n epとは 意味・読み方・使い方

The pressure increase or decrease amount ΔPf(n) is added to the latest value Pf(n) of the pressure feedback by an adder 12 and a difference ep(n) between the obtained new pressure feedback value and a designed pressure value Pr is calculated by a reducer 13 and then is input to a PID controller 14.例文帳に追加

この圧力増減量ΔPf（n）は加算器１２で圧力フィードバックの今回値Pf（n）と加算され、新たな圧力フィードバック値として圧力設定値Prとの差分ep（n）が減算器１３で求められ、PID制御器１４に入力される。 - 特許庁

The back gate region BG forms p-n junction with the epitaxial layer EP, and is a second conductivity type one.例文帳に追加

バックゲート領域ＢＧはエピタキシャル層ＥＰとｐｎ接合を構成し、第２導電型である。 - 特許庁

The impurity region IM1 is arranged beneath the back gate region BG with the epitaxial layer EP sandwiched, forms p-n junction with the epitaxial layer EP, and is the second conductivity type one.例文帳に追加

不純物領域ＩＭ１はエピタキシャル層ＥＰを挟んでバックゲート領域ＢＧの下に位置し、かつエピタキシャル層ＥＰとｐｎ接合を構成し、第２導電型である。 - 特許庁

When a period of the plurality of optical pulse signals LP is defined as T, pulse width of the electric pulse signal EP is set to (N×T) (N is integer equal to or greater than 3).例文帳に追加

複数の光パルス信号ＬＰの周期をＴとすると、電気パルス信号ＥＰのパルス幅は（Ｎ×Ｔ）に設定されている（Ｎは３以上の整数）。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes a semiconductor substrate SB, an n^- epitaxial layer EP, a p-type back gate region BG, an n^+ source region SR, an n-type drain region DR, a gate electrode GE, and an n-type high-density region HR.例文帳に追加

半導体装置１００は、半導体基板ＳＢと、ｎ^-エピタキシャル層ＥＰと、ｐ型バックゲート領域ＢＧと、ｎ^+ソース領域ＳＲと、ｎ型ドレイン領域ＤＲと、ゲート電極ＧＥと、ｎ型高濃度領域ＨＲとを備えている。 - 特許庁

The n-type high-density region HR has higher n-type impurity density than the n^- epitaxial layer EP, is disposed between the p-type back gate region BG and n-type drain region DR, and has peak density at a deeper position from the principal surface 12 than a pn junction portion of the p-type back gate region BG and n^+ source region SR.例文帳に追加

ｎ型高濃度領域ＨＲは、ｎ^-エピタキシャル層ＥＰよりも高いｎ型不純物濃度を有し、ｐ型バックゲート領域ＢＧとｎ型ドレイン領域ＤＲとの間に位置し、かつｐ型バックゲート領域ＢＧとｎ^+ソース領域ＳＲとのｐｎ接合部よりも主表面１２から深い位置にピーク濃度を有している。 - 特許庁

The control part 150 makes the light emitting part 151 output a plurality of optical pulse signals LP which are less than N during the input of the electric pulse signal EP.例文帳に追加

制御部１５１は、電気パルス信号ＥＰが入力されている間、Ｎよりも少ない数の複数の光パルス信号ＬＰを発光部１５１に出力させる。 - 特許庁