The area of which the n-side metal wiring layer contacts with the n-side metal pillar is larger than that of which the n-side metal wiring layer contacts with the n-side electrode.例文帳に追加

ｎ側金属配線層とｎ側金属ピラーとが接触する面積は、ｎ側金属配線層とｎ側電極とが接触する面積より大である。 - 特許庁

The area rate ξ (=(N×πD2/4S)×100 (%)) between the area (S (mm2)) of the first slide surface 5a and the total opening area (N×πD2/4 (mm2)) of the circular holes 7 is set to 0.1≤ξ≤1.0.例文帳に追加

第１滑り面５ａの面積（Ｓ（ｍｍ^2）^ ）に対する円形孔７の総開口面積（Ｎ・πＤ^2 ／４（ｍｍ^2）^ ）の面積比率ξ（＝（Ｎ・πＤ^2 ／４Ｓ）×１００（％））は０．１≦ξ≦１．０とする。 - 特許庁

Here, an insulating protection film 40 is inserted between the large-area portion 130p and n-type layer 11 to reduce the area of a junction portion between the large-area portion 130p and n-type layer 11.例文帳に追加

そこで、大面積部１３０ｐとｎ型層１１との間に、絶縁性保護膜４０を挿入して、大面積部１３０ｐとｎ型層１１との接合部の面積を減らす。 - 特許庁

A calculation section 25a calculates the product of the area (S_N) and exposure time (t_N) of an N-th shot at a predetermined unit obtained from pattern drawing data.例文帳に追加

描画データから得られた所定単位におけるＮ番目のショットの面積（Ｓ_Ｎ）と照射時間（ｔ_Ｎ）の積を演算部２５ａにて演算する。 - 特許庁

To provide a method of simply and highly accurately manufacturing a retardation plate having a wide area satisfying the relationship of n_x>n_z>n_y.例文帳に追加

ｎ_x＞ｎ_z＞ｎ_yの関係を満たす広い面積の位相差板を簡便に高精度で製造する方法を提供する。 - 特許庁

The n optical fiber bundles are tapered and the area of light input face is different from the area of light output face.例文帳に追加

また、前記ｎ個の光ファイバー束は、テーパー状に形状されており、光入力面の面積と、光出力面の面積とが異なっている。 - 特許庁

The N-type and P-type semiconductor devices of Peltier element have a small area on the side of cooling surface plate while a large area on the side of heating surface plate.例文帳に追加

ペルチェ素子のＮ型及びＰ型半導体素子は、冷却面板側の面積が小さく且つ発熱面板側の面積が大きい形状である。 - 特許庁

A bonded area Sn between the N-type electrode Ln and the bump 55b is larger than a bonded area Sp between the P-type electrode Lp and one of the bumps 55a.例文帳に追加

Ｎ型電極Ｌｎとバンプ５５ｂとの接合面積Ｓｎは、Ｐ型電極Ｌｐと１個のバンプ５５ａとの接合面積Ｓｐより大きい。 - 特許庁

When the number of sub-pixels is denoted as (n), the pixel area of the basic pixel is set to 2/(2n+1) and the pixel area of the sub-pixels is set to 1/(2n+1).例文帳に追加

副画素の数をｎとしたとき、基本画素の画素面積は１／（２ｎ＋１）とし、副画素の画素面積は２／（２ｎ＋１）に設定する。 - 特許庁

The cross-section (s) of an opening of the air duct 15 to the air and water duct 14 is smaller than the area (N) of an opening of the air and water nozzle 4.例文帳に追加

送気送水管路１４に対する送気管路１５の開口部の断面積（ｓ）を、送気送水ノズル４の開口面積（Ｎ）より小さく形成した。 - 特許庁

To reduce an area for elements, while an area for P-N junction is enlarged, when a diode structure is formed on a comparatively thin polycrystal line silicon layer.例文帳に追加

比較的薄い多結晶シリコン層上にダイオード構造を形成する場合に、ＰＮ接合の面積を大きくしながら、素子面積を低減する。 - 特許庁

The tensile stress nitride film 15 is configured so that the N-H peak area ratio to the Si-H peak area falls in a range of 2.5 to 2.7 when the Si-H peak area and the N-H peak area are obtained by FTIR (Fourier transform infrared spectroscopy).例文帳に追加

この引張応力窒化膜１５は、ＦＴＩＲ（フーリエ変換型赤外分光）法により、Ｓｉ-Ｈピーク面積およびＮ-Ｈピーク面積を求めたときに、Ｓｉ-Ｈピーク面積に対するＮ-Ｈピーク面積の比が２．５〜２．７の範囲内となる構造を有している。 - 特許庁

The binarizing means binarizes the restored image data with a second threshold, a defective area calculating means calculates a defective area S_2, an area comparing means detects a candidate blot having the defective area S_2 smaller than a specification area S_n as a noise and an element thereof is determined as a non-defective product.例文帳に追加

２値化手段で修復した画像データを第２のしきい値で２値化、欠陥面積算出手段で欠陥面積Ｓ_２を算出、面積比較手段で欠陥面積Ｓ_２が規格面積Ｓ_ｎより小さなものはノイズと検知し、良品と判定。 - 特許庁

The P-type electrode Lp is larger in area than the N-type electrode Ln.例文帳に追加

Ｐ型電極ＬｐとＮ型電極Ｌｎとでは、Ｐ型電極Ｌｐの方が面積が広い。 - 特許庁

To improve S/N while suppressing an increase in power consumption and an increase in chip layout area.例文帳に追加

消費電力の増加とチップレイアウト面積の増加を抑制しつつ、Ｓ／Ｎ比を改善する。 - 特許庁

Thereby, the areal ratio S and the coefficient N are utilized to adjust the feed rate of the dampening water.例文帳に追加

そして、面積率Ｓと係数Ｎを利用して湿し水の供給量を調整する。 - 特許庁

Here, the large-area portion 130p is connected to the unillustrated linear "n" contact electrode.例文帳に追加

尚、大面積部１３０ｐは図示しない線状のｎコンタクト電極と接続されている。 - 特許庁

To provide a magnetic storage that can cope with both a sufficient S/N ratio and a fine cell area.例文帳に追加

十分なＳ／Ｎ比と微細なセル面積との双方を両立できる磁気記憶装置を提供する。 - 特許庁

For finding n pixels, n pixels are extracted, based on an area of each image object without respect to the shape of the object.例文帳に追加

ｎ個の画素を求める際には、各画像オブジェクトの面積に基づいて、その形状に関わらず、ｎ個の画素を抽出する。 - 特許庁

An area where the oil chamber 8 receives pressure from the piston 4 is variable in N-stages (N is an integer of two or greater).例文帳に追加

ピストン４に対する油室８側の受圧面積は、Ｎ段階（Ｎは２以上の整数）で可変に構成される。 - 特許庁

The memory n-type MIS transistor QM1 has a channel area smaller than that of the logic n-type MIS transistor QL1.例文帳に追加

また、メモリ用ｎ型ＭＩＳトランジスタＱＭ１は、ロジック用ｎ型ＭＩＳトランジスタＱＬ１よりもチャネル面積が小さい。 - 特許庁

The surface of an n^- surface area 14 as a surface exposed part of an n^- drift layer 12 with high specific resistance is striped while surrounded with a p well area 13 and the area ratio of the n^- surface area 14 to the p well area 13 including an n^+ source area 15 is 0.01 to 0.2.例文帳に追加

高比抵抗のｎ^- ドリフト層１２の表面露出部であるｎ^- 表面領域１４の表面形状をｐウェル領域１３で囲まれたストライプ状とし、ｎ^+ ソース領域１５を含むｐウェル領域１３の面積に対するｎ^- 表面領域１４の面積比を、０．０１〜０．２の範囲とする。 - 特許庁

The parameter includes at least one of an engine parameter group including high pressure and low pressure turbine nozzle flow areas 42 and 52, fan and core flow areas 62 and 72, and a rotor speed N.例文帳に追加

パラメータは、高圧及び低圧タービンノズル流れ面積(42,52)、ファン及びコア流れ面積(62,72)並びにロータ速度(N)を含むエンジンパラメータの群のうちの１以上を含む。 - 特許庁

A comparator 6 applies multi-value gradation conversion to each pixel whose resolution is converted and an area gradation conversion section 8 replaces the pixels whose gradation is converted with an area gradation pattern consisting of N×N pixels in response to its multi-value level.例文帳に追加

解像度変換された各画素をコンパレータ６で多値に階調変換し、階調変換された画素を面積階調変換部８においてその多値レベルに応じたＮ×Ｎ画素の面積階調パターンに置き換える。 - 特許庁

Furthermore, dark sections are ordered in descending order of their areas, and a dark section is decided as the print contamination, whose area size is counted as (n+1)th or smaller, (where n is the number of printed sections).例文帳に追加

また、暗部を面積の大きい順に順序づけし、面積の大きさが（ｎ＋１）番目以下（ｎは印刷部の個数）となる暗部を印刷汚れとする。 - 特許庁

A ratio An/N of a total area An of the pressure adjusting projections 18 to area N of the incidence surface in plan view is set to 5 to 20%.例文帳に追加

平面視における入射面の面積Ｎに対して圧力調整突起部１８の総面積Ａｎの割合Ａｎ／Ｎを５％〜２０％の範囲に設定した。 - 特許庁

In the imaging image of the periodicity pattern, a threshold (n) is determined based on the maximum pixel value (n) in a region (n) of periods (n=1,2, and the like), and the region (n) is binarized with the threshold (n) to obtain an area (n) in the periodicity pattern-inspecting apparatus and method.例文帳に追加

周期性パターンの撮像画像において周期ｎ（ｎ＝１，２，・・・）の領域ｎにおける最大画素値ｎに基づいてしきい値ｎを定め、そのしきい値ｎで前記領域ｎを２値化することにより面積ｎを導出するようにした周期性パターン検査装置と方法。 - 特許庁

Reflection layer regions 24 located in the respective light emitting regions 21 are formed to have different areas S_nr, and includes a pixel whose ratio of the area of the light emitting region 21 to the area of the reflection layer regions 24, E_n=S_nr/S_nl, is smaller than 1.例文帳に追加

各発光領域２１に配置される各反射層領域２４は、その面積Ｓ_nrがそれぞれ異なる大きさとなるように形成され、発光領域２１の面積と反射層領域２４の面積の比Ｅ_n＝Ｓ_nr／Ｓ_nlが１より小さい画素を含む。 - 特許庁

Analysis information change rates r_Ti, r_N of Ti and N constituting the sample 5 are calculated from relation data of an ionization cross section to (energy of a primary electron beam/binding energy).例文帳に追加

（一次電子線のエネルギー/結合エネルギー）に対するイオン化断面積の関係データから試料５を成すTiとNの分析情報変化率ｒ_Ti、ｒ_Nを算出する。 - 特許庁

To provide a method of simply and highly accurately manufacturing a retardation plate having a wide area satisfying the relationship of R_450<R_550<R_650 or 0<(n_x-n_z)/(n_x-n_y)<1.例文帳に追加

Ｒ_450＜Ｒ_550＜Ｒ_650の関係または０＜（ｎ_x−ｎ_z）／（ｎ_x−ｎ_y）＜１の関係を満たす広い面積の位相差板を簡便に高精度で製造する方法を提供する。 - 特許庁

The ratio A2/A1 of the sheath area A2 of the grounding electrode 14 to the sheath area A1 of the substrate is set so that the value (A2/A1)^n (where (n) is the n-th power of the coefficient determined by the pressure in the reaction vessel 2 is about 80 to 90).例文帳に追加

基板１０のシース面積Ａ１に対するアース電極１４のシース面積Ａ２の比率Ａ２／Ａ１を、反応槽２内の圧力によって定めた係数ｎ乗した値（Ａ２／Ａ１）^ｎが、約８０乃至９０となるように、構成されている。 - 特許庁

The contact hole 69 having an area (upper-opening area) smaller than that of the n-type semiconductor layer 71 is formed in the insulating layer (66, 68) and the p-type semiconductor layer 64 and the i-type semiconductor layer 70 contact with each other through the contact hole 69.例文帳に追加

絶縁層（６６，６８）にｎ型半導体層７１の面積よりも小さい面積（上部開口面積）のコンタクトホール６９を形成し、当該コンタクトホール６９を介してｐ型半導体層６４とｉ型半導体層７０が接するようにする。 - 特許庁

When a map picture to be displayed is determined in accordance with user's instruction input, a reference area setting section 13 equally divides the area of whole range shown by the map picture to be displayed into n pieces and sets the obtained value as a reference area.例文帳に追加

ユーザの指示入力に応じて表示対象の地図画像が決定されると、基準面積設定部１３が、この表示対象の地図画像で示される領域全体の面積をｎ等分して、得られた値を基準面積として設定する。 - 特許庁

The (n)th antenna electrode is arranged so that a projection area (S) and a range (R) from the developer carrier 12 satisfy the next relation, Sn-1≤Sn, and Rn-1≤Rn(2<n≤N).例文帳に追加

ｎ番目のアンテナ電極は、現像剤担持体１２からの投影面積（Ｓ）と距離（Ｒ）が、 Ｓｎ−１≦Ｓｎ 且つ Ｒｎ−１≦Ｒｎ （２≦ｎ≦Ｎ） の関係を満たす。 - 特許庁

To reduce area by providing deep n-type wells at the middle of a p-type semiconductor substrate, p-type wells contacting the above n-type wells and n-type wells contacted of the above p-type wells.例文帳に追加

半導体基板の中部に深いウエルを有する場合、面積低減ができ、しかも高性能な半導体素子を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A specific name selection section 14 selects n specific names of the range whose range area is close to the reference area out of the areas contained in the map picture to be displayed.例文帳に追加

そして、特定名称選択部１４が、表示対象の地図画像に含まれる領域のうちで、領域面積が基準面積に近い領域の特定名称をｎ個選択する。 - 特許庁

When the threshold voltage Vth of this Pch transistor is changed, proportions of the areas occupied by the N-type region 11a and the P-type regions 11b on a channel region 7 are changed.例文帳に追加

このＰｃｈトランジスタのしきい値電圧Ｖthを変更する際、チャネル領域７上でＮ型領域１１ａが締める面積とＰ型領域１１ｂが占める面積の割合を変更する。 - 特許庁

The regrown undoped GaN semiconductor layer 105 and the n^+-type GaN contact semiconductor layer 106 form a portion grown in a longitudinal direction, thus making a contact area of an electrode more enlarged than the area of the opening.例文帳に追加

再成長したアンドープＧａＮ半導体層１０５及びｎ＋型ＧａＮコンタクト半導体層１０６は横方向に成長した部分であり、開口部の面積よりも電極のコンタクト面積を大きくできる。 - 特許庁

To provide a large-surface, accurate electromagnetic wave detector which employs an active matrix array, having a secured maximum surface occupation of charge-collecting electrode and which has superior S/N ratio.例文帳に追加

電荷収集電極の面積占有率をできるだけ大きく確保できるアクティブマトリクスアレイを採用しながら、Ｓ／Ｎの優れた、大面積で高精細の電磁波検出器を提供する。 - 特許庁

The narrow segment 17 has a width direction cross section smaller than a width direction cross section of a non-opposite region of the element isolation layer 12 in the p-type polysilicon layer 14A1 and n-type polysilicon layer 14B1.例文帳に追加

狭窄部１７は、ｐ型ポリシリコン層１４Ａ１およびｎ型ポリシリコン層１４Ｂ１のうち素子分離層１２との非対向領域の幅方向断面積よりも小さな幅方向断面積を有する。 - 特許庁

The magnesia spinel molded body obtained in the manner as described above has a BET specific surface area of 0.1-10 m^2/g, a pore volume of 0.3 cm^3/g or more, and pressure resistance per cross section of 200 N/cm^2 or more.例文帳に追加

このようにして得られたマグネシアスピネル成形体は、ＢＥＴ比表面積が０．１〜１０ｍ^2／ｇであり、細孔容積が０．３ｃｍ^3／ｇ以上であり、断面積あたりの耐圧強度が２００Ｎ／ｃｍ^2以上である。 - 特許庁

The pixel area S of the EL elements in each row is S_i=S_1×2^i-1 (wherein i is the number of row in each EL element row and a natural number from 1 to N, and S_1 is the area of the light emitting pixel of the EL element of the first row).例文帳に追加

各列におけるＥＬ素子の画素面積Ｓは、Ｓ_ｉ＝Ｓ_１×２^ｉ−１（ただし、ｉは各ＥＬ素子列の列番号であり、１からＮまでの自然数、Ｓ_１は第１列のＥＬ素子の発光画素の面積である）である。 - 特許庁

Since the surface area of a V-CCD 15 comprising the n- type diffusion layer 15a serving as a charge transfer part is small per unit cell 10, surface area of a photodiode 21 can be increased per unit cell 10.例文帳に追加

このため、電荷の転送部分となるｎ^-型の拡散層１５ａからなるＶ−ＣＣＤ１５の単位セル１０あたりの表面積は小さく、フォトダイオード２１の単位セル１０あたりの表面積を大きくすることができる。 - 特許庁

When the temperature changes, the area of the region of the depletion layer 13 changes and each area of the regions of the P-type semiconductor layer 11 and the N-type semiconductor layer 12 also changes, so that desired temperature characteristics are given to a MOS transistor.例文帳に追加

温度が変化すると、空乏層１３の領域の面積が変化し、Ｐ型半導体層１１及びＮ型半導体層１２の領域の面積もそれぞれ変化することで、ＭＯＳトランジスタに所望の温度特性を与えられる。 - 特許庁