えられたシリンダー5内を移送される熱可塑性樹脂組成物の脱気を行う方法であって、シリンダー5における、内壁面の温度を熱可塑性樹脂組成物に含まれる熱可塑性樹脂の融点未満の温度とした領域に、溶融した熱可塑性樹脂組成物を送り込む工程と、減圧することによって、上記領域に送り込んだ熱可塑性樹脂組成物の脱気を上記領域で行う工程と、を含む、方法である。 - 特許庁

The method of manufacturing an optical element includes steps of: applying a first solution including a luminous material and a first solvent into a pixel area surrounded by a partition wall; removing the first solvent included in the applied first solution; applying a second solvent differed in surface tension from the first solvent within the pixel area before perfectly drying the applied first solution; and drying the applied first solution and second solvent.例文帳に追加

隔壁に囲まれた画素領域内に、発光材料および第1の溶媒を含む第1の溶液を塗布し;塗布された前記第1の溶液に含まれる第1の溶媒を除去し;塗布された前記第1の溶液が完全に乾燥する前に、前記第1の溶媒と表面張力の異なる第2の溶媒を、前記画素領域内に塗布し;塗布された前記第1の溶液および前記第2の溶媒を乾燥させるステップとを含む、光学素子の製造方法。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes a first step of forming a trench 5a on a semiconductor substrate 1 by anisotropic etching and a second step of making a corner 5 at the bottom of the trench 5 round after the first step, by isotropic etching under the condition which does not eliminate a reaction product 20 formed on the inner plane of the side wall of the trench 5 by the anisotropic etching.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、異方性エッチングを行うことにより半導体基板1上にトレンチ5を形成する第1の工程を備え、そして、この第1の工程の後、前記異方性エッチングにより前記トレンチ5の側壁の内面に形成された反応生成物20を除去しない状態で、等方性エッチングを行うことにより前記トレンチ5の底部のコーナー部5aを丸める第2の工程を備えたところに特徴を有する。 - 特許庁

A method for fabricating a semiconductor device comprises a step for forming a photoresist pattern 14 on a layer 12 to be etched, a step for forming an etching rate increasing film of the layer 12 on the side wall of the photoresist pattern 14, and a step for forming a contact window by etching the layer 12 using the photoresist pattern on which the etching rate increasing film is formed as an etching mask.例文帳に追加

食刻対象層12の上部にフォトレジストパターン14を形成する段階と、プラズマ処理を行いフォトレジストパターン14の側壁に食刻対象層12の食刻速度を増加させるための食刻速度増加膜を一定の厚さで形成する段階と、食刻速度増加膜が形成されているフォトレジストパターンを食刻マスクとして用いて食刻対象層を食刻することによりコンタクト用のウィンドウを形成する段階とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method and a device for annealing an magnetooptical recording medium in which reproduction by detection of a magnetic domain wall displacement is reliably performed and a reproduced signal with low noise is obtained.例文帳に追加

磁壁移動検出方式を用いる光磁気記録媒体において、情報トラックと情報トラックの間の案内溝部分の磁性膜を高出力レーザーでアニール処理を施した場合、情報記憶領域とアニール処理によって磁気異方性が低下した領域の境界がはっきりしておらず、磁気的分断が不十分であるという問題があり、再生が信頼性良くできて、かつ、ノイズの少ない良好な再生信号を得られる光磁気記録媒体のアニール処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing colored polymerized toner includes a process of polymerizing the monomer composition which includes at least polymerizable monomer and colorant by using hardly water-soluble inorganic colloid as dispersant, wherein a coated film of polymerization scale inhibitor which includes polyhydroxy compound having chromone skeleton is formed on at least a part with which the monomer composition is allowed to contact in the inner wall of a polymerization unit.例文帳に追加

少なくとも重合性単量体と着色剤とを含有してなる重合性単量体組成物を、難水溶性無機コロイドを分散剤として、重合する工程を含んでなる着色重合トナーの製造方法において、重合器の内壁のうち、少なくとも上記単量体組成物が接触し得る部分に、クロモン骨格を有するポリヒドロキシ化合物を含有してなる重合スケール防止剤の塗膜を形成して重合を行なうことを特徴とする着色重合トナーの製造方法。 - 特許庁

The method of producing a porous glass preform comprises moving reciprocally a plurality of glass burners 13 for synthesizing glass particulates that are lined up in the longitudinal direction of a long-sized preform, approximately the same distance as the glass burners 13 are lined up, while blowing to a side wall surface of a rotating preform 1 the glass particulates synthesized in the plurality of the glass burners 13 for synthesizing the glass particulates.例文帳に追加

長尺母材の長手方向に複数並ぶガラス微粒子合成バーナー13で合成したガラス微粒子を、回転している母材1の側壁面に吹き付けながら、長手方向に複数ガラス微粒子合成バーナーが並ぶ間隔程度の距離を往復移動する多孔質ガラス母材の製造方法において、ガラス微粒子合成バーナー13の列の両端に並べられた酸水素炎バーナー14をともに前記往復移動させつつ、酸水素炎バーナー14によりガラス微粒子が堆積しつつある長尺母材の両端部を加熱する。 - 特許庁

This dispersion method of millbase uses a dispersing machine having multiple rotors 2 disposed axially in a cylindrical vessel 1, rotatable around an axis and having multiple grooves 4 parallel with the axis at the outer circumferential part; and rollers 5 disposed in the grooves 4, and composed rotatable while abutting on the inner wall of the cylindrical vessel 1, and revolvable in the vessel 1.例文帳に追加

筒状容器1内に、前記中心軸方向に複数個配置された、前記中心軸を中心に回転可能で、かつ外周部に前記中心軸と平行な溝4を複数個有するローター2、および前記溝に配置され、前記筒状容器内の内壁に当接して自転しながら前記筒状容器内を公転可能に構成されたコロ5を有する分散機を用いたミルベースの分散方法であって、前記供給口側から数えて1番目のローターR_1の周速V_1(m/分)を下記式(1)の範囲とし、前記供給口から数えて2番目以降のいずれか1つのローターをV_1より大きな周速で回転させることを特徴とするミルベースの分散方法。 - 特許庁

例文

The method for manufacturing single wall carbon nanotubes is carried out by jetting a source liquid containing a metal component as reversed micelle in a hydrocarbon solvent like fume through a jet nozzle having a plurality of jetting holes having diameters of 0.05 to 0.4 mm into a reaction pipe.例文帳に追加

0.05〜0.4mmの径を有する複数の噴出孔を備えた噴出ノズルから、炭化水素系溶媒中に金属成分を逆ミセルとして含有する原料液を、煙霧状に、反応管内に噴出することを特徴とする単層カーボンナノチューブの製造方法であり、二重管ノズルの噴出孔から噴出される原料液の流量Xを横軸にし、水素ガス噴出管から噴出される水素ガスのガス密度ρ及び水素ガス噴出管の噴出口の単位面積あたりの流量である水素ガス流量qの二乗の積ρ・q^2を縦軸とするグラフにおいて、以下の関係式を満たす条件下に、原料液及び水素ガスを噴出することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 - 特許庁




  
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