CM pとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 シチジン一リン酸
コンピューター用語辞典での「CM p」の意味 |
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CMP
CMP<cellular multiprocessing>
CMP<certificate management protocol>
SETの証明書管理プロトコルはメッセージングシステムであって、それを通して消費者、販売業者および金融機関はそれぞれの相手の本人性に関する立証可能な情報を電子的トランザクションの中で得ることができる。
「CM p」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 154件
Si of 1×1016 cm^-3 to 1×1018 cm^-3 is contained in a p-type layer.例文帳に追加
p型層にはSiが1×1016cm-3以上1×1018cm-3未満含有されている。 - 特許庁
In a process for press-fitting the lamination, the lamination is press-fitted in a pressure area ≥ pressure P (kgf/cm^2), satisfying ΔB/ΔA≤0.005 (%/(kgf/cm^2)) and ≤ (P+200) (kgf/cm^2).例文帳に追加
積層体を圧着する工程において、ΔＢ／ΔＡ≦０．００５（％／（kgf／cm^2））となるプレス圧Ｐ（kgf／cm^2）以上、（Ｐ＋２００）（kgf／cm^2）以下のプレス圧領域で圧着を行う。 - 特許庁
To obtain a p-type GaAs single crystal having an average dislocation density of ≤100/cm^-2, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加
平均転位密度100cm^-2以下のp型GaAs単結晶及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The Si layer 14 comprises an n-type Si layer with the concentration of an n-type impurity of about 7×10^18 atoms cm^-3, and a p-type Si layer with the concentration of a p-type impurity of about 2×10^17 atoms cm^-3 which is formed on the n-type Si layer.例文帳に追加
Ｓｉ層１４は、ｎ型不純物濃度が７ｘ１０^18atoms・cm^-3程度のｎ型Ｓｉ層と、ｎ型Ｓｉ層の上に形成され、ｐ型不純物濃度が２ｘ１０^17atoms・cm^-3程度のｐ型Ｓｉ層とからなる。 - 特許庁
The p type carrier concentration of the p type InGaAsP diffraction grid layer is specified so as to be 1.5×10^18 cm^-3-4.0×10^18 cm^-3 and especially so as to be 2.0×10^18 cm^-3-3.0×10^18 cm^-3.例文帳に追加
ｐ型のＩｎＧａＡｓＰ回析格子層のｐ型キャリア濃度を１．５×１０^１８ｃｍ^−３から４．０×１０^１８ｃｍ^−３、特に２．０×１０^１８ｃｍ^−^３から３．０×１０^１８ｃｍ^−３とする。 - 特許庁
The p-type impurity density in the p-type body regions 4 is more than or equal to 5×10^16 cm^-3.例文帳に追加
そして、ｐ型ボディ領域４におけるｐ型不純物密度は５×１０^１６ｃｍ^−３以上である。 - 特許庁
The p-type GaAs single crystal has an average dislocation density of ≤100/cm^-2 and contains Si, Zn, B and In as dopants.例文帳に追加
本発明のp型GaAs単結晶は、平均転位密度100cm^-2以下のp型GaAs単結晶であって、ドーパントとして、Si，Zn，B，及びInを含有することを特徴とする。 - 特許庁
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遺伝子名称シソーラスでの「CM p」の意味 |
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cmp
| fly | 遺伝子名 | cmp |
| 同義語（エイリアス） | cm; crumpled | |
| SWISS-PROTのID | --- | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:248126 | |
| その他のDBのID | FlyBase:FBgn0000335 |
| human | 遺伝子名 | CMP |
| 同義語（エイリアス） | CRTM; Cartilage matrix protein precursor; matrilin 1, cartilage matrix protein; Matrilin-1; MATN1 | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P21941 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:4146 | |
| その他のDBのID | HGNC:6907 |
| mouse | 遺伝子名 | Cmp |
| 同義語（エイリアス） | Cartilage matrix protein precursor; matrilin-1; matrilin 1, cartilage matrix protein 1; Matrilin-1; Matn1; CMP; Crtm | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P51942 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:17180 | |
| その他のDBのID | MGI:106591 |
本文中に表示されているデータベースの説明
- SWISS-PROT
- スイスバイオインフォマティクス研究所と欧州バイオインフォマティクス研究所によって開発・運営されているタンパク質のアミノ酸配列のデータベース。
- EntrezGene
- NCBIによって運営されている遺伝子データベース。染色体上の位置、配列、発現、構造、機能、ホモロジーデータなどが含まれている。
- FlyBase
- 米英の大学のショウジョウバエの研究者などにより運営される、ショウジョウバエの生態や遺伝子情報に関するデータベース。
- HGNC
- HUGO遺伝子命名法委員会により運営される、ヒト遺伝子に関するデータベース。
- MGI
- 様々なプロジェクトによる、研究用マウスの遺伝的・生物学的なデータを提供するデータベース。
Wiktionary英語版での「CM p」の意味 |
CMP
出典:『Wiktionary』 (2026/04/28 14:36 UTC 版)
名詞
CMP (countable and uncountable, plural CMPs)
- (uncountable, computing, Java programming language) Initialism of container-managed persistence.
- (uncountable, geology) Initialism of Common-Midpoint method.
- (medicine) Initialism of comprehensive metabolic panel.
- (medicine) Initialism of chronic myofascial pain.
- (microelectronics) Initialism of chemical-mechanical planarization
関連する語
参考
Weblio例文辞書での「CM p」に類似した例文 |
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cmp
a follower
the whole―all
the leading actor―（女なら）―the prima donna
a dot for moxa cautery
uj
「CM p」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 154件
The pitches E.F of the markings 15 are larger than that P of the knots 12, are 30 cm or shorter and made the integer times of 5 cm.例文帳に追加
刻印１５のピッチＥ・Ｆは、節１２のピッチＰよりも大きく、且つ、３０ｃｍ以下で５ｃｍの整数倍にする。 - 特許庁
The first p-type contact layer 16a has an Mg concentration not higher than 3×10^19/cm^3.例文帳に追加
第１ｐ型コンタクト層１６ａは、Ｍｇ濃度が３×１０^19／ｃｍ^3 以下である。 - 特許庁
A p-side electrode 114 is formed over a p^+-GaAs contact layer 113 having a doping concentration of ≥1×10^18 cm^-3 and a p-AlGaAs second upper cladding layer 109 having a doping concentration of ≤1×10^17 cm^-3.例文帳に追加
ドーピング濃度が１×１０^18ｃｍ^-3以上のｐ^+-ＧaＡsコンタクト層１１３上およびドーピング濃度が１×１０^17ｃｍ^-3以下のｐ-ＡlＧaＡs第２上クラッド層１０９上にｐ側電極１１４を形成する。 - 特許庁
The GaAs substrate 13 has an n-type carrier concentration of 5×10^16 cm^-3 or higher and 2×10^18 cm^-3 or lower, or a p-type carrier concentration of 5×10^18 cm^-3 or higher and 3×10^19 cm^-3 or lower.例文帳に追加
ＧａＡｓ基板１３は、５×１０^16ｃｍ^-3以上２×１０^18ｃｍ^-3以下のｎ型キャリア濃度または５×１０^18ｃｍ^-3以上３×１０^19ｃｍ^-3以下のｐ型キャリア濃度を有する。 - 特許庁
The second p-type contact layer 16b has an Mg concentration in a range between 4×10^19/cm^3 and 9×10^19/cm^3, and is 10 to 60 nm in thickness.例文帳に追加
第２ｐ型コンタクト層１６ｂは、Ｍｇ濃度が４×１０^19〜９×１０^19／ｃｍ^3 で、厚さは１０〜６０ｎｍである。 - 特許庁
Fiber occupation ratio (%) (A)=0.106×n×√(D)/(P-T), and n means the number of thread to be put in one reed, D means fineness (dtex) of polyhexamethylene adipamide, P means reed wire pitch (cm), and T means thickness (cm) of the reed wire.例文帳に追加
繊維占有率（％）(Ａ)＝０．１０６×ｎ×√（Ｄ）/（Ｐ−Ｔ）ｎ：筬1羽に入れる糸本数 、Ｄ：ポリヘキサメチレンアジパミドの繊度（ｄｔｅｘ）Ｐ：筬羽ピッチ（ｃｍ） 、Ｔ：筬羽厚（ｃｍ） - 特許庁
The p-type GaN layer 12 is doped with p-type impurities, i.e., Mg (magnesium) and O (oxygen), by about 1×10^20 cm^-3 and 3×10^19 cm^-3, respectively.例文帳に追加
ここで、ｐ型ＧａＮ層１２は、ｐ型不純物のＭｇ（マグネシウム）とＯ（酸素）が、それぞれ、Ｍｇは１×１０^20ｃｍ^-3程度、Ｏ（酸素）は３×１０^19ｃｍ^-3程度ドーピングされている。 - 特許庁
In this case, formation is made as a p+-InGaAs layer where carrier concentration Na of the p-type semiconductor layer is set within 1.0×1020 cm-3>Na≥5.0×1018 cm-3.例文帳に追加
その場合、ｐ型半導体層のキャリア濃度Ｎａが１．０×１０^20ｃｍ^-3＞Ｎａ≧５．０×１０^18ｃｍ^-3の範囲内の値となるｐ^^+−ＩｎＧａＡｓ層として形成する。 - 特許庁
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