本発明は、電極に損傷を与えることのない、溝形状を有する電極および電極の成形方法、電池、電極の成形装置を提供する。例文帳に追加

The battery comprises a generating element in which a positive electrode and a negative electrode are arranged interposing an electrolyte supporting layer, and has an electrode active material layer 2 on both faces of the current collector 3. - 特許庁

このため、電極３の面積が大きくなると共に電極３間の寸法を小さく形成することができ、電極３間の電気抵抗値を低減して、検知感度を向上することができる。例文帳に追加

Accordingly, the gas sensor can be formed with an increased area of the electrodes 3 and a minimized dimension between the electrodes 3, so that the electric resistance value between the electrodes 3 can be reduced to improve the detecting sensitivity. - 特許庁

ストリップ電極短辺側寸法をＷとし、ストリップ電極３と接地電極１とのギャップ幅寸法をｄとした場合に、Ｗ／ｄが３よりも小さい。例文帳に追加

The ratio W/d is selected to be smaller than 3, where W is the size of a short side of the strip electrode and d is the gap width between the strip electrode 3 and the ground electrode 1. - 特許庁

ロータリースクリーン３を用いて電極合剤を含有した電極合剤塗液２を帯状基材１上に塗布して、非水電解質リチウムイオン二次電池の電極活物質層を形成する電池の電極製造方法であって、電極合剤塗液２の粘度を制御する。例文帳に追加

In a method of manufacturing the electrode of a battery for forming an electrode active material layer of a non-aqueous electrolyte lithium ion secondary battery by coating a band-shaped base material 1 with the electrode mix coating liquid 2 including an electrode mix by using the rotary screen 3, the viscosity of the electrode mix coating liquid 2 is controlled. - 特許庁

薄膜有機トランジスタ１の製造方法では、フォトリソグラフィ法で感光性樹脂層８を形成し、無電解メッキ法でソース電極３及びドレイン電極４を形成するので、ソース電極３及びドレイン電極４を簡便かつ位置精度良く形成できる。例文帳に追加

In the manufacturing method of the thin-film organic transistor 1, since a photosensitive resin layer 8 is formed by a photolithographic method, and the source electrode 3 and the drain electrode 4 are formed by a non-electrolytic plating method; the source electrode 3 and the drain electrode 4 are easily formed with high positional accuracy. - 特許庁

陽電極層３と陰電極層５との間に介在する有機発光層４をオフセット印刷法により形成する。例文帳に追加

An organic luminous layer 4 that is interposed between the positive electrode layer 3 and negative electrode layer 5 is formed by an offset printing method. - 特許庁

陽電極層３と陰電極層５との間に介在する有機発光層４をスクリーン印刷法により形成する。例文帳に追加

An organic luminescent layer 4 is formed by silk screening method interposing between a positive electrode layer 3 and a negative electrode layer 5. - 特許庁

工作物（３）への加工形状に合わせた工具電極（２）の製造が容易な工作物の放電加工方法と放電加工用電極を提供する。例文帳に追加

To provide an electrical discharge machining method of a workpiece capable of easily manufacturing a tool electrode 2 matched to a machining shape to the workpiece 3. - 特許庁

このとき、各太陽電池素子１０の軸心方向が共通電極３の上面３ａの法線方向になるように、各反射電極１３を共通電極３に電気的に接続した。例文帳に追加

In this case, the reflecting electrodes 13 are each electrically connected to the common electrode 3 so that the axial center direction of each solar cell element 10 becomes a normal line direction of the upper surface 3a of the common electrode 3. - 特許庁

このことにより、１枚の長い電極板２（３）を用いる場合に比べ、電極板２（３）の寸法のばらつきを少なくすると共に、電極板２（３）の製造・運搬時における折れや曲がりを生じにくくさせることができる。例文帳に追加

Therefore, the electrode plates 2 (3) are less varied in dimension and hardly broken or bent in manufacturing and transportation, as compared with using one long electrode plate 2 (3). - 特許庁

シート状の導電性基材１上に有機薄膜起電力層２と上部電極３とを塗布法により成膜し、この上部電極３上に補助電極４を成膜する。例文帳に追加

A film is formed on the sheet type conductive substrate 1 with the organic thin-film electromotive force layer 2 and upper electrodes 3 by a coating method, and auxiliary electrodes 4 are formed on the upper electrodes 3. - 特許庁

電解液中のイオンを吸着する機能を有する分極性電極２と、分極性電極２に接合された集電極３とが、導電性を有する炭素材料を含む導電性樹脂層４を挟んで接着することにより電気二重層コンデンサ用電極１を製造する方法である。例文帳に追加

In this method, a polarizing electrode 2, having a function for adsorbing an ion in electrolyte is bonded to a collector 3 joined to the polarizing electrode 2, while a conductive resin layer 4 containing a conductive carbon material is held between the polarizing electrode 2 and collector 3, thus manufacturing the electrode 1 for the electric double-layer capacitor. - 特許庁

プラズマによって表面に変質層が形成される電極３を有する半導体製造装置における電極３の管理方法において、前記電極３表面の変質層の厚みを測定する工程と、前記測定した変質層の厚みが基準値に達したら、電極の交換時期と判断する工程とを有することを特徴とする電極の管理方法。例文帳に追加

The control method of an electrode 3 in a semi-conductor manufacturing apparatus having the electrode 3 with a degraded layer being formed on its surface by plasma comprises a step of measuring the thickness of the degraded layer on the surface of the electrode 3, and a step of determining the timing of changing the electrode when the measured thickness of the degraded layer reaches the reference value. - 特許庁

３電極または４電極の電極を用いて鋼板の全体を１ランで溶接する片面サブマージアーク溶接において、高能率に健全な溶接金属を得る溶接方法を提供する。例文帳に追加

To provide a sound weld metal with high efficiency, in one side submerged arc welding where the whole of a steel sheet is welded in one run using 3 or 4 electrodes. - 特許庁

さらに、ゲート電極の高さを保つために予めゲート電極材料膜３を厚くする必要は無く、ゲート電極４の寸法精度の劣化を抑えることができる。例文帳に追加

In addition, deterioration of the dimensional precision of the electrodes 4 can be suppressed, because it is not required to make a gate electrode forming material film 3 thicker in advance for maintaining the heights of the electrodes 4. - 特許庁

さらに、絶縁部３は、平板電極部３１の表面の法線方向の長さＨが、平板電極部３１とアノード電極２ｂとの間隔Ｌを超えないように形成されている。例文帳に追加

Moreover, the insulator 3 is formed so as not to exceed an interval L between the flat plate electrode 31 and anode electrode 2b in length H in the normal direction at the front surface of the flat plate electrode 31. - 特許庁

次いで、真空蒸着法等によりｐ形コンタクト層１０の表面に透明電極３及びｐ側電極４を形成し、また、ＺｎＯ基板１の酸素極性面１ｂ上にｎ側電極５を形成する。例文帳に追加

Then, a transparent electrode 3 and a p-side electrode 4 are formed on the surface of the p-type contact layer 10 through a vacuum vapor deposition method or the like, and an n-side electrode 5 is formed on the oxygen polar plane 1b of the ZnO substrate 1. - 特許庁

基板１上にソース電極７ｓとゲート電極３とドレイン電極７ｄと絶縁膜５と有機半導体層とを有する有機薄膜トランジスタの製造方法。例文帳に追加

A method of manufacturing an organic thin film transistor having, on a substrate 1, a source electrode 7s, a gate electrode 3, a drain electrode 7d, an insulating film 5, and an organic semiconductor layer is provided. - 特許庁

インドロ［３，２−ｂ］カルバゾール型ポリアミド化合物からなる電極活物質及びその製造方法例文帳に追加

ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FORMED OF INDOLO[3, 2-b]CARBAZOLE/POLYAMIDE COMPOUND, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

更に、バリアメタル層３上にスパッタリング法により、Ｉｒ下部電極４を形成する。例文帳に追加

In addition, an Ir lower-part electrode 4 is formed on the barrier metal layer 3 through the sputtering method. - 特許庁

電極３，４の形成方法としては、蒸着、スパッタ、めっき等である。例文帳に追加

Vapor deposition, sputtering, or plating or the like is used as a method for forming the electrodes 3, 4. - 特許庁

本発明の製造方法は、電極１，２および酸化物層３を含む積層構造を形成する工程と、電極１，２を各々負極および正極として当該電極間に電圧を印加することによって電極２内に酸化変性部２ａを形成する工程とを含む。例文帳に追加

The manufacturing method of this invention includes the steps of forming a laminated structure including the electrodes 1 and 2 and the oxide layer 3, and applying voltage between the electrodes 1 and 2 by using each of them as a negative and a positive electrode to form an oxidation denaturation part 2a within the electrode 2. - 特許庁

配線基板３の寸法が変化した場合に、半導体素子８の素子電極列９のピッチに最も近いピッチの接合用突起電極列を選択して接合することで、突起電極６と素子電極列９の位置ずれを緩和する。例文帳に追加

When the size of the wiring board 3 is changed, a bonding projection electrode arrangement having a pitch closest to the pitch of element electrode arrangement 9 of a semiconductor element 8 is selected and bonded to reduce the displacement between the projection electrodes 6 and the element electrode arrangement 9. - 特許庁

半導体素子３に形成された金属の突起電極４を基板１の電極２に接合する接合方法において、加熱した突起電極４を加熱した基板の電極２に圧接する工程と、圧接状態で基板に超音波振動７Ａを印加する工程とを有するもの。例文帳に追加

The joining method, which joins an extruded metal electrode 4 formed on a semiconductor element 3 to an electrode 2 of a substrate 1, is composed of a process for abutting the heated extruded electrode 4 against the electrode 2 of the heated substrate and a process for applying a ultrasonic vibration 7A to the substrate in the abutting state. - 特許庁

塗工電極の作製方法において、塗工電極に導電剤スラリー３を塗布して湿潤させた状態で塗工電極を圧延処理するので、導電剤３ａが電極内部に移動し易くなり、導電剤３ａが空隙部Ａに埋め込まれるため、導電パスが増加し、抵抗値が低くなる。例文帳に追加

In a method of manufacturing the coating electrode, the coating electrode is subjected to rolling processing while making it wet by being coated with conductive slurry 3, thus a conductive agent 3a easily moves into the electrode and fills a gap part A, and conductive paths increase to make a resistance value small. - 特許庁

電極体１のゲージング方法において、ゲージング台１１の上に置かれた電極体１の電極板３を、該電極体１の幅方向の両側に配置した相対するゲージングピン２１Ａ、２２Ａとゲージングピン２１Ｂ、２２Ｂの相対的な接近移動によりセパレータ２の局部的なたわみ変形を介して挟むことにより、該電極板３をゲージング台１１に対して位置決めするもの。例文帳に追加

In this method of gauging the electrode body 1, the electrode plate 3 of the electrode body 1 placed on the gauging base 11 is positioned to the gauging base 11 by clamping the electrode plate 3 through the local flexural deformation of the separator 2 by the relative approaching movement of gauging pins 21A, 22A and gauging pins 21B, 22B arranged facing both sides in the cross direction of the electrode body 1. - 特許庁

一方主面上に電極１１を有する回路素子１０と、一方主面上に設けられた接続バンプ用電極２と認識バンプ用電極３とを有する基板１とを準備し、接続バンプ用電極２と認識バンプ用電極３とにそれぞれワイヤーボンディング法を用いて接続バンプ１２と認識バンプ１３とを形成する。例文帳に追加

A circuit element 10 having electrodes on one principal face and a substrate 1 having an electrode 2 for the connected bump and an electrode 3 for the recognized bump located on its one principal face are prepared, and the connected bump 12 and the recognized bump 13 are formed respectively to the electrode 2 for the connected bump and the electrode 3 for the recognized bump by using the wire bonding method. - 特許庁

画素スイッチング素子に用いられる、一つの半導体層に複数のゲート電極３を有するマルチゲート型ＭＩＳトランジスタにおいて、ドレイン領域５及び蓄積容量部２１に近いゲート電極３のチャネル長の寸法を他方のゲート電極３よりも長くする。例文帳に追加

In a multi-gate type MIS transistor having a plurality of gate electrodes 3 formed on a semiconductor layer and allowed to be used for pixel switching elements, the channel length of the gate electrode 3 close to a drain area 5 and an accumulated capacity part 21 is set longer than that of the other gate electrode 3. - 特許庁

厚膜電極（配線）３上にレジストパターン５を形成した後、厚膜電極３の表面に残留するレジスト残渣及び厚膜電極３の内部に入り込んだレジスト残渣を除去し、レジスト残渣が除去された厚膜電極３の表面に、リフトオフ法により薄膜配線７を形成する。例文帳に追加

A resist pattern 5 is formed on a thin-film electrode (interconnection) 3, a resist residue which remains on the surface of the electrode 3 and a resist residue which is put into the inside of the electrode 3 are removed, and the thin-film interconnection 7 is formed by the lift-off method on the surface of the electrode 3 from which the resist residue has been removed. - 特許庁

本発明の圧電体素子は、基板１と、その基板１の上に形成した下部電極層２と、その下部電極層２の上に液相成長法により形成した圧電体層３と、その圧電体層３の上に形成した上部電極層４とを有する。例文帳に追加

This piezoelectric element includes: a substrate 1; a lower electrode layer 2 formed on the substrate 1; a piezoelectric layer 3 formed on the lower electrode layer 2 by a liquid deposition method; and an upper electrode layer 4 formed on the piezoelectric layer 3. - 特許庁

又は、複数の分割画素電極３からなる分割画素電極群の各々に対し溶液をインクジェット法で滴下した後、滴下された溶液を各分割画素電極３に対応して分離させることにより、溶液を選択的に塗布する。例文帳に追加

In another way, the solution is dropped onto each divided pixel electrode group composed of the plurality of the divided pixel electrodes 3 with the inkjet method, and then the dropped solutions are split to respective divided pixel electrodes 3, so that the solution is applied selectively. - 特許庁

基体５３上に下部電極２を形成する工程と、下部電極２上にペロブスカイト型の金属酸化物からなる絶縁体膜３を形成する工程と、絶縁体膜３上に上部電極４を形成する工程と、を含むキャパシタの製造方法である。例文帳に追加

The method for manufacturing the capacitor comprises the steps of forming a lower electrode 2 on a base body 53, forming an insulating film 3 composed of a perovskite type metal oxide on a lower electrode 2, and forming an upper electrode 4 on the insulating film 3. - 特許庁

電極輪１を用いてメッキ鋼板３を溶接するシーム溶接方法において、炭素を２０質量％以上含有し、沸点が２００℃以上、平均分子量が１００００以下である電極保護兼粒界脆化防止剤をメッキ鋼板３と電極輪１の間に介在させて溶接する。例文帳に追加

In a seam welding method to weld a plated steel plate 3 by using an electrode ring 1, an electrode protection/grain boundary brittle prevention agent, which contains ≥20 mass % C, has a boiling point of ≥200°C and an average molecular weight of ≤10000, is interposed between the plated steel plate 3 and the electrode ring 1 and then welded. - 特許庁

神経再生電極装置の作製方法において、基板１上に微小配線２を形成し、前記微小配線２に接続される高さが異なる複数の微小空中電極３を前記基板１に植設し、前記高さが異なる複数の微小空中電極３に神経再生路４を接続して構築する。例文帳に追加

The method of manufacturing the neurotization electrode apparatus comprises: forming fine wiring 2 on a substrate 1; implanting a plurality of fine aerial electrode 3 of different heights to be connected to the fine wiring 2 into the substrate 1; and connecting a neurotization path 4 to the plurality of fine aerial electrode 3 of different heights. - 特許庁

基板１の凹部３の底の電極２に電極２の露呈部の大きさよりも大きいサイズの半田ボールを接合する半田接合方法において、搭載した状態で半田ボール４が電極２と接触するように開口部のエッジ１Ｅを同心円状に除去する。例文帳に追加

In a solder bonding method in which a solder ball larger in size than the exposed part of an electrode 2 is bonded with the electrode 2 on the bottom of a recessed part 3 of a board 3, the edge 1E in an opening is removed as a concentric circle in a manner that the solder ball 4 is in contact with the electrode 2 while the solder ball is mounted. - 特許庁

不活性ガス雰囲気下で管体２の両端部にろう材１５を挟んで一対の封止電極３、４を配し、管体２の外周面に被着された導電性皮膜８と封止電極３、４とをそれぞれ電極とした電気溶接法により封止電極３、４をろう材１５を介して封着させると共に、不活性ガスを封入した。例文帳に追加

A pair of sealing electrodes 3, 4 are arranged at both ends of a tube body 2 under an inert gas atmosphere through a brazing filler metal 15, the sealing electrodes 3, 4 are sealed by an electrical welding method using the conductive film 8 covering the outer circumferential surface of the tube body 2 and the sealing electrodes 3, 4 as an electrode through the brazing filler metal 15, and the inert gas is sealed. - 特許庁

電子放出素子となる電極部材の１部を除去することにより分離して対向させた素子電極を複数備える基板を具備する画像表示装置の製造方法において、前記電極部材を前記基板に形成し、前記電極部材をレーザーを照射することにより分離してなることを特徴とする。例文帳に追加

In a method for fabricating an image display device provided with a substrate 1 including a plurality of elemental electrodes 4, 5 facing each other with a space therebetween by removing a part of an electrode member 3 serving as an electron emitting element, the electrode member 3 is formed on the substrate 1, and the electrode member 3 is divided by irradiation with a laser beam. - 特許庁

半導体素子の外部接続用の電極２が形成された電極形成面上を樹脂で封止した半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、電極形成面上に樹脂膜を貼付して樹脂層３を形成し、この樹脂層３にレーザ照射により電極２の位置に対応して樹脂層３を貫通する貫通孔３ａを形成する。例文帳に追加

The outer connection electrode 2 of a semiconductor element are formed on an electrode forming surface, and the electrode forming surface mounted with the electrodes 2 is sealed up with resin in a semiconductor device manufacturing method, where a resin layer 3 is formed on the electrode forming surface, and through-holes 3a penetrating the layer 3 are provided to the resin layer 3 by a laser beam radiation corresponding to the electrodes 2. - 特許庁

第１触媒電極2及び第２触媒電極3間に挟持される固体高分子膜5が、触媒層1a、1bに接する領域7にイオン解離性の基を含有しているイオン伝導体4及びその製造方法。例文帳に追加

The solid polymer membrane 5 sandwiched between a first catalyst electrode 2 and a second catalyst electrode 3 contains the ion dissociating group in the region 7 in contact with catalyst layers 1a, 1b. - 特許庁

半導体チップを封止したＢＧＡパッケージ１の下面１ａに複数の金属電極３が設けられ、各金属電極３には直径寸法Ｄが５００μｍの半田ボール５がそれぞれ接続されている。例文帳に追加

A plurality of metal electrodes 3 is provided on the lower side of a BGA package sealing a semiconductor therein, and a solder ball with a 500 μm diameter D is connected to each of the metal electrodes 3. - 特許庁

基板１上に、一対の素子電極２，３と、これら素子電極２，３に電気的に接続した導電性薄膜４とからなる電子放出素子が形成された電子源基板の製造方法。例文帳に追加

This is the manufacturing method of the electron source substrate in which an electron emission element composed of a pair of element electrodes 2, 3 and a conductive thin film 4 electrically connected to these element electrodes 2, 3 on a substrate 1. - 特許庁

その後、キャップ３とベースに形成されたアース接続電極に対して、真空蒸着法により導電膜Ｃを形成し、キャップ３表面の導電膜を最終的にアース電極に接続する。例文帳に追加

Subsequently, a conductive film C is formed on the cap 3 and an earth connection electrode formed on the base by vacuum deposition, and the conductive film on the surface of the cap 3 is eventually connected with the earth electrode. - 特許庁

本発明に係る半導体装置の製造方法は、ＳＯＩ層３上にゲート絶縁膜４を介してゲート電極を形成し、ゲート電極両側のＳＯＩ層３上にエピタキシャル層９を形成する。例文帳に追加

In the method of manufacturing a semiconductor device, the gate electrode is formed on an SOI layer 3 via a gate insulating film 4, and an epitaxial layer 9 is formed on the SOI layer 3 on both sides of the gate electrode. - 特許庁

基板２上に電極３が形成されており、電極３上に強誘電体層４が積層されている積層体を用意し、積層体を空気雰囲気下で熱処理する、強誘電体メモリ素子１の製造方法。例文帳に追加

In the method of manufacturing the ferroelectric memory element 1, a laminate in which an electrode 3 is formed on a substrate 2 and the ferroelectric layer 4 is laminated on the electrode 3 is prepared, and the laminate is heat-treated in the air atmosphere. - 特許庁