「x-ray pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of an X-ray mask, which can improve resolution of the pattern of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置のパターンの解像度を向上させることが可能なＸ線マスクの製造方法等を提供する。 - 特許庁

Substantially, only a diffraction pattern of the defective perovskite type composite oxide is detected in power X-ray diffraction.例文帳に追加

粉末Ｘ線回折において、実質的に上記欠陥ペロブスカイト型複合酸化物の回折パターンのみが検出される。 - 特許庁

This invention relates to a crystal solid designated as IZM-1 which has a specific X-ray diffraction pattern.例文帳に追加

本発明は、ＩＺＭ−１で指定された結晶固体であって、特定のＸ線回折図を有するものに関する。 - 特許庁

To form an X-ray absorber thin film of high stress uniformity with a sputtering method and to reduce pattern distortion by enhancing the stress uniformity in substrate surface of an X-ray exposure mask.例文帳に追加

スパッタリング法で応力均一性の高いＸ線吸収体薄膜を形成することができ、Ｘ線露光用マスクの基板面内応力均一性を高めてパターン歪みを低減できる。 - 特許庁

(Step 1) A X-ray diffraction pattern of a titanium surface is measured in an condition that an X-ray incident angle is maintained at a low angle of two degree or less, which is in an initial state before maintaining it in an atmospheric environment.例文帳に追加

（ステップ１）Ｘ線入射角度を２度以下の低角度に保った条件で大気環境中保持前である初期状態のチタン表面のＸ線回折図形の測定を行う。 - 特許庁

Thereby, an exposed pattern having a pitch pcosθ smaller than a mask pattern p of the X-ray mask 1 is formed on the surface of the member 2.例文帳に追加

これにより、部材２の表面には、Ｘ線マスク１のマスクパターンｐよりも小さいピッチであるｐｃｏｓθのピッチを有する露光パターンが形成される。 - 特許庁

To prevent a carbon film from depositing on a reflection mask, a lighting optical system for irradiating a soft X ray to the reflection mask, or a reduction projection optical system for forming the image of the pattern of the reflection mask in a soft X-ray reduction projection aligner using the soft X ray as the light source.例文帳に追加

軟Ｘ線を露光光源として用いる軟Ｘ線縮小投影露光装置において、反射型マスク、軟Ｘ線を反射型マスクに照射させる照明光学系、又は反射型マスクのパターンを結像させる縮小投影光学系にカーボン膜が堆積しないようにする。 - 特許庁

To provide a negative resist composition having high sensitivity and high resolving power and reduced in development defects in pattern formation with an actinic radiation (electron beam, X-ray or EUV (extreme-ultraviolet ray)).例文帳に追加

活性放射線（電子線、Ｘ線又はＥＵＶ）によるパターン形成において、高感度、高解像力で、現像欠陥が低減されたネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The X-ray diffraction pattern (spacing of lattice plane, d/Å) 12.4±0.8, 10.8±0.3, 9.0±0.3, 6.0±0.3, 3.9±0.1, 3.4±0.1.例文帳に追加

Ｘ線回折パターン（格子面間隔ｄ／Å）１２．４±０．８１０．８±０．３９．０ ±０．３６．０ ±０．３３．９ ±０．１３．４ ±０．１ - 特許庁

To improve contrast of an image by decreasing scattered ray of X rays and to prevent a grid pattern from being imprinted in the image.例文帳に追加

Ｘ線の散乱線を低減して画像のコントラストを向上すると共に、グリッドパターンが画像に写し込まれることがないこと。 - 特許庁

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD AND PRODUCTION OF X-RAY MASK USING THAT PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION例文帳に追加

感光性樹脂組成物並びにこの感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法およびＸ線マスクの製造方法 - 特許庁

A solid IM-11 with the LTA-type structure has an X-ray diffraction pattern having at least its peaks shown in Table 1.例文帳に追加

ＬＴＡ型構造を有する固体のＩＭ−１１は、少なくとも表１に示す線を持つＸ線回折図を有する。 - 特許庁

As a result, a flat-panel X-ray detector (FPD) 3 can be manufactured easily without breakdown of the read pattern.例文帳に追加

その結果、読み出しパターンを破壊することなく容易にフラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）３を製造することができる。 - 特許庁

Related to an X-ray mask having a structure, where an absorber pattern 11 of such material as absorbs X-ray is placed on a mask substrate through which X-ray is transmitted, the absorber pattern 11 comprises at least a Ta, having a structure where at least one layer among Ru, Cr, TiN, and TaN is formed as its base material layer 15.例文帳に追加

Ｘ線を透過するマスク基板上に、Ｘ線を吸収する材料からなる吸収体パタンを載置した構造のＸ線マスクにおいて、吸収体パタンは、少なくともＴａで構成されており、その下地材料層としてＲｕ、Ｃｒ、ＴｉＮ、ＴａＮのうちの少なくとも１層を形成した構造のＸ線マスクとする。 - 特許庁

A binder resin containing particulate as an X-ray absorber 10 on a supporting body penetrating X ray is pattern-printed and laminated as an ink agent of a particulate paste 17 on a substrate 11 by ink jet method.例文帳に追加

Ｘ線を透過させる支持体上に、Ｘ線吸収体１０となる微粒子を含むバインダー樹脂を微粒子ペースト１７のインク剤として、インクジェット方式により基板１１上にパターン印刷して積層する。 - 特許庁

To provide an X-ray diffraction analyzing technique capable of simply acquiring the X-ray diffraction pattern equipped with the local structural data of a sample having a non-uniform crystal structure in a laboratory or on the spot by reducing the damping of intensity in a light path until the X-ray beam emitted from an X-ray tube arrives at a sample to the utmost.例文帳に追加

Ｘ線管から出射されたＸ線ビームが試料に到達するまでの光路における強度の減衰を極力小さくすることにより、不均一な結晶構造を有する試料の局所構造情報を備えるＸ線回折図形を、実験室や現場で短時間且つ簡単に取得することを可能とするＸ線回折分析技術を提供する。 - 特許庁

The soft X-ray 14 emitted from a light source part 7 is focused to high energy density using an ellipsoidal mirror 15, and a workpiece 19 is irradiated with the focused light in a prescribed pattern in order to process only the area of the workpiece 19 that has been irradiated with soft X-ray 14 in the prescribed pattern.例文帳に追加

光源部７から放射される軟Ｘ線１４を、楕円ミラー１５で高エネルギー密度に集光して所定のパターンで被加工物１９に照射し、被加工物１９を所定のパターンで軟Ｘ線１４を照射した部分のみを加工する。 - 特許庁

To provide a QC phantom which can certainly prevent cracking or exfoliation of a pattern for evaluation of an image quality and projects nothing other than the pattern for evaluation of the image quality in an X-ray image.例文帳に追加

画質評価用パターンの割れや剥離を確実に防止することができ、Ｘ線画像に画質評価用パターン以外が映り込まないＱＣファントムを提供する。 - 特許庁

The pattern forming body is characterized in that at least the patterns containing the material through which the X-ray hardly permeates are formed on the base material.例文帳に追加

基材上に、エックス線難透過性材料を含むパターンが少なくとも形成されていることを特徴とするパターン形成。 - 特許庁

The values (lattice spacings d/Å) of the X-ray diffraction pattern are 12.3±0.3, 9.0±0.3, 6.8±0.3, 3.9±0.2, 3.5±0.1 and 3.4±0.1.例文帳に追加

Ｘ線回折パターン 格子面間隔ｄ／Å（オングストローム） １２．３±０．３ ９．０±０．３ ６．８±０．３ ３．９±０．２ ３．５±０．１ ３．４±０．１ - 特許庁

To prevent finishing from being decreased due to the change of a conveying speed when a dot-like marking pattern is formed while conveying an X-ray film.例文帳に追加

Ｘレイフィルムを搬送しながらドット状のマーキングパターンを形成するときに、搬送速度の変化による仕上り低下を防止する。 - 特許庁

The interference pattern formed by the beam 1 and the beam 2 is detected and recorded by a 2-dimensional X-ray detector 5 in a subsequent stage.例文帳に追加

ビーム１とビーム２によって形成される干渉パターンは、後段の２次元Ｘ線検出器５により検出され記録される。 - 特許庁

More preferably, the compound has an X-ray powder diffraction pattern comprising peaks, in terms of 2θ, at about 13.7° and about 14.9°.例文帳に追加

この化合物は、より好ましくは、２θに関して、約１３．７°および約１４．９°にピークを含むＸ線粉末回折パターンを有する。 - 特許庁

When the X-ray diffraction measurement is performed on the anode side electrode 14, a pattern showing that the particles 28 are amorphous is obtained.例文帳に追加

このアノード側電極１４についてＸ線回折測定を行うと、粒子２８が非晶質であることを示すパターンが得られる。 - 特許庁

To provide a method and a device for easily measuring film thickness of a miniaturized repetitive thin film pattern by using X-ray fluorescence measurement.例文帳に追加

蛍光Ｘ線測定を用いて微細化された繰り返し薄膜パターンの膜厚を簡便に測定する方法と装置を提案する。 - 特許庁

This catalyst is a titanosilicate catalyst which has an X-ray diffraction pattern of the values indicated below and is also represented by the general formula: xTiO_2-(1-x)SiO_2 (x in the formula represents a figure of 0.0001 to 0.1), and serves for producing propylene oxide.例文帳に追加

下記に示す値のＸ線回折パターンを有し、かつ一般式 ｘＴｉＯ_２・（１−ｘ）ＳｉＯ_２ （式中ｘは０．０００１〜０．１の数値を表す。）で表されるチタノシリケートであるプロピレンオキサイド製造用触媒。 - 特許庁

The reflecting mask comprises a substrate 1, an X-ray reflecting multilayer film 2 formed on the substrate 1, and an absorber layer 3 of a material of low X-ray transmissivity which is formed on it and has a prescribed pattern.例文帳に追加

本発明の反射マスクは、基板１と、該基板１上に形成されたＸ線反射多層膜２と、その上に形成されたＸ線の透過率の低い物質からなり且つ所定のパタンを有する吸収体層３とを具備する。 - 特許庁

Then, size of a minute gap existing at the contact part is calculated based on the integrated X-ray intensity, an intensity pattern to be calculated from the two-dimensional X-ray intensity distribution image is simultaneously analyzed to estimate the surface shape.例文帳に追加

そして、この積算Ｘ線強度に基づいて接触部位に存在する微小間隙の大きさを求めるとともに、２次元Ｘ線強度分布画像から求まる強度パターンを解析して表面形状を推定する。 - 特許庁

The zirconia sintered compact is characterized in that the half-value width of a peak of (111)plane of the tetragonal system in the X-ray diffraction pattern by CuKα ray is 0.38-10°.例文帳に追加

ＣｕＫα線によるＸ線回折パターンにおける正方晶の（１１１）面のピークの半値幅が０．３８度以上１０度以下であることを特徴とするジルコニア焼結体。 - 特許庁

A stable crystalline dihydrate D olanzapine polymorph has a typical X-ray powder diffraction pattern as represented by specific interplanar spacings, or a stable crystalline dihydrate B olanzapine polymorph has a typical X-ray powder diffraction pattern as represented by specific interplanar spacings.例文帳に追加

特定の面間隔によって示される典型的なＸ線粉体回折パターンを有する安定な結晶２水和物Ｄオランザピン多形又は、特定の面間隔によって示される典型的なＸ線粉体回折パターンを有する結晶２水和物Ｂオランザピン多形。 - 特許庁

This insert contains, in addition, W_2C in an amount such that in the X-ray diffraction pattern the peak ratio W_2C(101)/W(110) is ∠ 0.3.例文帳に追加

このインサートは、他にＷ_2Ｃを含み、Ｘ線回折パターンにおいてピーク比Ｗ_2Ｃ（１０１）／Ｗ（１１０）が０．３未満になる量である。 - 特許庁

To provide an X-ray fluorescence analyzer for semiconductor capable of analyzing a semiconductor sample at a low cost without incurring damage to a circuit pattern.例文帳に追加

低コストで、回路パターンに損傷を与えることなく、半導体試料を分析できる半導体用蛍光Ｘ線分析装置を提供する。 - 特許庁

X-ray diffraction pattern (lattice plane spacing d/Å): 13.2±0.6, 12.3±0.3, 9.0±0.3, 6.8±0.3, 3.9±0.2, 3.5±0.1, and 3.4±0.1.例文帳に追加

Ｘ線回折パターン格子面間隔ｄ／Å（オングストローム）１３．２±０．６１２．３±０．３９．０±０．３６．８±０．３３．９±０．２３．５±０．１３．４±０．１ - 特許庁

To allow a composition measurement pattern, which is so sized as to be taken with a measurement by a fluorescent X-ray measuring instrument, to have the same composition with a solder bump.例文帳に追加

蛍光Ｘ線測定装置で測定可能な大きさの組成測定パターンの組成を、はんだバンプと同じにすることを可能にする。 - 特許庁

This crystal polymorphism gives a powder X-ray diffraction pattern having strong diffraction peaks at the diffraction angles (2θ±0.1) of 10.2, 12.7, 18.4 and 22.3°.例文帳に追加

粉末Ｘ線回折図形で、回折角（２θ±０．１）において、１０．２、１２．７、１８．４及び２２．３度に強い回折ピークを示す結晶多形。 - 特許庁

As the result, the antireflective structure having a pitch finer than the mask pattern of the X-ray mask 1 is formed on the surface of the member 2.例文帳に追加

これにより、部材２の表面には、Ｘ線マスク１のマスクパターンよりも微細なピッチを有する反射防止構造体が形成される。 - 特許庁

To provide an actinic ray- or radiation-sensitive resin composition which simultaneously satisfies sensitivity, resolution, pattern shape, line edge roughness and dry etching resistance, in lithography especially using an electron beam, an X-ray or an EUV ray, and to provide a resist-film and pattern formation method utilizing the same.例文帳に追加

特に電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像力、パターン形状、及びラインエッジラフネス、ドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an X-ray projection aligner which can compensate for the magnification of projection and enables a desired fine pattern to be laid, with high accuracy on the circuit pattern on a wafer, prior to exposure.例文帳に追加

投影倍率の補正ができ、所望の微細パターンをウエハ上の回路パターンに高精度に重ねて露光することができるＸ線投影露光装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

This manufacturing method includes synthesizing AlH_3, and ball-milling the synthesized AlH_3 in a condition of applying a force of 2 G to 20 G (where G represents gravity acceleration) to make an X-ray diffraction pattern of AlH_3 into a halo pattern.例文帳に追加

ＡｌＨ_3を合成した後、２Ｇ〜２０Ｇ（Ｇは重力加速度）の力を付与する条件でボールミリングを行い、Ｘ線回折パターンがハローパターンとなるＡｌＨ_3とする。 - 特許庁

The titanosilicate catalyst is obtained by bringing the titanosilicate, which has an X-ray diffraction pattern having the following values and is shown by the formula: xTiO_2-(1-x)SiO_2 (wherein x is a numerical value of 0.0001-0.1), into contact with a zinc compound.例文帳に追加

下記に示す値のＸ線回折パターンを有し、かつ式 ｘＴｉＯ_２・（１−ｘ）ＳｉＯ_２ （式中ｘは０．０００１〜０．１の数値を表す。）で表されるチタノシリケートを亜鉛化合物と接触させて得られるチタノシリケート触媒。 - 特許庁

To provide an X-ray mask which can be manufactured by relatively simple facilities, is not strained against heat generation in exposure to hardly have its X-ray absortpion pattern broken, and optical transparent to facilitate multiple exposure.例文帳に追加

比較的簡単な設備で作製でき、露光時の発熱によっても歪むことがなく、Ｘ線吸収体パターンが破壊され難く、光学的に透明で多重露光を容易に行なうことができるＸ線マスク及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, even if heating occurs in the X-ray film by emitting the laser beam, the temperature rise of the X-ray film is suppressed, and the marking pattern MP of high quality can be formed without bringing about a performance failure such as sensitizing or desensitizing.例文帳に追加

これにより、レーザービームが照射されることによりＸレイフィルムに発熱が生じても、Ｘレイフィルムの温度上昇を抑え、増減感などの性能故障を生じさせることなく、高品質のマーキングパターンＭＰを形成することができる。 - 特許庁

Dummy patterns 4 are arranged on a membrane film 1 except an exposure region 7, and the pattern rule and pattern density of the dummy patterns 4 is practically made equal to the pattern rule and pattern density of an X-ray absorber pattern 3 which is provided on the membrane film 1 in the exposure region 7.例文帳に追加

露光領域７以外のメンブレン膜１上にダミーパターン４を配置するととも、このダミーパターン４のパターンルール及びパターン密度を露光領域７のメンブレン膜１上に設けたＸ線吸収体パターン３のパターンルール及びパターン密度と実効的に等しくする。 - 特許庁

In addition, the coefficient of variation of the first peak intensity showing the maximum intensity in an X-ray diffraction pattern inside a stimulable phosphor layer face is set at 40% or lower.例文帳に追加

そして、輝尽性蛍光体層面内のＸ線回折パターンにおいて最大強度を示す第１ピーク強度の変動係数を４０％以下とする。 - 特許庁

To realize an x-ray generation system that produces a converging or diverging radiation pattern particularly suited for substantially cylindrical or spherical treatment devices.例文帳に追加

実質的に円柱形または球形処理装置に特に適している収束または発散放射パターンを生成するＸ線照射装置の実現。 - 特許庁