e crとは 意味・読み方・使い方

The polymer (H) is produced by an alkoxy hydrosilane compound (E) represented by general formula (5): H-SiR^2_c(CR^1_3-bY_b)_a(OR^12)_3-a-c with the polymer (I).例文帳に追加

また、一般式（５）：Ｈ−ＳｉＲ^２_ｃ（ＣＲ^１_３−ｂＹ_ｂ）_ａ（ＯＲ^１２）_３−ａ−ｃ （５）で表されるアルコキシヒドロシラン化合物（Ｅ）と重合体（Ｉ）を反応させて、重合体（Ｈ）を製造する。 - 特許庁

The exhaust pipe 28 is connected to an exhaust port in the front of the engine E, a transmission 50 is disposed at the back of a crank case CR and at least one of an oil filter 31 and an oil cooler 32 is disposed at the back of a cylinder CY outside of the cylinder CY and the crank case CR and adjacent to the lower part of the cylinder CY.例文帳に追加

エンジンＥの前面の排気ポートに排気管２８が接続され、クランクケースＣＲの後方に変速機５０が配置され、シリンダＣＹおよびクランクケースＣＲの外方におけるシリンダＣＹの後方でシリンダＣＹの下部に近接させて、オイルフィルタ３１とオイルクーラ３２の少なくとも一方が配置されている。 - 特許庁

The preventing layer 25 is formed by using an alloy made of any one or at least two of metals of Cr, Mo, Ni, Ti, Co, Ag, Au, Al, Pt, and Pd and any one of methods of a resistance heating method, a spatter method and an E-beam method.例文帳に追加

ショート防止層２５は、Ｃr、 Mo、 Ni、 Ti、Ｃｏ、Ａg、Ａu、Ａl、Pt、Pｄの金属のうち、何れか一つ又は少なくとも二つ以上からなる合金を使用し、抵抗加熱法、スパッタ法、Ｅ−ビーム法のうち、何れかの方法を使用して形成される。 - 特許庁

The trimming data according to states of respective trimming elements are held into fuse trimming latch circuits 11(a-n) by an input of a sampling signal E, and an operation characteristic of a CR oscillation circuit 20 is adjusted with a characteristic adjustment part 14 based on the held trimming data F.例文帳に追加

各トリミング素子の状態に応じたトリミングデータが、サンプリング信号Ｅの入力によってヒューズトリミングラッチ回路１１内で保持され、保持されたトリミングデータＦに基づいてＣＲ発振回路２０の動作特性を特性調整部１４で調整する。 - 特許庁

(b) 40≤boiling water shrinkage [SHW] (%); (c) dry heat shrinkage [SHD] at 160°C after subjected to boiling water shrinkage≤2; (d) 10≤interlacing degree [CF value] per m; (e) 25≤elongation at break (%)≤60; and (f) 5≤crimping percentage [CR] (%)≤25.例文帳に追加

（ａ）分割後の単繊維繊度（ｄｔｅｘ）≦０．３（ｂ）４０≦沸騰水収縮率［ＳＨＷ］（％）（ｃ）沸騰水収縮後の乾熱１６０℃での乾熱収縮率［ＳＨＤ］（％）≦２（ｄ）１０≦１ｍ当たりの交絡度［ＣＦ値］（ｅ）２５≦伸度（％）≦６０（ｆ）５≦捲縮発現率［ＣＲ］（％）≦２５ - 特許庁

k satisfies k=(2 mE/(h/2π)^2)^0.5, where m represents the mass of electron, E represents the energy level of trap of the tunnel insulating film, h represents Planck's constant, and π represents circular constant.例文帳に追加

なお、εはトンネル絶縁膜の誘電率であり、Crは前記メモリセルのカップリング比であり、Toxは前記メモリセルのトンネル酸化膜の膜厚であり、kは電荷がデトラップする時の存在確率の減衰率でありk=(2mE/(h/2π)^2)^0.5と表され、mは電子の質量、 Ｅは前記トンネル絶縁膜のトラップのエネルギー準位、ｈはプランク定数、πは円周率である。 - 特許庁

In the radial tire 11 for high-speed and the heavy load, a curvature CR of radius at a crown center portion 50 in a area A1 which is 35 to 40% of a grounding surface width Tw at specified inner pressure and a specified load with reference to the tire equator surface E is made to be 600 to 720mm at the specified inner pressure and no load.例文帳に追加

本発明に係る高速重荷重用ラジアルタイヤ１１では、タイヤ赤道面Ｅから当該タイヤ赤道面Ｅを基準とした規定内圧及び規定荷重時の接地沿面幅Ｔｗの３５乃至４０％までの領域Ａ１のクラウンセンター部５０での曲率半径ＣＲが規定内圧及び無荷重時において６００乃至７２０ｍｍである。 - 特許庁