単結晶サファイヤ母材１上に単結晶酸化ニッケル薄膜２を成膜させる工程と、該単結晶酸化ニッケル薄膜２上に薄型単結晶サファイヤ基板３を成膜させる工程と、該薄型単結晶サファイヤ基板３と該単結晶サファイヤ母材１とを分離する工程を含むことを特徴とする、薄型単結晶サファイヤ基板３の成長方法。例文帳に追加

The manufacturing process of thin sapphire substrates comprises a step in which a single crystal nickel oxide thin film 2 is formed on a single crystal sapphire preform 1, a step in which a thin single crystal sapphire substrate 3 is formed on the single crystal nickel oxide thin film 2 and a step in which the thin single crystal sapphire substrate 3 and the single crystal sapphire preform 1 are separated. - 特許庁

特に、前記方法においては、GaN単結晶面のダメージを防止できるサファイア基板の分離工程を提案する。例文帳に追加

The method of manufacturing the diode includes a step of separating a sapphire substrate which can prevent the surface of a single GaN crystal from being damaged. - 特許庁

該方法は、半導体材料の溶融物から単結晶の引上げる工程、その際ドーピング物質ガスを半導体材料に供給する、及び引上げた単結晶から窒素をドープした半導体ウェハを分離する工程を含む。例文帳に追加

The method comprises a process of pulling up single crystal from molten liquid of a semiconductor material while supplying a doping material gas to the semiconductor material and a process of separating the semiconductor wafer doped with nitrogen from the pulled-up single crystal. - 特許庁

基材基板と窒化ガリウム単結晶層との分離が容易であって大面積化が可能な窒化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a gallium nitride single crystalline substrate which enables easy splitting of a gallium nitride single crystalline layer from a base substrate and production of a large-area substrate. - 特許庁

単結晶半導体基板に加速されたイオンを照射することにより単結晶半導体基板中に脆化領域を形成する工程と、絶縁層を介して単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせる工程と、脆化領域において単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に絶縁層を介して単結晶半導体層を形成する工程とを有し、単結晶半導体基板へのイオンの照射は、イオンドーピング法を用い且つ単結晶半導体基板を冷却しながら行う。例文帳に追加

The irradiation of the single-crystal semiconductor substrate with the ions is carried out by using an ion doping method while cooling the single-crystal semiconductor substrate. - 特許庁

本発明は縦型ボート法により化合物半導体単結晶を成長させた際に、固化した結晶とルツボとの分離が容易で、ルツボ本体は再利用することが可能なルツボキャップを提供する。例文帳に追加

To provide a crucible capping wherein when a compound semiconductor single crystal is grown by a vertical boat method, the solidified crystal is easily separated from the crucible, and the crucible itself can be reutilized. - 特許庁

単結晶基板１上に犠牲層としても機能するバッファー層２を形成する工程と、バッファー層２上に強誘電体素子６（強誘電体薄膜４）を形成する工程と、強誘電体素子６（強誘電体薄膜４）を単結晶基板１から分離する工程と、単結晶基板１から分離された強誘電体素子を任意基板上に配設する工程と、を備えた強誘電体素子の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing the ferroelectric element comprises steps of forming a buffer layer 2 also serving as a sacrificial layer on a single crystal substrate 1, forming the ferroelectric element 6 (ferroelectric thin film 4) on the buffer layer 2, separating the ferroelectric element 6 (ferroelectric thin film 4) from the single crystal substrate 1, and disposing the ferroelectric element 6 separated from the single crystal substrate 1 on any substrate. - 特許庁

本発明による超電導テープは、単結晶または配向された表面を有する基本母材上に、溶媒に溶解可能な分離層を形成し、分離層の上部に超電導層を形成し、超電導層の上部に支持層を形成した後、分離層を溶媒による溶解方法で除去して製造される。例文帳に追加

The superconducting tape is manufactured by forming a solvent-soluble separation layer on a base having a single crystal or texture surface, forming a superconducting layer on the separation layer, forming a support layer on the superconducting layer and removing the separation layer by dissolution in a solvent. - 特許庁

超音波探触子（１０６）用の音響積層体（３７０）を形成するための方法が、単結晶圧電材料を、複数の切り溝（２４２）によって一部分離された単結晶片（２４０）を形成するように一部ダイシングするステップを含む。例文帳に追加

The method for forming an acoustic laminated body (370) for an ultrasonic probe (106) includes a step of partially dicing the single-crystal piezoelectric material so as to form a single crystal piece (240) partially separated by a plurality of cut grooves (242). - 特許庁

ダブルデッカー閉環型Ｔ_８のトランス／シス異性体混合物を再結晶処理により、それぞれ単独に分離（単離）し、もしくは一方の異性体が過剰になる様に分離し、それを用いて重合したポリマー及びその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a polymer obtained by the processes of separating (isolating) a double decker ring closure type T_8 trans/cis isomer mixture each singly, or separating so that one of the isomers becomes excessive by a re-crystallization treatment and then polymerizing by using the above, and a method for producing the same. - 特許庁

歪み誘起多孔質シリコン上に、高品質な単結晶歪みシリコン層を有する半導体部材および、その半導体部材を用い、移設法（貼り合わせ、分離）を利用した歪みＳＯＩ基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor component having a high-quality single-crystal strained silicon layer on a strain-induced porous silicon, and a manufacturing method for a strained SOI substrate that uses the semiconductor component and employs a transferring method (lamination and separation). - 特許庁

単結晶半導体基板にイオンを照射して、前記単結晶半導体基板中に脆化領域を形成する工程と、絶縁膜を介して前記単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせる工程と、前記脆化領域において前記単結晶半導体基板と前記ベース基板とを分離して、前記ベース基板上に前記絶縁膜を介して半導体層を形成する工程とを有することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法である。例文帳に追加

A method for manufacturing an SOI substrate includes the steps of irradiating a single crystal semiconductor substrate with ions to form an embrittled region in the single crystal semiconductor substrate, bonding the single crystal semiconductor substrate to a base substrate with an insulating film therebetween, and separating the single crystal semiconductor substrate and the base substrate at the embrittled region to form a semiconductor layer over the base substrate with the insulating film therebetween. - 特許庁

本発明の一側面は、予備基板上に窒化物単結晶層を形成する段階と、上記窒化物単結晶層の上面に流動性を有する硬化性接着物質を塗布し、上記接着物質を硬化させポリマー支持層を形成する段階と、上記予備基板の下面にレーザーを照射して上記予備基板から上記窒化物単結晶層を分離する段階とを含む窒化物単結晶基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

The manufacturing method of the nitride single crystal substrate comprises the stages of forming the nitride single crystal layer on a reserve substrate; forming a polymer supporting layer by applying a hardenability adhesive substance having mobility on a top face of the nitride single crystal layer, and by hardening the adhesive substance; and separating the nitride single crystal layer from the reserve substrate by irradiating a bottom face of the reserve substrate with laser. - 特許庁

素子分離層３が形成された単結晶のＳｉ基板１上に、エピタキシャル成長法によってＳｉＧｅ層１１とＳｉ層１３とを順次積層する。例文帳に追加

On a single crystal Si substrate on which an element isolation layer 3 has been formed, a SiGe layer 11 and a Si layer 13 are laminated sequentially by the epitaxial growth method. - 特許庁

潤滑油及び冷媒を含む試料を収容する単結晶サファイア管からなる試験管及び該試料温度の制御手段を有する二層分離温度測定装置及びその測定方法である。例文帳に追加

The two-layer separating temperature measuring device is, as well as the measuring technique thereof, presented which includes a test tube consisting of a single crystal sapphire tube containing samples such as lube oil and refrigerant and a controlling means for the sample temperature concerned. - 特許庁

素子分離領域の絶縁膜高さが実質的に一様であり、膜厚の異なる複数の単結晶半導体層を有し、微細な配線加工が容易な構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor apparatus in which insulation films are practically equally high in the element isolation region, which has multiple single crystal semiconductor layers with different film thicknesses, and which has a structure enabling easy minute wiring, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

本発明は、単結晶の複数個の欠陥を重複せずに分離してカウントし、かつ、同一の欠陥の複数回カウントを回避することにより高精度に欠陥密度を測定する方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for measuring the flaw density of a single crystal with high precision by separating a plurality of the flaws of the single crystal without overlapping them each other to count them and avoiding that the same flaw is counted a plurality of times. - 特許庁

基板上に、単結晶半導体層をチャネル形成領域に有する第１のトランジスタと、当該第１のトランジスタと絶縁層を介して分離され、酸化物半導体層をチャネル形成領域に有する第２のトランジスタと、当該単結晶半導体層及び酸化物半導体層を有するダイオードを有する半導体装置、及び、その作製方法に関する。例文帳に追加

A semiconductor device comprises, on a substrate, a first transistor including a single crystal semiconductor layer in a channel formation region, a second transistor separated from the first transistor via an insulation layer and including an oxide semiconductor layer in a channel formation region, and a diode including the single crystal semiconductor layer and the oxide semiconductor layer, and its manufacturing method is provided. - 特許庁

本発明の窒化ガリウム単結晶基板の製造方法によると、成長用基板の分離のためのレーザー照射段階前に前記成長用基板が分割されるよう溝を形成してパターニングすることにより、２インチ以上の大きい窒化ガリウム単結晶基板を製造する場合にも格子不整合と熱膨張係数によるクラックを最少化し良質のＧａＮ系の単結晶基板を製造することができる。例文帳に追加

By the manufacturing method of the gallium nitride single crystal substrate, the occurrence of cracks due to lattice mismatching and a difference between coefficients of thermal expansion is made minimum, and the good quality GaN-based single crystal substrate even having a size of ≥2 in can be manufactured by forming the grooves and patterning the substrate so that the growth substrate can be divided, before the laser irradiation step for separating the growth substrate. - 特許庁

窒化物単結晶基板の製造方法は、母基板２１上にＺｎＯ層２３を形成する段階と、上記ＺｎＯ層上にＮソースとしてジメチルヒドラジン（ＤＭＨｙＤＭＨｙ）を使用して低温窒化物バッファ層２４を形成する段階と、上記低温窒化物バッファ層上に窒化物単結晶２５を成長させる段階と、上記ＺｎＯ層を化学的に除去することにより上記母基板から上記窒化物単結晶を分離させる段階とを含む。例文帳に追加

The method for manufacturing a nitride-based single crystal substrate includes steps of: forming a ZnO layer 23 on a base substrate 21; forming a low-temperature nitride buffer layer 24 using dimethyl hydrazine (DMHy) as an N source on the ZnO layer; growing a nitride single crystal 25 on the low-temperature nitride buffer layer; and separating the nitride single crystal from the base substrate by chemically eliminating the ZnO layer. - 特許庁

微生物の発酵培養により培養液中に生産された乳酸を分離する工程を含む乳酸の製造方法であって、（ａ）該培養液をナノフィルターに通じて濾過する工程、続いて（ｂ）乳酸を結晶化し単離する工程を含む、乳酸の製造方法。例文帳に追加

The method for producing lactic acid comprises a step of isolating lactic acid produced by fermentation culture of the microorganism in a culture solution, and further comprises (a) a step of filtering the culture solution through a nanofilter, and (b) a step of isolating lactic acid by crystallization. - 特許庁

ＣＺ炉内を昇降する熱遮蔽体を備えるＣＺ法単結晶引上げ装置において、装置の外殻を構成するチャンバ１１を、下段チャンバ11Ｚ、中段チャンバ11Ｙ、上段チャンバ11Ｘと、それぞれ分離したものが個々に旋回するように構成する。例文帳に追加

In the CZ method-based single crystal pulling device having a heat shielding body being made vertically movable in a CZ furnace, a chamber 11 constituting the outer shell of the device is divided into the lowest stage chamber 11Z, the middle stage chamber 11Y and the highest stage chamber 11X and each of the chambers is made independently rotatable. - 特許庁

単結晶シリコントランジスタ素子５は、液晶駆動用のトランジスタ回路を形成した後、異方性エッチングによって液体中に分離作製し、液体中配列法で高分子厚膜６に形成した穴に配列させ、平滑化剤を形成して段差や隙間を埋める。例文帳に追加

Single crystal silicon TR elements 5 are separately manufactured in liquid by anisotropic etching after formation of TR circuits for liquid crystal driving and are arranged in holes formed in the high polymer thick film 6 by an intra- liquid arranging method, and a smoother is formed to fill steps and gaps. - 特許庁

フォトリソグラフィーなどのナノ精密微細加工技術かつ複雑な処理工程を用いることなく、大きな分子量を有するブロック共重合体のミクロ相分離による自己組織化を利用して、視認可能なサイズの単結晶様の巨大グレイン（ミクロ相分離構造集合体）のポリマー構造体を簡易に製造することが可能な方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for easily producing a polymer structure of a single crystal-like huge grain (microphase separation structure aggregate) having a visible size by utilizing self-organization by microphase separation of block copolymer having a large molecular weight without using a nano precision ultra-fine processing technology such as photolithography and a complicated treatment process. - 特許庁

電子ビームを用いた極微細パターンを形成する必要なく、簡単な方法で単結晶シリコンナノワイヤを形成し、基板から分離されたナノワイヤを他の酸化膜又は絶縁膜が形成されたシリコン基板などに転写させることで複雑なナノワイヤ位置合わせ工程やＳＯＩウエハーが不要な低コストの半導体ナノワイヤ素子を大量に製造することができる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a large quantity of semiconductor nano wire elements eliminating a complicated nano wire positioning step and an SOI wafer at a low cost, with no necessity of forming an extremely fine pattern using electronic beams, and by forming a single crystal silicon nano wire by an easy method, transferring the nano wire separated from a substrate onto an other oxide film or a silicon substrate formed with an insulating film. - 特許庁

詳細には、イオン注入等の方法によって窒素含有層を形成する方法や、アモルファスシリコン層を素子分離用トレンチ側壁に積層し、これを固相エピタキシャル成長により単結晶シリコン層を形成する方法により、ＳＯＩ層と埋め込み酸化シリコン層との界面での酸素拡散を防止し、隣接したＳＯＩ層の酸化を防止する。例文帳に追加

More specifically, oxidation of adjacent SOI layers is prevented by preventing diffusion of oxygen at the interface of the SOI layer and the buried silicon oxide layer using a method for forming the nitrogen containing layer by ion implantation or a method for forming an amorphous silicon layer on the side wall of the isolation trench and forming a single crystal silicon layer through solid phase epitaxial growth. - 特許庁

ケトン化合物とマロン酸から１，３−ジオキソラン−４，６−ジオン化合物を製造する方法であって、誘電率１０以上の有機溶剤と水からなる混合媒体から１，３−ジオキソラン−４，６−ジオン化合物を結晶として析出させ、これを固液分離によって単離する工程を含む製造方法。例文帳に追加

The method for producing 1,3-dioxolane-4,6-dione compound from a ketonic compound and malonic acid comprises a step for precipitating 1,3-dioxolane-4,6-dione compound as a crystal from a mixture medium comprising an organic solvent having ≥10 permittivity and water and isolating the crystal by solid-liquid separation. - 特許庁

半導体層欠損領域の修復の際に作業時間の増大を回避し、より効率的に修復を行うことができ、さらに単結晶半導体層の欠損領域に残存する異物を的確、有効に分離除去することにより、レーザ照射時における異物の残存等に伴うシリコン膜の破裂・消失を低減させることができる半導体基板の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate that repairs a semiconductor layer missing region more efficiently by avoiding an increase in operation time, and reduces breaking and loss of a silicon film due to remaining foreign matter etc., during laser irradiation by accurately and effectively separating and removing the foreign matter remaining in the missing region of a single-crystal semiconductor layer. - 特許庁

半導体装置の製造方法に関し、高誘電率絶縁薄膜を成膜した後、簡単な手段を施すことで、熱処理を行っても非晶質相が結晶相に相転移したり、或いは、相分離を生じることがないようにして、高誘電率絶縁薄膜の物理的特性及び電気的特性を均一に維持できるようにする。例文帳に追加

To uniformly maintain the physical characteristics and electrical characteristics of a high permittivity insulating thin film by phase transferring an amorphous phase to a crystal phase or without phase separation even when a heat treatment is conducted by conducting a simple means after the high permittivity insulating thin film is formed. - 特許庁

ＳＴＩデバイス素子分離手法を実施するに際し、一般のミラー（鏡面研磨）シリコンウエハ表面に存在するナノトポグラフィー領域の微小うねりを簡易に、かつ、有効に減少させ、前記ＣＭＰ研磨処理により形成する薄膜の膜厚ムラの発現を減少させ、ＣＭＰ工程におけるパフォーマンス低下を誘引することがないナノトポグラフィー平坦性が改善されたシリコン単結晶ウエハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a silicon single crystal wafer that simply and effectively reduces minute waviness in a nanotopography region existing on the surface of a general (mirror surface-polishing) silicon wafer, reduces the manifestation of film thickness irregularity of a thin film by the CMP polishing treatment, and has improved nanotopography flatness where reduction in performance in the CMP process is not induced when performing the STI device element separation method. - 特許庁