超音波熱圧着の英語

キャパシタ１４０の電極１４２、１４４は、超音波熱圧着により突起状金属電極１１０Ａ、１１０Ｂと金属結合される。例文帳に追加

The electrodes 142, 144 of the capacitor 140 are metallurgically bonded to the protrusion-shaped metal electrodes 110A, 110B by supersonic thermocompression bonding. - 特許庁

この場合、前記接着領域は、熱圧着、超音波融着、或いは接着樹脂によって接着されるようにするとよい。例文帳に追加

The adhesive region is preferably adhered by heat-pressing, ultrasonic melting or with adhesive resin. - 特許庁

この熱圧着中には、基板１７および感光材料１８に対して、音波発生部４２からの超音波による微小な振動が加わり、感光層２０に発生する気泡やしわが押し出されながら熱圧着されるから、これら気泡やしわが抑えられる。例文帳に追加

During this thermocompression bonding, slight vibration by ultrasonic waves from the sound wave generating section 42 is applied to the substrate 17 and the photosensitive material 18, and thermocompression bonding is carried out while extruding bubbles and wrinkles which occur in the photosensitive layer 20, consequently these bubbles and wrinkles are controlled. - 特許庁

ガラスエポキシ基板へ半導体装置を超音波圧着接合する場合に、配線パターンをガラスエポキシ樹脂へ接着している接着剤のガラス転移温度より低い温度で、かつガラスエポキシ樹脂の軟化点以上の温度で加熱しながら半導体装置に超音波振動を印加し超音波圧着接合を行い実装体の製造を行う。例文帳に追加

When a semiconductor device is bonded to a glass epoxy board by an ultrasonic welding manufacturing of a mounted board is made by applying ultrasonic vibrations to the semiconductor device and bonding by ultrasonic welding while heating at a lower temperature than a glass transition temperature of a bond which bonds a wiring pattern on a glass epoxy resin and at a temperature higher than a softening point of the glass epoxy resin. - 特許庁

しかる後ＩＣチップ上に加熱圧着装置または超音波圧着装置を配置し、ＩＣチップを基材フィルムのほうに押し付け、それと同時に基材フィルム及び粘着層を局部的に凹型に熱成形する。例文帳に追加

Then, a heating crimp device or an ultrasonic crimp device is disposed on the IC chip, the IC chip is pushed against the base material film, and at the same time the base material film and the adhesive layer are locally molded into a recess shape by heat. - 特許庁

ウェハの裏面を研削した後、ウエットエッチングを行って、チップを超音波を用いた被接合体へ接合するときに超音波の振動方向に沿った表面粗さがチップ間で実質的に同一となるようにした後、超音波併用熱圧着を行ってリードフレームにチップを金ボールバンプを介して接合する。例文帳に追加

The back face of a wafer is ground, and wet etching is carried out, and when a chip is joined to a junction object body using ultrasonic waves, surface roughness along the vibrating direction of ultrasonic waves is made substantially the same between chips, and ultrasonic wave combined thermal press-fitting is carried out, and the chip is joined through a golden ball bump to a lead frame. - 特許庁

ここでは、表面電極１ａはＩＧＢＴモジュールのエミッタ電極であって、そこにはニッケル膜３の上にアルミワイヤ２を熱圧着あるいは超音波振動によって接合する配線構造が採用される。例文帳に追加

Herein, the surface electrode 1a is an emitter electrode of an IGBT module, and a wiring structure in which an aluminum wire 2 is bonded onto the nickel film 3 by thermocompression bonding or ultrasonic vibration is employed therein. - 特許庁

バンプを用いた超音波熱圧着によるＩＣチップとＩＣ保持端子との電気的・機械的な接続を確実にし、アンダーフィルを容易に形成できる表面実装発振器の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a surface-mounted crystal oscillator, for ensuring the electrical/mechanical connection between an IC chip and an IC holding terminal by ultrasonic thermocompression bonding using a bump and easily forming an underfill. - 特許庁