相対するパスの遅延時間の相対ばらつきを、システマティック成分とランダム成分とに分離し、当該システマティック成分とランダム成分を用いて遅延時間を計算する。例文帳に追加

The relative dispersion of delays of the opposing paths is separated into a systematic component and a random component, and the delay is calculated by using the systematic component and random component. - 特許庁

製造ばらつきによる読み出し特性の劣化を抑制することが可能な磁気ランダムアクセスメモリを提供する。例文帳に追加

To provide a magnetic random access memory capable of suppressing deterioration of reading characteristics due to manufacturing dispersion. - 特許庁

２つの信号間のタイミングを検証するにあたり、対象となる信号経路を伝播する信号の遅延値を求め、遅延値のランダムなばらつき量について、信号経路を構成するゲート回路の段数に応じたランダムばらつき量を求める。例文帳に追加

When verifying a timing between two signals, the delay value of a signal propagating through an object signal path is calculated, and the random variance quantity of the delay value corresponding to the number of stages of a gate circuit comprising signal paths. - 特許庁

次に、チップ内ランダムばらつき成分（σr）と、チップ内システマティックばらつき成分（σs）とに基づいてチップ内ばらつき成分σchipを算出する（Ｓ２）。例文帳に追加

Next, in-chip variation components σchip are calculated on the basis of the in-chip random variation components (σr) and in-chip systematic variation components (σs) (S2). - 特許庁

その時点のランダム６を生成するカウンタのカウント値が「１９」であったならば、ランダム６として「１９」が抽出され、その値が保存されるとともに、大当り決定用カウンタにその値が設定される。例文帳に追加

If the count value of the counter for generating the random 6 at the point of this time is '19', then '19' is extracted as the random 6, and its value is saved, and this value is set in the big prize deciding counter. - 特許庁

その時点のランダム６を生成するカウンタのカウント値が「１９」であったならば、ランダム６として「１９」が抽出され、その値が保存されるとともに、大当り決定用カウンタにその値が設定される。例文帳に追加

When the count value of the counter generating the random 6 at the time is "19", "19" is extracted as the random, the value is stored, and the value is set to the counter for deciding big winning. - 特許庁

その時点のランダム６を生成するカウンタのカウント値が「１９」であったならば、ランダム６として「１９」が抽出され、その値が保存されるとともに、大当り決定用カウンタにその値が設定される。例文帳に追加

When the counter value to generate the random number 6 at this timing is '19', '19' is extracted as the random number 6, this value is held, and the value is set in the special prize determining counter. - 特許庁

与えられたデータ項目の複数のコピーを格納するためのメモリバンクの最小数は、それらメモリバンクのランダムサイクル時間とランダムバンクアクセス遅延の関数として、例えばランダムサイクル時間のランダムバンクアクセス遅延に対する比より大きいかこれに等しい整数として選択される。例文帳に追加

The minimum number of memory banks for storage of the multiple copies of the given data item is selected as a function of a random cycle time and a random bank access delay of the memory banks, e.g. as an integer greater than or equal to a ratio of the random cycle time to the random bank access delay. - 特許庁

そして、遅延値およびランダムばらつき量に基づき、最厳動作条件における２つの信号間の最厳ばらつき量を求め、最厳ばらつき量に基づいて、ゲート回路ごとに個別ばらつき係数を割り当て、タイミング解析を行なう。例文帳に追加

Then, the most strict variance quantity of two signals under the most strict operation conditions is searched based on the delay value and the random variance quantity, and respective variance coefficients are assigned to each gate based on the most strict variance quantity, and timing analysis is operated. - 特許庁

本発明は、ランダム化された負荷バランシングを使用して、トラヒックをルーティングするための方法および装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method and device for routing traffic using randomized load balancing. - 特許庁

画像形成装置が発生するランダム性騒音と周期性騒音とをバランスよく消音できる能動型騒音制御装置を目的とする。例文帳に追加

To provide an active type noise controller capable of eliminating random noise and periodic noise produced by an image forming device with good balance. - 特許庁

ランダムばらつきをオンチップでモニターして、ＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧ばらつきを減らすように基板電圧、電源電圧にフィードバックをかけることを可能とする。例文帳に追加

To apply feedback to substrate voltage, power supply voltage so as to reduce threshold voltage variation of a MOSFET by monitoring random variation on chip. - 特許庁

参照データ格納メモリ部４には、ジッタ成分を発生させるバラツキとランダム性を有すデータが格納されている。例文帳に追加

In the reference data storage memory part 4, data provided with dispersion and randomness for generating jitter components are stored. - 特許庁

帰還容量の容量値を調節することで画像信号の増幅率を変更すると、ランダムノイズも単純に容量比で増幅されてしまうとともに、容量を分割することによって増幅率ばらつきが増加する。例文帳に追加

To solve the problems that random noise is simply amplified according to a capacitor ratio and that a variation in amplification rate increases by capacity division when the amplification rate of an image signal is changed by adjusting the capacitance value of a feedback capacitor. - 特許庁

半導体装置及びその製造方法において、少ないバンプ数やランダムロケーションのバンプ配置でも半導体チップの平行出しが容易であると共に、接着強度や半導体チップの高さのばらつきを低減すること。例文帳に追加

To parallel semiconductor chips easily even with few bumps or at a random location of bump arrangement, and to reduce the variation in adhesive strength and in height of the semiconductor chip, in a semiconductor device and its manufacturing method. - 特許庁

ＬＳＩの製造ばらつき、トランジスタのランダムばらつき、電源ノイズ、信号ノイズによって、送信回路の基準信号と受信回路の基準信号が固定的にずれたり、時間的に変動したりする場合でも期待通りの送受信を行うことができる通信回路を提供する。例文帳に追加

To provide a communication circuit capable of performing transmission/reception as expected even when a reference signal of a transmission circuit and that of a reception circuit are fixedly deviated or temporally varied by manufacturing dispersion of an LSI, random dispersion of a transistor, power noise or signal noise. - 特許庁

礫の衝突や流体力により、緩衝体がバラバラになり流出することを防止でき、かくして、緩衝機能の維持が図れると共に、鋼製枠ダム本体が礫から受ける衝突から確実に保護することができる。例文帳に追加

To maintain a cushioning function and to positively protect a steel frame dam body from a collision of gravel by preventing a buffer body from being broken into pieces to flow out by the collision of the gravel or fluid force. - 特許庁

メモリセル２００と周辺回路２０１との両方がランダムばらつきによって特性が悪化し、ワースト特性に近い構成要素同士の組み合わせの際に、マクロレベルでの特性不良が発生する。例文帳に追加

Characteristics of both a memory cell 200 and a peripheral circuit 201 are deteriorated due to random variation, thereby causing a macro-level characteristics deterioration when components having nearly the worst characteristics are combined. - 特許庁

本ＩＤチップは、メモリセルアレイを構成する個々のメモリセルの閾値電圧のバラツキにより、メモリセルアレイに生成されたランダムなデータを固有の識別情報として用いた構成とされる。例文帳に追加

An ID chip is configured in such a manner that random data generated in a memory cell array due to variation of threshold voltage of each memory cell constituting the memory cell array is used as inherent identification information. - 特許庁

磁気ランダムアクセスメモリ素子の製造時のバラツキによって発生するメモリセルの動作不良に対し、高い検出能力を持つ不良検出技術を提供する。例文帳に追加

To provide a defect detecting method having high detection capability with respect to a malfunction of memory cells caused by variation in manufacturing magnetic random access memory. - 特許庁

このようにすることによって、定電流源の特性のバラツキによって、各画素からの出力信号にバラツキが生じるが、定電流源を信号線１−１〜１−ｍに接続して各列毎に設けた場合のように、固定パターンノイズとして現れずに、そのバラツキがランダムに生じる。例文帳に追加

Although dispersion is caused in the output signals from the respective pixels due to the dispersion of the characteristics of the constant current sources, dispersions do not appear as fixed pattern noise but are caused random by as in the case, when the constant current sources are connected to the signal lines 1-1 to 1-m and are installed in respective columns. - 特許庁

これによれば、ランダム方向に飛んでくるパーティクルがセンサ素子１に衝突しても、衝撃吸収材４によってパーティクル衝突の衝撃が緩和される。例文帳に追加

Thereby, the impact of collision of the particles is alleviated by the shock absorber 4, even if the particles flying in random directions collide against the sensor element 1. - 特許庁

少なくともレトログレードチャネル構造を有するＭＩＳトランジスタを備えた半導体装置において、ランダム成分によるトランジスタ特性のばらつきを抑制した、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a reliable semiconductor device which suppresses the variation in transistor characteristics caused by random components, in a semiconductor device equipped with a MIS transistor having a retrograde channel structure at least, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

装飾糸片２は、緯方向に配列された複数の撚糸を適当な長さで途切れさせて形成されており、撚糸が途切れることにより撚りが戻って繊維がばらけて長さが伸び、装飾糸片毎にランダムな形態が表出されるようになっている。例文帳に追加

The decorating yarn pieces 2 are formed by breaking off a multiple number of twisted yarns arranged in the weft direction by suitable lengths, and by breaking off the twisted yarns, fibers are untwisted and become loose and the length of the yarns is elongated so as to express a random form for each of the decorating yarn pieces. - 特許庁

ガラス基板の表示領域に対応する対応領域を、互いに交差する分割線により分割した分割領域毎にレチクルを用いて露光することで、画素電極35を、画素24のそれぞれの電気的特性が表示領域全体でランダムにばらつくように形成する。例文帳に追加

Pixel electrodes 35 are formed in such a manner that electric characteristics of each pixel 24 randomly vary in the whole display region by exposing each division region obtained by dividing a corresponding region corresponding to the display region of a glass substrate by dividing lines intersecting each other, by using a reticle. - 特許庁

相対するパスの遅延時間の相対ばらつきについて、相対するパスのステージ段数を抽出すると共に、前記相対するパスにおける各ステージにおいて独立した正規分布として前記ステージの段数に依存した計算により前記ランダム成分による遅延時間の相対ばらつきを算出する。例文帳に追加

With respect to the delay time on-chip variation between relative paths, a delay time on-chip variation depending on a random component is calculated by extracting the number of stages of the relative paths and carrying out calculation depending on the number of stages on presumption of an independent normal distribution in each stage of relative paths. - 特許庁

たとえば、ラインアンドスペースの微細パターンを有する部分と有しない部分とを含むモールドを高分子液晶に押し付けることによって、当該液晶中に、特定方向へ配向した部分と配向がランダムな部分とを意図的に配置して同時に形成する。例文帳に追加

For instance, by pressing a mold including a part having a fine pattern of lines and spaces and a part not having the fine pattern to the polymer liquid crystal, a part aligned in a specified direction and a part of random alignment are intentionally arranged and simultaneously formed in the liquid crystal. - 特許庁

金属微粒子を用いる従来の局在プラズモン共鳴センサにおける、金属微粒子の大きさのばらつき、および配置がランダムであることに起因する、吸光度スペクトルの幅が広く、ピーク強度が低下してしまうという問題、並びに金属微粒子近傍の媒質の変化を検出する信号変化の低さによるセンサとしての感度の限界といった問題を解決する。例文帳に追加

To solve problems of a conventional localized plasmon resonance sensor using metal particles such that the peak strength of an absorbance spectrum decreases and the width of the spectrum becomes broad due to variations in size of the metal particles and random configuration thereof, and limitation of the sensor's sensitivity due to small changes in a signal for detecting changes in a medium near the metal particles. - 特許庁

本発明は、固体撮像装置の回路構成などに起因してその出力信号に生じるバラツキを、各画素毎にランダムに生じさせることにより、固体パターンノイズをキャンセルすることが可能な固体撮像装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a solid-state image pickup device which can cancel solid- state pattern noise by generating dispersion caused in an output signal, due to circuit configuration of the solid-state image pickup device at random for at every pixel. - 特許庁

本発明は、ランダムサイクルタイム（ｔＲＣ）のＲＡＳリストア時間（ｔＲＡＳ）およびＲＡＳプリチャージ時間（ｔＲＰ）を決めるためのセルフタイマ回路をＲＯＷ系制御システムに備えるＦＣＲＡＭにおいて、ＲＡＳリストア動作の終了およびＲＡＳプリチャージ動作の開始のタイミングのばらつきを改善できるようにすることを最も主要な特徴としている。例文帳に追加

To improve dispersion of timing of finish of RAS restore operation and start of RAS pre-charge operation in a FCRAM in which a self-timer circuit for determining a RAS restore time (tRAS) of a random cycle time (tRC) and a RAS pre-charge time (tRP) is provided in a ROW system control system. - 特許庁

個々のメモリ構成要素によって消費される電力および熱負荷の量を制限するためにアクティブ・デバイスの間でより均等にメモリ使用のバランスをとるために、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）デバイスおよびデュアル・インライン・メモリ・モジュール（ＤＩＭＭ）デバイスのうちで十分に利用されていない部分にメモリ割振りを再配分する方法、装置、およびシステムを開示する。例文帳に追加

This method, device and system are disclosed for redistributing memory allocation to insufficiently used portions of a dynamic random access memory (DRAM) device and a dual in-line memory module (DIMM) device in order to balance memory usage more evenly amongst active devices so as to limit the amount of power and the thermal load consumed by an individual memory component. - 特許庁