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英和・和英辞典で「ニッケル n」に一致する見出し語は見つかりませんでしたが、
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「ニッケル n」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 58



例文

The method includes: a neutralization step of neutralizing an acid aqueous solution of nickel ion with a sodium hydroxide aqueous solution or a potassium hydroxide aqueous solution to precipitate a nickel compound having the nickel purity of 3 N or larger; and a heating and water-cleaning step of heating the nickel compound to produce a nickel oxide and cleaning the nickel oxide with water.例文帳に追加

ニッケルイオンの酸水溶液を水酸化ナトリウム水溶液又は水酸化カリウム水溶液によって中和処理して、ニッケル純度が3N以上であるニッケル化合物を析出させる、中和工程と、上記ニッケル化合物を加熱処理してニッケル酸化物を生成し、該ニッケル酸化物を水洗処理する、加熱水洗工程と、を有することを特徴としている。 - 特許庁

To provide new nickel-added cobalt boride and an n-type thermoelectric material with good efficiency.例文帳に追加

新規なニッケル添加コバルトホウ化物、および効率の良いn型熱電材料を提供する。 - 特許庁

A magnet is disposed with the same directed to the N pole on backsides of nickel conductive plate electrodes disposed as opposed.例文帳に追加

対面配置されたニッケル導体板電極の裏面に磁石がN極を向いて配置されている。 - 特許庁

The impurity introduction portion 10 is constituted by introducing an n-type impurity into the nickel silicide film.例文帳に追加

不純物導入部10は、ニッケルシリサイド膜にn型不純物が導入されて構成されている。 - 特許庁

An improved electrode is made by adding poly-N vinylacetamide and polytetrafluoroethylene to a paste for an electrode of a nickel-hydrogen battery of which active material is a hydrogen storage alloy.例文帳に追加

さらに、高容量で漏液の発生のないニッケル水素蓄電池を提供する。 - 特許庁

On the surface of an n-type silicon carbide substrate or n-type silicon carbide region 1, a nickel film 2 and a nickel oxide film 3 are laminated in this order and then heat-treated in a state wherein they are not subjected to oxidation.例文帳に追加

n型炭化珪素基板またはn型炭化珪素領域1の表面に、ニッケル膜2と、酸化ニッケル膜3と、をこの順に積層し、酸化しない状態で熱処理をおこなう。 - 特許庁

A nickel thin film is formed on the surface of an n-type III group nitride semiconductor, and an n-type electrode of a 2-layer structure in which an aluminum thin film is further mounted to a surface of the nickel thin film is formed.例文帳に追加

n型 III族窒化物半導体表面にニッケル薄膜を形成し、該ニッケル薄膜の表面にさらにアルミニウム薄膜を載置した2層構造のn型電極とする。 - 特許庁

The nickel powder is obtained by preparing a nickel salt solution containing copper ions, preparing a hydrazine compound solution, adding an organic compound which is composed of N, C, O and H and has an OH group in the moleculen into a nickel salt solution and/or the hydrazine compound solution, then mixing the nickel salt solution and the hydrazine compound solution and subjecting the mixture to oxidation reduction reaction.例文帳に追加

銅イオンを含有するニッケル塩溶液を準備し、ヒドラジン化合物溶液を準備し、ニッケル塩溶液および/またはヒドラジン化合物溶液中に、N、C、OおよびHから構成されかつ分子内にOH基を有する有機化合物を添加し、次いで、ニッケル塩溶液とヒドラジン化合物溶液とを混合して、酸化還元反応により、ニッケル粉末を得る。 - 特許庁

Since the silicide region of nickel or nickel alloy hardly extends in the crystal orientation <100>, the semiconductor device is obtained in which an off-leak current hardly increase, even if the silicide region of nickel or nickel alloy is formed on the source and drain of the n-channel MISFET, the semiconductor device is obtained in which an off-leak current hardly increases.例文帳に追加

結晶方位<100>の方向には、ニッケルまたはニッケル合金のシリサイド領域は延伸しにくいため、nチャネルMISFETのソースおよびドレインにニッケルまたはニッケル合金のシリサイド領域を形成する場合であっても、オフリーク電流が増加しにくい半導体装置が得られる。 - 特許庁

Nitrogen (N_2) ions are implanted into the nickel silicide region of an N channel MIS transistor, and boron difluoride (BF_2) ions are implanted into the nickel silicide region of a p-channel MIS transistor.例文帳に追加

NチャネルMISトランジスタのニッケルシリサイド領域に、窒素(N_2)イオンを注入し、PチャネルMISトランジスタのニッケルシリサイド領域に、二フッ化ホウ素(BF_2)イオンを注入する。 - 特許庁

The n-channel MISFET having a silicide region of nickel or nickel alloy formed on the source and drain is disposed so that its channel lengthwise direction is in parallel to a crystal orientation <100> of a semiconductor substrate.例文帳に追加

ソースおよびドレイン上にニッケルまたはニッケル合金のシリサイド領域が形成されたnチャネルMISFETのチャネル長さ方向を、半導体基板の結晶方位<100>に平行となるよう配置する。 - 特許庁

To realize a semiconductor device in which an off-leak current hardly increases, even if a silicide region of nickel or nickel alloy is formed on a source and drain of an n-channel MISFET.例文帳に追加

nチャネルMISFETのソースおよびドレインにニッケルまたはニッケル合金のシリサイド領域を形成する場合であっても、オフリーク電流が増加しにくい半導体装置を実現する。 - 特許庁

A solution of nicel salt and a solution of reducing agent are mixed, and the resultant mixture is subjected to oxidation/reduction reaction in the presence of a compound containing N, C and H and having a ring structure in a molecule to precipitate the nickel powder.例文帳に追加

ニッケル塩溶液と還元剤溶液を混合し、N、C、及びHを含有し、かつ分子内に環状構造を有する化合物の共存下に、酸化還元反応を行わせてニッケル粉末を析出させる。 - 特許庁

To provide a pretreatment liquid for performing electroless plating of nickel or an nickel alloy onto a semiconductor wafer in which n-type and p-type semiconductors are mixed.例文帳に追加

n型半導体とp型半導体が混在する半導体ウエハ上へ、ニッケル又はニッケル合金の無電解めっきを行うための前処理液ろ提供する。 - 特許庁

Then, nickel (Ni) is vapor-deposited on a top surface of the n-type silicon carbide 13 to form an electrode 14.例文帳に追加

次に、そのn型炭化珪素13の上面にニッケル(Ni)を蒸着することで、電極14を形成する。 - 特許庁

The above-described problem is solved by the semiconductor particle having a p-type semiconductor such as nickel oxide and an n-type semiconductor such as zinc oxide.例文帳に追加

酸化ニッケル等のp型半導体と、酸化亜鉛等のn型半導体とを有する半導体粒子により、上記課題を解決する。 - 特許庁

In addition to silicon and nickel, n-type impurities and p-type impurities are contained in the 1st silicide layer 11.例文帳に追加

第1のシリサイド層11にシリコンとニッケルの他にN型不純物とP型不純物を含める。 - 特許庁

A titanium film 5, a nickel film 6 having tensile stress whose whole stress is not less than 150 N/m and a gold film 7 are sequentially formed on the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板1の上に、チタン膜5、全応力が150N/m以上の引張応力を持つニッケル膜6、金膜7を順に成膜する。 - 特許庁

The coated film H comprises a nickel coated part N which is formed on the surface of the driven part 11, a chrome coated part C which is formed on the nickel coated part N, and a metal oxide film part O which is coated on the chrom coated part C by a passivation process with ozone.例文帳に追加

この被覆膜Hは、被駆動部11の表面に形成されたニッケル被膜部Nと、このニッケル被膜部N上に形成されたクロム被膜部Cと、このクロム被膜部C上にオゾンによる不動態化処理により形成された金属酸化膜部Oとからなっている。 - 特許庁

Consequently, a gate electrode made of the nickel silicide film 22 containing p-type impurity is formed in a pMOS region 1, and a gate electrode made of the nickel silicide film 22 containing n-type impurity is formed in an nMOS region 2.例文帳に追加

従って、pMOS領域1には、p型不純物を含有するニッケルシリサイド膜22からなるゲート電極が形成され、nMOS領域2には、n型不純物を含有するニッケルシリサイド膜22からなるゲート電極が形成される。 - 特許庁

The semiconductor apparatus includes the N-channel MISFET (Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor) formed on a semiconductor substrate having a main surface of which plane orientation is (110) plane, having the silicide of nickel or nickel alloy at least in one upper portion of the source region and the drain region.例文帳に追加

半導体装置は、面方位が(110)面たる主表面を有する半導体基板上に形成され、ソース領域およびドレイン領域の少なくとも一方の上部にニッケルまたはニッケル合金のシリサイドを有するNチャネルMISFET(Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor)を備える。 - 特許庁

A nickel chloride solution containing impurities is brought into contact with an anion exchange resin to adsorb the impurities, the nickel chloride solution sticking to the resin is separated and recovered with ≥0.5 N hydrochloric acid solution and the resin is brought into contact with water to elute and remove zinc from the resin.例文帳に追加

不純物を含む塩化ニッケル溶液を陰イオン交換樹脂に接触させて不純物を吸着させ、0.5N以上の塩酸溶液にて樹脂に付着している塩化ニッケル溶液を分離回収した後、水と接触させて樹脂から亜鉛を溶離・除去する。 - 特許庁

Moderate amounts of manganese (Mn) and nitrogen (N) are substituted for costly nickel to produce the new chromium-manganese-nitrogen (Cr-Mn-N) steel, whereby reducing the cost of materials while maintaining the original physical and mechanical properties.例文帳に追加

高価なニッケルの代わりに、適量のマンガン(Mn)と、窒素(N)とを使用し、クロム−マンガン−窒素(Cr−Mn−N)新鋼種を製造し、材料コストを下げ、本来の物理的性能および機械力学的性能を維持する。 - 特許庁

The method for production of nickel paste electrode includes filling a paste containing nickel hydroxide and electroconductive cobalt auxiliary in an electroconductive base material, then the material is dried and formed through compression, poly-N vinylacetamide is added to the paste, the electrode formed with compression is immersed in an alkaline solution.例文帳に追加

水酸化ニッケル及びコバルト導電助剤を含有するペーストを導電性基材に充填し、乾燥後圧縮成形してなるペースト式ニッケル電極の製造方法であって、上記ペースト中にポリN−ビニルアセトアミドを含有させるとともに、上記圧縮成形後、さらに電極をアルカリ溶液中に浸漬処理する。 - 特許庁

A CMOS semiconductor apparatus is provided with an n-type transistor having a gate insulation film 104A consisting of an HfSiON and a gate electrode 106B wholly consisting of a nickel silicide, and a p-type transistor having a gate insulation film 104A consisting of an HfSiON and a gate electrode 106D wholly consisting of a nickel silicide, both electrodes being successively formed on a substrate 101 made of Si.例文帳に追加

CMOS型の半導体装置は、Siからなる基板101の上に順次形成され、HfSiONからなるゲート絶縁膜104A及び全体がニッケルシリサイドからなるゲート電極106Bを有するn型トランジスタと、HfSiONからなるゲート絶縁膜104A及び全体がニッケルシリサイドからなるゲート電極106Dを有するp型トランジスタとを備えている。 - 特許庁

The method for production of nickel paste electrode includes filling a paste containing nickel hydroxide and electroconductive cobalt auxiliary through in an electroconductive base material, then the material is dried and formed through compression poly-N vinylacetamide is added to the paste, the electrode formed with compression is immersed in an alkaline solution and then dried by heating in an atmosphere of 16 to 30 vol.% in oxygen concentration.例文帳に追加

水酸化ニッケル及びコバルト導電助剤を含有するペーストを導電性基材に充填し、乾燥後圧縮成形してなるペースト式ニッケル電極の製造方法であって、上記ペースト中にポリN−ビニルアセトアミドを含有させるとともに、上記圧縮成形した後、電極をアルカリ溶液中に浸漬処理し、さらに酸素濃度16〜30vol%の雰囲気下で加熱乾燥処理する。 - 特許庁

A Shottky diode 10 comprises a semiconductor substrate 11 of n-type 4H-SiC, a first SiC layer 12 of 4H-SiC provided on the semiconductor substrate 11, a Schottky electrode 14 of nickel provided on the first SiC layer 12, and an ohmic electrode 15 of nickel provided on the lower surface of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

本発明のショットキーダイオード10は、n型4H−SiCからなる半導体基板11と、半導体基板11の上に設けられた4H−SiCからなる第1SiC層12と、第1SiC層12の上に設けられ、ニッケルからなるショットキー電極14と、半導体基板11の下面上に設けられ、ニッケルからなるオーミック電極15とから構成されている。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with an n-type MIS transistor 100A which is formed on a semiconductor substrate 1 and has a full silicide gate electrode 24A which is made into full silicide with nickel, and a p-type MIS transistor 100B having a full silicide gate electrode 24B which is made into full silicide with nickel.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板1の上に形成され、ニッケルによりフルシリサイド化されたフルシリサイドゲート電極24Aを有するn型MISトランジスタ100Aと、ニッケルによりフルシリサイド化されたフルシリサイドゲート電極24Bを有するp型MISトランジスタ100Bとを有している。 - 特許庁

In the non-sintered positive electrode having a conductive substrate and a positive mix, nickel hydroxide in which part of nickel of the nickel hydroxide on the particle surface is made trivalent and the particle surface is covered with cobalt oxide containing sodium, acting as an active material; and a copolymer of at least one ethylenic unsaturated monomer containing acrylic acid or its salt and N-vinyl acetamide as a thickening agent are included in the positive mix.例文帳に追加

導電性基材と正極合剤とを有する非焼結式正極において、前記正極合剤中に、活物質として粒子表面の水酸化ニッケル中のニッケルの一部を3価にし、その粒子表面をナトリウムを含むコバルト酸化物で被覆した水酸化ニッケルと、増粘剤としてアクリル酸またはその塩を含む1種以上のエチレン性不飽和モノマーとN−ビニルアセトアミドとの共重合体とを含有させて非焼結式正極を構成する。 - 特許庁

Otherwise, after the nickel plating, the metal material is subjected to palladium electroplating and then, as post-treatment, is surface treated with a reaction product of N- containing heterocyclic azole compound and epoxy silane compound, and palladium chloride.例文帳に追加

又は、ニッケルめっきの後に金属材料にパラジウム電気めっきを施し、後処理として、含窒素複素環式アゾール化合物及びエポキシ系シラン化合物の反応生成物並びに塩化パラジウムで表面処理する。 - 特許庁

The alkaline battery is constituted, using a paste-type cathode containing cellulosic polymer and poly N-vinyl acetamide, in which nickel hydroxide serves as an active material.例文帳に追加

水酸化ニッケルを活物質とし、セルロース系高分子とポリN−ビニルアセトアミドを含有するペースト式正極を用いてアルカリ蓄電池を構成する。 - 特許庁

This solar cell 100 includes: a p-type semiconductor layer 7 formed of nickel oxide doped with Li, and formed by a sputtering method; and an n-type oxide semiconductor layer 3 joined to the p-type semiconductor layer 7.例文帳に追加

Liによってドープされた酸化ニッケルから構成され、スパッタ法により形成されたp型半導体層7と、該p型半導体層7と接合したn型酸化物半導体層3と、を備える太陽電池100。 - 特許庁

The gate electrode 6 of the n-channel type MIS transistor (Qn) is formed of an Ni (nickel) silicide film, and the gate electrode 7 of the p-channel type MIS transistor (Qp) is formed of a Pt (platinum) film.例文帳に追加

また、nチャネル型MISトランジスタ(Qn)のゲート電極6は、Ni(ニッケル)シリサイド膜で構成され、pチャネル型MISトランジスタ(Qp)のゲート電極7は、Pt(プラチナ)膜で構成されている。 - 特許庁

Metallic layers consisting of nickel are respectively formed on the surfaces of the n^+-type semiconductor area 5 and the p^+-type semiconductor area 7 and the metallic layers are treated with heat to form 1st and 2nd silicide layers 11, 13.例文帳に追加

N^+型半導体領域5の表面とP^+型半導体領域7の表面とにニッケルから成る金属層を設け、熱処理して第1及び第2のシリサイド層11、13を形成する。 - 特許庁

A silicon resistor 1 is obtained by forming metal electrodes 2 and 2, consisting of a nickel/silver alloy on the front and the back surfaces of a silicon single-crystal wafer to which an N-type impurity is doped in this chip resistor.例文帳に追加

N型の不純物をドーピングしたシリコン単結晶ウエハの表裏面にニッケル/銀合金からなる金属電極2、2を形成してシリコン抵抗体1を得る。 - 特許庁

The sealing liquid for the anodic oxide film of aluminum or an aluminum alloy contains a nickel salt of organic acid and a high polymer expressed by general formula; (wherein, AO is an oxy alkylene with a carbon number of 2-10; m is 1-1,000; and n is 1-100).例文帳に追加

有機酸のニッケル塩と下記の一般式で表される高分子とを含有していることを特徴とするアルミニウム又はアルミニウム合金の陽極酸化皮膜の封孔処理液。 - 特許庁

The tetraarylphosphonium halide is produced by reacting the triarylphosphine with the aryl halide by using a metal halide such as nickel chloride as a catalyst and N, N-dimethylformamide as a reaction solvent, preferably at a temperature of 130°C or more to less than 150°C.例文帳に追加

トリアリールホスフィンとハロゲン化アリールを、触媒として塩化ニッケルのような金属ハロゲン化物触媒、反応溶媒としてN,N−ジメチルホルムアミドを用いて、好ましくは130℃以上150℃未満の温度において反応させ、テトラアリールホスホニウムハライドを製造する。 - 特許庁

The positive electrode active material should contain lithium-nickel composite oxide expressed by the composition formula LiNi_1-x-y-zCo_xAl_yMg_zO_2, where the conditions should be met that 0.1≤x≤0.3 and 0.02≤y+z≤0.2, while the solvent should contain dimethyl acetoamide and either or both of N and N-dimethyl formamide.例文帳に追加

ここで、正極活物質は、組成式LiNi__1-x-y-zCo_xAl_yMg_zO_2(0.1≦x≦0.3、0.02≦y+z≦0.2)で表されるリチウムニッケル複合酸化物を含むものとし、溶媒は、ジメチルアセトアミドおよびN,N−ジメチルホルムアミドの少なくとも一方を含むものとする。 - 特許庁

This electrocatalyst for the hydrogen electrode of the low-temperature type fuel cell which carries, on carbon, particles platinum or its alloy and N,N'-bis (salicylidene) ethylene-diamino metal complex or N,N'-mono-8-quinolyl-o-phenylene-diamine metal complex in which the complex central metal is a metal atom selected from oxo-vanadium, manganese, iron, cobalt, nickel, palladium, and tin.例文帳に追加

白金又はその合金と、錯体中心金属がオキソバナジウム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、パラジウム、錫から選ばれる金属原子である、N,N'−ビス(サリシリデン)エチレンジアミノ金属錯体あるいはN,N'−モノ−8−キノリル−o−フェニレンジアミン金属錯体とをカーボン粒子に担持したものである低温型燃料電池の水素極用電極触媒。 - 特許庁

A specific aromatic boron compound is reacted with a specific halogen compound, etc., in the presence of a base, using a catalyst composition comprising a complex of nickel chloride and N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine and triphenylphosphine in an ether solvent by adding 0.5-3 times mol of water based on the aromatic boron compound.例文帳に追加

塩基の存在下、塩化ニッケルとN,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミンとの錯体及びトリフェニルホスフィンからなる触媒組成物を用い、エーテル系溶媒中で、特定の芳香族ホウ素化合物と特定のハロゲン化合物等とを、芳香族ホウ素化合物に対し0.5〜3倍モル量の水を添加して反応させる。 - 特許庁

The electrode active material is a polymer transition metal complex compound having specific structure, and the transition metal complex compound is comprised of an N,N'-bisaminobenzal compound, for example, N,N'-bis(2-aminobenzal)ethylene diaminate nickel, connected with a divalent aliphatic group or a saturated or unsaturated aromatic group, and having Ni, Pb, Co, Cu, Fe as the transition metal.例文帳に追加

特定構造の高分子遷移金属錯体化合物からなる電池活物質であって、上記遷移金属錯体化合物は、二価の脂肪族ないしは飽和または不飽和の芳香族基で連結され、遷移金属として、Ni、Pb、Co、Cu、Feを有するN,N’−ビスアミノベンザル化合物、例えばN,N’−ビス(2−アミノベンザル)エチレンジアミネートニッケルからなる。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a n-type GaN semiconductor layer, an active layer formed on the gallium surface of the n-type GaN semiconductor layer, a p-type semiconductor layer formed on the active layer, and a n-type electrode containing a lanthanum (La)-nickel (Ni) alloy, formed on the nitrogen surface of the n-type GaN semiconductor layer.例文帳に追加

本発明による半導体発光素子は、n型GaN半導体層、n型GaN半導体層のガリウム表面に形成された活性層、活性層上に形成されたp型半導体層と共に、n型GaN半導体層の窒素表面に形成されたランタン(La)−ニッケル(Ni)合金を含むn型電極を含む。 - 特許庁

In this palladium electroplating method, metal material is subjected to nickel plating, is surface treated with a reaction product of N- containing heterocyclic azole compound and epoxy silane compound, and palladium chloride and is subjected to palladium electroplating.例文帳に追加

本発明のパラジウム電気めっき方法は、金属材料にニッケルめっきを施し、含窒素複素環式アゾール化合物及びエポキシ系シラン化合物の反応生成物並びに塩化パラジウムで表面処理し、パラジウム電気めっきを施す。 - 特許庁

例文

The method includes at least a step of alkenylating the α-position by reacting an N-containing aromatic heterocyclic compound having H at the α-position with an alkyne compound in the presence of a nickel catalyst, a phosphine-based ligand and a Lewis acid catalyst.例文帳に追加

少なくともα位に水素原子を有する含窒素芳香族複素環化合物とアルキン化合物を、ニッケル触媒とホスフィン系配位子とルイス酸触媒の存在下で反応させ、当該α位をアルケニル化する工程を含んでなることを特徴とする。 - 特許庁

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