「"COPPER FILM"」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a polishing composition improved in such problems that, in polishing a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound, the polishing selection ratio for the copper and the tantalum compound is inadequate, or when the selection ratio to the copper is raised, the copper film at wiring grooves or holes is overshaved or the smoothness of the surface of the copper film is impaired.例文帳に追加

銅膜及びタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To obtain an etching agent which is capable of etching a copper film at a high etching rate by a simple chemical etching method of immersing the low-resistance copper film in a static state into an aqueous solution of an inexpensive and easily available reagent when this copper film is used as a wiring material and hardly gives rise to the occurrence of abnormal etching and pattern thinning.例文帳に追加

低抵抗の銅膜を配線材料として用いる場合に、安価で入手容易な試薬の水溶液に静止状態で浸漬するという簡便なケミカルエッチング法により銅膜を高いエッチングレートでエッチングでき、しかも異常エッチングやパターン細りが起こり難いエッチング剤を得る。 - 特許庁

After a second copper film is deposited on the first copper film by means of an electrolytic deposition technique so as to fill up the contact hole 102 and the wiring groove until midway, metal crystallites constituting the copper films are grown through heat treatment to combine the first and the second copper films together to form a third copper film 107.例文帳に追加

電解メッキ法により第１の銅膜の上に第２の銅膜を接続孔１０２及び配線溝１０３が途中まで埋まるように成膜した後、熱処理により銅膜を構成する金属結晶を成長させる共に第１の銅膜と第２の銅膜とを一体化させて第３の銅膜１０７を形成する。 - 特許庁

Between a Cu-CVD step of forming a first copper film (as a deposit film) to be a Cu seed film and a plating step, a reforming step is inserted to reform the first copper film by exposing the first copper film to an active atmosphere using any of free active seeds produced by plasma or thermal decomposition of molecules.例文帳に追加

Cu-Seed膜となる第一の銅膜（as depo.膜）を成膜するＣｕ−ＣＶＤ工程と、めっき工程との間に、前記第一の銅膜を、プラズマ、又は分子を熱分解して生成した遊離活性種のいずれかを使用した活性雰囲気に晒して改質を行う改質工程を介在させることによって課題を解決した。 - 特許庁

The etching method comprises a step of using the periphery of a copper film 101 where a mask material 102 was formed on its surface as the atmosphere of an organic compound gas 22 and a step of anisotropically etching the copper film 101 by irradiating the copper film 101 with an oxygen ion 6 using the mask material 102 as a mask in the atmosphere of the organic compound gas 22.例文帳に追加

表面にマスク材１０２が形成された銅膜１０１の周囲を、有機化合物ガス２２雰囲気とする工程と、有機化合物ガス２２雰囲気中で、銅膜１０１に、マスク材１０２をマスクに用いて酸素イオン６を照射し、銅膜１０１を異方性エッチングする工程と、を具備する。 - 特許庁

The method for forming the copper wiring film is taken such that a process in which the first cooper film is heated within a temperature range of 200-500°C is set between the first copper-film forming process by the CVD method, and a process in which the second copper film is formed by the plating method using the first copper film as the electrode.例文帳に追加

ＣＶＤ法による第一の銅膜形成工程と、当該第一の銅膜を電極としたメッキ法により第二の銅膜を形成する工程の間に、第一の銅膜を２００〜５００℃の温度範囲にて加熱する工程が設けられていることを特徴とする銅配線膜形成方法によって課題を解決した。 - 特許庁

The etching method comprises a step of forming a copper oxide 103 anisotropically oxidized for all thickness directions of a copper film 101 in the copper film 101 by irradiating the copper film 101 where a mask material 102 was formed on its surface with an oxygen ion 6 using the mask material 102 as a mask and a step of etching an anisotropically oxidized copper oxide 103.例文帳に追加

表面にマスク材１０２が形成された銅膜１０１に、マスク材１０２をマスクに用いて酸素イオン６を照射し、銅膜１０１内に、銅膜１０１の厚さ方向の全てに対して異方的に酸化された酸化銅１０３を形成する工程と、異方的に酸化された酸化銅１０３をエッチングする工程と、を具備する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor apparatus, a semiconductor manufacturing apparatus and the semiconductor apparatus, in which the roughness of a copper film surface after the etching treatment is reduced, and which can be performed in a short time and in a proper precision in few steps, in a copper film surface etching method, in which the copper film is oxidized and the oxide product is eliminated by an acid, alkali or the like.例文帳に追加

銅膜を酸化させその酸化物を酸もしくはアルカリなどで除去することにより銅膜の表面をエッチングする方法において、エッチング処理を行った後の銅膜表面が荒れてしまうことが少なく、少ない工程で短時間に精度良く行うことができる半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

This CVD device forming a copper film for wiring on a substrate is provided with a 1st CVD module 15 forming a copper film as a base by using a Cu(hfac)(tmvs) raw material low in a film forming rate and a 2nd CVD module 16 executing film formation of thickening a copper film by using a Cu(hfac)(atms) raw material high in a film forming rate.例文帳に追加

基板に配線用銅膜を成膜するＣＶＤ装置は、成膜速度が小さいCu(hfac)(tmvs)系原料を用いて下地としての銅膜を成膜する第１ＣＶＤモジュール１５と、成膜速度が大きいCu(hfac)(atms)系原料を用いて銅膜の厚みを厚くする成膜を行う第２ＣＶＤモジュール１６を備える。 - 特許庁

To provide an abrasive composition which improves the problems wherein, when a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound is polished, the polish selection ratio of the cooper and the tantalum compound is not sufficient, the copper film of a wiring groove or a hole is polished excessively, if the selection ratio for the cooper is increased, and smoothness in the surface of the copper film is damaged.例文帳に追加

銅膜及びタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To obtain a polishing composition solving such problems that, in polishing a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound, the polishing selection ratio for the copper and the tantalum compound is inadequate, or when the selection ratio to the copper is raised, the copper film at wiring grooves or holes is overshaved or the smoothness of the surface of the copper film is impaired.例文帳に追加

銅膜およびタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an inter-layer insulation film 108, and the wiring 160 provided with a copper film 124 embedded in a groove formed on the inter-layer insulation film, whose film thickness is thinner than the depth of the groove and main material is copper, and a low expansion metal film 140 formed on the copper film, whose thermal expansion coefficient is smaller than the one of the copper film.例文帳に追加

層間絶縁膜１０８と、層間絶縁膜に形成された溝に埋め込まれ、溝の深さよりも膜厚の薄い、銅を主たる材料とする銅膜１２４、および銅膜の上に形成され、銅膜よりも熱膨張係数の小さい金属膜である低膨張金属膜１４０を備えた配線１６０とを有する構成である。 - 特許庁

A film made of nickel, chromium or nickel chromium is made to intervene between the surface of the back plate and the copper film.例文帳に追加

裏板の表面と銅被膜との間にニッケル、クロムまたはニッケル−クロムの被膜を介在させたことを特徴とする。 - 特許庁

Continuously, wiring 25 is formed by polishing the tantalum/tantalum nitride film 22 and the copper film 24 by using a CMP method.例文帳に追加

続いて、ＣＭＰ法によって、タンタル／窒化タンタル膜２２および銅膜２４を研磨して配線２５を形成する。 - 特許庁

COPPER OXIDE FILM FORMING METHOD, COPPER FILM ETCHING METHOD, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS AND THE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

銅酸化膜の形成方法、銅膜のエッチング方法、半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び半導体装置 - 特許庁

COPPER ELECTROLYTE, METHOD FOR MANUFACTURING ADDITIVE USED FOR COPPER ELECTROLYTE, AND ELECTRODEPOSITION COPPER FILM OBTAINED BY USING THE COPPER ELECTROLYTE例文帳に追加

銅電解液及び該銅電解液に用いる添加剤の製造方法並びに該銅電解液を用いて得られた電析銅皮膜 - 特許庁

After a tantalum/tantalum nitride film 22 is formed in the wiring trench, a copper film 24 is formed so that the wiring trench may be embedded.例文帳に追加

そして、この配線溝にタンタル／窒化タンタル膜２２を形成した後、配線溝を埋め込むように銅膜２４を形成する。 - 特許庁

After the base layer is formed on a film-forming object, this base layer is thermally treated in a hydrogen gas atmosphere and then the copper film is formed thereon.例文帳に追加

成膜対象物上に下地層を形成した後、この下地層を水素ガス雰囲気中で熱処理し、次いでその上に銅膜を作製する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of easily and practically forming a Cu barrier film on an anisotropically-etched copper film.例文帳に追加

異方的にエッチングされた銅膜に、簡単で実用的にＣｕバリア膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To solve such a problem that the conventional electroless copper plating liquid overflows from a nickel film, so as to easily form a copper film, and is low in liquid stability.例文帳に追加

ニッケル皮膜から食み出して銅皮膜が形成され易く液安定性に乏しい従来の無電解銅めっき液の課題を解決する。 - 特許庁

To provide a target capable of depositing an oxygen-containing copper film having excellent adhesiveness to a glass substrate surface and having a smooth surface.例文帳に追加

ガラス基板表面に対する密着性に優れた表面滑らかな酸素含有銅膜を成膜することができるターゲットを提供する。 - 特許庁

The idle pin 33 of the semiconductor laser element 1 is soldered to a copper film 43 for heat radiation of the wiring board 5.例文帳に追加

半導体レーザ素子１の空きピン３３を配線基板５の放熱用銅箔４３に半田付けする。 - 特許庁

To provide a polishing composition having a high selectivity which has a high polishing rate to a copper film and a low polishing rate to a tantalum compound.例文帳に追加

銅膜に対する研磨レートが大きく、タンタル化合物に対する研磨レートが小さい、高い選択性を有する研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

After the copper film 9 and the barrier metal film 8 have been removed by using a CMP method, it is cleaned by using rare ammonia water solution and dried.例文帳に追加

次いで、ＣＭＰ法を用いて余分な銅膜９およびバリアメタル膜８を除去した後、希アンモニア水溶液を用いて洗浄し、乾燥する。 - 特許庁

An alloy layer 10 is formed through reaction of the material of a barrier metal film and copper, between a copper film 5a and the tantalum base barrier metal film 2b.例文帳に追加

銅膜５ａとタンタル系バリアメタル膜２ｂとの間に、バリアメタル膜の材料および銅が反応してなる合金層１０を設ける。 - 特許庁

Afterwards, a metal film 60 containing seed copper and a plated copper film 62 are formed so that a part of the wiring groove is buried.例文帳に追加

その後、配線溝の一部を埋め込むように、シード銅含有金属膜６０およびめっき銅膜６２を形成する。 - 特許庁

The upper layer plug 22a extends through a silicone nitride film 24 to be in contact with the copper film 15 of the lower layer wiring 16.例文帳に追加

上層プラグ２２ａは、シリコン窒化膜２４を貫通して下層配線１６の銅膜１５に接触している。 - 特許庁

A copper wiring 105 comprising a barrier film 103 and a copper film 104 is formed at a first insulating film 101 on a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００上の第１の絶縁膜１０１にバリア膜１０３及び銅膜１０４からなる銅配線１０５を形成する。 - 特許庁

The first surface treatment is preferably a process to selectively remove at least either copper compounds or silicon compounds from the copper film.例文帳に追加

第１の表面処理は、銅化合物及びシリコン化合物の少なくとも一方を銅膜に対して選択的に除去する処理であることが好ましい。 - 特許庁

Thus, different kinds of metals included in the metal film 64 containing bias sputter copper are uniformly diffused in the copper film 62.例文帳に追加

これにより、バイアススパッタ銅含有金属膜６４に含まれる異種金属がめっき銅膜６２に均一に拡散する。 - 特許庁

A substrate holder 3 holding a semiconductor substrate 10 deposited with a copper film 111 is dipped into a plating soln. 2 oppositely to an anode 4.例文帳に追加

銅膜１１１が堆積された半導体基板１００を保持している基板ホルダー３をメッキ液２中に陽極４と対向するように浸す。 - 特許庁

To the peripheral edge part of the surface of a wafer W where the copper film is formed, an etchant is supplied from a second washing liquid supply nozzle 331.例文帳に追加

銅膜が形成されているウエハＷの表面の周縁部に、第２洗浄液供給ノズル３３１からエッチング液が供給される。 - 特許庁

Thereafter, the wafer 31 and the copper film 37 are removed, thereby obtaining the probe 7 whose height is fully secured.例文帳に追加

その後、ウエハ３１および銅膜３７を除去することにより、高さが十分に確保されたプローブ７を得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, with which resistance of a copper film (copper wiring) embedded in a wiring groove can be reduced, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

配線溝に埋設された銅膜（銅配線）の抵抗を低減することができる、半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a flat CVD copper thin-film on a PVD copper film or a dissimilar metal film, with satisfactory reproducibility in a high growth rate.例文帳に追加

ＰＶＤ銅膜又は異種金属膜の上に平滑なＣＶＤ銅薄膜を再現性良く、高い成長速度で形成する方法の提供。 - 特許庁

The circuit patterns 41, 42 are coated with a cover layer 22, and the copper film 43 for heat radiation is exposed and directly aired.例文帳に追加

回路パターン４１，４２をカバー層２２で被覆し、放熱用銅箔４３は露出させて直接に外気に接触させる。 - 特許庁

METHOD FOR THERMAL DENSIFICATION FOR DEPOSITING HIGH QUALITY COPPER FILM HAVING GOOD ADHESION AND TRENCH FILLING CHARACTERISTICS IN EARLY STAGE OF COPPER CVD例文帳に追加

良好な密着性およびトレンチ充填特性を有する高品質銅膜を堆積する、銅ＭＯＣＶＤの初期段階における熱高密度化 - 特許庁

Subsequently, portions of the copper film which exist on the outside of the interconnect grooves are polished to form interconnections, and then a cleaning process is performed on the resulting substrate.例文帳に追加

続いて、銅膜における配線溝の外部に存在する部分を研磨して配線を形成した後に、基板に対して洗浄処理を施す。 - 特許庁

A barrier metal film 28a and a copper film 28b are successively buried into the connection hole 26 and the wiring groove 27, and the upper wiring 28 is formed.例文帳に追加

接続孔２６及び配線溝２７にはバリアメタル膜２８ａ及び銅膜２８ｂが順次埋め込まれ、上層配線２８が形成されている。 - 特許庁

After forming a copper seed layer(116), a first portion of a copper film(118) is plated on the seed layer(116).例文帳に追加

銅シード層（１１６）を形成した後、銅膜（１１８）の第１の部分をシード層（１１６）の上にめっきする。 - 特許庁

The projection 14 of the connection pad 5 is surrounded by a periphery 21 of an outer-periphery copper film 24 made of metal having solder wettability (for example, copper).例文帳に追加

接続パッド５の突出部１４は、半田濡れ性を有する金属（たとえば、銅）からなる外周銅膜２４の周縁部２１に囲まれている。 - 特許庁

The copper film is formed on a silicon substrate with a barrier layer formed by a plating method or a vapor deposition method.例文帳に追加

バリア層が形成されたシリコン基板上にめっき法あるいは気相堆積法により銅膜を成膜する。 - 特許庁

To provide a method for producing a pure metal compound film which hardly causes a copper film etc. to be peeled off during chemo-mechanical polishing.例文帳に追加

化学機械的研磨中に銅膜などが剥離し難い純粋な金属化合物膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

Next, with the use of photolithography technique, the copper film 2 is patterned to form a wiring layer 2a.例文帳に追加

次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、銅フィルム２をパターニング処理して配線層２ａを形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having good bondability between a copper film and a base film thereof and having small resistance between wirings.例文帳に追加

銅膜とその下地膜との密着性がよく、配線間の抵抗の小さな半導体装置の製造方法等を提供する。 - 特許庁