次いで、前記分離層４に沿って前記亀裂を成長させ、前記複合部材を完全に分離する。例文帳に追加

Next, the crack is grown along the isolation layer 4 so as to separate the compound member completely. - 特許庁

このバリア膜は、骨成長領域および非骨成長領域を位分離し、且つ骨が非骨成長領域の中に成長するのを防止する。例文帳に追加

The barrier membrane separates a bone-growth area from a non-bone-growth area, and prevents bone from growing into the non-bone area. - 特許庁

この分離は、人間の成長過程で普遍的な現象である。例文帳に追加

This discrepancy appears ubiquitously as a phenomenon in the process of growth of human beings.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

戦後復興・高度成長期においては、厳格な銀証分離、長短分離などの専門性・分業制がとられるとともに例文帳に追加

In the periods of postwar economic reconstruction and high growth, Japan introduced the systems of specialization and division of work into its financial sector, maintaining strict walls between the banking and securities businesses and between the long-term and short-term financing businesses発音を聞く  - 金融庁

玩具とその玩具を制御する中央演算部とを分離できるようにし、分離した演算部のみを使用して成長させることをできるようにした。例文帳に追加

The toy and the central processing unit for controlling the toy are made separable, whereby only the separated processing unit is used for growth. - 特許庁

次いで、エピタキシャル成長層３および剥離層４を原料基板１００から分離する。例文帳に追加

Then, the epitaxial growth layer 3 and a peeling layer 4 are separated from the raw-material substrate 100. - 特許庁

半導体層から成長用基板を再現性よく分離することが困難である。例文帳に追加

To solve the problem wherein it is difficult to separate a substrate for growth from a semiconductor layer with proper reproducibility. - 特許庁

成長基板１１表面に達する深さをもつ分離溝３０を形成する（図１（ｄ））。例文帳に追加

An isolation trench 30 deep enough to reach the surface of a growth substrate 11 is formed (Fig.1(d)). - 特許庁

この結果、氷粒Ｃは純水に近い氷に成長して、濃縮水と分離される。例文帳に追加

As a result, the ice particles C grow into ice almost the same as that obtained from pure water and are separated from the concentrated water. - 特許庁

さらに、薄膜活性層を別の支持基板に実装し、薄膜活性層を成長基板から分離する。例文帳に追加

Further, the thin-film active layer is mounted on another supporting substrate, and the thin-film active layer is separated from a growth substrate. - 特許庁

前記エピタキシャル成長層は例えばサファイアなどの結晶成長に用いられた基板より分離されたものである。例文帳に追加

The epitaxial growth layer is separated from a substrate used for the growth of crystals, such as sapphire. - 特許庁

成長用基板の上に形成する半導体層が薄くても、再現性よく半導体層から成長用基板を分離する方法が望まれる。例文帳に追加

To provide a method of separating a growth substrate from a semiconductor layer with high reproducibility even when the semiconductor layer formed on the growth substrate is thin. - 特許庁

結晶成長層にダメージを与えることなくサファイア基板から結晶成長層を容易に分離することが可能なＧａＮ系化合物半導体の成長方法及び当該成長層付き基板を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a GaN-based compound semiconductor, by which a crystal growth layer can be easily separated from a sapphire substrate without causing damage to the crystal growth layer, and to provide a substrate with the growth layer. - 特許庁

透過流束を低下させる要因である分離膜表面へのケーキ層の成長を抑制するとともに、成長したケーキ層の剥離も効果的に行うことができる固液分離装置及びその洗浄方法を提供する。例文帳に追加

To provide a solid-liquid separator and the washing method for restraining growth of a cake layer on a separation membrane surface which is a factor for lowering a transmission flow flux and effectively remove the grown cake layer. - 特許庁

Ｓｉ基板４１の主面を複数の素子領域に区分する分離領域上に堆積分離構造４６を形成した後、素子領域上にエピタキシャル成長部分４７ａを成長させるとともに堆積分離構造４６上に多結晶シリコン部分４７ｂを形成する。例文帳に追加

A deposited isolation structure 46 is formed on an isolation region wherein a principal surface of an Si substrate 41 is divided into a plurality of device regions, an epitaxial growth 47a is then grown on the device regions, and a polycrystal silicon 47b is formed on the deposited isolation structure 46. - 特許庁

基板上に半導体成長促進層を介して選択成長したＬＥＤ等の半導体素子を基板及び半導体成長促進層から容易に分離できるようにすること。例文帳に追加

To easily separate a semiconductor element such as an LED selectively grown on a substrate via a semiconductor growth promoting layer from the substrate and the semiconductor growth promoting layer. - 特許庁

エタノール等の有機化合物と水との混合物よりなる被処理流体から水を分離する際などに用いられるゼオライト分離膜、特に、ＭＦＩ型またはＭＯＲ型のゼオライト膜について、これらのゼオライト膜分離に適した状態である、欠陥が少なく、緻密に成長できるとともに、分離対象である水分子を効率的に取り除くことができる、ゼオライト分離膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a zeolite separation membrane used when separating water from a treated fluid consisting of a mixture of organic compounds such as ethanol and water, which is in suitable conditions for these zeolite membrane separation, has little defects, may grow precisely, and may efficiently remove the water molecule that is the separation object, particularly with regard to the MFI type or MOR type zeolite membrane. - 特許庁

成長や特殊化による単細胞生物（イーストなどの）の生殖で、その後、親核の一部の収縮によって分離される例文帳に追加

reproduction of some unicellular organisms (such as yeasts) by growth and specialization followed by the separation by constriction of a part of the parent発音を聞く  - 日本語WordNet

この積層体ウェハを７００℃で１２０分間熱処理して、結晶成長時に不純物原子と結合した水素を分離する。例文帳に追加

The laminated wafer is thermally treated for 120 minutes at 700°C and hydrogen atoms combined with impurity atoms during crystal growth the separated therefrom. - 特許庁

（ｄ）温度が充分に低くなってから、半導体基板１とエピタキシャル成長用溶液４を分離する。例文帳に追加

After the temperature becomes sufficiently low, the semiconductor wafer 1 and the solution 4 for epitaxial growth are separated (d). - 特許庁

ＬＥＤ及びレーザダイオードの成長のため大面積で低欠陥密度の膜を分離する方法及び半導体デバイスの製造方法例文帳に追加

METHOD OF SEPARATING FILM WITH WIDE AREA AND LOW DEFECT DENSITY FOR GROWING LED AND LASER DIODE, AND A METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

結晶成長後の半導体超微粒子を含有する有機液層から該半導体超微粒子を効率よく分離する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for efficiently separating semiconductor ultramicroparticles from an organic liquid phase containing semiconductor ultramicroparticles after crystal growth. - 特許庁

ｎ型エピタキシャル層３と素子分離領域４の上にＳｉ層とＳｉＧｅ層をエピタキシャル成長により形成する。例文帳に追加

An Si layer and an SiGe layer are formed on the n-type epitaxial layer 3 and the element separation region 4 by epitaxial growth. - 特許庁

容器上面と水面には、蚊の呼吸用の空間を確保し、２０メッシュ深ザル（３）により、成長したボウフラ・蚊を分離する。例文帳に追加

A space for mosquito respiration is secured between the top of the container and a water surface and grown-up mosquito larvae and mosquitoes are separated by the deep bamboo basket (3) of 20 meshes. - 特許庁

後続のＣＭＯＳ酸化処理工程の期間中浅いトレンチ分離体の中で酸化物成長を排除する方法例文帳に追加

METHOD OF EXCLUDING GROWTH OF OXIDE IN SHALLOW TRENCH ISOLATING MEMBER IN PERIODS FOLLOWING CMOS OXIDATION TREATMENT PROCESS - 特許庁

主磁極または遮蔽層を分離するギャップ層の膜成長のためのシード積層としてのＮｉＣｒ例文帳に追加

NICKEL CHROMIUM AS SEED STACK FOR FILM GROWTH OF GAP LAYER SEPARATING MAGNETIC MAIN POLE OR SHIELD LAYER - 特許庁

前記分離板１が、その前記転写紙Ｓが通過する側の面１ａに、水滴の成長を阻止する多数の微小溝部５を有している。例文帳に追加

The separation plate 1 has many microgroove portions 5, stopping the drop of water from being grown, on its surface 1a where the transfer paper P passes on. - 特許庁

氷柱を生成する内筒から上方に向かって成長する氷柱より濃縮液を分離するように２つのカラム４３を配置する。例文帳に追加

Two columns 43 are so disposed as to separate a concentrated liquid from an icicle growing upward from an inner cylinder where the icicle is growing. - 特許庁

このように成長された窒化物半導体層を基板から分離して、窒化物半導体基板として使用できる。例文帳に追加

The grown nitride semiconductor layer may be separated from the substrate to be used as a nitride semiconductor substrate. - 特許庁

し渣排出部での付着、乾燥固形化、並びにその成長を防止するようにしたし渣分離脱水機を提供すること。例文帳に追加

To provide a screen residue separating and dewatering machine preventing adhesion, drying and solidification, and growth thereof at a screen residue discharge part. - 特許庁

半導体発光スタックは、成長基板から分離され、接合構造体を介して不透光性基板に接合される。例文帳に追加

The semiconductor luminescent stack is separated from a grown substrate and is bonded to the nontranslucent substrate through the bonding structure. - 特許庁

これによりPt粒子とRh粒子とを分離担持した効果が長期間維持でき、Pt及びRhの粒成長も抑制されるため耐久性が向上する。例文帳に追加

Accordingly, an effect of separately carrying the Pt particle and the Rh particle can be maintained for a long period and the grain growth of Pt and Rh is inhibited, thus durability is enhanced. - 特許庁

成長条件を制御することで，チューブ内の金属を分離して内包もしくは充填することができる。例文帳に追加

By controlling the growth condition, the metal in the tube can be included or filled, separately. - 特許庁

素子分離領域に凹部を形成した後、第３の半導体層を選択再成長させることで形成することができる。例文帳に追加

A recess is formed in the element separation region, and then the third semiconductor is selectively regrown. - 特許庁

本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板に溝部を形成し、第1の開口部の底面と溝部の底面に酸化膜を成長させて第１の分離膜及び第２の分離膜を形成し、第２の分離膜上にＰｉＰ容量素子を形成する工程を含む。例文帳に追加

A method of manufacturing the semiconductor device of the present invention includes the steps of: forming the groove portion on the semiconductor substrate; forming a first separation film and a second separation film by growing the oxide film on a bottom surface of a first opening and a bottom surface of the groove portion; and forming the PiP capacitive element on the second separation film. - 特許庁

かつて当該区間には側道があり、中央分離帯及び側道分離帯には1953年以降に植樹され大きく成長した212本のケヤキの街路樹もあった。例文帳に追加

This section having side roads was lined with 212 tall, fully grown zelkova trees, which were planted along the median strip and the side divider in 1953 or later.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

半導体基板上に分離層１２ｃ′を介して成長させたエピタキシャル層１３を、分離層で半導体基板から剥離しプラスチックフィルム基板２１に転写させる。例文帳に追加

A epitaxial layer 13 grown on a semiconductor substrate via an isolated layer 12c' is released from the semiconductor substrate in the isolated layer, and is transferred to a plastic film substrate 21. - 特許庁

誘電体分離酸化膜上にボイドを発生させることなくポリシリコン層を成長可能な誘電体分離ウェーハおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To obtain a dielectric isolation wafer which can grow a polysilicon layer without generation of voids on the dielectric isolation oxide film and a method of manufacturing the same wafer. - 特許庁

本発明では、選択成長によって結晶層中に内在する貫通転位などの欠陥を素子分離面とすることによって容易に、且つ平坦な素子分離面を形成された半導体素子とその製造方法を提供する。例文帳に追加

In the semiconductor device and its manufacturing method, defects such as penetration dislocation existing in a crystal layer due to selection growth are set to be element isolation surfaces, thus manufacturing the semiconductor device where a flat element separation surface is formed easily. - 特許庁

凝集反応水中の凝集物が高分子凝集助剤によって成長し、これに対して気泡が十分に付着し、効率良く浮上分離処理を行うことができる加圧浮上分離装置を提供する。例文帳に追加

To provide a pressure floatation device which makes flocculates in flocculation reaction water grow by a polymer coagulant aid, makes bubbles sufficiently adhere to the flocculates, and can perform efficient floatation separation. - 特許庁

熱酸化法によって、第１酸化窓１５ａ，第２酸化窓１５ｂの底面層に酸化膜を成長させてなる第１素子分離膜１６ａ、第２素子分離膜１６ｂを形成する。例文帳に追加

A first element separation film 16a and a second element separation film 16b are formed on the bottom layers of the first and second oxidation windows 15a and 15b by growing the oxide film. - 特許庁

基材１０’がＭｇＯ膜１３を有することで、その上のイリジウム膜又はロジウム膜１２の結晶性をより良く形成でき、また、成長させた単結晶ダイヤモンドを分離させる場合に良好な分離層として利用できる。例文帳に追加

Since the substrate 10' has the MgO film 13, the overlay iridium film or rhodium film 12 can be formed with better crystallinity, and the MgO film can be used as a good separation layer upon separating the grown single crystal diamond. - 特許庁

再成長が不要である分離溝を形成する光変調器において、分離溝部で損失の増大を抑制することができる光変調器を提供することにある。例文帳に追加

To provide an optical modulator capable of suppressing increase in loss in a separation groove part in the optical modulator wherein a separation groove whose re-growth is not needed is formed. - 特許庁

こうすることで、分離膜５の可動部５ａは気泡１７の成長により歪んで塑性域に達し、定常状態は図（ｃ）に示すように可動分離膜の表面積が増大した状態になる。例文帳に追加

As a result, the movable section of separation film 5 is deformed to be in a plasticity region by growing of the bubble 17 so that the movable separation film becomes in a condition that the surface area thereof is enlarged as a normal condition (c). - 特許庁