「"ボンディング法"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ペレットボンディング法及びその装置と樹脂封止半導体装置例文帳に追加

PELLET BONDING METHOD AND APPARATUS, AND RESIN SEALED SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

ワイヤボンディング法およびその方法に使用するヒータープレート例文帳に追加

WIRE BONDING METHOD AND HEATER PLATE USED FOR THE METHOD - 特許庁

銅電極２の上に、ワイヤボンディング法によってバンプ電極３を形成する。例文帳に追加

A bump electrode 3 is formed on the copper electrode 2 by wire-bonding method. - 特許庁

半導体チップ１，２，３と基板４とをボールボンディング法のリバース法により接続する。例文帳に追加

Semiconductor chips 1, 2, and 3 are connected to a substrate 4 by a reverse method of a ball bonding method. - 特許庁

スタッガ配列によるワイヤボンディング法を備えた、薄型の半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a thin semiconductor device provided with a wire bonding method by a staggered array. - 特許庁

チップ１０は、フリップチップボンディング法によって実装基板３０に実装されている。例文帳に追加

The chip 10 is mounted on the substrate 30 by a flip-chip bonding method. - 特許庁

ワイヤボンディング法において、ボンディングパッドと導体ワイヤとの間に十分な接続強度を与える。例文帳に追加

To give sufficient connection strength between a bonding pad and a conductor wire in a wire bonding method. - 特許庁

大規模並列処理微小電気機械システムのパッケージング用に反応性フォイルを用いたウェハボンディング法例文帳に追加

WAFER BONDING METHOD USING REACTIVE FOILS FOR MASSIVELY PARALLEL MICRO-ELECTROMECHANICAL SYSTEMS PACKAGING - 特許庁

又、ワイヤボンディング法を採らないことから、周囲部分に電極を配置した半導体素子に限定されず、又、その大きさが制限されることもない。例文帳に追加

Also, since this method does not adopt the wire bonding method, components are not limited to semiconductor devices around which electrodes are placed and their size is not also limited. - 特許庁

まず、弾性表面波素子３の各電極パッド上にＡｕまたはＡｕを主成分とした金属バンプをボールボンディング法により形成する。例文帳に追加

First, metal bumps made of Au or containing Au as a main component are formed on each of electrode pads of an SAW element 3 by a ball bonding method. - 特許庁

ワイヤボンディング中にキャピラリの不要な移動時間を最小化することによりワイヤボンディング時間を最小化できるワイヤボンディング法を提供すること。例文帳に追加

To provide a wire bonding method, in which wire bonding time can be minimized by minimizing unnecessary moving time of a capillary during wire bonding. - 特許庁

特に半導体チップに外部リード線を接合するワイヤボンディング作業時において半導体チップをヒータープレート上にしっかりと保持することができるワイヤボンディング法を提供する。例文帳に追加

To provide a wire bonding method in which a semiconductor chip is tightly held on a heater plate, especially at wire bonding work where an external lead wire is jointed to a semiconductor chip. - 特許庁

次に、相対的に低い周波数特性を有する弾性表面波素子を、金属バンプの再結晶温度よりも高い温度までパッケージを熱してから、フリップチップボンディング法で搭載する。例文帳に追加

Then the surface acoustic wave element with a relatively low frequency characteristic is mounted on the package after it is heated to a temperature higher than the recrystallization temperature of the metallic bumps by the flip chip bonding method. - 特許庁

フリップチップボンディング法により、回路基板１０の表面に形成された第1接地電極１１Ｄに半導体チップの接地用バンプを接合する。例文帳に追加

The grounding bump of the semiconductor chip is bonded to a first grounding electrode 11D, which is formed on the surface of a circuit board 10 by flipchip bonding. - 特許庁

このような直接接合法を採用することで、従来のワイヤボンディング法を使用した固体電解コンデンサに比較して、コンデンサ自体を小型化することができる。例文帳に追加

Since such direct joining method is adopted, the size of the solid electrolytic capacitor itself is reduced as compared with the solid electrolytic capacitor manufactured by using the conventional wire bonding method. - 特許庁

ワイヤボンディング法により形成した尖った先端の金バンプをレベリングせずにそのまま使用し、さらに、該バンプに直接パッケージ電極を形成することでウェハレベルＣＳＰの端子を形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a terminal of a wafer level CSP by using a pointed gold bump formed by a wire bonding method as it is without leveling and further forming a package electrode directly on the bump. - 特許庁

次に動作モードをワイヤボンディングモードからボールバンプ形成モードに切り替え、ＩＣチップ中央部の積層接続用電極５上にワイヤボンディング法によってボールバンプ１０を形成する。例文帳に追加

An operating mode is then changed over to a ball-bump formation mode from a wire bonding mode, and ball bumps 10 are formed by a wire bonding method on electrodes 5 in the central part of the IC chip. - 特許庁

フェースダウンボンディング法により基板に実装して、優れた耐熱衝撃性を有する半導体装置を作成できるフリップチップ型半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a flip-chip semiconductor element to obtain a semiconductor device improved in heat shock resistance packaged on a substrate by the face-down bonding method. - 特許庁

焦電性を有する圧電基板にボールボンディング法によりバンプを形成する際、励振電極の放電破壊が発生せず、高歩留りでバンプ形成ができる弾性表面波装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a surface acoustic wave device in which a bump can be formed on a piezoelectric substrate having pyroelectricity by a ball bonding method with high yield without generating the discharging destroy of an exciting electrode. - 特許庁

プラチナメッキ金線等からなる複数の金属細線１６（電極）を、電源に接続される電極基板１２上に、ワイヤボンディング法により一端（接合部１６ａ）を接合する形で立設する。例文帳に追加

A plurality of metallic small wires 16 (electrodes) formed of a platinum-plated wind, etc., are erected on an electrode substrate 12 to be connected to a power supply with one end (a junction part 16a) bonded by a wire bonding method. - 特許庁

半導体素子と配線基板とをワイヤボンディング法により接続しながら、装置の薄型化・集積化が図れるＢＧＡ型半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a BGA-type semiconductor device, which can thin and integrate the device, while a semiconductor element and a wiring board are connected by a wire bonding method. - 特許庁

キャビティ構造を有するパッケージの凹部底面に電極ランドを形成し、電極ランドに対して、金属バンプを電極上に形成した弾性表面波素子をフリップチップボンディング法により接合する。例文帳に追加

An electrode land is formed to a bottom of a recessed part of a package with a cavity structure and a metallic bump of a surface acoustic wave element whose metallic bump is formed on an electrode is joined with the electrode land by the flip-chip bonding method. - 特許庁

キャビティ構造を有するパッケージ１の凹部底面に形成された電極ランド４，５に複数の素子１０，２０をフリップチップボンディング法により接合する。例文帳に追加

A plurality of elements 10 and 20 are joined to electrode lands 4 and 5 that are formed on the bottom surface of the recessed part of a package 1 having cavity structure by the flip chip bonding method. - 特許庁

ＩＣチップ１の電極１１にボールボンディング法を用いてバンプ枢体部分１３ａとバンプ緩衝接続部分１３ｂからなる多段構造のバンプ１３を有するフリップチップを形成する。例文帳に追加

On the electrodes 11 of an IC chip 1, the flip chips having multistage bumps 13 each of which is composed of a bump skeleton section 13a, and a bump buffer connecting section 13b are formed by the ball-bonding method. - 特許庁

ＳＡＷ素子のボンディングパッドとパッケージの接続端子２２とは、ウエッジボンディング法を用いてボンディングワイヤ２３で電気的に接続される。例文帳に追加

The bonding pads of the SAW element and connection terminals 22 of the package are electrically connected by bonding wirings 23 by using a wedge bonding method. - 特許庁

この混成基板は、様々なＣＭＯＳがデバイスの性能を高める面方位上に構築された集積半導体構造を提供する直接ボンディング法を使用する方法によっても提供される。例文帳に追加

The hybrid substrate may also be yielded by a method, employing a direct bonding method which provides an integrated semiconductor structure, in which various CMOSs are constructed on plane directions which enhance the performance of a device. - 特許庁

電極パッド１８と電極パッド１９との間を金線のワイヤ２０を用い、ワイヤボンディング法で接続する際、第１ターゲットとしての電極パッド１８上にボールボンディングを行い、第２ターゲットとしての電極パッド１９のＡｕバンプ４４上にステッチボンディングを行う。例文帳に追加

When the electrode pad 18 and electrode pad 19 are interconnected with a gold wire 20 by wire bonding, ball bonding is performed on the electrode pad 18 as a first target, and stitch bonding is performed on the Au bump 44 on the electrode pad 19 as a second target. - 特許庁

相対的に高い周波数特性の弾性表面波素子を金属バンプの再結晶温度よりも低い温度に熱したパッケージに、フリップチップボンディング法で搭載して、相対的に高い周波数特性の弾性表面波素子をパッケージのアースと導通させる。例文帳に追加

The surface acoustic wave element with a relatively high frequency characteristic is mounted on a package heated to a temperature lower than a recrystallization temperature of metallic bumps by the flip chip bonding method to make the surface acoustic wave element with a relatively high frequency characteristic conductive to earthing of the package. - 特許庁

突起４１，４２を、ワイヤボンディング法に準じた方法により、面発光レーザ１表面の電極１２および金属パターン１３に形成した後、その先端部を支持部材３の金属パターン３３に超音波溶接で固定する。例文帳に追加

After forming projections 41, 42 by a method complying with the wire bonding method on the surface electrode 12 and the surface metal pattern 13 of the surface emission-type laser 1, the tip part is fixed to the metal pattern 33 of the supporting member 3 by ultrasonic welding. - 特許庁

さらに、親チップ２１の上部に子チップ２３を貼り付け、子チップ２３をワイヤボンディング法により金線２４で基板２２と導通する工程と、基板２２、親チップ２１および子チップ２３から形成したモジュールをパッケージングする工程とを有する。例文帳に追加

Further, provided are a stage where a slave chip 23 is stuck on the master chip 21 and electrically connected to the substrate 22 with a metal wire 24 by a wire bonding method and a stage where the module comprising the substrate 22, master chip 21, and slave chip 23 is packaged. - 特許庁

中心周波数が１ＧＨｚ以上の周波数特性を有する弾性表面波装置で、パッケージに弾性表面波素子を、フリップチップボンディング法を用いて、焦電破壊を防止しつつ、パッケージに良好な密着強度で接合する。例文帳に追加

To provide a surface acoustic wave device with a frequency characteristic wherein the center frequency is 1 GHz or over that adopts the flip chip bonding method to bond surface acoustic wave elements to a package with excellent tight strength while preventing pyroelectric destruction. - 特許庁

ドライブレンド法によるものに匹敵するメタリック感と耐候性を有し、またメタルボンディング法によるものに匹敵する塗装作業性を有する、樹脂粉とメタル箔粉とが結合したメタリック系粉体塗料を製造する製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a metallic powder coating material which has metallic feeling and weatherability equivalent to those of one obtained by a dry blending method and has an application workability equivalent to that of one obtained by a metal bonding method and in which a resin powder is bonded to a metal foil powder. - 特許庁

電力用半導体チップ上の電極へ外部から配線を接続する方法としては、ワイヤボンディング法が一般的であるが、電流密度の高い半導体チップになると、ワイヤ本数が増えて実装コストが増加し、また、実装信頼性の確保にコストがかかる。例文帳に追加

To solve the problem of prior art that although a wire bonding method is generally known as a method for connecting a wiring from the outside to an electrode on an electric power semiconductor chip, in a semiconductor chip having high current density the number of wires is increased to increase the manufacturing cost, and the high cost is required for assurance of mounting reliability. - 特許庁

60μmを下回るような狭ピッチでのボンディングを行う場合に、小ボール接合をしても良好な接合強度と良好な真円性を有する圧着径および良好なループの形成性を同時に確保できる半導体装置およびそのボンディング法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device where the bonding diameter, having proper bonding strength and proper circularity and proper loop-forming property can be secured simultaneously, even if small balls are used for bonding when bonding with a narrow pitch of 60 μm or smaller, and to provide the bonding method. - 特許庁

Ａｌ配線パッド上にワイヤボンディング法によりＡｕよりなる突起状電極を形成してなるフリップチップを、該突起状電極を介して半田接合することで基板上に実装する方法において、コストアップを極力抑えつつ、突起状電極と配線パッドとの界面に半田が付着するの防止する。例文帳に追加

To avoid depositing solder to the interface of bump electrodes and wiring pads of a flip chip with possibility suppressing the cost up, in a method of mounting the flip chip on a substrate by soldering it via the Au bump electrodes formed by the wire bonding method on the Al wiring pads. - 特許庁

フレキシブル基板と硬質基板とを重合した多層構造を有するリジットフレキシブル基板において、硬質基板１０に開口１を設けてフレキシブル基板の一部を露出させ、上記開口１内の露出部に、半導体素子３をフリップチップボンディング法を用いて実装することを特徴とする。例文帳に追加

In a rigid flexible substrate having a multilayer structure in which the flexible substrate and a hard substrate are superposed, an opening 1 is provided in the hard substrate 10 to expose part of the flexible substrate, and a semiconductor element 3 is mounted on the exposed part in the opening 1 by using a flip chip bonding method. - 特許庁

また、このような端子４を備える素子５を、中空状のパッケージ本体１０に搭載し、超音波を利用したワイヤーボンディング法により、素子５の端子４とパッケージ本体１０のインナーリード１１とを、第一の金属とは主成分が異なる第二の金属からなるワイヤー１５を介して相互に接続して実装構造体とする。例文帳に追加

An element 5 equipped with the terminal 4 is mounted on a hollow package body 10; by a wire bonding method that uses ultrasonic waves, the terminal 4 of the element 5 and the inner lead 11 of the package body 10 are mutually connected via a wire 15, constituted of a second metal whose principal component is different from that of a first metal which results in the formation of the mounting structure. - 特許庁

整合用主コンデンサＣ１〜Ｃ３の静電容量が小さ過ぎる場合には、金属製上側ケース８の開口８ａ，８ｂを通して、整合用主コンデンサＣ１〜Ｃ３のホット側コンデンサ電極と整合用副コンデンサＣ４〜Ｃ６のホット側コンデンサ電極とをワイヤボンディング法で電気的に接続する。例文帳に追加

When the electrostatic capacitance of matching main capacitors C1-C3 is too small, via openings 8a, 8b of a metallic upper case 8, the hot side capacitor electrodes of the matching main capacitors C1-C3 and the hot side capacitor electrodes of the matching sub capacitors C4-C6 are electrically connected by wire bonding. - 特許庁

セラミック基板１０の配線部１２に、ＩＣチップ２０やこのＩＣチップ以外のコンデンサ等の部品３０を搭載するための導電性接着剤４０を印刷する工程の前に、配線部１２におけるワイヤボンディングされる部位に、金よりなるワイヤボンディング用のパッド部５０をボールボンディング法等により形成する。例文帳に追加

Before a process in which a conductive adhesive agent 40 is printed on the wiring part 12 of a ceramic board 10 for mounting an IC chip 20 and parts 30 such as capacitors or the like other than an chip, a gold pad 50 for wire bonding is formed through a ball bonding method or the like at a part where a wire is bonded. - 特許庁

圧電発振器の製造方法において、第二の凹部に、発振回路を含む電子回路を形成し且つ裏面に保護樹脂膜が形成されていない半導体素子をフリップチップボンディング法により搭載する工程の後に、プラズマによりアンダーフィルを充填する領域を洗浄する工程を具備し、その後アンダーフィル樹脂材を充填する工程を具備することを特徴とする圧電発振器の製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing the piezoelectric oscillator comprises, after a step of forming an electronic circuit that includes an oscillation circuit, and packaging the semiconductor device with no protecting resin film formed thereon by flip chip bonding method in a second recessed part, a step of washing the area charging an under-fill with plasma, and a step of then charging the under-fill with an under-fill resin material. - 特許庁

固定電極２と可動重り３２を有する可動電極３とを備えるマイクロマシニングセンサエレメント１のウェッジワイヤボンディング部２１、３１にリード線５をウェッジワイヤボンディング法により取付ける方法において、ウェッジワイヤボンディング部２１、３１に、センサの検出軸とほぼ一致させる方向に超音波を当てる。例文帳に追加

In this method of installing a lead wire 5 to wedge wire bonding parts 21, 31 in a micromachining sensor element 1 provided with a fixed electrode 2 and a movable electrode 3 having a movable weight 32 by wedge wire bonding, ultrasonic waves are applied to the wedge wire bonding parts 21, 31 in a roughly coinciding direction to a detection axis of a sensor. - 特許庁

一方主面上に電極１１を有する回路素子１０と、一方主面上に設けられた接続バンプ用電極２と認識バンプ用電極３とを有する基板１とを準備し、接続バンプ用電極２と認識バンプ用電極３とにそれぞれワイヤーボンディング法を用いて接続バンプ１２と認識バンプ１３とを形成する。例文帳に追加

A circuit element 10 having electrodes on one principal face and a substrate 1 having an electrode 2 for the connected bump and an electrode 3 for the recognized bump located on its one principal face are prepared, and the connected bump 12 and the recognized bump 13 are formed respectively to the electrode 2 for the connected bump and the electrode 3 for the recognized bump by using the wire bonding method. - 特許庁