「"COPPER FILM"」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a solution type composition for forming a copper film, having a favorable coating property, having high preservation stability, convertible into the copper film at low temperatures, and capable of economically manufacturing the copper film that exhibits high conductivity.例文帳に追加

塗布性が良好で、保存安定性に優れ、低温で銅膜に転化でき、導電性に優れた銅膜を安価に製造できる溶液タイプの銅膜形成用組成物を提供すること。 - 特許庁

Next, after an aluminum film is formed on the silicon oxide film 20 and the copper film 24, the copper film 24 and the aluminum film are made to react with each other by applying heat treatment, and an alloy film 27 is formed between the copper film 24 and the aluminum film.例文帳に追加

次に、酸化シリコン膜２０および銅膜２４上にアルミニウム膜を形成した後、熱処理を施すことにより、銅膜２４とアルミニウム膜を反応させ、銅膜２４とアルミニウム膜の間に合金膜２７を形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a thin copper film in which when the thin copper film is formed on a substrate having a fine hole or groove of ≤100 nm in aperture width formed on a surface, the thin copper film can be formed over the entire inner wall surface and inner bottom surface without closing an aperture part of the hole or groove.例文帳に追加

表面に開口幅が１００ｎｍ以下の微細な孔又は溝が形成された基板に銅薄膜を形成するに際し、前記孔又は前記溝の開口部を閉塞することなく、内壁面及び内底面の全体に銅薄膜を形成することが可能な、銅薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an abrasive composition in which improvement is realized in an abrasion selection ratio between copper and a tantalum compound upon abrading a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound, in excess abrasion of a copper film in an electric wiring channel and hole upon increasing a selection ratio to copper, and in smoothness of a surface of a copper film.例文帳に追加

銅膜およびタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨する場合の、銅とタンタル化合物の研磨選択比、銅に対する選択比を高めた時の配線溝や孔の銅膜の削られ過ぎ、及び銅膜表面の平滑性、を改善した研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

The printing cylinder 10 is equipped with a base material 1 for the printing plate, the copper film 2 formed on the base material 1 for the printing plate, the printing pattern groove 11 formed on the copper film 2, and the DLC film 3 formed on the copper film 2 and having the printing pattern groove 11 transferred thereto.例文帳に追加

この印刷用シリンダー１０は、印刷版用基材１と、この印刷版用基材１上に形成された銅膜２と、この銅膜２に形成された印刷パターン溝１１と、銅膜２上に形成され、印刷パターン溝１１が転写されたＤＬＣ膜３と、を具備するものである。 - 特許庁

The extremely thin copper foil with the carrier consists of the thin metallic film formed on a resin film constituting the carrier, the extremely thin copper film formed by the substitution reaction with the thin metallic film and electroless plating and the thin copper film formed on the extremely thin copper film by electrolytic plating.例文帳に追加

キャリヤとなる樹脂フイルム上に形成された金属薄膜と該金属薄膜との置換反応及び無電解めっきにより形成された銅極薄膜と該銅薄膜上に電解めっきにより形成された銅薄膜からなることを特徴とするキャリヤ付き極薄銅箔。 - 特許庁

To provide a composition for abrasive for CMP processing with a high selectivity which has a big grinding rate for a copper film and a small grinding rate for a tantalum compound in a CMP processing of a semiconductor device having the copper film and the tantalum compound, and excellent in smoothness of the copper film surface.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたＣＭＰ加工用の研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a high speed chemical vapor phase depositing method of thin copper film which enables mass production of CVD thin copper film for IC device use, and to provide the CVD thin copper film which exhibits excellent adhesiveness and low resistance when formed on a metal substrate and/or a metal nitride substrate.例文帳に追加

ＩＣデバイス用途のＣＶＤ銅金属薄膜の大量生産が可能であり、金属基板および／または金属窒化物基板に付与した場合、優れた接着性を示すＣＶＤ銅薄膜を提供することが可能であり、低い抵抗率を示すＣＶＤ銅薄膜を提供すること。 - 特許庁

COPPER SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR TFT, COPPER FILM FOR TFT, AND SPUTTERING METHOD例文帳に追加

ＴＦＴ用銅スパッタリングターゲット材、ＴＦＴ用銅膜、及びスパッタリング方法 - 特許庁

Further, a polishing composition containing a hydrogen peroxide is high in a polishing speed for a copper film.例文帳に追加

さらに過酸化水素を含有させた研磨用組成物は、銅膜に対する研磨速度も高いものとなる。 - 特許庁

Consequently, it is possible to selectively carry out the removal working of a copper film formed on a semiconductor wafer.例文帳に追加

これによって、半導体ウェーハ上に形成された銅膜を選択的に除去加工することができる。 - 特許庁

To manufacture a thin copper film having a high adhesion property to a metal nitride substrate.例文帳に追加

金属窒化物基板に対する高い密着性を有する銅薄膜を製造する。 - 特許庁

SELECTIVE ETCHING METHOD FOR COPPER FILM OR COPPER-BASE FILM, AND SELECTIVE ETCHING APPARATUS例文帳に追加

銅膜又は銅系膜に対する選択的エッチング方法と、選択的エッチング装置。 - 特許庁

A copper film is formed on a surface of the protective film 5 to fill the groove portion.例文帳に追加

その溝部を充填するように、保護膜５の表面上に銅膜が形成される。 - 特許庁

Thus, as a copper film 7 remaining without being ground, copper wiring 9 for filling a groove 5 is formed.例文帳に追加

これにより、研磨されずに残った銅膜７として、溝５内を充填する銅配線９が形成される。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING HIGH ADHESION THIN COPPER FILM ON METAL NITRIDE SUBSTRATE BY CVD例文帳に追加

ＣＶＤによる金属窒化物基板上への高密着性銅薄膜形成方法 - 特許庁

After the copper film is formed in such a manner, further thermal treatment is carried out in the hydrogen gas atmosphere.例文帳に追加

このように銅膜を作製した後、さらに水素ガス雰囲気中で熱処理を行なう。 - 特許庁

SOLUTION OF COPPER COMPOUND FOR DEPOSITION OF COPPER FILM BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND ITS SYNTHESIS例文帳に追加

化学蒸着からの銅膜堆積のための銅化合物の溶液およびその合成方法 - 特許庁

Then, the copper film is formed into a wiring layer 12a by patterning.例文帳に追加

次に、銅フィルム１２をパターニング処理して配線層１２ａを形成する。 - 特許庁

To develop a technology which can provide a copper film with luster, though being a pulse copper-plating technology.例文帳に追加

パルス銅めっきでありながら、光沢のある銅皮膜を得ることのできる技術を開発すること。 - 特許庁

A copper film 20 as conductive sacrifice layer is formed on the substrate 1.例文帳に追加

基板１の上に、導電性を有する犠牲層としての銅膜２０を形成する。 - 特許庁

Next, after the resist 4 is removed, a barrier metal and a copper film 7 are formed over all the surface.例文帳に追加

次に、レジスト４を除去した後、バリアメタル６及び銅膜７を全面に形成する。 - 特許庁

The copper film 4 is not formed on the part of the coil 2 that is not covered with the eutectic solder 8.例文帳に追加

このとき共晶はんだ８で覆われた部分以外には銅薄膜４は形成されていない。 - 特許庁

To provide a method for forming a high adhesion thin copper film on a metal nitride substrate.例文帳に追加

金属窒化物基板上に高密着性銅薄膜を形成する方法を提供すること。 - 特許庁

Thereafter, a thin copper film is formed on the silicon nitride layer by sputtering.例文帳に追加

しかる後この窒化珪素変質層の上に銅薄膜をスッパタリング成膜する。 - 特許庁

ORGANIC INSULATING MATERIAL, POLISHING MATERIAL FOR COPPER FILM COMPOUND MATERIAL, AND POLISHING METHOD例文帳に追加

有機絶縁材料膜及び銅膜複合材料用研磨材及び研磨方法 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a metal copper film, wherein there is little deposition of copper on an unnecessary part, and to provide a metal copper pattern.例文帳に追加

銅フリの発生が少ない、金属銅膜の製造方法及び金属銅パターンを提供する。 - 特許庁

METHOD OF ACHIEVING HIGH ADHESION PROPERTY OF THIN CVD COPPER FILM ON TAN SUBSTRATE例文帳に追加

ＴａＮ基板上でのＣＶＤ銅薄膜の高密着性を達成する方法 - 特許庁

By such a formation, the grain sizes of the crystal grains of the first copper film 9c are made large enough.例文帳に追加

このように形成することにより、第一銅膜９ｃの結晶粒の粒径は十分に大きくなる。 - 特許庁

To provide a conductive paste capable of easily forming a dense copper film in a desired shape at low temperature.例文帳に追加

簡便に、低温で緻密な銅膜を、所望の形状に形成しうる導電性ペーストを提供する。 - 特許庁

To provide a copper film surface etching method, in which the copper film is oxidized and the oxide product is eliminated by acid, alkaline or the like, a copper oxide film forming method, in which the roughness of the copper film surface after the etching treatment is reduced and which can be performed in a short time and in a proper precision in few steps, a copper film etching method and a semiconductor device manufacturing method.例文帳に追加

銅膜を酸化させその酸化物を酸又はアルカリ等で除去して銅膜表面をエッチングする方法であってエッチング処理を行った後の銅膜表面の荒れが少なく少ない工程で短時間に精度良く行うことができる銅酸化膜の形成方法、銅膜のエッチング方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The propagation path 4 is formed by being surrounded by a propagation copper film 3 provided at an inner face of an outer tube 2.例文帳に追加

伝搬路４は、外管２の内面に設けられた伝搬用銅膜３に囲まれて形成されている。 - 特許庁

FEED MECHANISM FOR COPPER PLATING SOLUTION, COPPER PLATING APPARATUS USING THE SAME, AND COPPER FILM-FORMING METHOD例文帳に追加

銅めっき液供給機構並びにそれを用いた銅めっき装置および銅皮膜形成方法 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and an apparatus for manufacturing the semiconductor device where the surface of a copper film is etched precisely, in a short time with few steps, while the surface roughness of the copper film is not progressed in the etching process of the surface of the copper film that includes oxidation of the copper film and removing the oxide thereof, with an acid or alkali.例文帳に追加

銅膜を酸化させその酸化物を酸もしくはアルカリなどで除去することにより銅膜の表面をエッチングする方法において、エッチング処理を行った後の銅膜表面が荒れてしまうことが少なく、少ない工程で短時間に精度良く行うことができる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for polishing which polishes preferentially a copper film in the CMP working process of a semiconductor device including the copper film and a barrier metal film, and to manufacture the semiconductor device efficiently.例文帳に追加

銅膜、バリアメタル膜を含む半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて銅膜を優先的に研磨可能な研磨用組成物が得られ、半導体デバイスを効率的に製造すること。 - 特許庁

The FPC 3 comprises a polyethylene terephthalate base film 3a, a copper film 3b as a conductor formed on the base film 3a, and a cover layer 3c covering over the copper film 3b.例文帳に追加

ＦＰＣ３は、ポリエチレンテレフタレートのベースフィルム３ａと、このベースフィルム３ａの表面に形成された導電部となる銅箔３ｂと、この銅箔３ｂを被覆するカバーレイ３ｃとから構成されている。 - 特許庁

Thereafter, the copper film and the barrier metal layer 21 in the region other than the wiring grooves 20 are removed by a CMP method, and the wiring lines 22 serving as a second wiring layer whose main conductor layer is formed of the copper film are formed inside the wiring grooves 20.例文帳に追加

その後、配線溝２０以外の領域の銅膜およびバリアメタル層２１をＣＭＰ法により除去して、配線溝２０の内部に銅膜を主導体層とする第２配線層の配線２２を形成する。 - 特許庁

To solve a problem of a conventional method for forming a copper film that the copper film formed on a flat surface of a resin substrate or a resin layer has an insufficient adhesion strength.例文帳に追加

樹脂基板又は樹脂層の平坦面に形成した銅膜の密着強度が不充分である従来の銅膜形成方法の課題を解消する。 - 特許庁

The seed layer 111 and the plating film 112 are integrated to form a wiring copper film 113, thereby forming vias 114 and second wirings 115 from the copper film 113.例文帳に追加

銅シード層１１１と銅メッキ膜１１２とを一体化して配線用銅膜１１３を形成することにより、配線用銅膜１１３からなるビア１１４及び第２の配線１１５を形成する。 - 特許庁

To improve the reproducibility of a copper film by eliminating a process exposing a diffusion barrier film to the outside air before the forming of a copper film, by improving various kinds of properties of the films and characteristics at the interface of the films and by improving a surface management.例文帳に追加

拡散バリア膜の成膜とＣｕ膜の成膜の間に大気暴露工程をなくし、膜の各種特質、膜の界面での特性を改善し、かつ表面管理を良好にして、Ｃｕ膜の再現性を高める。 - 特許庁

To provide a heat treating method for a copper film, in the subsequent heat treatment for a copper film produced by a CVD method, capable of reducing the time requird for heat treatment, moreover increasing the growth of crystal grains and increasing the size thereof.例文帳に追加

ＣＶＤ法で作製された銅膜のその後の熱処理で、熱処理に要する時間を短縮し、かつ結晶グレインの成長を増進して、その大きさを大きくできる銅膜の熱処理方法を提供する。 - 特許庁

In addition, an upper thin copper film 8 is joined to the upper surface of the upper thin insulating film 6, and a lower thin copper film 7 is joined to the lower surface of the lower thin insulating film 5.例文帳に追加

そして、上側熱良導性電気絶縁薄膜６の上面には上側銅薄膜８が接合され、下側熱良導性電気絶縁薄膜５の下面には下側銅薄膜７が接合されている。 - 特許庁

The surface of a copper film 17 forming an electrode pad is treated with an organic acid so as to turn rugged, and then an oxide film formed on the surface of the copper film 17 is removed by an oxalic acid.例文帳に追加

電極パッドを構成する銅膜１７の表面を有機酸により処理して凹凸を付与した後、表面に形成された酸化膜２４を、シュウ酸により除去する。 - 特許庁

In this meta wiring, a barrier film is formed in either one or both between the copper film and the silicon containing film on the upper face/ lower face of the copper film.例文帳に追加

金属配線は、銅膜とけい素含有膜との間における、銅膜の上層もしくは下層にまたは銅膜の上層と下層との両方に、バリア膜が形成されている。 - 特許庁

The seed layer 111 and the plating film 112 are integrated to form a wiring copper film 113, thereby forming vias 114 and second wirings 115 from the copper film 113.例文帳に追加

銅合金シード層１１１と銅メッキ膜１１２とを一体化して配線用銅合金膜１１３を形成することにより、配線用銅合金膜１１３からなるビア１１４及び第２の配線１１５を形成する。 - 特許庁