「"COPPER FILM"」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A copper component existing at a part within 20% of a thickness from the surface of the lithium metal film 2 is restricted to 5 atom% or less, by reducing a thermal load when forming the lithium metal film 2 of the negative electrode member, or by preliminarily forming a middle layer for preventing diffusion on the surface of the copper film 1 to restrain activation of the lithium.例文帳に追加

この部材のリチウム金属膜２の成膜時の熱負荷を低減するかまたは銅箔１の表面に予め拡散防止用の中間層を設けて膜２の表面からその膜２の膜厚の２０％の範囲内における銅成分を５原子％以下となし、リチウムの活性化を抑制する。 - 特許庁

In the latter period of the plating stage, by stepwise moving the electric field shielding board 8 in the right direction and stepwise relaxing the concentration of the electric field to the center part of the semiconductor substrate 100, the plating copper film 112 is deposited over the whole face of the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

メッキ工程の後期において、電界遮蔽板８を段階的に右方に移動して半導体基板１００の中央部に対する電界の集中を段階的に緩和することにより、半導体基板１００の全面に亘ってメッキ銅膜１１２を堆積する。 - 特許庁

A metal lining material comprises an outer lining material with a porosity of 10% or more and an inner lining material with a porosity of 8% or less, wherein the inner lining material is interposed between the outer lining material and a copper film surface of a backing plate.例文帳に追加

金属系ライニング材が１０％以上の気孔率を有する外側ライニング材と８％以下の気孔率を有する内側ライニング材からなり、外側ライニング材と裏板の銅被膜面との間に内側ライニング材を介在させた構造とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which forms a wiring with a dense copper film having small resistance in a short time with high reliability and makes the wiring much finer to achieve a higher packing density when forming the wiring in a manufacturing process of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程で配線を形成する場合に、短時間で、電気抵抗の小さい緻密な銅被膜により配線を信頼性よく成膜し、配線の一層の微細化により、さらなる高集積化をなし得る半導体装置の製法を提供する。 - 特許庁

After the reinforced seed layer is subjected to an electroless copper plating to fill the contact hole 14 and the inside of the wiring groove 15 with copper, a copper film exposed to the interlayer insulating film of the second layer is removed to form an embedded wiring having a dual-damascene structure.例文帳に追加

補強されたシード層１７Ａの上に銅の電解めっきを行なって、コンタクトホール１４及び配線溝１５の内部に銅膜を充填した後、第２層の層間絶縁膜の上に露出している銅膜を除去してデュアルダマシン構造を有する埋め込み配線を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device capable of reducing the quantity of polishing for flattening a copper film formed to fill a hole in an insulating film, and occurrence of unpolished portion, and dishing and erosion due to excessive polishing can be prevented.例文帳に追加

絶縁膜の孔部を埋め込むように形成された銅膜を平坦化する際の研磨量を少なくすることができ、研磨残りの発生および過剰研磨によるディッシングやエロージョンを防ぐことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The oxygen-containing copper film 2 has a film thickness of 5 nm or more and contains 5-20 at.% of oxygen and total 0.2-8 at.% of one or two kinds of elements selected from among a group consisting of Mo, Mn, Ca, Zn, Ni, Ti, Al, Mg and Fe, also balance copper with unavoidable impurities.例文帳に追加

酸素含有銅膜２は、酸素を５〜２０ａｔ％、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、ＭｇおよびＦｅのうちの１種又は２種以上を合計で０．２〜８ａｔ％それぞれ含有するとともに、残部を銅および不可避不純物からなる膜厚５ｎｍ以上のものとした。 - 特許庁

To provide an inexpensive electromagnetic wave preventing plastic material which is manufactured by forming a coating film, having superior adhesive property and corrosion resistance on the surface of a plastic molded article, by a vacuum method with which a copper film having a high electromagnetic wave shielding characteristic can be formed with high productivity, and to provide a method of manufacturing the plastic material.例文帳に追加

電磁波シールド特性に優れた銅を高い生産性で成膜する真空工法を用いて、密着性および耐食性に優れた被膜をプラスチック成形品表面に形成した低コストの電磁波防止プラスチック材、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a treatment method for reducing to a deep portion, a printable and formable copper-based particle deposition layer having good adhesiveness to a substrate, low volume resistivity without a substrate damage; and to provide a method for producing a metal copper film preventing copper precipitation outside a printing/coating part, and also a printing metal copper pattern.例文帳に追加

印刷形成が可能である銅系粒子堆積層を、基板密着性、低体積抵抗率、基板ダメージがなく深部まで還元する処理方法であり、且つ印刷塗布部外への銅の析出を抑制した、金属銅膜の作製方法、及び、作製した印刷金属銅パターンを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes an interlayer insulating film 104 formed on a substrate (not shown) and having a wide wiring groove 106 formed at the surface, and wide wiring 120 formed by filling the wide wiring groove 106 of the interlayer insulating film 104 and composed of a barrier metal film 110 and a copper film 116.例文帳に追加

半導体装置１００は、基板（不図示）上に形成され、太幅配線溝１０６が表面に形成された層間絶縁膜１０４と、層間絶縁膜１０４の太幅配線溝１０６を埋め込んで形成され、バリアメタル膜１１０および銅膜１１６により構成された太幅配線１２０とを含む。 - 特許庁

To provide a method for adjusting an abrasive speed ratio of a copper film and a barrier metallic film at a second abrasive step in a manufacturing step of a semiconductor device, along with a chemical mechanical abrasive water-based dispersing member useful for the second abrasive step, and to provide the manufacturing method for the semiconductor device using the dispersing member.例文帳に追加

半導体装置の製造における２段目の研磨において、銅膜とバリアメタル膜の研磨速度の比を調整する方法、ならびにこの２段目の研磨に有用な化学機械研磨用水系分散体、およびこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This adjustment is realized by the use of the chemical mechanical abrasive water-based dispersing member containing the abrasive speed rate adjustment agent, an abrasive agent, an oxidant agent, and water, and the a ratio (RBM/RCu) of the abrasive speed (RBM) of the barrier metallic film to the abrasive speed (RCu) of the copper film is 0.5 to 200.例文帳に追加

この調整は、ベンゾトリアゾール等の研磨速度比調整剤、研磨剤、酸化剤および水を含有し、銅膜の研磨速度（Ｒ_Cu）に対するバリアメタル膜の研磨速度（Ｒ__BM）の比（Ｒ_BM／Ｒ_Cu）が０．５〜２００である化学機械研磨用水系分散体により行うことができる。 - 特許庁

A growth retardant for suppressing the growth of a copper film on the edge parts of the patterns 15A and 15B is added to the plating solution and copper wirings 13A and 13B with the almost trapezoid- shaped sections are respectively formed on the patterns 15A and 15B.例文帳に追加

めっき液には、バリアメタルパターン１５Ａ，１５Ｂのエッジ部分における銅の成長を抑制する成長抑制剤が添加されており、バリアメタルパターン１５Ａ，１５Ｂ上には、断面略台形状の銅配線１３Ａ，１３Ｂが形成される。 - 特許庁

The manufacturing method of the copper film includes a process to apply a composition containing the fine copper particles and reductive substances to the base material, dispose a shield made of a fluid or a solid immediately above the composition, and heat the coated film to sinter the fine copper particles.例文帳に追加

銅微粒子と還元性物質を含有する組成物を基材上に塗布し、液体又は固体からなる遮蔽物を該組成物の直上に配置して塗膜を加熱して銅微粒子を焼結する工程を含む銅膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for polishing, having a sufficiently large polishing rate of a tantalum compound compared to that of copper and substantially hardly causing polishing of SiO_2 in a CMP processing process of a semiconductor device having a copper film, a barrier layer of the tantalum compound and an insulation layer of the SiO_2.例文帳に追加

銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、タンタル化合物の研磨レートが銅に比べて充分に大きく、ＳｉＯ_２の研磨は実質的に殆んど起こらない研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

The plating liquid 12 is thereafter stirred by a stirring machine 15 and potential is impressed between a steel sheet 16 which is a cathode and a copper electrode 18 which is an anode by a DC power source 20, by which metal copper is precipitated on the steel sheet 16 and the copper film is deposited thereon.例文帳に追加

その後、攪拌機１５によってメッキ液１２を攪拌するとともに、陰極である鋼板１６と陽極である銅電極１８との間に直流電源２０によって電位を印加し、鋼板１６に金属銅を析出させて銅皮膜を成膜する。 - 特許庁

To uniformly supply electricity to the surface of a conductive film such as a copper film or the like and reduce a variance of potential distribution on the surface of the conductive film without damaging it, and make it possible to supply electricity to the conductive film in high reliability and conduct compound electrolytic polishing even if a rotary method is adopted.例文帳に追加

銅膜等の導電膜の表面に該導電膜を傷つけることなく、均一に給電して導電膜表面での電位分布のばらつきを小さくし、しかも、ロータリー方式を採用しても、導電膜に信頼性高く給電して複合電解研磨を行うことができるようにする。 - 特許庁

Prior to a sputtered thin copper film forming step, a modified- property silicon nitride layer containing SiO2 and SiNX in a mixed state in its surface is formed on the surface of a silicon oxide-based glass substrate, a quartz substrate, or a silicon thin film by irradiating the surface with nitrogen plasma.例文帳に追加

銅薄膜のスッパタリング成膜工程に先だって、酸化珪素質のガラス基板、石英基板あるいは酸化珪素薄膜の表面に窒素プラズマを照射して、表面にＳｉＯ_2 とＳｉＮ_x とが混在した窒化珪素変質層を形成する。 - 特許庁

Relatively narrow second interconnection trenches 121 are formed in the second region of the second insulation film 104 and second embedded interconnections 123 of a copper film embedded by plating are formed in the second interconnection trenches 121.例文帳に追加

第２の絶縁膜１０４の第２の領域には、相対的に狭い溝幅を持つ第２の配線溝１２１が形成されており、該第２の配線溝１２１にはめっき法による埋め込まれた銅膜からなる第２の埋め込み配線１２３が形成されている。 - 特許庁

The electronic components comprise a lead frame having a copper film superior in oxidation resistance, which is electroplated on a material made of a copper alloy to be plated, such as the lead frame, with the use of a copper plating liquid containing copper, KCN, and silver of 0.01% or more against the copper content.例文帳に追加

銅、KCN、および銅濃度の０．０１%以上の濃度の銀を含有する銅メッキ液を用いて、銅合金からなるリードフレーム等の被メッキ材上に、電気メッキを行うことにより耐酸化性に優れた銅皮膜を有するリードフレーム等を得る。 - 特許庁

The copper film formed by electrodeposition in the cupric electrolyte solution has a profile with such a low surface roughness (Rzjis) as less than 1.0 μm and a glossiness [Gs (60°)] of 400 or higher on the surface in a deposition side.例文帳に追加

この銅電解液を用いて電析銅皮膜を形成することにより、その析出面側の表面粗さ（Ｒｚｊｉｓ）が１．０μｍ未満の低プロファイルであり、且つ、当該析出面の光沢度［Ｇｓ（６０°）］が４００以上であることを特徴とする電析銅皮膜が得られる。 - 特許庁

This method of manufacturing the copper film includes a process to form a paint film by applying a composition containing the copper particulates onto the base material, and a process to sinter the copper particulates by disposing a shield having shape followability on the upper part of the paint film and applying hot press to the paint film to sinter the copper particulates.例文帳に追加

銅微粒子を含有する組成物を基材上に塗布して塗膜を形成する工程と、該塗膜の上方に形状追随性を有する遮蔽物を配置して、該塗膜を加熱プレスして該銅微粒子を焼結する工程とを含む銅膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this method the wiring having excellent electrical characteristics is formed by forming wiring composed of an electroplated copper film and an electroplated nickel film on Cr/Cu, on which signal passing wiring joined to solder is formed by sputtering by using Cr/Cu/Cr wiring formed at a portion for grounding by sputtering.例文帳に追加

本発明は、グランドの役割を果たす部分にスパッタ成膜したＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒから成る配線を用い、信号が通りかつ、はんだと接合する配線をスパッタ成膜したＣｒ／Ｃｕの上に、電気銅めっき膜、電気ニッケルめっき膜から成る配線を形成することで、電気特性に優れた配線を形成することが可能となる。 - 特許庁

The flexible printed wiring board has a circuit formed by etching electrolytic copper film stuck on a polyimide resin film base material, also has the surface with the circuit thereon coated with a cover lay film, and has a contactness improvement processing layer on the circuit surface which comes into contact with the cover lay film.例文帳に追加

ポリイミド樹脂フィルム基材と張り合わせた電解銅箔をエッチングすることにより形成した回路を備え、当該回路の存在する表面をカバーレイフィルムで被覆したフレキシブルプリント配線板において、カバーレイフィルムと接触する回路表面に密着性改良処理層を備えることを特徴としたフレキシブルプリント配線板等を採用する。 - 特許庁

To provide an abrasive for copper and a chemical mechanical polishing method using the abrasive, which polish a copper film at a high speed with high flatness, finish polishing in a short period of time, and secure sufficient productivity even in applications in which grinding a thick metal film such as a high performance wiring board or a TSV is needed.例文帳に追加

銅膜を高速かつ高平滑に研磨することができ、高性能配線板やＴＳＶ等の厚い金属膜の研磨が必要とされる用途においても短時間の研磨処理が可能であり十分な生産性を確保できる銅用研磨剤、及びその研磨剤を用いる化学的機械的研磨方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A method for producing a dense metallic copper film includes providing a liquid composition containing copper oxide particles on a substrate, and heat-treating the liquid composition at 120°C or higher while supplying a gas containing a formic acid gas with a concentration of 8 mass% or more so that the supply amount of the formic acid becomes 0.01 g/minutes or more per 1 L of the volume of a treatment tank.例文帳に追加

基板上に、銅酸化物粒子を含む液状組成物を成形し、ギ酸ガスを濃度８質量％以上含むガスを、ギ酸供給量が処理槽の容積１Ｌあたり、０．０１ｇ／分以上となるように供給しながら、１２０℃以上に加熱して処理する緻密な金属銅膜の製造方法。 - 特許庁

To provide a conductive barrier film forming material which can form a film even if conditions are required such as the ratio of the opening of a groove or a hole to the depth thereof (opening/depth) being 1/5 to 1/7 and even if the thickness is 10 nm or less, is excellent in preventing copper diffusion (barrier properties), has small electric resistance, and is excellent in adhesiveness with a copper film.例文帳に追加

溝や穴の開口部と深さとの比（開口部／深さ）が１／５〜１／７のような条件を要求されても、又、厚さが１０ｎｍ以下であっても成膜が可能で、かつ、銅の拡散防止（バリア性）に優れ、更には電気抵抗が小さく、銅膜との密着性にも優れた導電性バリア膜形成材料を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of lightweight and very thin copper foil laminated-film easy-to-convey, formed by laminating the copper film on a heat-resistant insulating film, then by thinning by chemical polishing, preservable over a long time by subjecting the copper foil surface after the chemical polishing to the rustproofing treatment, and a transferring method thereof.例文帳に追加

本発明は、耐熱性絶縁フィルムと銅箔を積層後、化学研磨で薄化させることにより製造する極薄銅箔積層フィルムであって、化学研磨後の銅箔表面を防錆処理する事により、長期保管が可能で、軽量で搬送が容易な極薄銅箔積層フィルムの製造方法及びこれらの移送方法を提供する事を目的とする。 - 特許庁

An integrated circuit having the mutilayered barrier-metal thin film structure and a substrate is the barrier-metal thin film deposited on the substrate by an atomic layer chemical vapor deposition, and the barrier- metal thin film comprises the barrier-metal thin film including metal nitride and a thin copper film deposited on the barrier-metal thin film.例文帳に追加

本発明の集積回路は、多層バリアメタル薄膜構造を備える集積回路であって、基板と、原子層化学的気相成長のプロセスによって該基板上に堆積されたバリアメタル薄膜であって、バリアメタル薄膜は金属窒化物を含む、バリアメタル薄膜と、バリアメタル薄膜上に堆積された薄い銅膜とを備える。 - 特許庁

By heat treatment, Sn, Mg, or Zr contained in the copper alloy film 106 is diffused into a copper film 107 for forming the copper alloy film where the Sn, Mg, or Zr is contained in Cu, the copper alloy film is subjected to the CMP method, and contact consisting of the copper alloy film where the Sn, Mg, or Zr is contained in the Cu and buried wiring are simultaneously formed.例文帳に追加

熱処理により銅合金膜１０６に含まれるＳｎ、Ｍｇ又はＺｒを銅膜１０７に拡散させてＣｕにＳｎ、Ｍｇ又はＺｒが含有されてなる銅合金膜を形成した後、該銅合金膜に対してＣＭＰ法を行なって、ＣｕにＳｎ、Ｍｇ又はＺｒが含有されてなる銅合金膜よりなるコンタクト及び埋め込み配線を同時に形成する。 - 特許庁

To provide an aqueous dispersant for chemical mechanical polishing, a method for preparing a relevant dispersant, and a chemical mechanical polishing method of a semiconductor device, which performs polishing without causing defects in a copper film and in an insulating film, while enabling high polishing speed and high planarization property to be compatible without copper remainder (copper residue) and corrosion.例文帳に追加

本発明は、銅膜や絶縁膜に欠陥を引き起こすことなく、高研磨速度と高平坦化特性を両立させながら、銅残り（銅残渣）や腐食無く研磨することができる化学機械研磨用水系分散体、および該分散体の調製方法、ならびに半導体装置の化学機械研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide an aqueous dispersing element for chemical mechanical polishing capable of performing polishing without any copper remainder (copper residue) and corrosion while striking a balance between high polishing speed and highly flat characteristics without causing any defects in a copper film and an insulation film, to provide a method of preparing the dispersing element, and to provide a method of performing chemical mechanical polishing of a semiconductor device.例文帳に追加

本発明の目的は、銅膜や絶縁膜に欠陥を引き起こすことなく、高研磨速度と高平坦化特性を両立させながら、銅残り（銅残渣）や腐食無く研磨することができる化学機械研磨用水系分散体、および該分散体の調製方法、ならびに半導体装置の化学機械研磨方法を提供する。 - 特許庁

The plastic mirror consists of a transparent plastic sheet, transparent surface hardening films formed on both faces of the sheet, a thin silver film formed on one of the surface hardening films by an electroless silver mirror reaction after surface activation by plasma treatment, corona treatment, alkali treatment or chromic acid treatment and a thin copper film formed as a protective coat on the thin silver film by electroless plating.例文帳に追加

透明な合成樹脂板と、その両面に形成された透明な表面硬化膜と、プラズマ処理、コロナ処理、アルカリ処理、又はクロム酸処理により表面を活性化した片方の前記表面硬化膜上に無電解の銀鏡反応を利用して形成された銀薄膜と、該銀薄膜上に無電解メッキ法により保護膜として形成された銅薄膜とから構成されている合成樹脂製鏡。 - 特許庁

The process steps from forming the diffusion-barrier base film to forming the first copper film are performed continuously in vacuum without exposing the semiconductor substrate to the atmospheric air, and during the process steps, the diffusion barrier base film is heated after the vacuum condition is reached to a vacuum level of 1 × 10^-4 Pa or lower.例文帳に追加

拡散バリア用下地膜の形成から前記第１の銅膜形成までの工程が、前記半導体基板を大気に晒すことなく真空一貫の状態で行われると供に、当該工程の間に、到達真空度で１×１０^-4Ｐａ以下の真空状態にしてから前記拡散バリア用下地膜が加熱される。 - 特許庁

To provide a washing liquid having a high washing effect even when a board having an easily corrosive metal film such as a copper film is washed and preventing deterioration and corrosion of the metal film, with respect to the washing liquid used for removing a resist residue and the like generated when a resist is subjected to ashing treatment and the like in the manufacture of an electronic circuit pattern.例文帳に追加

電子回路パターン製造時に、レジストにアッシング処理などを施したときに発生するレジスト残渣などを除去するために用いられる洗浄液であって、銅膜のような腐食しやすい金属膜を有する基板を洗浄した場合においても、高い洗浄効果を有するとともに、金属膜の劣化および腐食を防止する洗浄液を提供すること。 - 特許庁

To provide a polishing composition which, when used in a CMP (chemical mechanical polishing) process of a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound, exhibits a higher rate of polishing copper during polishing the copper surface and exhibits a lowered rate of polishing copper and a higher rate of polishing the tantalum compound during polishing the tantalum compound and to provide a polishing method using the composition.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅表面を研磨する際は銅の研磨レートが大きいがタンタル化合物の研磨の際には銅の研磨レートが減少し、タンタル化合物の研磨レートが向上する研磨用組成物ならびに研磨方法を提供する - 特許庁

A metal copper film is produced by coating a copper-containing composition to form a coating film and heating the coating film in inert gas, hydrogen or a mixed gas of inert gas and hydrogen, the copper-containing composition comprising a copper compound, a linear, branched or cyclic alcohol having 1-18 carbon atoms, a Group VIII metal catalyst, a binder resin, a binder resin curing agent and a copper complex.例文帳に追加

銅化合物；直鎖、分岐または環状の炭素数１から１８のアルコール類；ＶＩＩＩ族金属触媒；バインダー樹脂；バインダー樹脂硬化剤および銅錯体から成る銅含有組成物を被膜とし、不活性ガス；水素、または、不活性ガスと水素の混合ガス中で、加熱して金属銅膜を製造する。 - 特許庁

Surface of a copper film 3 is changed to cuprous oxide (Cu_2O)5 insoluble to water by polishing the wafer surface by using a cleaning agent having pH adjusted to 7-12 immediately after a barrier metal film polishing process in the Cu-CMP process when copper interconnections are formed, and an antioxidation film 6 is formed by making an oxidation inhibitor adhere to the surface of Cu_2O5.例文帳に追加

銅配線形成時のＣｕ−ＣＭＰ工程におけるバリアメタル膜研磨工程直後に、ｐＨを７〜１２に調整した洗浄剤を用いてウエハ表面を研磨することで、銅膜３表面を水に不溶な酸化第一銅（Ｃｕ_２Ｏ）５に変化させると共に、Ｃｕ_２Ｏ５表面に酸化防止剤を付着させて酸化防止膜６を形成する。 - 特許庁

The plating method comprises the first step of wetting the concave 80 shaped on the surface to be plated of the workpiece W with deionized water 82 by contacting the surface with the deionized water 82, and the second step of forming a copper film on the surface to be plated of the workpiece in wetting condition with an electroplating after immersing the workpiece in a plating solution 14.例文帳に追加

本発明のめっき方法は、被処理体Ｗの被成膜面に純水８２等を付着させ、被処理体の成膜面に形成された凹部８０の内面を純水８２により濡らす第１ステップと、この第１ステップの後、被処理体の被成膜面が濡れた状態にて、被処理体をめっき液１４に浸漬し電解めっき法により被処理体の被成膜面に銅膜を成膜する第２ステップとを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device, which can form a barrier insulating film, having sufficient performance for preventing the diffusion of copper and can form a main insulating film having a sufficiently low dielectric constant, while improving the throughput, when the barrier insulating film and the main insulation film on it are sequentially formed on wiring which is mainly constituted of a copper film.例文帳に追加

銅膜を主とする配線上にバリア絶縁膜とその上の主絶縁膜とを順に形成する場合、スループットの向上を図りつつ、銅の拡散を防止するために十分な性能を有するバリア絶縁膜と、十分に低誘電率を有する主絶縁膜とを形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a water borne dispersing element for chemical mechanical polishing that prevents scratches even on an object to be polished having an insulation film of small mechanical strength, can polish with high efficiency both a copper film and a barrier metal film, and can sufficiently flatten an insulation film without excessively polishing the film to provide a highly precise finished surface, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

機械的強度が小さい絶縁膜を有する被研磨物に対してもスクラッチが抑制され、銅膜とバリアメタル膜の両方を高い効率で研磨することができ、絶縁膜が過度に研磨されず、十分に平坦化されて精度の高い仕上げ面が得られる化学機械研磨用水系分散体および半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Otherwise, this method comprises a first film forming process to form an alloy film mainly formed of copper to any of a wiring groove and a contact hole formed on an insulation film of a semiconductor substrate, a second film forming process to form an oxygen diffusion preventing film on the alloy film, and a copper film heat treatment process to execute the heat treatment of the alloy film.例文帳に追加

また、半導体基板の絶縁膜上に形成された配線溝およびコンタクト孔のいずれか一つに、銅を主成分とする合金膜を成膜する第１の成膜工程と、合金膜上に酸素拡散防止膜を形成する第２の成膜工程と、合金膜の熱処理を行う銅膜熱処理工程を備える半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a composition for polishing and a polishing method for improving the polishing rate of a tantalum composition by increasing the polishing rate of copper at polishing the surface of copper, and reducing the polishing rate of copper at polishing the tantalum composition in a CMP working process of a semiconductor device having a copper film and a tantalum composition.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅表面を研磨する際は銅の研磨レートが大きいがタンタル化合物の研磨の際には銅の研磨レートが減少し、タンタル化合物の研磨レートが向上する研磨用組成物ならびに研磨方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method for cleaning a vaporization and supply device and a semiconductor manufacturing device capable of easily removing raw materials and reaction residues left in the vaporization and supply device and the semiconductor manufacturing device in a short time without using any expensive cleaning solution in completing a copper film forming process through CVD using a hexafluoroacetyl acetone copper complex as a raw liquid material.例文帳に追加

ヘキサフルオロアセチルアセトン銅錯体を液体原料として用いたＣＶＤによる銅の成膜プロセスの終了時において、気化供給装置、半導体製造装置に残留した原料及び反応残留物を、高価な洗浄液を使用することなく、短時間で容易に除去することが可能な気化供給装置及び半導体製造装置の洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To provide cleaning liquid for removing resist enhanced in a removing function of resist residual dross and resistance against corrosion of a copper film and an insulator film, when the resist residual dross after etching or ashing, and other etching residual dross are removed in a semiconductor manufacturing process including a copper wiring process, and a manufacturing method for a semiconductor device using the cleaning liquid.例文帳に追加

銅配線プロセス等の半導体装置製造方法工程において、エッチング後またはアッシング後のレジスト残さ物およびその他のエッチング残さ物を除去する際に、レジスト残さ物等の除去性、銅および絶縁体膜の耐腐食性が高いレジスト除去用洗浄液を提供する。 - 特許庁