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Cu Taとは 意味・読み方・使い方

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遺伝子名称シソーラスでの「Cu Ta」の意味

CUTA

human遺伝子名CUTA
同義語(エイリアス)chromosome 6 open reading frame 82; acetylcholinesterase-associated protein; MGC111154; Acetylcholinesterase-associated protein; ACHAP; cutA divalent cation tolerance homolog (E. coli); Protein CutA precursor; C6orf82
SWISS-PROTのIDSWISS-PROT:O60888
EntrezGeneのIDEntrezGene:51596
その他のDBのIDHGNC:21101
mouse遺伝子名Cuta
同義語(エイリアス)1810022E02Rik; AI326454; 0610039D01Rik; 2700094G22Rik; cutA divalent cation tolerance homolog (E. coli); Protein CutA precursor; 1810060C03Rik
SWISS-PROTのIDSWISS-PROT:Q9CQ89
EntrezGeneのIDEntrezGene:67675
その他のDBのIDMGI:1914925
rat遺伝子名Cuta
同義語(エイリアス)divalent cation tolerant protein CUTA; CutA1; Protein CutA precursor
SWISS-PROTのIDSWISS-PROT:Q6MGD0
EntrezGeneのIDEntrezGene:294288
その他のDBのIDRGD:1303306
zfish遺伝子名cuta
同義語(エイリアス)MGC63972; Protein CutA homolog precursor; zgc:63972
SWISS-PROTのIDSWISS-PROT:Q7T3C3
EntrezGeneのIDEntrezGene:393325
その他のDBのIDZFIN:ZDB-GENE-040426-1320

本文中に表示されているデータベースの説明

SWISS-PROT
スイスバイオインフォマティクス研究所欧州バイオインフォマティクス研究所によって開発運営されているタンパク質アミノ酸配列データベース
EntrezGene
NCBIによって運営されている遺伝子データベース染色体上の位置配列発現構造機能、ホモロジーデータなどが含まれている
HGNC
HUGO遺伝子命名法委員会により運営されるヒト遺伝子に関するデータベース
MGI
様々なプロジェクトによる研究マウス遺伝的生物学的なデータを提供するデータベース
RGD
ウィスコンシン医科大学により運営されるラット遺伝子ゲノム情報データベース
ZFIN
ゼブラフィッシュ遺伝子命名法委員会により運営されている研究用の淡水魚ゼブラフィッシュ遺伝子ゲノム情報データベース

「Cu Ta」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 111



例文

Or, by arranging a Ta pipe 13 in an inner side of the Nb or Nb-Ta alloy pipe, a (Mg+B)/Ta/Nb/Cu (or a Cu alloy) or (Mg+B)/Ta/Nb-Ta/Cu (or the Cu alloy) structure is provided.例文帳に追加

あるいは、NbまたはNb−Ta合金パイプの内側にTaパイプ13を配置することにより、(Mg+B)/Ta/Nb/Cu(またはCu合金)、あるいは(Mg+B)/Ta/Nb−Ta/Cu(またはCu合金)構造とする。 - 特許庁

A catalyst is constituted of two or more metals and/or metal compounds selected from Ru, Ti, Mo, W, V, Ir, Nb, W, Cu, Ni, La, Ca, Cu, Zr, and Ta.例文帳に追加

触媒を、Ru、Ti、Mo、W、V、Ir、Nb、W、Cu、Ni 、La、Ca、Cu、 Zr及びTaから選ばれる2種以上の金属及び/又は金属化合物から構成する。 - 特許庁

The wire more preferably contains ≤3% Mo, ≤2% Cu and one or more kinds selected from Zr, V, Nb, Ti and Ta by ≤2% in total.例文帳に追加

より好ましくは、Moを3%以下、Cuを2%以下、Zr、V、Nb、Ti、Taのうち一種又は二種以上を合計で2%以下含有する。 - 特許庁

Further, 5 to 30% Pt, 10 to 30% Cr, >0 to 10% Ta, >0 to 30% Ni and >0 to 15% (Ti+Zr+Hf+V+Nb+Mo+W+Cu+Ag+Au+Ru+Rh+Pd+ Os+Ir+rare earth elements) can be incorporated therein.例文帳に追加

30≧Pt≧5at%、30≧Cr≧10at%、10≧Ta>0at%、30≧Ni>0at%、さらには、15≧(Ti+Zr+Hf+V+Nb+Mo+W+Cu+Ag+Au+Ru+Rh+Pd+Os+Ir+希土類元素)>0at%を含有させることが可能である。 - 特許庁

The masteralloy can include Cr, B, Ta, Nb, C, Mo, W, Zr, Zn, Cu, Hf, O, Si or N.例文帳に追加

母合金には、Cr,B,Ta,Nb,C,Mo,W,Zr,Zn,Cu,Hf,O,Si又はNを含むことができる。 - 特許庁

First, accumulated Cu 13, for example, is removed with a fixed abrasion pad that stops on a barrier layer 12, such as Ta or TaN, using CMP.例文帳に追加

初めに、堆積したCu13を、例えば、Ta又はTaNのような障壁層12上で止まる固定研磨パッドでCMPによって取り除く。 - 特許庁

例文

Then to remove the barrier layer 12 and control dishing to less than 100 Å, selective buff processing is made concerning Cu: Ta or TaN and Cu: silicon dioxide.例文帳に追加

次に、障壁層12を取り除き100Å以下にディッシングを制御するために、Cu:Ta又はTaN及びCu:二酸化珪素に関して、選択的にバフ加工を行う。 - 特許庁

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Weblio例文辞書での「Cu Ta」に類似した例文

cut a

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cut-a

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「Cu Ta」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 111



例文

The induction absorptive material is formed of at least one oxide of metals selected from the group consisting of Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb, Ta, W, Re, Os, Ir, and Bi and a transparent substrate.例文帳に追加

Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb,Ta, W, Re, Os, Ir,およびBiからなる群から選ばれた少なくとも1種の金属の酸化物と透明基板とから形成される誘導吸収材料。 - 特許庁

The inorganic oxide is preferably an oxide of one element selected from Si, Ti, W, V, Y, Ag, Mg, Al, Fe, Ni, Ce, Co, Mo, Au, Pt, Ta, Lu, Zr, Cu, Zn, Pd, Cd, Cr, Pb and Mn or oxides of a combination of two or more elements.例文帳に追加

ここで、無機酸化物は、Si,Ti,W, V, Y, Ag, Mg, Al, Fe, Ni, Ce, Co, Mo, Au, Pt, Ta, Lu, Zr, Cu, Zn, Pd, Cd, Cr, Pb, Mnから選ばれるいずれか1種の酸化物、またはいずれか2種以上の組み合わせの酸化物であることが好ましい。 - 特許庁

The light limiting material consists of a transparent substrate and oxides of at least one kind of metal selected from among Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb, Ta, W, Re, Os, Ir and Bi (but except VO2).例文帳に追加

透明基板とTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Nb,Mo,Ru,In,Sn,Sb,Ta,W,Re,Os,IrおよびBiからなる群から選ばれた少なくとも1種の金属の酸化物(但し、VO_2 を除く)とから形成される光制限材料。 - 特許庁

As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W can be cited.例文帳に追加

N以外の固溶元素としては、He,Li,B,C,O,Ne,Mg,P,S,Ar,V,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Zr,Nb,Mo,Sn,Hf,Ta,及びWがある。 - 特許庁

The connection hole plug is provided with a Ta film 9(barrier metal), Cu film 10, and TaN film 21 whose film thickness is about 30 nm on the Cu film 10.例文帳に追加

接続孔プラグは、Ta膜9(バリアメタル)、Cu膜10、及びCu膜10上の膜厚約30nmのTaN膜21を有する。 - 特許庁

The wafer 101 is formed by successively depositing a Ta film and a Cu film on a Si substrate.例文帳に追加

ウェハ101は、Si基板上にTa膜及びCu膜をスパッタ法で順次堆積したものである。 - 特許庁

An element other than the Te, for example, either Al, Zr, Ta, Hf, Si, Ge, Ni, Co, Cu or Au may be added.例文帳に追加

Te以外の他の元素、例えばAlや、Zr,Ta,Hf,Si,Ge,Ni,Co,CuおよびAuのいずれかを添加してもよい。 - 特許庁

例文

As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W are given.例文帳に追加

N以外の固溶元素としては、He,Li,B,C,O,Ne,Mg,P,S,Ar,Ti,V,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Zr,Nb,Mo,Sn,Hf,Ta,及びWがある。 - 特許庁

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