d ionとは 意味・読み方・使い方

The molar ratio of phosphorus to calcium in the raw water D is adjusted so that the concentration of a calcium ion is higher by not smaller than 20 mg/L than the calcium ion concentration in the ratio of 3:5.例文帳に追加

原水Ｄ中のリンとカルシウムとのモル比が３：５よりもカルシウムイオンが２０ｍｇ／Ｌ以上多くなるように調整する。 - 特許庁

Since the etching rate increases in the ion implantation region 3, etching is performed to a larger degree and, therefore, the substrate 1 having a shape in accordance with the ion implantation depths is completed (process(d)).例文帳に追加

イオン注入領域３では、エッチングレートが大きくなるので、大きくエッチングされ、イオン注入深さに応じた形状の基板１が完成する（ｄ）。 - 特許庁

A cylindrical electrode B, an ion exchange resin membrane C, a center electrode D are accommodated in a body case A.例文帳に追加

筒状電極Ｂとイオン交換膜Ｃと中央電極Ｄとを本体ケースＡに収容した。 - 特許庁

Further, the particle size (D) of the particles of the negative ion generating source in the organic resin film is preferably D≤1.5×L with respect to the thickness (L) of the organic resin film.例文帳に追加

更に、上記有機樹脂皮膜中のマイナスイオン発生源粒子径（Ｄ）が有機樹脂皮膜厚み（Ｌ）に対してＤ≦１．５×Ｌであることが好ましい。 - 特許庁

The fine crystals of hydroxyapatite is suspended as the crystallizing material in phosphate ion-containing raw water D in an agitation part 2.例文帳に追加

攪拌部２内のリン酸イオンを含む原水Ｄにヒドロキシアパタイトの微粒子結晶を晶析材として懸濁する。 - 特許庁

The circularly polarized light filter, sensor or the like is produced by using an optically functional material of a crystal of a rare earth complex such as Eu(hfa-D)_3BINAPO complex which has a rare earth ion as the center ion, a ligand with a diastereomer structure coordinated to the rare earth ion, and circular polarization properties, or a solid carrier or the like containing the rare earth complex.例文帳に追加

Eu(hfa-D)_3BINAPO錯体などの、中心イオンが希土類イオンであり、ジアステレオマー構造配位子が希土類イオンに配位した、円偏光性を有する希土類錯体の結晶またはそれを含んだ固体担体等の光学機能材料を用いて、円偏光フィルタやセンサなどを作製する。 - 特許庁

In the ion implanting step, when θ is the angle defined by the obliquely ion implanting direction and a normal of a surface of a semiconductor substrate 1 and D is the sum of the thickness of the mask layer 17 and the thickness of the interlayer insulating film 8, L1/D ≥tanθ>S1/D is satisfied.例文帳に追加

このイオン注入の工程において、斜めイオン注入の注入方向と半導体基板１表面の法線とがなす角度をθとし、マスク層１７の厚みと層間絶縁膜８の厚みとの和をＤとした場合に、Ｌ１／Ｄ≧ｔａｎθ＞Ｓ１／Ｄが満たされる。 - 特許庁

The cathode 22 contains a cathode active material expressed in a general formula: Li_2Mn_1-xD_xSiO_4 (D is a divalent ion with a smaller ion radius than that of Mn, and x satisfies 0<x<1).例文帳に追加

この正極２２には、一般式Ｌｉ_2Ｍｎ_1-xＤ_xＳｉＯ_4（ＤはＭｎよりもイオン半径が小さい２価イオン，０＜ｘ＜１）で表される正極活物質が含まれている。 - 特許庁