drift apartとは 意味・読み方・使い方

In an IGBT having a trench cell, a base region is disposed apart between adjacent cells, and an insulating film for an emitter electrode is provided on a surface of a drift layer where no base region is disposed.例文帳に追加

トレンチセルを有するＩＧＢＴにおいて、ベース領域を隣り合うセル間で離間して配置し、ベース領域が配置されないドリフト層表面にエミッタ電極との絶縁膜を設ける。 - 特許庁

In a region in the drift layer 12 sandwiched by the p-type body regions 14 and the silicon carbide substrate 11, a plurality of p-type regions 13, which are arranged spaced apart from each other in a direction perpendicular to the thickness direction of the drift layer 12 and whose conductivity types are p type, are formed so as to line up with each other.例文帳に追加

そして、ｐ型ボディ領域１４と炭化珪素基板１１とに挟まれたドリフト層１２の領域には、ドリフト層１２の厚み方向に垂直な方向において互いに分離して配置された導電型がｐ型であるｐ型領域１３が複数並ぶように形成されている。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: second-conductive-type drift regions that are formed in a first-conductive-type well region formed in a semiconductor substrate 100 so as to be spaced apart from each other; vertical regions 320 that are protruded from the drift regions 310; and second-conductive-type source/drain regions 600 that are formed on the vertical regions.例文帳に追加

半導体素子は、半導体基板１００に形成された第１導電型ウェル領域に相互離隔して形成される第２導電型ドリフト領域、ドリフト領域３１０上に突起されるバーティカル領域３２０、及びバーティカル領域上に形成される第２導電型ソース／ドレイン領域６００を含む。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has a vertical structure in which an N^+-type source region 15 and an N^--type drift region 13 are arranged spaced apart from each other across a P-type body region 12 in a vertical direction perpendicular to a surface 9 (main surface) of an epitaxial layer 8.例文帳に追加

半導体装置１は、Ｎ^＋型ソース領域１５とＮ^−型ドリフト領域１３とがエピタキシャル層８の表面９（主面）に垂直な縦方向にＰ型ボディ領域１２を介して離間して配置された、縦型構造を有する。 - 特許庁

The SiC field effect transistor 1 has a vertical MIS transistor structure wherein an N^+-type source area 15 and an N^--type drift area 14 are arranged apart with a P-type body area 13 in-between, in the vertical direction perpendicular to the surface 12 (main surface) of an epitaxial layer 11.例文帳に追加

ＳｉＣ電界効果トランジスタ１は、Ｎ^＋型ソース領域１５とＮ^−型ドリフト領域１４とがエピタキシャル層１１の表面１２（主面）に垂直な縦方向にＰ型ボディ領域１３を介して離間して配置された、縦型ＭＩＳトランジスタ構造を有する。 - 特許庁

In one embodiment, MOSFET contains at least two trench regions filled up with an insulator which are formed in a first semiconductor region apart from each other in the lateral direction so as to form a drift region; and at least one resistive element arranged along the periphery of each trench region filled up with an insulator.例文帳に追加

本発明のある実施形態によると、ＭＯＳＦＥＴは、間にドリフト領域を形成するように第１の半導体領域に横方向に沿って間隔を空ける少なくとも２つの絶縁体が充填されたトレンチ領域と、２つの絶縁体が充填されたトレンチ領域のそれぞれの外周に沿って配置される少なくとも１つの抵抗素子とを含む。 - 特許庁