「"a ga"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The fuel consumption characteristic and response characteristic of an engine 10 are optimized for a user by a GA(Generic Algorithm).例文帳に追加

エンジン１０の燃費特性およびレスポンス特性をＧＡにより使用者向けに最適化する。 - 特許庁

Preferably, the top surface of the substrate 22, corresponding to the upper region 22b, has a Ga polarity.例文帳に追加

好ましくは、上部領域２２ｂに該当する基板２２の上面はＧａ極性を有する。 - 特許庁

Thus, the light emission facet 1F is a Ga polar plane and the rear facet 1B is an N polar plane.例文帳に追加

これにより、光出射面１ＦがＧａ極性面となり、後面１ＢがＮ極性面となる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a photoelectric conversion device capable of easily manufacturing the photoelectric conversion device provided with a semiconductor layer including a Ga concentration gradient.例文帳に追加

Ｇａ濃度勾配を有する半導体層を備えた光電変換装置を容易に作製する。 - 特許庁

In the magnetoresistive element 10, a tunnel barrier thin film 13 composed of Ga_2O_3 is arranged between a (Ga, Mn)N thin film 11 where a part of Ga in GaN is replaced by Mn and a (Ga, Mn)_2O_3 thin film 12 where part of Ga in Ga_2O_3 is replaced by Mn.例文帳に追加

磁気抵抗素子１０は、GaNにおいてGaの一部がMnに置換された(Ga, Mn)N薄膜１１と、Ga_2O_3においてGaの一部がMnに置換された(Ga, Mn)_2O_3薄膜１２の間に、Ga_2O_3から成るトンネル障壁薄膜１３を配置したものである。 - 特許庁

The first oxide semiconductor layer 542 is composed of a Ga oxide semiconductor, and has a thickness within a range of 0.5-2.0 nm.例文帳に追加

第１の酸化物半導体層５４２は、Ｇａ酸化物半導体よりなり、０．５〜２．０ｎｍの範囲内の厚みを有している。 - 特許庁

A GA arithmetic part 23 performs operations for the calculation of an evaluation function of a chromosome, the selection of a chromosome, crossover, mutation, etc.例文帳に追加

ＧＡ演算部２３は、染色体の評価関数の計算、染色体の選択、交叉、突然変異等の演算を行う。 - 特許庁

To provide a method for easily and economically growing a GaN crystal by using high pressure nitrogen-containing gas and a Ga solvent.例文帳に追加

高圧の窒素含有ガスとＧａ溶媒を利用して、簡便かつ経済的にＧａＮ結晶を成長させ得る方法を提供する。 - 特許庁

To provide a Ga_xIn_1-xN substrate with which a high quality epitaxial film can be stably grown, and to provide a cleaning method for obtaining the same.例文帳に追加

高品質のエピタキシャル膜を安定して成長できるＧａ_xＩｎ_1-xＮ基板とこのＧａ_xＩｎ_1-xＮ基板を得るための洗浄方法を提供する。 - 特許庁

The voltage and current optimizing processor 9 computes the system constitution of dissolving the states of overload and deviation from appropriate voltage by applying a GA method.例文帳に追加

電圧電流適正化処理部９は電流過負荷、適正電圧逸脱状態を解消する系統構成を、ＧＡ法を適用して算出する。 - 特許庁

As the material gas, TMA is used for an Al material, the mixed gas of TEG and TMG is used for a Ga material, and arsine is used for an arsenic material.例文帳に追加

原料ガスとしては、Ａｌ原料にＴＭＡ、Ｇａ原料にＴＥＧとＴＭＧの混合ガス、砒素原料にアルシンを用いた。 - 特許庁

The electrode 110 includes a metal layer 202 having a Ga content of equal to or more than 1 atomic number% and equal to or less than 25 atomic number%.例文帳に追加

電極１１０は、Ｇａ含有率が１原子数％以上２５原子数％以下の金属層２０２を有する。 - 特許庁

When it is decided that a GA value has been normally input, the GAR address selector 4 sets the input GA value as a BAR value.例文帳に追加

正常にＧＡ値が入力されたと判定される場合は、ＢＡＲアドレス選択器４は入力されたＧＡ値をＢＡＲ値として設定する。 - 特許庁

In the first raction unit 20, a Ga metal of a group III metal and a chloride HCl react to generate a GaCl_3 gas as a reaction product.例文帳に追加

第１の反応部２０において、III族金属のGaメタルと、塩化物のHClとが反応し、反応生成物としてGaCl_3ガスが生じる。 - 特許庁

A GA is also used to optimize the rule base, using the fuzzy model, optimal linguistic variable parameters, and a teaching signal.例文帳に追加

ファジーモデル、最適言語的変数パラメータ、および教示信号を用いてルールベースを最適化するために、ＧＡを使用する。 - 特許庁

A buffer layer 42 made of an AlN is formed on an SiC substrate 41, and further a Ga layer 43 is deposited on the buffer layer 42 made of the AlN.例文帳に追加

ＳｉＣ基板４１上にＡｌＮからなるバッファ層４２を形成し、更に、ＡｌＮからなるバッファ層４２上にＧａ層４３を堆積させる。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor production apparatus comprises a feed pipe 15 for feeding nitrogen and silane, a Ga feed apparatus 16 for feeding a Ga melt to a crucible 11, and an Na feed apparatus 17 for feeding an Na melt into the crucible 11.例文帳に追加

III 族窒化物半導体製造装置は、窒素とシランを供給する供給管１５と、坩堝１１にＧａ融液を供給するＧａ供給装置１６と、坩堝１１にＮａ融液を供給するＮａ供給装置１７と、を有している。 - 特許庁

The metal material is a Ga-based alloy which is in a paste state at a temperature of the melting point of the Ga-based alloy or above, the Ga-based alloy comprising at least a Ga-based liquid metal in a liquid state at room temperature and an alkali metal or an alkaline earth metal and having an electron injection function.例文帳に追加

融点以上の温度でペースト状態となるＧａ系合金であって、常温で液体のＧａ系液体金属と、アルカリ金属又はアルカリ土類金属とを少なくとも含んでなり、電子注入機能を有することを特徴とする。 - 特許庁

The metal material is a Ga-base alloy which is in a paste state at a temperature of the melting point of the Ga-base alloy or above, the Ga-base alloy comprising at least a Ga-base liquid metal in a liquid state at room temperature and an alkali metal or an alkaline earth metal and having an electron injection function.例文帳に追加

融点以上の温度でペースト状態となるＧａ系合金であって、常温で液体のＧａ系液体金属と、アルカリ金属又はアルカリ土類金属とを少なくとも含んでなり、電子注入機能を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide polishing slurry which can form a crystal surface of small surface roughness on a Ga_xIn_1-xAs_yP_1-y crystal (0≤x≤1, 0≤y≤1) efficiently at a high polishing rate, and to provide a surface treatment method of a Ga_xIn_1-xAs_yP_1-y crystal employing such polishing slurry.例文帳に追加

高い研磨速度で効率的にＧａ_xＩｎ_1-xＡｓ_yＰ_1-y結晶（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）に表面粗さの小さい結晶表面を形成することができるポリシングスラリー、かかるポリシングスラリーを用いたＧａ_xＩｎ_1-xＡｓ_yＰ_1-y結晶の表面処理方法などを提供する。 - 特許庁

Disclosed is the manufacturing method of the group III nitride compound semiconductor light emitting element wherein a Ga target 47a containing a Ga element and a dopant target 47b consisting of a dopant element are used to form at least a portion of a semiconductor layer by exciting the Ga target 47a by sputtering and exciting the dopant target 47b with charged particles in a beam shape.例文帳に追加

Ｇａ元素を含有するＧａターゲット４７ａとドーパント元素からなるドーパントターゲット４７ｂとを用い、前記Ｇａターゲット４７ａをスパッタにより励起させるとともに、前記ドーパントターゲット４７ｂをビーム状とした荷電粒子により励起させて、半導体層の少なくとも一部を形成するＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法とする。 - 特許庁

A lateral selective growth ELO structural layer is the GaInN- ELO structural layer 14 composed of a Ga_xIn_1-xN species crystal 14a provided on the sapphire substrate 12 as a stripe ridge, and a Ga_xIn_1-xN layer 14b grown from the Ga_xIn_1-xN species crystal 14a by lateral growth.例文帳に追加

横方向選択成長ＥＬＯ構造層は、サファイア基板１２上に、ストライプ状リッジとして設けられたＧａ_x Ｉｎ_1-x Ｎ種結晶部１４ａと、Ｇａ_x Ｉｎ_1-x Ｎ種結晶部１４ａから横方向成長法により成長させたＧａ_x Ｉｎ_1-x Ｎ横方向成長層１４ｂとから構成されているＧａＩｎＮ−ＥＬＯ構造層１４である。 - 特許庁

The apparatus 40 for manufacturing the group III nitride compound semiconductor is provided with a chamber 41; a Ga target 47a containing a Ga element and a dopant target 47b containing a dopant element which are placed within the chamber 41; and a power application means 45 for applying power to the Ga target 47a and the dopant target 47b simultaneously or alternately.例文帳に追加

チャンバ４１と、チャンバ４１内に設置されたＧａ元素を含有するＧａターゲット４７ａおよびドーパント元素からなるドーパントターゲット４７ｂと、Ｇａターゲット４７ａとドーパントターゲット４７ｂとに対して同時にまたは交互にパワーを印加するパワー印加手段４５とを備えているＩＩＩ族窒化物化合物半導体の製造装置４０とする。 - 特許庁

The photocatalyst for water splitting includes a Ga selenide, an Ag-Ga selenide, or both thereof, and the photoelectrode for water splitting includes the photocatalyst for water splitting.例文帳に追加

Ｇａセレン化物、Ａｇ−Ｇａセレン化物、又はそれらの両方を含有する水分解用光触媒、及び当該水分解用光触媒を含む水分解用光電極が提供される。 - 特許庁

Nitrogen gas is introduced into a Ga-Al alloy melt 4, to thereby generate epitaxial growth of an aluminum nitride crystal on a seed crystal substrate 3 in the Ga-Al alloy melt 4.例文帳に追加

Ｇａ−Ａｌ合金融液４に窒素ガスを導入し、Ｇａ−Ａｌ合金融液４中の種結晶基板３上に窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The polarity inversion layer 20 is composed of GaN, and contains magnesium (Mg) as impurities and a polarity is inverted from a Ga polarity to an N polarity.例文帳に追加

極性反転層２０は、例えばＧａＮにより構成され、不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）を含み極性がＧａ極性からＮ極性に反転されている。 - 特許庁

Hydrogen chloride is introduced into a Ga reservoir 8, in which gallium is arranged, and is jetted from a jetting port 10 arranged in the vicinity of the top part of the group V gas diffusing part 7.例文帳に追加

一方、塩化水素はガリウムを配置したＧａ溜め８に導かれ、Ｖ族ガス拡散部７の頂点部付近に配置された噴射口１０より噴射される。 - 特許庁

In the method for producing the Ga-doped silicon single crystal by a Czochralski method, the Ga-doped silicon single crystal is produced by growing the single crystal by adding a Ga-compound being solid at the ordinary temperature.例文帳に追加

チョクラルスキー法によりＧａ（ガリウム）がドープされたシリコン単結晶を製造する方法において、常温で固体であるＧａ化合物を添加して単結晶の成長を行うＧａドープシリコン単結晶の製造方法。 - 特許庁

To provide a focused ion beam device capable of converging the beam diameter to a desired value using a gas ion source as an ion source and capable of responding to wide applications of same level as in the case using a Ga liquid metal ion source as the ion source.例文帳に追加

イオン源としてガスイオン源を用いていながら、ビーム径を所望値にまで絞ることができ、イオン源としてＧａ液体金属イオン源を用いた場合と同程度の幅広いアプリケーションに対応できる。 - 特許庁

To improve the distribution of resistivity in the direction of the pulling axis of a Ga-doped silicon single crystal and to produce a silicon single crystal having a uniform resistivity.例文帳に追加

Ｇａがドープされたシリコン単結晶の引き上げ軸方向の抵抗率分布を改善し、均一な抵抗率を有するシリコン単結晶を製造する。 - 特許庁

Diffusion of Ga is analyzed with a laminate formed by laminating a Ga-doped MgZnO layer, an undoped MgZnO layer, a nitrogen-doped MgZnO layer, an undoped active layer, and a nitrogen-doped MgZnO layer on a ZnO substrate.例文帳に追加

ＺｎＯ基板上にＧａドープＭｇＺｎＯ層、アンドープＭｇＺｎＯ層、窒素ドープＭｇＺｎＯ層、アンドープ活性層、窒素ドープＭｇＺｎＯ層と積層した積層体でＧａの拡散を分析した。 - 特許庁

A Ga-containing compound semiconductor layer as a light emitting layer is formed on the main surface of compound semiconductor monocrystal substrate 4 by vapor phase epitaxy and the light emitting element is fabricated.例文帳に追加

化合物半導体単結晶基板４の主表面上に、発光層部をなすＧａ含有化合物半導体層を気相成長により形成し、発光素子を製造する。 - 特許庁

Through combination of these features, the inventive clip can be used in a fragile substrate (e.g. a Ga-As substrate) which is damaged by other clip.例文帳に追加

この特徴の組み合わせによって、他のクリップによって損傷されやすい脆い基板（たとえば、Ｇａ−Ａｓ）に本発明のクリップを使用することができる。 - 特許庁

An epitaxial layer 2 is grown on the surface of a GaAs substrate 1 by bringing a Ga molten liquid in which Si is doped as an impurity into contact with the surface of the GaAs substrate 1.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１の表面に、不純物としてＳｉが添加されたＧａ融液を接触させることにより、ＧａＡｓ基板１の表面上にエピタキシャル層２を成長させる。 - 特許庁

A simulator 20 and a walk-type robot 1 simulate an operation condition with gait parameters generated by a parameter generator 10, and each evaluating part 31 of a GA engine group 30 evaluates the result.例文帳に追加

パラメータ発生器１０で生成した歩容パラメータでシミュレータ２０又は歩行型ロボット１によって動作状況をシミュレートし、その結果をＧＡエンジン群３０の各評価部３１で評価する。 - 特許庁

According to the forming method, a liquid electrode forming material made of a GA alloy containing Al is brought into contact with the surface of a semiconductor layer 105 made of any one of GaAIN, GaN, and InP to form ohmic electrodes 106a, 107a.例文帳に追加

ＧａＡｌＮ、ＧａＮ及びＩｎＰのいずれかからなる半導体層１０５の表面に、Ａｌを含有するＧａ合金からなる液状電極形成材を接触させることによりオーミック電極１０６ａ、１０７ａを形成する。 - 特許庁

To realize an illuminated defect repair using an ion beam device in which the deterioration in the quality in the periphery of a repair region due to a Ga ion diffusion in cleaning after post treatment of a halo component by a laser beam repair machine does not occur.例文帳に追加

レーザー修正機によるハロー成分のポストトリートメント後の洗浄時にGaイオン拡散に起因する修正領域周辺の品質劣化の起こらないイオンビーム装置を用いた白欠陥修正を実現する。 - 特許庁

To provide a method of producing a Ga-doped silicon single crystal useful as material for a solar battery, by which the accuracy of the amount of the doped Ga is enhanced.例文帳に追加

太陽電池用の材料として有用なＧａドープシリコン単結晶においてＧａドープ量の正確性を高めたＧａドープシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a new GA 2p hydroxylase gene derived from Oryza sativa, and to modify the weed type of a plant by regulating a GA content of the plant utilizing the gene.例文帳に追加

イネ由来の新規なGA2β-ヒドロキシラーゼ遺伝子を提供し、さらに、該遺伝子を利用して植物のGA含量を調節することにより植物の草型を改変することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a GI superior in the adhesiveness and uniformity of a plated film, and further a GA which does not cause alloying ununiformity and is superior in powdering resistance.例文帳に追加

本発明は、メッキ皮膜の密着性および均一性に優れたＧＩ、およびさらに合金化ムラが生じず耐パウダリング性に優れたＧＡの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the thin film transistor, a gate electrode, a gate insulating film, and an active layer are formed on a substrate, and a Ga oxide film serving as a first protection layer is formed on the active layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜および活性層し、活性層上に第１の保護層となるＧａ酸化物膜を形成する。 - 特許庁

The active layer is constituted by an amorphous oxide semiconductor containing In, Ga, and Zn, and has a Zn concentration lower than 20%, an In concentration equal to or higher than 40%, and a Ga concentration equal to or higher than 37%.例文帳に追加

この活性層は、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含むアモルファス酸化物半導体で構成されるものであり、かつＺｎ濃度が２０％未満であり、Ｉｎ濃度が４０％以上であり、Ｇａ濃度が３７％以上である。 - 特許庁

Further, on a principal surface 3a of the substrate 3, the surface of the device region 31 is a Ga end surface, and the surface of the crystal reversal region 32 is an N end surface.例文帳に追加

そして、基板３の主面３ａにおいて、素子領域３１の表面はＧａ終端面となっており、結晶反転領域３２の表面はＮ終端面となっている。 - 特許庁

Since the M plane is not a Ga polarization plane and an N (nitrogen) polarization plane, but a non-polar plane, the effect of an electric field caused by spontaneous polarization and piezoelectric polarization can be much reduced.例文帳に追加

Ｍ面は、Ｇａ極性面やＮ（窒素）極性面ではなく、無極性面となるので、自発分極やピエゾ分極により発生する電界の影響を非常に小さくすることができる。 - 特許庁

To provide a method by which the impurity band light-emission of a crystal can be reduced, the crystal having good transparency can be obtained, and the flatness of the crystal can be improved when a GaN single crystal is grown by a flux method using a Ga-Na-based melt.例文帳に追加

Ｇａ−Ｎａ系融液を用いてＧａＮ単結晶をフラックス法で育成するのに際して、結晶の不純物帯発光を低減し、透明度の良好な結晶を得、結晶の平坦性も向上させる方法を提供する。 - 特許庁