The symbol "n" is the equivalent of only one unknown or modified nucleotide.発音を聞く 例文帳に追加

記号｢n｣は唯一の未知の又は修飾されたヌクレオチドの同義語である。 - 特許庁

Output terminals 8(1)-8(n) of mobiles 6(1)-6(n) connect respectively to drains of n-sets of FETs 9(1)-9(n) normally conductive and a photodiode 11 connects to sources of the FETs.例文帳に追加

常時導通するｎ個のＦＥＴ９(1)〜９(n)のドレインに個々にモービル６(1)〜６(n)の出力端子８(1)〜８(n)を接続し、ソースにフォトダイオード１１を接続する。 - 特許庁

In the formulas, A^1 and A^2 denote a nitrogen containing aromatic ring independently respectively, and N^1 and N^2 denote a nitrogen atom respectively.例文帳に追加

式中、A^1及びA^2は各々独立に含窒素芳香環を表し、N^1及びN^2は各々窒素原子を表す。 - 特許庁

The two columns X_n+1 and X_n+2 are repeatedly subjected to Step ST2 to Step ST5 until the last column is reached.例文帳に追加

最後の列となるまで２列Ｘ_n+1、Ｘ_n+2についてステップＳＴ２からステップＳＴ５までの動作を繰り返す。 - 特許庁

A semiconductor base of the IGFET includes an N^+-type first drain region 34, an N^--type second drain region 35, a P-type first body region 36, a P^--type second body region 37, an N-type first source region 38, and an N^+-type second source region 39, and a trench 31 for forming an IGFET cell.例文帳に追加

IGFETの半導体基体は、N^+型の第１のドレイン領域３４とN^-型の第２のドレイン領域３５とP型の第１のボデイ領域３６とP^-型の第２のボデイ領域３７とN型の第１のソース領域３８とN^+型の第２のソース領域３９とを有し、更にIGFETセルを構成するトレンチ３１を有する。 - 特許庁

Then a level SENSE[I:n] of the digital output lies 33-1 to 33-n in response to the logic of the digital signals DL1[I:n] to DLm[I:n] is selected lower than at least any operating voltage of the comparators 30-1 to 30-m and the latches 31-1 to 31-m.例文帳に追加

そして、デジタル信号DL1[1:n]〜DLｍ[1:n]の論理に応じたデジタル出力線33-1〜33-nの電位振幅SENSE[1:n]を、コンパレータ30-1〜30-m、およびラッチ31-1〜31-mの少なくとも一方の動作電圧より小さくしたことを特徴としている。 - 特許庁

After an n-type semiconductor region 8A is formed by introducing an n-type impurity ion, an n-type semiconductor region 8B is formed by introducing an n-type impurity ion at a region that is adjacent to the n-type semiconductor region 8A.例文帳に追加

ｎ型の不純物イオンの導入によりｎ型半導体領域８Ａを形成した後、ｎ型半導体領域８Ａと隣接する領域にｎ型の不純物イオンの導入によりｎ型半導体領域８Ｂを形成する。 - 特許庁

Although Cu-NH3 complexes occurred at small activities, their toxic effect on N. europaea was evident.例文帳に追加

Cu-NH3錯体の活性度は低かったけれど，N. europaeaに対するそれらの毒性影響は明白であった。 - 英語論文検索例文集

xterm-geometry +1+1 -n login -display :0発音を聞く 例文帳に追加

このファイルも存在しない場合、xinit はデフォルトの動作として次のコマンドを実行する:xterm \\-geometry +1+1 \\-n login \\-display :0 - XFree86

By using the specified space frequency value N_Sf (a%), the motion picture quality of the display is evaluated.例文帳に追加

前記規格化された空間周波数の値N_Sf(a%)を用いて、ディスプレイの動画質を評価する。 - 特許庁

An N- type drift layer 21 is formed in the surface of the N-- type semiconductor layer 12.例文帳に追加

Ｎ−−型の半導体層１２の表面には、Ｎ−型のドリフト層２１が形成されている。 - 特許庁

An ultraviolet application unit (UV) is provided with the same number of photosensors 72(1)-72(n) for individually monitoring the emission state of a plurality of (n) ultraviolet lamps 64(1)-64(n) in a lamp chamber 66.例文帳に追加

この紫外線照射ユニット（ＵＶ）では、ランプ室６６内に複数（ｎ）個の紫外線ランプ６４(1)〜６４(n)の発光状態をそれぞれ個別的に監視するための同数の光センサ７２(1)〜７２(n)が設けられている。 - 特許庁

Then, an n-type semiconductor region 8C is formed by introducing an n-type impurity ion into a region that is adjacent to the n-type semiconductor region 8B.例文帳に追加

続いて、ｎ型半導体領域８Ｂと隣接する領域にｎ型の不純物イオンの導入によりｎ型半導体領域８Ｃを形成する。 - 特許庁

(2) If there are N (N≥3) introduction ports, an angle formed by two of the N introduction ports and the silicon core bars is 160 degrees or more.例文帳に追加

（２）Ｎ箇所（Ｎ≧３）である場合、該Ｎ箇所のうちの２箇所の導入口と前記シリコン芯棒とのなす角度が、１６０°以上。 - 特許庁

A range counter (frequency dividing ratio control section) 56 then variably controls a frequency dividing ratio N in the frequency divider 18 in accordance with the second synchronizing control signals (m), (n).例文帳に追加

そして、レンジカウンタ（分周比制御部）５６は、分周器１８おける分周比Ｎを第２の同期制御信号(m),(n)にしたがって可変制御する。 - 特許庁

The d'th day (0 = d = 6) or week n of month m of the year (1 = n = 5, 1 = m = 12, where week 5 means "the last d day in month m" which may occur in either the fourth or the fifth week).例文帳に追加

m 月の第 n 週における d 番目の日(0 = d = 6, 1 = n = 5, 1 = m = 12)を表します。 週 5 は月における最終週の d 番目の日を表し、第 4 週か第 5 週のどちらかになります。 - Python

Further, the common drain source line DSL in one group G_N and the common drain source line DSL in other group G_N are different from each other.例文帳に追加

さらに、一のグループＧ_Nにおける共通のドレインソース線ＤＳＬと、他のグループＧ_Nにおける共通のドレインソース線ＤＳＬとが互いに異なっている。 - 特許庁

The distribution circuit divides the Reed-Solomon code of code length M×(N+P) bytes into (N+P) pieces of fragments of M bytes each and distributes the (N+P) pieces of fragments to the N+P pieces of drives.例文帳に追加

分配回路は、Ｍ×（Ｎ＋Ｐ）バイトのリード・ソロモン符号を、Ｍバイトずつの（Ｎ＋Ｐ）個の断片に分割し、Ｎ＋Ｐ台のドライブに分配する。 - 特許庁

Rows are similarly processed until two adjacent rows Y_n and Y_n+1 reach the last row to delete all the boxes in rows that can be deleted.例文帳に追加

同様の動作を行にも行い、隣り合うＹ_n、Ｙ_n+1の２行について最後の行となるまで同様に判断をし、削除可能な行のボックスを全て削除する。 - 特許庁

A delay unit 100 comprises n-stage (n is a natural number larger than or equal to 3) delay units of same configuration, each of which is connected to one another, and delays input signals entered into each delay unit and then outputs the signals from each delay unit.例文帳に追加

遅延部100は、互いに接続されたn（nは3以上の自然数）段の同一構成の遅延ユニットを有し、各遅延ユニットに入力された信号を遅延させて各遅延ユニットから出力させる。 - 特許庁

When A/D converting a signal that requires a sampling frequency lower than an operating frequency of the A/D converter is A/D converted, oversampling is performed by generating an n-times ((n) is a natural number) sampling clock.例文帳に追加

そのA/D変換器の動作周波数に満たないサンプリング周波数を要する信号をアナログ／ディジタル変換する場合は、n倍（nは自然数）のサンプリングクロックを生成しオーバーサンプリングを行う。 - 特許庁

The selector 108 uses values M1 and M2 of metrics of the Viterbi decodes 106 and 107 to extract the discrimination data d2 (n) instead of the discrimination data d1 (n) when the operation of the equalizer 105 is diverging.例文帳に追加

セレクタ１０８は、ビタビ復号器１０６，１０７のメトリックの値Ｍ１，Ｍ２を用いて、等化器１０５の動作が発散状態にあるときは、識別データｄ1(n)に代わって識別データｄ2(n)を取り出す。 - 特許庁

When the operation of the equalizer 105 is diverging, the discrimination data d2 (n) which has a lower error rate than the discrimination data d1 (n) are supplied to the equalizer 105, so equalization characteristics are so updated to approximate correct ones.例文帳に追加

等化器１０５の動作が発散状態にある場合、識別データｄ1(n)に比べて誤り率の低い識別データｄ2(n)が等化器１０５に供給されるため、等化特性は正しい方向に向かって更新されていく。 - 特許庁

This form of the `s' command accepts a count suffix `n' , or any combination of the characters `r' , `g' , and `p' .発音を聞く 例文帳に追加

この形式のm sコマンドは、回数を示すサフィックスm nもしくは、他のm r 、m g 、m pのどのキャラクタとの組み合わせも可能です。 - JM

x can be one of the following characters: E Escape (27) n Line feed (10) r Carriage return (13) t Tabulation (9) b Backspace (8) f Form feed (12) 0 Null character.例文帳に追加

x には以下の文字のどれかが入る。 E エスケープ (27)n ラインフィード (10)r 復帰 (13)t タブ (9)b バックスペース (8)f 頁送り (12)0 ヌルキャラクタ。 - JM

An N-type drift region 13 is formed on an N^+-type drain region 12 using an epitaxial growth method.例文帳に追加

Ｎ^＋型のドレイン領域１２上にＮ型のドリフト領域１３をエピタキシャル成長法により形成する。 - 特許庁

FRACTIONAL N FREQUENCY SYNTHESIZER AND ITS OPERATING METHOD例文帳に追加

フラクショナルＮ周波数シンセサイザ及びその動作方法 - 特許庁

A silicon substrate 11 forms an N- type drift region.例文帳に追加

シリコン基板１１はＮ^- 型のドリフト領域を形成する。 - 特許庁

When the SiC single crystal is grown, along with nitrogen (N) that serve as a donor element for achieving an n-type semiconductor, gallium (Ga) is added so that N (amount) and Ga (amount), which are amounts of N and Ga elements expressed in atm, respectively, satisfy the relation: N (amount)>Ga (amount).例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶を結晶成長する際に、ｎ型半導体とするためのドナー元素である窒素（Ｎ）とともにガリウム（Ｇａ）を、両元素のａｔｍ単位で表示して量であるＮ（量）およびＧａ（量）がＮ（量）＞Ｇａ（量）となるようにする。 - 特許庁

From a program, n(n is a positive integer which is 2 or more) pieces of variables to be encoded are selected, and m(m is a positive integer and m≥n) pieces of encoding formulas including n pieces of independent encoding functions are defined by using encoding functions constituted of an exclusive logical sum of the selected n pieces of variables and arbitrary constants.例文帳に追加

プログラムから符号化の対象となる変数をｎ個（ｎは２以上の正の整数）選択し、選択したｎ個の変数と任意の定数との排他的論理和からなる符号化関数により、ｎ個の独立した符号化関数を含むｍ個（ｍは正の整数であり、ｍ≧ｎ）の符号化式を定義する。 - 特許庁

An N,N'-dialkylethylenediamine-N,N'-dimalonic acid shown by general formula 1 (wherein, R1 and R2 are each independently an alkyl group; M1 to M4 are each independently hydrogen or a cation) can be produced by reacting an N,N'-dialkylethylenediamine and a malonic ester derivative in an aqueous alkaline solution.例文帳に追加

一般式１のＮ，Ｎ’−ジアルキルエチレンジアミン−Ｎ，Ｎ’−ジマロン酸類 （Ｒ_1及びＲ_2は各々独立してアルキル基、Ｍ^1〜Ｍ^4は各々独立して水素又は陽イオン。）であり、アルカリ水溶液中で、Ｎ，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミンとマロン酸エステル誘導体を反応させることにより製造できる。 - 特許庁

The synchronizing server uses ΔP_n+1 received from the account server, current synchronous data Sn and a third function H for calculating synchronous data S_n+1, and registers S_n+1 as current synchronous data.例文帳に追加

同期サーバはアカウントサーバから受信したΔＰ_ｎ＋１と現在の同期データＳ_ｎと第３の関数Ｈを用いて新しい同期データＳ_ｎ＋１を算出し、Ｓ_ｎ＋１を現在の同期データとして登録する。 - 特許庁

At the time of the prime number decision of a prime number candidate n, the prime number judgment is performed for m=nα for which n is multiplied with the integer α which can not be divided by any prime number equal to or less than n1/2 without using the prime number candidate n itself.例文帳に追加

素数候補ｎの素数判定時に、素数候補ｎ自体を使わずに、ｎ1/2以下のどの素数でも割り切れない整数αをｎに乗じたｍ＝ｎαに対して素数判定を行う。 - 特許庁

A semiconductor layer 30 of a semiconductor device 1 includes an n-type drift region 33 and p-type body region 34.例文帳に追加

半導体装置１の半導体層３０は、n型のドリフト領域３３とp型のボディ領域３４を有している。 - 特許庁

To increase an operational frequency and an S/N ratio of a pulsed homodyne detector that measures the quadrature phase amplitude of signal pulse light.例文帳に追加

信号パルス光の直交位相振幅を測定するパルス型ホモダイン検波器の動作周波数とS／N比を高める。 - 特許庁

The same image of n frames (n: an integer not less than 2) is created from an input one frame image.例文帳に追加

入力された１フレームの画像からｎフレーム（ｎは２以上の整数）の同一の画像を生成する。 - 特許庁

This semiconductor device has a wiring structure formed by stacking n pieces of metal films of a same kind or different kinds.例文帳に追加

本発明による半導体素子は、n個の同種又は異種の金属膜を積層することにより形成される配線構造を有している。 - 特許庁

A transistor 10 is provided, in the surface layer of a p-type nitride semiconductor layer 6, with an n-type source region 18 and an n-type drain region 12.例文帳に追加

トランジスタ１０は、ｐ型窒化物半導体層６の表層部にｎ型のソース領域１８とｎ型のドレイン領域１２を備えている。 - 特許庁

A drain of the N-MOS switch 21 is connected to an output Vout line 30, and a source of the N-MOS switch 31 is grounded.例文帳に追加

Ｎ−ＭＯＳスイッチ２１のドレインは出力Ｖ_out線３０に接続されＮ−ＭＯＳスイッチ３１のソースは接地される。 - 特許庁

In the N-type region 202, an N-type drain region 213 and a P-type collector region 203 are formed separately from the base region.例文帳に追加

Ｎ型領域２０２内にベース領域とは離隔してＮ型のドレイン領域２１３及びＰ型のコレクタ領域２０３が形成されている。 - 特許庁

In respective groups G_N, all input terminals IN are connected to a common drain source line DSL.例文帳に追加

各グループＧ_Nにおいて、全ての入力端子ＩＮが共通のドレインソース線ＤＳＬに接続されている。 - 特許庁

The transistor for selection selects (n) pieces (n≥2) of the same column out of the plurality of cell transistors.例文帳に追加

上記選択用トランジスタは、上記複数のセルトランジスタのうちの同一列のｎ個（ｎ≧２）を選択する。 - 特許庁

For example, 2N 101a-101n of the same size (capacitance) for expressing N bits are parallel connected two by two.例文帳に追加

たとえば、Ｎビットを表現するための２^N 個の同一サイズ（容量）のキャパシタ１０１ａ〜１０１ｎを、２つずつ並列に接続する。 - 特許庁

A first conductor film 7 is provided on the bottom face of the opening 6 in such a way that the film 7 covers the n-type area 2 while the film 7 is in contact with the n-type are 2.例文帳に追加

第１の導体膜７は、開口部６の底面のｎ型領域２に接するとともに、ｎ型領域２を覆うように設けられる。 - 特許庁