ga sourceとは 意味・読み方・使い方

An emitter 2-11 of Ga liquid metal ion source 2-1 is constituted by including W12 of basic material and Ga9 of ion source material covering the surface as constituting materials.例文帳に追加

Ｇａ液体金属イオン源２−１のエミッタ２−１１は、構成材料として母材のＷ１２と、表面を覆うイオン源材料のＧａ９を含んで構成されている。 - 特許庁

An inverted image (image represented with the spatial distribution of gains) Gb is generated from an inverse of a source image Ga corresponding to the dust present area BL.例文帳に追加

そして、ゴミ存在エリアＢＬに対応する原画像Ｇａの逆数から生成した反転画像（ゲインの空間分布で表現した画像）Ｇｂを生成する。 - 特許庁

A solid Ga source 8 is provided in the low temperature zone T_1, and a seed crystal of GaN or a substrate 13 of a GaN single crystal is provided in the high temperature zone T_2.例文帳に追加

低温領域Ｔ_1に固体のＧａ源８、高温領域Ｔ_2にＧａＮの種結晶またはＧａＮ単結晶の基板１３をそれぞれ設置する。 - 特許庁

Thereafter, the surface of the Ga layer 43 is irradiated with a nitrogen source to rebuild this Ga layer 43 on the lower layer 44 of the GaN layer having a little number of transfers and the upper layer 45 of the GaN layer having further less number of transfers than the lower layer 44.例文帳に追加

この後、Ｇａ層４３の表面に、窒素源を照射して、このＧａ層４３を転位が少ないＧａＮ層の下層部４４と、この下層部４４よりも更に転位の数が少ないＧａＮ層の上層部４５に再構築する。 - 特許庁

A Ga solution is brought into contact with the 1st main surface side of a GaP epitaxial wafer and NH3 gas is supplied as a nitrogen source to the circumferential atmosphere coming into contact with the Ga solution to form the N-doped GaP layer through liquid-phase epitaxial growth.例文帳に追加

ＧａＰエピタキシャルウェーハの第一主表面側にＧａ溶液を接触させ、当該Ｇａ溶液と接する周囲雰囲気に窒素源としてＮＨ_３ガスを供給することによりＮドープＧａＰ層を液相エピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The plate glass G has translucent faces Ga, Gb opposed each other along a thickness direction thereof, and is arranged between the light source 20 and the photoreception device 30 to incline the translucent faces Ga, Gb by a prescribed angle α with respect to an optical axis Lx of an optical system of the glass plate defect detector 10.例文帳に追加

板ガラスＧは、その厚み方向に対向する透光面Ｇａ、Ｇｂを有し、透光面Ｇａ、Ｇｂが、この板ガラス欠陥検出装置１０の光学系の光軸Ｌｘに対して所定角度αだけ傾斜するように、光源２０と受光装置３０との間に配置されている。 - 特許庁

In the field emission electron source composed of ZnO protrusion form material, by containing Ga for Ga mol% ratio of 0.02 to 0.4 mol% to Zn, the field electron emission element which consumes the lower electric power and has the longer repetition lifetime can be obtained.例文帳に追加

ＺｎＯ突起形状物からなる電界放出電子源において、ＺｎＯ突起形状物中にＧａを、Ｚｎに対するＧａモル％比で０．０２モル％から０．４モル％含むことで、低消費電力で繰り返し寿命の長い電界放出型電子放出素子を得る。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, the surfaces of source and drain electrode layers are subjected to sputtering treatment with plasma and an oxide semiconductor layer containing In, Ga, and Zn is formed successively over the source and drain electrode layers without exposure of the source and drain electrode layers 117a, 117b to air.例文帳に追加

ソース電極層及びドレイン電極層の表面をプラズマでスパッタリング処理し、当該ソース電極層及びドレイン電極層を大気にさらすことなく、当該ソース電極層及びドレイン電極層上に連続してＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体層を形成する。 - 特許庁