「"あいび"」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

ＰＺＮの下位側にＰＺＩＢＮを連結したＰＢＡ'を生成し、このＰＢＡ'をＰＢＡに変換する。例文帳に追加

A PBA' in which a PZIBN is connected below a PZN is generated and the PBA' is converted to the PBA. - 特許庁

ＳＮＭＰエージェント３４は獲得コマンドに応答して＜アクセス間隔ＭＩＢ＞を送信する。例文帳に追加

An SNMP agent 34 corresponds to an acquisition command to transmit the access interval MIB. - 特許庁

ＦＩＢによるアトムプローブ分析用試料の作製方法とそれを実施する装置例文帳に追加

PREPARATION METHOD OF SAMPLE FOR ATOM PROBE ANALYSIS BY FIB, AND DEVICE FOR EXECUTING THE METHOD - 特許庁

レーザプロジェクタは、少なくともバイアス電流値Ｉｂ以上で作動するように構成されている。例文帳に追加

The laser projector is constituted to operate by at least bias current Ib or more. - 特許庁

ＭＩＢオブジェクトの値をサブモジュールデータベース１１に記憶されるサブモジュールを実行する場合において、データ処理装置から受け取るＭＩＢオブジェクトをオブジェクト処理部７が解析して得られるＭＩＢデータを記憶されるサブモジュールに組み込まれるプログラムとして実行し、該実行結果に基づきＭＩＢを拡張する構成を特徴とする。例文帳に追加

When a submodule, having the value of a MIB object stored in a submodule database 11 is executed, an MIB object received from a data processor is analyzed by an object processing part 7 to obtain MIB data, which are executed as a program incorporated in the submodule, thereby extending the MIB based on the execution result. - 特許庁

ＥＳＳＩＤ(Extended Service Set IDdentifier、最大３２文字までの英数字（２５６bit））をＩＢＳＳＩＤ（６byte(４８bit)）に設定する。例文帳に追加

ESSID (Extended Service Set IDentifier, a maximum of 32 alphanumeric characters (256 bits)) is set to IBSSID (6 bytes (48 bits)). - 特許庁

トンネル磁気抵抗効果素子１０の下部電極１７にバイアス電流Ｉｂを流す。例文帳に追加

A bias current Ib flows to a lower electrode 17 of a tunnel magnetoresistive effect element 10. - 特許庁

演算部４０は、ＩＢ値のサイクリックバリエーションの変動幅を演算する機能も有している。例文帳に追加

The operation section 40 has also a function to calculate a width of cyclic variation of the IB value. - 特許庁

充電電流Ｉｂ１の過電流に起因した、ＡＣ／ＤＣコンバータ３の動作停止が回避される。例文帳に追加

Thus, stopping of action is evaded in the AC/DC convertor 3 due to excessive current in the charging current Ib1. - 特許庁

これにより、ＦＥＴ１がオンとなり、電流Ｉ_ＢＹＰＡＳＳがＦＥＴ１を流れる。例文帳に追加

This causes a FET 1 to be turned on, causing a current I_BYPASS to flow in the FET 1. - 特許庁

半導体の良否をテストするテスト本体部のデータとＭＩＢに沿った形式のデータとの相互変換を行うＭＩＢ変換部を用い、テスト本体部のデータをＭＩＢに沿った形式のデータに変換してＭＩＢデータベースに格納すると共に、ＳＮＭＰを用いて半導体テスト装置を管理できるようにした。例文帳に追加

A data of a testing body part is converted into a data of a format along an MIB to be stored in an MIB database, using an MIB conversion part for conducting mutual conversion between the data of the testing body part for testing the quality of a semiconductor and the data of the format along the MIB, the semiconductor testing device is controlled using the SNMP. - 特許庁

ＳＩＰライブラリＳＩＰ＿Ｌｉｂ２は、ＶＣクライアントＶＣ＿ＰＣ−１に「ＯＫ（Ｖｉｄｅｏ：ＳｅｎｄＲｅｃｅｉｖｅ）」を返信する（Ｓ１２６）。例文帳に追加

A SIP library SIP_Lib2 returns "OK (Video: SendReceive)" to a VC client VC_PC-1 (S126). - 特許庁

バイアス切替部１３は、入力電圧Ｖｉｎレベルに応じて第１の差動増幅部１１のバイアス電流Ｉｂ６と第２の差動増幅部１２のバイアス電流Ｉｂ１とを切り替え、第１の差動増幅部１１及び第２の差動増幅部１２が共に動作する領域でのバイアス電流Ｉｂ６及びバイアス電流Ｉｂ１を補正する。例文帳に追加

The bias switching section 13 switches the bias current Ib6 of the first differential amplification section 11 and the bias current Ib1 of the second differential amplification section 12 corresponding to an input voltage Vin level, and corrects the bias current Ib6 and the bias current Ib1 in an area wherein the first differential amplification section 11 and the second differential amplification section 12 are both operated. - 特許庁

そして、基地局装置からＭＩＢに設定したＶＬＡＮ−Ｔａｇを加入者局装置に通知する。例文帳に追加

Then, the VLAN-tag set in the MIB is announced from the base station device to the subscriber station device. - 特許庁

電流制御部７２−２は、電流Ｉｂ２が目標量となるように第２コンバータを制御する。例文帳に追加

The current control part 72-2 controls a second converter so that a current Ib2 is a target level. - 特許庁

変換先ＡＳＴに含まれるノードとその構造にしたがって、ＩＢＭソース２０２を生成する。例文帳に追加

According to the nodes included in the conversion destination AST and its structure, an IBM source code 202 is generated. - 特許庁

ＤＲＶは、Ｉｂｉａｓに変調電流Ｉａｃを合成した電流によってＬＤを駆動する。例文帳に追加

The DRV drives the LD by current obtained by combining the Ibias and modulation current Iac. - 特許庁

すなわち、高い加速電圧を用いたＦＩＢ加工と低い加速電圧を用いたＦＩＢ仕上げ加工とを組み合わせることにより、高い加速電圧のＦＩＢ加工で薄膜部の側面上に形成された厚い非晶質層を低い加速電圧のＦＩＢ仕上げ加工で薄くすれば、微細化された半導体装置の製造工程の評価に適した分解能の高いＴＥＭ像を得ることができる。例文帳に追加

Namely, by combining FIB processing using a high accelerating voltage with FIB finishing using a low accelerating voltage, the thick amorphous layer formed on the side of the membrane part by the FIB processing using the high accelerating voltage is thinned by the FIB finishing using the low accelerating voltage, and hereby the TEM image having high resolution suitable for evaluation of a manufacturing process of a minute semiconductor device can be acquired. - 特許庁

本発明の太陽電池の製造方法は、Ｉｂ族元素を含むターゲット及びＩＩＩｂ族元素を含むターゲットを、Ｓｅを含む雰囲気中でスパッタして、Ｉｂ族元素、ＩＩＩｂ族元素及びＳｅを含む層を基板上に形成するスパッタリング工程と、層を加熱する熱処理工程と、を備える。例文帳に追加

The method of manufacturing a solar cell includes: a sputtering process for sputtering a target including a group Ib element and a target including a group IIIb element in an atmosphere including Se, and forming a layer including the group Ib element, group IIIb element, and Se on a substrate; and a heat-treatment process for heating the layer. - 特許庁

これにより、中間電流Ｉａから中間電流Ｉｂ（誤差成分）が除去される。例文帳に追加

Thus, the intermediate current Ib (error component) is canceled from the intermediate current Ia. - 特許庁

Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ−ＴｉＢ２系セラミック焼結体及びこれを用いた磁気ヘッド用基板例文帳に追加

Al2O3-TiC-TiB2 BASE CERAMIC SINTERED COMPACT AND SUBSTRATE FOR MAGNETIC HEAD USING THE SAME - 特許庁

ステンレス鋼が、更に、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｂの１種又は２種以上を含有しても良い。例文帳に追加

This stainless steel can, furthermore, contain one or two kinds or more of Mo, Nb, Ti and B. - 特許庁

Ｐｒｏｆｉｂｕｓデバイスネットワークとともに使用するためのプロセス制御構成システム例文帳に追加

PROCESS CONTROL CONFIGURATION SYSTEM TO BE USED TOGETHER WITH PROFIBUS DEVICE NETWORK - 特許庁

信号出力回路５は、被験者の体にマルチ周波のプローブ電流Ｉｂを投入する。例文帳に追加

A signal output circuit 5 feeds the body of a subject with a multi-frequency probe current Ib. - 特許庁

抽出画像生成手段２は、２値画像Ｉａから抽出画像Ｉｂを生成する。例文帳に追加

An extracted image generating means 2 generates an extracted image Ib from the binary image Ia. - 特許庁

ＳＩＰ端末１１は例えばその起動時に、交換サーバ２０にＳＵＢＳＣＲＩＢＥを送出する。例文帳に追加

A SIP terminal 11 transmits a SUBSCRIBE to an exchange server 20, for example, on starting of the SIP terminal 11. - 特許庁

そして、偏向器８を用いて、照明ビームＩＢを偏向させ、照明位置を調整する。例文帳に追加

By using a deflector 8, the lighting beam IB is deflected, and a lighting position is adjusted. - 特許庁

該チップは所望によりさらにＭｎ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｂ及びＦｅからなる群より選択される元素を含む。例文帳に追加

The chips moreover contain elements selected from the group consisting of Mn, Si, Ni, B and Fe. - 特許庁

ＩＢ族元素、ＩＩＩＢ族元素およびＶＩＢ族元素から成り、ＩＩＩＢ族元素としてＩｎとＧａを含む化合物半導体薄膜において、その膜厚方向のＧａ分布の均一性が良好であるか、または膜厚方向のＧａ分布を任意に制御することができる化合物半導体薄膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a compound semiconductor thin film where a uniformity in a Ga distribution in the direction of a film thickness is appropriate or the Ga distribution in the direction of the film thickness can be arbitrarily controlled in the compound semiconductor thin film that comprises a group IB element, a group IIIB element, and a group VIB element and contains In and Ga as the group IIIB element. - 特許庁

出力電圧はバイアス電流Ｉｂの影響を受けるので、測定ドリフトが発生する。例文帳に追加

Since the output voltage is influenced by the bias current Ib, the measuring drift is generated. - 特許庁

ＳＩＰライブラリＳＩＰ＿Ｌｉｂ１は、ＶＣクライアントＶＣ＿ＰＣ−２に「Ａｃｋ」を送信する（Ｓ１２８）。例文帳に追加

The SIP library SIP_Lib1 transmits "Ack" to the VC client VC_PC-2 (S128). - 特許庁

レイアウト工程Ｓ２において、ドライバ２０を含むライブラリＬＩＢ１を用いてレイアウトする。例文帳に追加

In a layout process S2, a library LIB1 including a driver 20 is used for layout. - 特許庁

ＳＷ１，ＳＷ２は、ＥＮが非活性の際にＩＢＩＡＳおよびＴ−ＣＰＳの電源を遮断する。例文帳に追加

The SW1 and SW2 interrupt the power of the IBIAS and the T-CPS when the EN is inactive. - 特許庁

ＴｉＢ２基Ｔｉ−Ｓｉ−Ｃ系複合セラミックス及びその焼結体製造方法例文帳に追加

TIB2 BASE TI-SI-C-BASED COMPOSITE CERAMIC AND METHOD OF MANUFACTURING SINTERED COMPACT THEREOF - 特許庁

ＳＩＰライブラリＳＩＰ＿Ｌｉｂ１は、ＶＣクライアントＶＣ＿ＰＣ−２に「Ｉｎｖｉｔｅ（ｖｉｄｅｏ：ＲｅｃｅｉｖｅＯｎｌｙ）」を送信する（Ｓ１２２）。例文帳に追加

A SIP (session initiation protocol) library SIP_Lib1 transmits "Invite (video: Receive Only)" to a VC client VC_PC-2 (S122). - 特許庁

ＭＩＢモジュ—ル変更方法、その記録媒体、その記録媒体を有する装置、及び、ネットワ—ク資源例文帳に追加

MIB MODULE CHANGE METHOD, STORAGE MEDIUM THEREFOR, DEVICE PROVIDED WITH STORAGE MEDIUM AND NETWORK RESOURCE - 特許庁

（Ｉ）病理標本を免疫染色して細胞膜をＤＡＢ発色させる。例文帳に追加

(1) Immuno-stain of a pathologic sample is performed to acquire DAB color development of a cell membrane. - 特許庁

演算ブロックが入力画像データＩＧの左上の入力ブロックＩＢ１１ａへ配置される。例文帳に追加

An arithmetic block is disposed in an upper left input block IB11a of input image data IG. - 特許庁

そして、端末１が、生成したＩＢＳＳＩＤを含むBeaconフレームをブロードキャストする。例文帳に追加

The terminal 1 broadcasts a beacon frame including the generated IBSSID. - 特許庁

不揮発性半導体記憶装置は、ビット線ＢＬ０ｉ〜ＢＬ２ｉ、ビット線ＢＬ０ｉ〜ＢＬ２ｉと交差するワード線ＷＬ０ｉ、ＷＬ１ｉ、及びビット線ＢＬ０ｉ〜ＢＬ２ｉ及びワード線ＷＬ０ｉ、ＷＬ１ｉの交差部で両配線間に接続されたメモリセルＭＣ０〜ＭＣ３を有する単位セルアレイＭＡＴ００を備える。例文帳に追加

The nonvolatile semiconductor memory includes a unit cell array MAT00 which has bit lines BL0i to BL2i, word lines WL0i, WL1i intersected by the bit lines BL0i to BL2i, and memory cells MC0 to MC3 connected between the bit lines BL0i to BL2i and the word lines WL0i, WL1i at intersections thereof. - 特許庁

ＭＩＢ情報を利用した印刷システムにおけるＳＮＭＰによる通信探索方法例文帳に追加

COMMUNICATION RETRIEVAL METHOD USING SNMP IN PRINT SYSTEM USING MIB INFORMATION - 特許庁

——万一14日までにお支払い戴けなかった場合、18日の結婚式は中止になることでしょう」例文帳に追加

but if the money is not paid on the 14th, there certainly will be no marriage on the 18th.''  - Arthur Conan Doyle『チャールズ・オーガスタス・ミルヴァートン』

半導体試料をへき開またはＦＩＢ加工して断面を露出させ、当該露出面２２に再度ＦＩＢ装置９のイオン銃１１からガリウムイオン（Ｇａ３＋）を照射する。例文帳に追加

A gallium ion (Ga3+) is irradiated from an ion gun 11 of a FIB device 9 to an exposed surface 22 again by exposing a cross section through a cleavage or FIB processing a semiconductor material. - 特許庁

ルテニウムと、周期律表第ＩＢ族金属及び第ＩＩＢ族金属より選ばれる少なくとも１種の金属とを、担体に担持させた硫黄を含有する炭化水素化合物類の水蒸気改質触媒。例文帳に追加

The steam reforming catalyst is constituted by supporting ruthenium and at least one kind of a metal selected from metals of the group IB and IIB on a support. - 特許庁

イネスターチシンターゼＩＩＩａ型（ＳＳＩＩＩａ）及びイネ枝作り酵素ＩＩｂ型（ＢＥＩＩｂ）の遺伝子座が劣性ホモであり、遺伝的に固定されているイネ変異体を得る。例文帳に追加

There is provided a genetically immobilized rice mutant in which the gene loci of rice starch synthase IIIa type (SSIIIa) and rice branching enzyme IIb type (BEIIb) are recessive homozygous. - 特許庁