「ga source」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The method for producing a graphite film includes bringing a surface of a carbon source into contact with Ga vapor to form a graphite film on the surface of the carbon source.例文帳に追加

炭素源の表面をＧａ蒸気に接触させることにより、前記炭素源の表面にグラファイト膜を形成する、グラファイト膜の製造方法に関する。 - 特許庁

To provide a focused ion beam device capable of converging the beam diameter to a desired value using a gas ion source as an ion source and capable of responding to wide applications of same level as in the case using a Ga liquid metal ion source as the ion source.例文帳に追加

イオン源としてガスイオン源を用いていながら、ビーム径を所望値にまで絞ることができ、イオン源としてＧａ液体金属イオン源を用いた場合と同程度の幅広いアプリケーションに対応できる。 - 特許庁

An emitter 2-11 of Ga liquid metal ion source 2-1 is constituted by including W12 of basic material and Ga9 of ion source material covering the surface as constituting materials.例文帳に追加

Ｇａ液体金属イオン源２−１のエミッタ２−１１は、構成材料として母材のＷ１２と、表面を覆うイオン源材料のＧａ９を含んで構成されている。 - 特許庁

An inverted image (image represented with the spatial distribution of gains) Gb is generated from an inverse of a source image Ga corresponding to the dust present area BL.例文帳に追加

そして、ゴミ存在エリアＢＬに対応する原画像Ｇａの逆数から生成した反転画像（ゲインの空間分布で表現した画像）Ｇｂを生成する。 - 特許庁

A solid Ga source 8 is provided in the low temperature zone T_1, and a seed crystal of GaN or a substrate 13 of a GaN single crystal is provided in the high temperature zone T_2.例文帳に追加

低温領域Ｔ_1に固体のＧａ源８、高温領域Ｔ_2にＧａＮの種結晶またはＧａＮ単結晶の基板１３をそれぞれ設置する。 - 特許庁

Thereafter, the surface of the Ga layer 43 is irradiated with a nitrogen source to rebuild this Ga layer 43 on the lower layer 44 of the GaN layer having a little number of transfers and the upper layer 45 of the GaN layer having further less number of transfers than the lower layer 44.例文帳に追加

この後、Ｇａ層４３の表面に、窒素源を照射して、このＧａ層４３を転位が少ないＧａＮ層の下層部４４と、この下層部４４よりも更に転位の数が少ないＧａＮ層の上層部４５に再構築する。 - 特許庁

A Ga solution is brought into contact with the 1st main surface side of a GaP epitaxial wafer and NH3 gas is supplied as a nitrogen source to the circumferential atmosphere coming into contact with the Ga solution to form the N-doped GaP layer through liquid-phase epitaxial growth.例文帳に追加

ＧａＰエピタキシャルウェーハの第一主表面側にＧａ溶液を接触させ、当該Ｇａ溶液と接する周囲雰囲気に窒素源としてＮＨ_３ガスを供給することによりＮドープＧａＰ層を液相エピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The plate glass G has translucent faces Ga, Gb opposed each other along a thickness direction thereof, and is arranged between the light source 20 and the photoreception device 30 to incline the translucent faces Ga, Gb by a prescribed angle α with respect to an optical axis Lx of an optical system of the glass plate defect detector 10.例文帳に追加

板ガラスＧは、その厚み方向に対向する透光面Ｇａ、Ｇｂを有し、透光面Ｇａ、Ｇｂが、この板ガラス欠陥検出装置１０の光学系の光軸Ｌｘに対して所定角度αだけ傾斜するように、光源２０と受光装置３０との間に配置されている。 - 特許庁

In the field emission electron source composed of ZnO protrusion form material, by containing Ga for Ga mol% ratio of 0.02 to 0.4 mol% to Zn, the field electron emission element which consumes the lower electric power and has the longer repetition lifetime can be obtained.例文帳に追加

ＺｎＯ突起形状物からなる電界放出電子源において、ＺｎＯ突起形状物中にＧａを、Ｚｎに対するＧａモル％比で０．０２モル％から０．４モル％含むことで、低消費電力で繰り返し寿命の長い電界放出型電子放出素子を得る。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, the surfaces of source and drain electrode layers are subjected to sputtering treatment with plasma and an oxide semiconductor layer containing In, Ga, and Zn is formed successively over the source and drain electrode layers without exposure of the source and drain electrode layers 117a, 117b to air.例文帳に追加

ソース電極層及びドレイン電極層の表面をプラズマでスパッタリング処理し、当該ソース電極層及びドレイン電極層を大気にさらすことなく、当該ソース電極層及びドレイン電極層上に連続してＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体層を形成する。 - 特許庁

Then, the supply of the material source of O is stopped, and the material source of the n-type dopant Ga is supplied additionally, thus doping the p- and n-type dopant in the semiconductor layer as a p-type ZnO layer 2a (b).例文帳に追加

そして、Ｏの材料源の供給を止め、ｎ形ドーパントであるＧａの材料源をさらに供給することによりｐ形ドーパントおよびｎ形ドーパントを前記半導体層にドーピングし、ｐ形ＺｎＯ層２ａとする（ｂ）。 - 特許庁

In the formation process of an InGaN film, In and Ga are simultaneously accommodated in one HWE furnace, heated and evaporated, and NH3+N2 as nitrogen source is supplied above the HWE furnace from the outside.例文帳に追加

ＩｎＧａＮ膜の成膜は、一つのＨＷＥ炉にＩｎとＧａを同時に収容して加熱蒸発させ、外部から窒素源としてＮＨ_3＋Ｎ_2をＨＷＥ炉上に供給する。 - 特許庁

A bottom gate type thin film transistor is constituted which includes a semiconductor layer made of amorphous oxide containing In, Ga and Zn, and also has a source electrode or drain electrode formed before a source region or drain region when viewed from a gate electrode.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層を備え、ゲート電極から見てソース領域又はドレイン領域の手前側にソース電極又はドレイン電極が形成されてなるボトムゲート型薄膜トランジスタを構成する。 - 特許庁

The top gate type thin-film transistor includes the semiconductor layer comprising the amorphous oxide including In, Ga, and Zn, and includes the source electrode or the drain electrode at a side opposite to a source region or a drain region viewed from a gate electrode.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層を備え、ゲート電極から見てソース領域又はドレイン領域の向こう側にソース電極又はドレイン電極が形成されてなるトップゲート型薄膜トランジスタを構成する。 - 特許庁

For symbolic names of options which are traditionally not included inarpa/telnet.h, see the module source itself. The symbolic constants for the telnet commands are: IAC, DONT, DO,WONT, WILL, SE (Subnegotiation End), NOP (No Operation), DM (DataMark), BRK (Break), IP (Interrupt process), AO (Abort output), AYT(Are You There), EC (Erase Character), EL (Erase Line), GA (Go Ahead),SB (Subnegotiation Begin).例文帳に追加

伝統的に arpa/telnet.h に含められていない telnet オプションのシンボル名については、このモジュールのソースコード自体を参照してください。 telnet コマンドのシンボル定数は、IAC、DONT、DO、WONT、WILL、SE(サブネゴシエーション終了)、NOP (何もしない)、DM (データマーク)、BRK (ブレーク)、IP (プロセス割り込み)、AO (出力中断)、AYT (応答確認)、EC (文字削除)、EL (行削除)、GA (進め)、SB (サブネゴシエーション開始) です。 - Python

The automatic transmission further comprises a second clutch C2 disposed on the transmission output shaft SO and a pair of gears DA and GA for connecting the driving source output shaft SO to an input shaft of the second clutch C2.例文帳に追加

さらに、変速機出力軸ＳＯの上に設けられた第二クラッチＣ２と、駆動源出力軸ＳＯと第二クラッチＣ２の入力軸とを連結する歯車対ＤＡ，ＧＡとを備える。 - 特許庁

Since 'KANZE Kojiro Nobumitsu ga zo-san,' which was written in his later years, described the roots of the Kanze family as well as his own life in detail, this book has been considered source materials about the Kanze family up to the present. 例文帳に追加

また晩年に書かれた「観世小次郎信光画像讃」ではその生涯とともに、観世家の出自が詳しく語られ、近代に至るまで観世家を語る上での基礎資料として認知されていた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A source region improved in conductivity is formed by irradiating a semiconductor layer formed of amorphous oxide containing In, Ga and Zn with an ultraviolet ray, and auxiliary capacitance lines are formed between pixel electrodes and the source electrode through an insulating layer.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層に紫外線を照射することにより高導電率化されたソース領域を構成し、補助容量線を画素電極とソース領域との間にそれぞれ絶縁層を介して形成する。 - 特許庁

In the method of growing group III-V compound semiconductor, a second group III-V compound semiconductor containing nitrogen and arsenic (group V component) is grown on a semiconductor region comprising a first group III-V compound semiconductor containing arsenic and phosphorous (group V component), using a first material gas (N source), a second material gas (As source), and a third material gas (Ga source, and In source).例文帳に追加

III−Ｖ化合物半導体を成長する方法では、第１の原料ガス（Ｎソース）、第２の原料ガス（Ａｓソース）および第３の原料ガス（Ｇａソース、Ｉｎソース）を用いて、ヒ素およびリン（Ｖ族構成元素）を含む第１のIII−Ｖ化合物半導体からなる半導体領域上に、窒素およびヒ素（Ｖ族構成元素）を含む第２のIII−Ｖ化合物半導体を成長する。 - 特許庁

The dimensions are X-ray source to X-ray detector distance (SDD), Source-ISO center distance (SOD), Source-Collimator distance (SCD), Gantry Aperture (GA), Focal spot length (FSL) of the slice direction of X-ray source, unit slice thickness (SPC) at the center of the gantry, and unit slice thickness (SPD) in the X-ray detector.例文帳に追加

ここで、装置のディメンジョンとしては、Ｘ線源とＸ線検出器との距離（ＳＤＤ）、Ｘ線源とガントリ中心との距離（ＳＯＤ）、Ｘ線源とコリメータとの距離（ＳＣＤ）、ガントリの開口部の径（ＧＡ）、Ｘ線源のスライス方向の焦点の長さ（ＦＳＬ）、ガントリ中心における単位スライス厚（ＳＰＣ）、及びＸ線検出器における単位スライス厚（ＳＰＤ）が挙げられる。 - 特許庁

Furthermore, the quantity of raw materials to be supplied per unit time is modulated, so that the quantity of Ga source (TMGa) to be supplied per unit time, illustrated in Fig.(A), synchronously changes with an inverse phase to the quantity of In source (TMIn) to be supplied per unit time, illustrated in Fig.(B).例文帳に追加

また、図２(Ａ)に示すＧａ源(ＴＭＧａ)の単位時間当たりの供給量は、図２(Ｂ)に示すIｎ源(ＴＭIｎ)の単位時間当たりの供給量に対して逆位相で同期して変化するように、原料の単位時間当たりの供給量の変調を行っている。 - 特許庁

A light source 21 is arranged on the upstream side in the running direction of the web 13 while a CCD camera 22 is arranged on the downstream side in the running direction of the web 13 and image processing is performed to measure the gap Ga between the slot die 10 and the web 13 to positionally adjust the slot die 10.例文帳に追加

ウエブ１３の走行方向上流側に光源２１、下流側にＣＣＤカメラ２２を設置し、画像処理を実施してスロットダイ１０とウェブ１３との隙間Ｇａを計測し、スロットダイ１０の位置調整を行った。 - 特許庁

The device for machining by electric erosion is provided with an electrode tool EO and an electrode workpiece EP constituting opposite poles of a working gap GA and an electrical circuit with a double voltage source UD connected to a supply network A.例文帳に追加

電気侵食による加工用装置が、作動ギャップ（ＧＡ）の両極を構成する電極工具（ＥＯ）及び電極加工物（ＥＰ）と、供給ネットワーク（Ａ）に接続された二重電圧源（ＵＤ）を有する電気回路とを備える。 - 特許庁

A semiconductor layer uses an oxide semiconductor film containing In, Ga, and Zn, and comprises an inverted stagger type (bottom gate structure) thin-film transistor, in which a buffer layer is formed among the semiconductor layer, a source electrode layer, and a drain electrode layer.例文帳に追加

半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。 - 特許庁

The semiconductor device includes a staggered (a top gate structure) thin-film transistor in which an oxide semiconductor film containing In, Ga, and Zn is used as a semiconductor layer and a buffer layer is provided between the semiconductor layer and a source and drain electrode layers.例文帳に追加

半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた順スタガ型（トップゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor using an oxide semiconductor film containing indium (In), gallium (Ga), and zinc (Zn), in which contact resistance of a source electrode or drain electrode is reduced, and to provide a method of manufacturing the thin-film transistor.例文帳に追加

インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極またはドレイン電極のコンタクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。 - 特許庁

The diamond field effect transistor has a P-type nitride layer containing at least one of Al, Ga, B and In on P-type diamond, and also includes: a source electrode and a drain electrode coming in electric ohmic contact with a heterojunction between the P-type diamond and P-type nitride layer; and a gate electrode on the P-type nitride layer between the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

Ｐ型ダイヤモンド上に、少なくともＡｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｉｎの１つを含むＰ型窒化物層を有し、Ｐ型ダイヤモンドとＰ型窒化物層との間のヘテロ接合に電気的にオーミック接触するソース電極およびドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極との間のＰ型窒化物層上にゲート電極を有することを特徴とする。 - 特許庁

To make high-quality correction of a defect possible even in a fine region where an etching gas or a source gas of a light-shielding film can not be efficiently supplied, without causing decrease in transmittance due to a Ga stain or changes in physical properties due to changes in the element content of the light-shielding film.例文帳に追加

エッチングガスや遮光膜原料ガスを効率的に供給できない微細領域でもＧａステインによる透過率の低下や遮光膜の元素含有量の変化による物性の変化が起こらない高品位な欠陥修正を可能にする。 - 特許庁

To provide a thin film transistor that uses an oxide semiconductor film containing indium (In), gallium (Ga) and zinc (Zn), in which contact resistance of a source electrode layer or drain electrode layer is reduced, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層またはドレイン電極層のコンタクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。 - 特許庁

When forming the InGaN layer on the p-AlGaN layer, supply of trimethyl aluminum (TMA) is stopped and trimethyl indium (TMI) is supplied while keeping the growth temperature of the p-AlGaN layer thus increasing the supply amount of Ga source gas and forming an InGaN layer having a thickness of 1-2 molecular layers.例文帳に追加

ｐ−ＡｌＧａＮ層上にＩｎＧａＮ層を形成する際、ｐ−ＡｌＧａＮ層の成長温度を保持したまま、ＴＭＡの供給を停止してＴＭＩを供給し、Ｇａ源ガスの供給量を増やし、厚さ１〜２分子層のＩｎＧａＮ層を形成する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor giving no damage to a semiconductor layer in a process for making conductivity of the semiconductor layer comprising an amorphous oxide including In, Ga, and Zn high, and in an etching process of a source electrode and a drain electrode, and to provide a liquid crystal display using the same.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層の高導電率化工程やソース電極及びドレイン電極のエッチング工程において、半導体層にダメージを与えないような薄膜トランジスタ及びこれを用いた液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises an inverted staggered (bottom-gate structure) thin film transistor which includes an oxide semiconductor film including In, Ga, and Zn as a semiconductor layer, and a buffer layer including a metal oxide layer between the semiconductor layer, and a source electrode layer and a drain electrode layer.例文帳に追加

半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。 - 特許庁

The semiconductor device includes an inverted staggered (bottom gate structure) thin-film transistor, where an oxide semiconductor film including In, Ga, and Zn is used as a semiconductor layer, and a buffer layer formed using a metal oxide layer is provided between the semiconductor layer and source and drain electrode layers.例文帳に追加

半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。 - 特許庁

The conductive film, the film having the n-type conductivity, and the oxide semiconductor film containing In, Ga and Zn are etched using the channel protective layer and gate insulating films as etching stoppers with the resist mask, so that source and drain electrode layers, a buffer layer, and a semiconductor layer are formed.例文帳に追加

このレジストマスクと共に、チャネル保護層及びゲート絶縁膜をエッチングストッパーとして利用して、導電膜と、ｎ型の導電型を有する膜と、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜をエッチングして、ソース電極層及びドレイン電極層と、バッファ層と、半導体層を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor, wherein an In-Ga-Zn-O group homologous oxide semiconductor is used as an active layer, damage in the active layer is suppressed without forming an etching stopper layer, and resistance of source-drain electrodes can be reduced; and to provide a method for manufacturing an electro-optical device.例文帳に追加

活性層としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系ホモロガス酸化物半導体を用い、エッチングストッパー層を形成することなく活性層のダメージを抑制するとともに、ソース・ドレイン電極の低抵抗化を図ることが可能な薄膜トランジスタの製造方法及び電気光学装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The element can be manufactured by aligning the Er atoms to the position among the lattices of the GaAs crystal through the epitaxial growth with simultaneous control of the evaporation velocity of the molecular beam source and expitaxial growth temperature on the GaAs substrate 2 of the (001) alignment or on the epitaxial growth layer of the (001) alignment using the Ga atoms, As atoms and Er atoms as the molecular beam sources.例文帳に追加

Ｇａ原子、Ａｓ原子及びＥｒ原子を分子線源とし、（００１）面方位ＧａＡｓ基板２上、または（００１）面方位エピタキシャル成長層上に、分子線源の蒸発速度と、エピタキシャル成長温度とを同時に制御してエピタキシャル成長し、Ｅｒ原子をＧａＡｓ結晶の格子間位置に配位させることにより製作できる。 - 特許庁

The thin film transistor and the indication element equipped therewith are provided on the transparent substrate 20 with a transparent semiconductor layer 26 including more than one element selected from Al, Ga, In, nitrogen and hydrogen, a transparent source electrode 28 as well as a transparent drain electrode 30 which are constituted so that at least one part of each electrode is contacted with the transparent semiconductor layer 26, and a transparent gate electrode 22.例文帳に追加

透明基板２０上に、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎから選択される一つ以上の元素とチッ素と水素を含む透明半導体層２６と、前記透明半導体層２６に少なくとも一部を接触してなる透明ソース電極２８及び透明ドレイン電極３０と、透明ゲート電極２２と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタ、及びそれを備えた表示素子である。 - 特許庁

The method of producing the porous silica comprises a step of: mixing a surfactant F127, an acid, water, a silicon source and the metallic element selected from a group comprising Al, Fe, Ti, Co and Ga; a step of: heating the raw material mixture obtained in the mixing step and silicifying it; and a step of: firing the silicide obtained by the silicifying step.例文帳に追加

所定の空間群からなる多孔構造をもつ多孔体シリカであって、Ａｌ、Ｆｅ、Ｔｉ、ＣｏおよびＧａからなる群から選択される金属元素が添加されてなることを特徴とする、多孔体シリカとその製造方法として、界面活性剤Ｆ１２７と、酸と、水と、ケイ素源並びにＡｌ、Ｆｅ、Ｔｉ、ＣｏおよびＧａからなる群から選択される金属元素を含む金属源とを混合する工程と、 前記混合する工程によって得られた原料混合物を加熱して、ケイ化する工程と、 前記ケイ化する工程によって得られたケイ化物を焼成する工程とからなることを特徴とする、方法を提供する。 - 特許庁