「"COPPER FILM"」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of suppressing formation of an organic impurity layer and having good bondability between a copper film and a metal as a base.例文帳に追加

有機不純物層の形成を抑え、且つ銅膜と下地となる金属との密着性のよい半導体装置の製造方法等を提供する。 - 特許庁

Next, the copper film 7 and the barrier metal 6 are ground and removed in this order by a CMP method until the upper surface of the rare gas atom containing layer 3 is exposed.例文帳に追加

次に、ＣＭＰ法により、希ガス原子含有層３の上面が露出するまで銅膜７及びバリアメタル６をこの順に研磨除去する。 - 特許庁

To prevent the formation of voids in a copper film filled in the recess of a high aspect ratio formed by an electrolytic plating method.例文帳に追加

アスペクト比が高い凹部に電解めっき法によって充填された銅膜にボイドが形成されないようにする。 - 特許庁

Then, a copper film is formed to fill up the opening and the trench, and the via plug 15b is formed in the opening and the copper interconnection 15a in the trench.例文帳に追加

次に、開口部と溝を充填する銅膜が形成されて、開口部にビアプラグ１５ｂが形成され、溝に銅配線１５ａが形成される。 - 特許庁

A recess 7 is formed in an insulating film (SiOC film) 6, and a barrier metal film 8 and a copper film 9 which become wiring are embedded inside the recess 7.例文帳に追加

絶縁膜（ＳｉＯＣ膜）６に凹部７を形成し、凹部７内に配線となるバリアメタル膜８および銅膜９を埋め込む。 - 特許庁

METHOD FOR CONTROLLING INITIAL GROWTH OF COPPER FILM BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (CVD) USING SURFACE TREATMENT ON BARRIER METAL FILM例文帳に追加

バリア金属膜への表面処理を用いた、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）による銅膜の初期成長を制御する方法 - 特許庁

To form a copper film that is buried in a good shape in a wiring trench and a connection hole by electrolytic plating.例文帳に追加

配線溝および接続孔の内部に、良好な埋め込み形状を有するＣｕ膜を電解めっきにより形成すること - 特許庁

To provide a method of manufacturing a metal copper film and a metal copper pattern improved in acid resistance and galvanic corrosion resistance.例文帳に追加

耐酸化性、耐電食性を向上させた金属銅膜の製造方法及び金属銅パターンを提供する。 - 特許庁

The connecting terminal 4 electrically connects a connector of a wire harness or connected parts such as a fuse, etc., with the copper film 3b of the FPC 3.例文帳に追加

接続端子４は、ワイヤハーネス側コネクタやヒューズなどの被接続部材とＦＰＣ３の銅箔３ｂとを電気的に接続する端子である。 - 特許庁

To reduce a contamination of a metal film, which is generated in a rough polishing process, specially a contamination due to a copper film or a nickel film, at low cost and to raise the polishing rate of a silicon wafer.例文帳に追加

安価で、粗研磨工程で生じる金属汚染、特に銅又はニッケルによる汚染を低減させ、研磨速度を向上させる。 - 特許庁

To provide a substrate treatment method and a substrate treatment apparatus capable of excellently washing a copper film from the peripheral edge part of a substrate.例文帳に追加

基板の周縁部から銅膜を良好に洗浄できる基板処理方法および基板処理装置を提供する。 - 特許庁

The thin metal film 2a is a thin copper film having, for example, a film thickness of about 60 Å or more and about 100 Å or less.例文帳に追加

金属薄膜２ａは、例えば膜厚が約６０Å以上、約１００Å以下の銅薄膜である。 - 特許庁

The connecting terminal 4 is a metal terminal having an L shaped cross section and is mounted to a surface of the copper film 3b by welding.例文帳に追加

接続端子４は、断面形状がＬ型の金属端子であり、銅箔３ｂの表面に溶接により装着されている。 - 特許庁

To provide a method for forming a copper film, by which a homogeneous copper thin film can be formed on the surface of a substrate by using stable and easily handlable copper formate.例文帳に追加

安定で取扱性が良好な蟻酸銅を用い、基板面に薄膜で且つ均斉な銅膜を形成できる銅膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

A copper film and a dry film are pressed continuously to a flexible insulating film 20 through interlocked reel-to-reel operation.例文帳に追加

フレクシブル絶縁テープ２０にリールツーリールの連動操作で銅箔とドライフィルムとを連続的にプレスする。 - 特許庁

A replacing layer is formed in a diffusion barrier layer, and a part of a replacing layer is replaced with a thin copper film in mixture solution including a replacing reactant.例文帳に追加

拡散バリア層に置換層を形成し、置換反応物を含む混合液中で置換層の一部を薄い銅膜と置換する。 - 特許庁

To obtain the forming method of a copper wiring capable of sufficiently suppressing the generation of failure of Cu (copper) film at a low cost without necessitating any complex process.例文帳に追加

複雑な工程を必要とせず、低コストでＣｕ膜の欠陥発生を充分に抑制することができるＣｕ配線形成方法を得る。 - 特許庁

The second surface treatment is preferably a process to remove the anionic component remaining on the surface of the copper film by the first surface treatment.例文帳に追加

第２の表面処理は、第１の表面処理によって銅膜の表面に残留した陰イオン成分を除去する処理であることが好ましい。 - 特許庁

A copper film is laminated on both the faces of an insulation film 1 to form conductor layers 2, 3, and an opening part 4 is formed on the conductor layer 2.例文帳に追加

絶縁フィルム１の両面に銅フィルムを積層して導体層２及び導体層３を形成し、導体層２に開口部４を形成する。 - 特許庁

Then, a metal film 64 containing bias sputter copper is formed on the plated copper film 62 so that the other part of the wiring groove is buried, and heat treatment is carried out.例文帳に追加

次いで、めっき銅膜６２上に、配線溝の他の部分を埋め込むようにバイアススパッタ銅含有金属膜６４を形成し、熱処理を行う。 - 特許庁

To provide a laminated sheet and a manufacturing method of the laminated sheet preventing lowering of peeling strength, and failure due to discoloring or burning of a copper film during electroplating.例文帳に追加

剥離強度を低下させず、電気めっき中の銅膜の変色や焼けによる不良を生じない積層板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To remove scratches caused on a semiconductor polishing surface containing a copper film, etc., so that an adhesive is neither adhered to the polishing surface nor left behind.例文帳に追加

銅膜等を含む半導体研磨面に生じる引っかき傷を無くし、研磨面に研磨剤を付着残存させないことである。 - 特許庁

The anisotropic dry etching method of copper for anisotropically performing dry etching to a copper film formed on a substrate includes: a process for performing anisotropic oxidation treatment to the copper film; and a process for performing dry etching to a copper oxide formed by oxidation treatment using an organic acid without containing any halogens.例文帳に追加

基板に形成された銅膜を異方的にドライエッチングする銅の異方性ドライエッチング方法は、銅膜に対して異方性酸化処理を施す工程と、酸化処理によって形成された酸化銅をハロゲンを含有しない有機酸によりドライエッチングする工程とを含む。 - 特許庁

To provide an abrasive composition for CMP process of a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound, having high selectivity to have high abrasion rate of copper and small abrasion rate of the tantalum compound and giving a smooth surface of the copper film.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたＣＭＰ加工用の研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide technology for suppressing the oxidation of a copper film and the raise of wiring resistance in forming a barrier film and the copper film along the recessed part of an insulating film by utilizing an alloy film of copper and additional metal, and then embedding the copper wiring.例文帳に追加

絶縁膜の凹部に沿って成膜した銅及び添加金属の合金膜を利用してバリア膜と銅膜とを形成し、その後銅配線を埋め込むにあたって、前記銅膜の酸化を抑え、配線抵抗の上昇を抑える技術を提供すること。 - 特許庁

To provide an abrasive composition for CMP (chemical mechanical polishing) work having a high selectivity, that is, high in abrasion rate of copper but low in that of tantalum, and also excellent in the smoothness of the copper film surface, in the CMP work process of a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたＣＭＰ加工用の研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To obtain a polishing composition for use in CMP (chemical mechanical polishing) processing for semiconductor devices each having copper film and a tantalum compound, having such high selectivity that the polishing rate of copper is high but that of the tantalum compound is low, and also affording high smoothness of the surface of the copper film.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたＣＭＰ加工用の研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a copper sputtering target material for a TFT which can reduce a tensile residual stress in a copper film which has been deposited even not changing a deposition condition (pressure in deposition, gas kind used for deposition or the like), and to provide a copper film for a TFT, and a sputtering method.例文帳に追加

成膜条件（成膜中の圧力、成膜に用いるガス種等）を変更しなくても、成膜された銅膜中の引張残留応力を低減できるＴＦＴ用銅スパッタリングターゲット材、ＴＦＴ用銅膜、及びスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁

The copper film has such superior oxidation resistance as the thickness of the oxidized film which is generated on the surface of the copper film, by means of leaving it on a hot plate of 350°C for 10 minutes in ambient atmosphere and cooling, is only 0.4 μm or thinner when measured with a cathode reduction method.例文帳に追加

この銅皮膜は、大気雰囲気中において３５０℃のホットプレート上に１０分間放置してその表面に酸化皮膜を生じさせた後、冷却し、カソード還元法によりこの酸化皮膜の厚みを測定したとき、その酸化皮膜の厚みが０．４μｍ以下となる、耐酸化性に優れた銅皮膜である。 - 特許庁

The method includes a process of carrying out first surface treatment on the surface of a copper film 14, 20 with an acidic chemical liquid and a process of carrying out second surface treatment on the surface of the copper film treated by the first process with an alkaline chemical liquid.例文帳に追加

銅膜１４，２０の表面に対して酸性の薬液によって第１の表面処理を行う工程と、第１の表面処理がなされた銅膜の表面に対してアルカリ性の薬液によって第２の表面処理を行う工程とを備える。 - 特許庁

To provide a polishing composition which has high selectivity, in which the polishing rate for copper is large but the polishing rate for a tantalum compound is small and is superior in giving smoothness of surface to a copper- film in a CMP work process for a semiconductor device, having a copper film and a tantalum compound.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたＣＭＰ加工用の研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

Next, an electric field shielding board 8 is disposed on the space between the semiconductor substrate 100 and the anode 4 in such a manner that the opening part 8a is made opposite to the center part of the substrate 100, and, after that, a plating copper film 112 is deposited on the copper film 111 on the semiconductor substrate 100 by electroplating.例文帳に追加

次に、電界遮蔽板８を半導体基板１００と陽極４との間に開口部８ａが半導体基板１００の中央部と対向するように配置した後、電解メッキによって半導体基板１００上の銅膜１１１上にメッキ銅膜１１２を堆積する。 - 特許庁

In the LED lamp 1, first, a copper film 4 is coated on a substrate 2 by plating, a resist 3 having a ring shape as a whole is bonded thereon, and a nickel film 5 and a gold film 6 are coated on the surface of the copper film 4 where the resist 3 is not bonded.例文帳に追加

ＬＥＤランプ１においては、基板２の上にまず銅膜４がメッキによって付けられ、さらにその上に全体としてはリング状のレジスト３が接着され、レジスト３が接着されなかった銅膜４の上にニッケル膜５・金膜６がメッキによって付けられる。 - 特許庁

To provide a composition for polishing for CMP machining that has superior selectivity where the polishing rate of a tantalum compound is small, even though that of copper is large in the CMP machining process of a semiconductor device having a copper film and the tantalum compound, and also has smoothness in the surface of the copper film.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたＣＭＰ加工用の研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

An nickel film 6 which is 1-3 μm thick is formed by electric plating on the copper film of a print circuit board made of glass epoxy (which is 1.6 mm thick and 10 cm square) in which a copper film 5 is formed on a glass epoxy resin substrate 4 having a through-hole.例文帳に追加

スルーホールを有するガラスエポキシ樹脂基板４の上に銅膜５を形成したガラスエポキシ製プリント配線板（厚み１．６ｍｍ、１０ｃｍ角）の銅膜上に、電気めっきによりニッケル膜６を１〜３μｍの厚みで形成する。 - 特許庁

To provide a polishing slurry for copper wiring which polishes a copper film effectively in a short period of time even at a low applied pressure and does not generate dishing, erosion or the line when the copper wiring is formed by polishing the copper film wherein a low dielectric insulating film is formed in a lower layer by CMP.例文帳に追加

下層に低誘電性絶縁膜が形成された銅膜をＣＭＰによって研磨して銅配線を形成するにあたり、低い印加圧力でも、銅膜を効率良く短時間で研磨することができ、ディッシング、エロージョンなどが生じることもない銅配線用研磨スラリーを提供する。 - 特許庁

To provide a metal wiring which is free from copper diffusion into a silicon containing film and copper corrosion due to a reactive gas such as an ammonia gas when a copper film is used as a metal wiring and the silicon containing films are attached to the copper film, and to provide a thin film transistor and a display device using the same.例文帳に追加

金属配線として銅膜を使用する場合において、その銅膜にけい素含有膜が設けられるとき、けい素含有膜への銅の拡散とアンモニアガスなどの反応ガスによる銅の腐食とを防止し得る金属配線、それを備えた薄膜トランジスタおよび表示装置を提供する。 - 特許庁

The copper film 9a in the first region can be used for the interconnection with the capacitance between interconnections suppressed due to the low relative permittivity of the insulating film between the copper films 9a, and the copper film 9b in the second region can be used for the capacitive element with a satisfactory electrostatic capacity assured due to high relative permittivity of the insulating film between copper films 9b.例文帳に追加

これによって、第１領域内の銅膜９ａは、当該銅膜９ａ間の絶縁膜の比誘電率が低いため、配線間容量が抑制されており、配線に利用可能であるとともに、第２領域内の銅膜９ｂは、当該銅膜９ｂ間の絶縁膜の比誘電率が高いため十分な静電容量が確保でき、容量素子として利用可能である。 - 特許庁

To provide an abrasive composition that can polish a copper film, barrier layer composed of a tantalum compound, and SiO_2 insulating layer at almost equal polishing speeds in a CMP process performed on a semiconductor device having the copper film, barrier layer composed of the tantalum compound, and SiO_2 insulating layer and can improve dishing and flatness than the overpolishing method does.例文帳に追加

銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層の研磨速度がほぼ同程度であり、ディッシング、平坦性がオーバーポリシング法より改善される研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an abrasive composition which can solve the problem that, when a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound is polished, the polishing selectivity ratio of the copper and tantalum compound is insufficient or, when the selectivity ratio to the copper is raised, copper films in wiring grooves or holes are excessively polished or the surface smoothness of the copper film is detracted, or the like.例文帳に追加

銅膜およびタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

A copper palladium alloy film 5 as a seed layer is formed in a wiring trench 2 and a connection hole 3, a copper film 6 that complements a function as the seed layer of the copper palladium alloy film 5 is formed on the copper palladium alloy film 5 by a nonelectrolytic plating, and then a cooper film 7 as a wiring is formed on the copper film 6 by an electrolytic plating.例文帳に追加

配線溝２および接続孔３の内壁にシード層としての銅パラジウム合金膜５を形成し、次に銅パラジウム合金膜５のシード層としての機能を補完する銅膜６を無電解めっきにより銅パラジウム合金膜５上に形成し、次に電解めっきを用いて銅膜６上に配線としてのＣｕ膜７を形成する。 - 特許庁

To inhibit impurities such as an organic matter contained in a compound in a raw powder which contains a refractory material such as copper from being taken in a copper film, when forming the copper film on a wafer by using a gas obtained by heating the raw powder, and also to reduce the cost of the raw powder by easily obtaining the gas from the solid raw powder.例文帳に追加

例えば銅などの高融点材料を含む原料粉体を加熱して得られる気体を用いてウェハにこの銅膜を成膜するにあたって、原料粉体中の化合物中に含まれる有機物などの不純物が銅膜に取り込まれることを抑えると共に、簡便に固体状の原料粉体から気体が得られるようにして原料粉体のコストを抑えること。 - 特許庁

To provide a polishing composition in which polishing rates of a copper film, a tantalum compound barrier layer, and an SiO_2 insulating layer are substantially the same degree, and in which dishing, flatness are improved by an excess polishing method in the CMP working process of a semiconductor device having a copper film, a tantalum compound barrier layer and an SiO_2 insulating layer.例文帳に追加

銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層の研磨速度がほぼ同程度であり、ディッシング、平坦性がオーバーポリシング法より改善される研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

As a means for electrically connecting an element forming region with the outside, a copper film, which forms vias in a low dielectric constant insulating film in a pad forming region where the low dielectric constant insulating film is formed in accordance with the element forming region, is arranged so as to have a higher density than the density of a copper film which forms vias in the element forming region.例文帳に追加

素子形成領域と外部とを電気的に接続するためのものであり、素子形成領域に付随して低誘電率絶縁膜が形成されて成るパッド形成領域において、パッド形成領域の低誘電率絶縁膜に形成されるビアであるＣｕ膜が、素子形成領域のビアであるＣｕ膜より高密度に配置される。 - 特許庁

To provide an abrasive composition that can solve the problem that, when a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound is polished, the polishing selection rates of the copper and tantalum compound do not become sufficient or, when the selection rate to the copper is raised, copper films in wiring grooves or holes are excessively polished, the surface smoothness of the copper film is detracted, and so on.例文帳に追加

銅膜およびタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。 - 特許庁