「"COPPER FILM"」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The copper plating bath combinedly contains a particular complexing agent and a particular electroconductive salt, and accordingly can form the adequate copper film having satisfactory adhesiveness even to the article to be plated which has high specific resistance such as the ITO film.例文帳に追加

銅メッキ浴に特定の錯化剤と特定の導電性塩を複合添加するため、ＩＴＯ膜などの比抵抗の大きな被メッキ物にも充分な密着性で銅皮膜を良好に成膜できる。 - 特許庁

After forming on a silicon substrate 1 a copper-plated film containing impurities, the copper-plated film is so subjected to a crystal growth as to form a first copper film 9c comprising a plurality of copper grains and the impurity layers distributed in their grain boundaries.例文帳に追加

不純物を含む銅めっき膜をシリコン基板１の上に成膜した後、銅めっき膜を結晶成長させて、複数の銅結晶粒とそれらの粒界に分布する不純物層とで構成された第一銅膜９ｃを形成する。 - 特許庁

In this tape carrier, there are formed an insulating film, a conveying sprocket hole 3 and a device hole 4 for mounting a semiconductor element, etc., in a two-layer tape comprising an insulating film 1 and a copper film 2.例文帳に追加

絶縁フィルム１と銅フィルム２からなる２層テープに絶縁フィルム搬送用のスプロケットホール３及び半導体素子等を搭載するデバイスホール４を形成する。 - 特許庁

To provide a polishing solution for a copper film that achieves not only high polishing speed but also preferred uniform polishing speed inside a surface in addition to contributing to the high quality of LSI and the like using a copper wiring, and to provide a method of polishing a substrate.例文帳に追加

高速研磨速度が可能で、かつ研磨速度の面内均一性が良好で、銅配線を用いたＬＳＩなどの高品質化に寄与することができる銅膜用研磨液及び基板の研磨方法を提供する。 - 特許庁

While the resin layer 12 is being impregnated with a liquid 30, the ultraviolet light UV is given to it, so that the precipitated copper film 20 is used as a power supply layer and electroplating is applied onto the resin layer 12 to form a conductive layer 14.例文帳に追加

液３０に浸漬させつつ紫外光ＵＶを照射することにより析出した銅皮膜２０を給電層として、樹脂層１２上に電気めっきを施し導電体層１４を形成する。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of evaporating a released liquid invaded into the seam in a tungsten film 9 by heat treatment, and then forming a wiring made of a copper film 6 thereon.例文帳に追加

タングステン膜９中のシーム内に侵入した剥離液を加熱処理により蒸発させ、次いでその上に銅膜６からなる配線を形成する。 - 特許庁

In the forming method of a wiring film, a first current is applied by an electroless plating method, and a first copper film 13a is formed so that at least a wiring groove 11a formed on a substrate 10 is embedded with it.例文帳に追加

配線膜の形成方法において、電解めっき法により第１の電流を印加して、基板１０の上に形成された配線溝１１ａが少なくとも埋まるように第１の銅膜１３ａを形成する。 - 特許庁

Meanwhile, the surface of the first base film is coated on a second base film made of a nitride or carbide of the bubble metal, and a copper film 15 is formed on the surface thereof by CVD using a copper organic compound as a material.例文帳に追加

一方、第１の下地膜の表面をバルブメタルの窒化物または炭化物からなる第２の下地膜に被覆し、その表面に銅の有機化合物を原料とするＣＶＤにより銅膜１５を成膜する。 - 特許庁

To provide a plating process for applying a copper film, or the like, onto a semiconductor wafer, or the like, which well embeds a concave part on a substrate, improves the film-forming speed and inhibits void generation and surface roughness in the plated film.例文帳に追加

半導体ウェハ等に銅膜等をめっき処理するに際し、被処理体上の凹部の埋め込み性に優れ、成膜速度を向上でき、しかも、めっき膜中のボイド発生及び表面荒れを防止めっき方法を提供する。 - 特許庁

To solve problems associated with conventional art and to provide a copper complex for MOCVD, which has a high vapor pressure, is easy to vaporize, realizes easy control of speed of copper film formation and is stable at high temperature.例文帳に追加

本発明の目的は、従来技術の問題を解決すること、すなわち、蒸気圧が高く気化が容易で銅薄膜の形成速度の制御が容易で且つ高温で安定なＭＯＣＶＤ用銅錯体を提供することである。 - 特許庁

To enhance reliability of an element, while increasing the manufacturing yield by preventing an interlayer insulation film on a copper film from being stripped when copper interconnections are formed by a damascene interconnection technology.例文帳に追加

ダマシン法による銅配線の形成において、銅膜上の層間絶縁膜の剥離を防止して、歩留まりおよび素子の信頼性を向上させること。 - 特許庁

To provide a plating apparatus or the like for forming a metal film such a copper film, which can further improve uniformity of film thickness within the surface and a throwing power.例文帳に追加

銅膜等の金属膜を形成するめっき装置であって、膜厚及び埋め込み性能の面内均一性を更に改善することのできるめっき装置等を提供する。 - 特許庁

To provide a copper particulate for a paste for low temperature firing, which can form a dense and low-resistant fired film on a resin substrate, and to provide a method for forming a fired copper film.例文帳に追加

樹脂基板上に緻密な低抵抗焼成膜が形成できる、低温焼成ペースト用銅微粒子、および銅焼成膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a metal abrasive compound that prevents dishing to improve evenness, improves a grinding speed of a metal film, specifically a copper film to enable high-speed grinding under low pressure, enhances a production yield and is inexpensive and further is contributive to industry.例文帳に追加

ディッシングを防止して平坦性を高くし、金属膜特に銅膜の研磨の研磨速度を向上させて低圧での高速研磨を可能にし、しかも、歩留まりが向上する安価で工業的な金属研磨組成物を提供する。 - 特許庁

The surface of the first portion of the copper film(118) is then cleaned, and organic absorption at all position is uniformed to prevent the copper from growing on a high-density region prior to the other region.例文帳に追加

次いで銅膜（１１８）の第１部分の表面を洗浄し、すべての部位の有機物吸着を均一化して、高密度領域に銅が優先的に成長することを防止する。 - 特許庁

To provide a substrate peripheral processing device and a substrate peripheral processing method which can achieve properly etch-remove a copper film from the substrate peripheral portion corresponding to states of an etching solution and to provide a substrate peripheral processing device and a method which do not need to prepare a plurality of recipes corresponding to the thickness of the copper thin films.例文帳に追加

エッチング液の状態に応じた適切な処理を行って、基板の周縁部の銅膜を良好にエッチング除去することができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plating apparatus capable of further improving intra- surface uniformity of a film thickness and an embedding performance in a plating apparatus to form a metal film such as a copper film.例文帳に追加

銅膜等の金属膜を形成するめっき装置であって、膜厚及び埋込み性能の面内均一性を更に改善することのできるめっき装置を提供すること。 - 特許庁

The copper film is treated in a gas of carbon dioxide at 200°C-300°C, 2-30 MPa, or in a gas of an inert element, or in a super-critical carbon dioxide, or in a gas or fluid of the above gas containing hydrogen.例文帳に追加

これを２００℃〜３００℃、２〜３０ＭＰａの高温高圧の二酸化炭素、または不活性元素の気体中で、ないしは超臨界二酸化炭素中で、あるいはさらにこれらに水素を含有させた気体、流体中で処理する。 - 特許庁

To provide a sulfuric-acid-based cupric electrolyte solution in which a glossy electrodeposited copper film can be formed which has not been obtained in a conventionally available cupric electrolyte solution.例文帳に追加

従来市場で使用されていた銅電解液ではなしえなかった光沢を有する電析銅皮膜の形成可能な硫酸系銅電解液を提供する。 - 特許庁

To provide a plating equipment for forming a metal film such as a copper film, which improves thickness uniformity of the plated film on a surface and in a concave within the plated face.例文帳に追加

銅膜等の金属膜を形成するめっき装置であって、膜厚及び埋込み性能の面内均一性を更に改善することのできるめっき装置を提供すること。 - 特許庁

The method of manufacturing a copper film includes a step of covering a base material printed and coated with copper particulates made of copper and/or copper oxide having an average particle size of 1 nm or more to 200 nm or less, with a covering member and a reducer and heating the coated copper particulates to sinter the copper particulates.例文帳に追加

銅微粒子を印刷・塗布した基材を還元剤とともに被覆部材をもって被覆し、加熱により銅微粒子を焼結する工程を含む銅膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

A heat conduction copper film 20 for leading heat generated in the propagation path 4 to the heat dissipation holes 14 is provided at each surface of the first and second division members 5, 6 and at the inner face of the heat dissipation holes 14.例文帳に追加

第１分割部材５及び第２分割部材６のそれぞれの表面及び各放熱用穴部１４の内面には、伝搬路４内で発生した熱を放熱用穴部１４側へ導く伝熱用銅膜２０が設けられている。 - 特許庁

When a copper film 6 is formed in interconnection trenches, copper is polished by CMP method, and then the copper is removed by etching from the vicinity of the circumferential fringe of a wafer.例文帳に追加

銅膜６を配線溝内に形成する際、ＣＭＰにより銅を研磨した後、ウェーハ周縁近傍の銅をウエットエッチングにより除去する。 - 特許庁

A solder pad 6 for electric connection with the outside is formed so that the entire surfaces (tip face 14A and side face 14B) of the projection 14 and a surface 21A of the periphery 21 of the outer-periphery copper film 24 are covered.例文帳に追加

そして、外部との電気接続のための半田パッド６は、突出部１４の全表面（先端面１４Ａおよび側面１４Ｂ）および外周銅膜２４の周縁部２１の表面２１Ａを覆うように形成されている。 - 特許庁

In the preceding period of the plating stage, by moving the electric field shielding board 8 in the left direction and concentrating the electric field on the center part of the semiconductor substrate 100, the plating copper film 112 is thickly deposited on the center part.例文帳に追加

メッキ工程の前期において、電界遮蔽板８を左方に移動して半導体基板１００の中央部に電界を集中させることにより、該中央部にメッキ銅膜１１２を厚く堆積する。 - 特許庁

This invention relates to the electroless copper plating liquid forming a copper film on a nickel film by substitution reaction with a nickel metal, wherein the electroless copper plating liquid does not contains a reducing agent of copper and contains a complexing agent of copper relaxing the substitution reaction.例文帳に追加

ニッケル皮膜上にニッケル金属との置換反応によって銅皮膜を形成する無電解銅めっき液であって、前記無電解銅めっき液には、銅の還元剤が非含有であると共に、前記置換反応を緩和する銅の錯化剤が含有されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for selectively forming a copper film capable of forming a desired copper wiring layer or the like by selectively depositing a copper on a necessary region of a substrate made of a conductive material or a semiconductor material and reducing a raw material cost.例文帳に追加

導電性材料または半導体材料からなる下地の必要とする領域に銅を選択的に堆積して所望の銅配線層等を形成することが可能で、原料コストの低減等を図ることができる銅被膜の選択形成方法を提供しようとものである。 - 特許庁

A copper alloy film 106 made of Cu-Sn alloy, Cu-Mg alloy, or Cu-Zr alloy is deposited on the TiN/Ti film 105 by the sputtering method, and a copper film 107 is deposited on the copper alloy film 106 by the CVD method or the plating method.例文帳に追加

ＴｉＮ／Ｔｉ膜１０５の上にスパッタ法により、Ｃｕ−Ｓｎ合金、Ｃｕ−Ｍｇ合金又はＣｕ−Ｚｒ合金からなる銅合金膜１０６を堆積した後、該銅合金膜１０６の上にＣＶＤ法又はメッキ法により銅膜１０７を堆積する。 - 特許庁

The method for production of the metal copper film includes treating a copper-based particle deposition layer formed on the substrate and including particles comprising copper oxide with a gas mixture of gaseous formic acid and at least one organic solvent selected from gaseous monovalent alcohol, ester and ketone at 120°C or higher.例文帳に追加

基板上に形成された、酸化銅からなる粒子を含む銅系粒子堆積層を、１２０℃以上において、ガス状のギ酸と、ガス状の１価のアルコール／エステル／ケトンから選択される少なくとも１種の有機溶剤と混合ガスにより処理する、金属銅膜の作製方法。 - 特許庁

In wiring structure where a copper film 6 is buried in a wiring layer insulating film, the wiring layer insulating film is in structure where an MSQ(methyl silsesquioxane) film 2, an MHSQ(methylated hydrogen silsesquioxane) film 3, and a silicon oxide film 4 are laminated.例文帳に追加

配線層絶縁膜中に銅膜６が埋め込まれた配線構造において、配線層絶縁膜を、ＭＳＱ（メチルシルセスキオキサン）膜２、ＭＨＳＱ（メチル化ハイドロジェンシルセスキオキサン）膜３、およびシリコン酸化膜４が積層した構造とする。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for manufacturing a highly efficient flexible copper film-laminated strip by improving adhesiveness between a polyimide strip and a thin metal film, and removing stress from copper films laminated through magnetron sputtering being a dry deposition process.例文帳に追加

ポリイミドフィルムと金属薄膜層との間の接着性を向上させ、乾式蒸着法であるマグネトロンスパッタリング法により形成された銅積層膜の応力を除去して、高効率の軟性銅箔積層フィルムを製造する軟性回路基板の製造装置及び方法を提供する。 - 特許庁

After forming a copper layer of 50-500 nm thick by sputtering on the surface of a metal layer formed on a polyimide film surface, a substrate having a copper film formed by electroplating on the copper layer is heat treated at temperatures of 120-200°C.例文帳に追加

ポリイミドフィルム表面に形成された金属層表面にスパッタリング法により５０〜５００ｎｍの厚さを有する銅層を形成した後、該銅層上に電気めっきにより銅被膜を形成してなる基板を、１２０〜２００℃の温度下で熱処理に付すことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an end point detection method capable of easily, precisely, and rapidly detecting an end point when removing copper oxide by performing dry cleaning to a substrate having a copper film where the copper oxide is formed on the surface by an organic acid.例文帳に追加

表面に酸化銅が形成された銅膜を有する基板に対し、有機酸にてドライクリーニングを施して酸化銅を除去する際に、その終点を簡便にかつ高精度で、迅速に検出することができる終点検出方法を提供すること。 - 特許庁

After a contact hole 102 and a wiring groove 103 are formed in an insulating film 101 on a semiconductor substrate 100, a tantalum nitride film 104 and a first copper film are formed sequentially on the insulating film 101, which contains the contact hole 102 and the wiring groove 103.例文帳に追加

半導体基板１００上の絶縁膜１０１に接続孔１０２及び配線溝１０３を形成した後、接続孔１０２及び配線溝１０３を含む絶縁膜１０１の上に窒化タンタル膜１０４及び第１の銅膜を順次形成する。 - 特許庁

The aqueous dispersing element for chemical mechanical polishing polishes a copper film containing a silica particle (A) and an amino acid (B), where the silica particle (A) has the following chemical properties.例文帳に追加

本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、（Ａ）シリカ粒子と、（Ｂ）アミノ酸と、を含有する銅膜を研磨するための化学機械研磨用水系分散体であって、前記（Ａ）シリカ粒子は、下記の化学的性質を有することを特徴とする。 - 特許庁

In the processing method, etching liquid is used where etching velocity ratio to copper and barrier metal is adjustable, when a copper film and a barrier metal film are smoothed, in a substrate from which the films are exposed.例文帳に追加

銅膜とバリアメタル膜が露出している基板において、これらの膜を平滑化するに当たり、銅とバリアメタルに対するエッチング速度比が調整可能なエッチング液を使用することを特徴とする基板の処理方法およびこれに用いることのできる銅とバリアメタルの共通エッチング液。 - 特許庁

A metal wire 13 comprising a barrier layer 13a and a copper film 13b is buried in the carbon- containing silicon oxide film 12 and a second insulation film 14 composed of a silicon nitride film is formed on the metal wire 13 and the carbon-containing silicon oxide film 12.例文帳に追加

炭素含有シリコン酸化膜１２には、バリア層１３ａと銅膜１３ｂとからなる金属配線１３が埋め込まれており、金属配線１３及び炭素含有シリコン酸化膜１２の上にはシリコン窒化膜よりなる第２の絶縁膜１４が形成されている。 - 特許庁

To provide a pretreatment cleaning agent for copper electroplating in a direct plating method, which is freed from the influence of contact with a roller by horizontal conveyance, and with which the high adhesion of a copper film formed by copper electroplating can be secured.例文帳に追加

ダイレクトプレーティング法における電気銅めっきを行う前処理に使用することにより、水平搬送によるローラーとの接触の影響を除去し、かつ、電気銅めっきで形成された銅被膜の高い密着性を確保できる電気銅めっき用の前処理洗浄剤を提供する。 - 特許庁

To provide a material for depositing an electroconductive barrier film which can be deposited even when the electroconductive barrier film has 1/5-1/7 aspect ratio and ≤10 nm thickness, and which has an excellent property of preventing copper diffusion (barrier properties), small electric resistance and excellent adhesiveness to a copper film.例文帳に追加

アスペクト比が１／５〜１／７、又、厚さが１０ｎｍ以下であっても成膜が可能で、かつ、銅の拡散防止（バリア性）に優れ、更には電気抵抗が小さく、銅膜との密着性にも優れた導電性バリア膜形成材料を提供する。 - 特許庁

To solve the problem, that it is difficult to form a thin and uniform film on the surface of a base material because it is likely to be influenced by whether or not the atmospheric heating temperature is uniform, in the copper film formation method employing thermal decomposition of copper formate or a compound thereof.例文帳に追加

加熱雰囲気温度の均一性の影響を受け易く、基材面に薄膜で且つ均斉な銅膜を形成することが困難であるという、蟻酸銅又はその化合物を熱分解する従来の銅膜の形成方法での課題を解決する。 - 特許庁

To provide an electrolytic machining liquid reducing a polishing speed of copper, which is a wiring layer, up to at least a speed equivalent to that of a barrier layer and capable of planarizing the surface of a copper film flush with the surface of an insulating layer at electrolytic polishing time of a surface of a substrate.例文帳に追加

基板表面の電解研磨時に、配線層である銅の加工速度を少なくともバリア層と同等な速度まで遅くし、銅膜の表面と絶縁層の表面とをほぼ同一平面になるように平坦化できる電解加工液を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate-processing apparatus which can reduce the initial and running costs of the apparatus, requires a small installation space, can form a circuit wiring with copper or a copper alloy in a short processing time and prevents a copper film from remaining at an edge/bevel, which causes cross-contamination.例文帳に追加

装置のイニシャルコスト、ランニングコストを低くでき、広い設置スペースを必要とせず、短い処理時間で銅又は銅合金による回路配線を形成でき、且つクロスコンタミネーションの原因となるエッジ・ベベル部に銅膜が残ることのない半導体基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing apparatus which uniformly polishes a metallic film such as a copper film formed on a surface of a substrate at a high polishing rate, thereby minimizing the load of CMP treatment, and makes the distribution of an electric field uniform, thereby more uniformly polishing and removing the metallic film; and to provide a polishing method.例文帳に追加

基板表面に形成した銅膜等の金属膜を高い研磨レートで均一に研磨してＣＭＰ処理の負荷を極力低減でき、しかも電界の分布をより均一にしてより均一に金属膜を研磨除去できるようにする。 - 特許庁

The semiconductor substrate 100 is held on a lower part electrode 107 in a low-pressure chamber, then, with the inside of the low-pressure chamber kept about 400°C or less, the surface of the semiconductor substrate 100 is supplied with an SiH4 gas 109, so that a copper silicide layer 110 is formed on the surface of the copper film 104.例文帳に追加

半導体基板１００を低圧チャンバー内の下部電極１０７の上に保持した後、低圧チャンバー内を４００℃程度の温度下に保持しつつ、半導体基板１００の表面にＳｉＨ_4 ガス１０９を供給して、銅膜１０４の表面に銅シリサイド層１１０を形成する。 - 特許庁

To provide a selective etching method whereby, without raising the cost for selectively etching one of copper or copper-base films of a metal laminate 1 having an etching barrier layer 3 intervenient between copper films 2 and 3, the fear that the etching barrier layer 3 is corroded, resulting in the corrosion of the other copper film 4 or copper-base film, is eliminated.例文帳に追加

銅膜２・４膜間にエッチングバリア層３を介在させた金属積層板１の一方の銅膜又は銅系膜に対する選択的エッチングに要するコストを高めることなく、エッチングバリア層３が侵されて他方の銅膜４又は銅系膜までが侵される虞をなくす。 - 特許庁