「"are N"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Concrete examples of the vapor phase antirust are N-acylsarcosine, N-acyl-β-alanine, thiourea and their salts.例文帳に追加

気化性防錆剤の具体例としては、Ｎ−アシルサルコシン、Ｎ−アシル−β−アラニン、チオ尿素、及びこれらの塩等が挙げられる。 - 特許庁

In another embodiment, the two components of organic solvents are n-propyl acetate and isopropyl alcohol.例文帳に追加

さらに、上記有機溶剤２成分が、酢酸ｎ−プロピルとイソプロピルアルコールである、溶剤回収再利用型希釈溶剤。 - 特許庁

The writing order of N G pixels is so determined that the pixels are N+1-th and later among N×3 pixels.例文帳に追加

Ｎ個のＧ画素の書き込み順番は，Ｎ×３個の画素のうちでＮ＋１番目以降であるように定められる。 - 特許庁

Peripheral regions of the trench 5 expanding in the width direction from upper parts of wall surfaces 8 of the trench 5 are n+ type regions 6.例文帳に追加

トレンチ５の壁面８の上部から幅方向に広がるトレンチ５の周辺領域は、ｎ^+型領域６である。 - 特許庁

The first comparator 20 is a P type comparator and the second and third comparators 21 and 22 are N type comparators.例文帳に追加

第１のコンパレータ２０は、Ｐ型コンパレータであり、第２及び第３のコンパレータ２１，２２はＮ型コンパレータある。 - 特許庁

Both first and second charge transfer MOS transistors M1(N) and M2(N) are N channel transistors.例文帳に追加

第１及び第２の電荷転送用ＭＯＳトランジスタＭ１（Ｎ），Ｍ２（Ｎ）の両方をＮチャネル型で構成する。 - 特許庁

(2) If there are N (N≥3) introduction ports, an angle formed by two of the N introduction ports and the silicon core bars is 160 degrees or more.例文帳に追加

（２）Ｎ箇所（Ｎ≧３）である場合、該Ｎ箇所のうちの２箇所の導入口と前記シリコン芯棒とのなす角度が、１６０°以上。 - 特許庁

Concerning the converting method for KANJI or the like, when there are (n) number of input character strings, the KANJI having the same reading as this character string is retrieved out of dictionary data.例文帳に追加

入力した文字列がｎ個であるとき、この文字列と同じ読みを持つ漢字を辞書データの中から検索する。 - 特許庁

If there are n partial-light transmissive layers, the reticle transmits light with at least (n+1) intensities.例文帳に追加

ｎ個の部分光透過層がある場合、レチクルは少なくとも（ｎ＋１）種類の強度の光を透過させる。 - 特許庁

The novel compounds are N-(indolecarbonyl)piperazin derivatives represented by the formula, and physiologically acceptable salts and solvates thereof.例文帳に追加

下記式で代表されるＮ−（インドールカルボニル）ピペラジン誘導体およびその生理学的に許容される塩および溶媒和物。 - 特許庁

The first n-type layer 111 and the second n-type layer 112 are n-GaN, and the third n-type layer 113 is n-InGaN.例文帳に追加

第１ｎ型層１１１、第２ｎ型層１１２はｎ−ＧａＮであり、第３ｎ型層１１３はｎ−ＩｎＧａＮである。 - 特許庁

The first and the second source regions 103a, 103b are n+-type, and the body potential extraction region 105 is a p+-type.例文帳に追加

第１及び第２のソース領域１０３ａ，１０３ｂはｎ＋型であり、ボディ電位取り出し領域１０５はｐ＋型である。 - 特許庁

The tip ends of first magnetic substances 21_1 to 21_8 of a first rotary module A are N-pole, the tip ends of second magnetic substances 31_1 to 31_8 of a second rotary module B are S-pole, and the tip ends of third magnetic substances 41_1 to 41_8 are N-pole.例文帳に追加

第１の回転モジュールＡの第１の磁性体２１＿１〜２１＿８の先端がＮ極になっており、第２の回転モジュールＢの第２の磁性体３１＿１〜３１＿８の先端がＳ極、第３の磁性体４１＿１〜４１＿８の選択がＮ極になっている。 - 特許庁

To provide a vinylpyrrolidone copolymer whose essential constituents are N-vinylpyrrolidone and a (meth) acrylate having a hydroxy group, the vinylpyrrolidone copolymer bringing about an excellent cured coating film, and a method for easily producing the same.例文帳に追加

良好な架橋塗膜を得させる、Ｎ−ビニルピロリドンと水酸基含有（メタ）アクリレートとを必須構成成分とするビニルピロリドン系共重合体と、これを容易に得ることができる製造方法を提供する。 - 特許庁

The permanent magnets M2a and M2b are arranged at an interval L and so magnetized that the sides fixed to a front flat wall part 15b are S poles and the opposite fixed surface sides are N poles.例文帳に追加

また、永久磁石Ｍ２ａ，Ｍ２ｂは、間隔Ｌだけ離間され、前側平壁部１５ｂに固着される側がＳ極に、反固着面側がＮ極に着磁されている。 - 特許庁

A MOS TR 11 and a MOS TR 12 are n channel MOS TRs and form a current mirror circuit CT2 and the current ratio is 1:A when the gate voltages are equal.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ１１とＭＯＳトランジスタ１２とは、ｎチャンネル型のＭＯＳトランジスタであり、カレントミラー回路ＣＴ２を形成しており、同一ゲート電圧の場合の電流比は１：Ａである。 - 特許庁

Regions between channel regions 9 are N+ source regions 5 or N+ drain regions 4, N+ source regions 5 and N+ drain regions 4 are alternately arranged.例文帳に追加

そして、チャネル領域９間の領域がＮ＋ソース領域５又はＮ＋ドレイン領域４となっており、Ｎ＋ソース領域５とＮ＋ドレイン領域４とは交互に配列されている。 - 特許庁

The permanent magnets M1a and M1b are arranged at an interval L and so magnetized that the sides fixed to a flat wall part 15a of the yoke 13 are N poles and the opposite fixed surface sides are S poles.例文帳に追加

永久磁石Ｍ１ａ，Ｍ１ｂは、間隔Ｌだけ離間され、それぞれヨーク１３の平壁部１５ａに固着されている側がＮ極に、反固着面側がＳ極に着磁されている。 - 特許庁

Furthermore, the magnets 11 to 16 are each so magnetized that their upper parts are N poles and lower parts S poles, and the magnets 17 and 18 are so magnetized that their upper parts are S poles and lower parts N poles.例文帳に追加

さらに、磁石１１〜１６は、上側がＮ極、下側がＳ極となっており、磁石１７及び１８は、上側がＳ極、下側がＮ極となっている。 - 特許庁

A 1st data latch, a 2nd data latch, a 1st shift register, a 2nd shift register, a 1st clock line, and a 2nd clock line are N-multiplexed, respectively.例文帳に追加

第１のデータラッチ、第２のデータラッチ、第１のシフトレジスタ、第２のシフトレジスタ、第１のクロックライン、第２のクロックラインがそれぞれＮ重化される。 - 特許庁

A polycrystalline silicon gate electrode 13 in which both end portions are N+ type parts 131 and a prescribed length between the end portions is a P+ type part 132 is formed on a P-type well region 11, via a gate oxide film 12.例文帳に追加

Ｐ型のウェル領域１１上にゲート酸化膜１２を介して、両端部がＮ^^+ 型部分１３１かつその間の所定距離がＰ^+ 型部分１３２となっている多結晶シリコンゲート電極１３が形成されている。 - 特許庁

In the case that the MOSFET for the trigger and the MOSFET for the protection are N-channel type MOS transistors, gate electrodes for triggers 5, 5a, source dispersion layers 6, 6a or the like are connected to earth potential.例文帳に追加

なお、トリガー用ＭＯＳＦＥＴと保護用ＭＯＳＦＥＴとがＮチャネル型ＭＯＳトランジスタである場合には、トリガー用ゲート電極５，５ａ、ソース拡散層６，６ａ等は接地電位に接続されている。 - 特許庁

In a memory cell including six transistors (11, 12, 15, 16, 21, and 22), a transistor 12 and a transistor 16 are n-type spin MOS transistors.例文帳に追加

６トランジスタ（１１，１２，１５，１６、２１，２２）で構成されるメモリセルにおいて、トランジスタ１２及びトランジスタ１６をｎ型スピンＭＯＳトランジスタとする。 - 特許庁

(3) If there are N (N≥3), an angle formed by two introduction ports adjacent to each other of the N introduction ports and the silicon core bars is 240/N to 480/N degrees for any combination.例文帳に追加

（３）Ｎ箇所（Ｎ≧３）である場合、該Ｎ箇所のうちの互いに隣り合う２箇所の導入口と前記シリコン芯棒とのなす角度が、すべての組み合わせで２４０／Ｎ°以上４８０／Ｎ°以下。 - 特許庁

A correction gradation calculation unit 112 calculates correction gradation Dcor by expression [Vcor/{(Rmax-Rmin)/2^N}], wherein Rmax denotes a maximum value of a reference lamp voltage, Rmin denotes a minimum value, and input video data are N bits.例文帳に追加

補正階調算出部１１２は、基準ランプ電圧の最大値をＲmax、最小値をＲmin、入力映像データをＮビットとすると、補正階調Ｄcorを式［Ｖcor／｛（Ｒmax−Ｒmin）／２^N｝］により算出する。 - 特許庁

These representation image data are N pieces, and M pieces of representation image data in which order is continuous among them, are arranged and displayed in the first to M-th image arrangement region.例文帳に追加

これらの代表画像データは、Ｎ個得られているもので、そのうちから順序が連続するＭ個の代表画像データを、その順序に従って、第１〜第Ｍの画像配置領域に対して配置表示させる。 - 特許庁

When there are N introducing ports (N≥3), adjacent 2 introducing ports in N introducing ports and the silicon core rod form an angle of ≥240/N° and ≤480/N° in all combination... (3).例文帳に追加

（３）Ｎ箇所（Ｎ≧３）である場合、該Ｎ箇所のうちの互いに隣り合う２箇所の導入口と前記シリコン芯棒とのなす角度が、すべての組み合わせで２４０／Ｎ°以上４８０／Ｎ°以下。 - 特許庁

Subsequently, a difference between data, which are N-bit data, of REG1 and that of REG2 is calculated, while a code is outputted from a sign terminal, and an absolute value of the difference is passed through a decoder to be converted into N' bit data to be inputted into an LUT1.例文帳に追加

次に、ＲＥＧ１およびＲＥＧ２のデータ（いずれもＮビットのデータ）の差を計算し、符号をｓｉｇｎ端子から出力し、差の絶対値をデコーダを通してＮ’ビットにしてＬＵＴ１に入力する。 - 特許庁

Input data, in which there are N kinds of data (from D1 to DN) and each of them is time-division multiplexed, are input to a data processor, as shown in Figure 2 (A).例文帳に追加

データ処理装置には、図２（Ａ）に示すような、Ｎ種類のデータＤ1乃至ＤNがそれぞれ時分割多重された入力データが入力される。 - 特許庁

The first circuit unit of circuits Qk1 to Qnm(k=1 to n) input divided data to be processed where data to be processed are n-divided, and carries out predetermined processing to the divided data to be processed, and transfers the data to the second circuit unit.例文帳に追加

回路Ｑｋ１〜Ｑｎｍ（ｋ＝１〜ｎ）の第１の回路単位は処理対象データがｎ分割された処理対象分割データを入力し、当該処理対象分割データに所定処理を施し第２の回路単位にデータを渡す。 - 特許庁

A first charge transfer MOS transistor M1 and a second charge transfer MOS transistor M2 are n-channel type ones and connected to each other in series.例文帳に追加

第１の電荷転送用ＭＯＳトランジスタＭ１及び第２の電荷転送ＭＯＳトランジスタＭ２はＮチャネル型であり、互いに直列に接続されている。 - 特許庁

When diameters of the hole 6a and 6b are n, the depth D of the hole 6 corresponding to the sum of the depth D1 of the hole 6a and the depth D2 of the hole 6b satisfies a relation expressed by 0.1n≤D≤0.4n.例文帳に追加

また、孔６ａおよび孔６ｂの直径がｎである場合、孔６ａの深さＤ１と孔６ｂの深さＤ２とを合わせた孔６の深さＤは、０．１ｎ≦Ｄ≦０．４ｎの関係を満たしている。 - 特許庁

When there are N types of signals for communication in a millimeter-wave band, they can also be transmitted by each millimeter-wave signal transmission line 9 of 2N systems, even if multiplexing, such as the time division multiplex, frequency division multiplex and code division multiplexing is not performed.例文帳に追加

ミリ波帯での通信の対象となる信号がＮ種ある場合に、時分割多重、周波数分割多重、符号分割多重などの多重化処理を行なわなくても、それらを２Ｎ系統の各別のミリ波信号伝送路９で伝送することもできる。 - 特許庁

A second ridge-shaped upper clad layer 6 and a contact layer 7 are formed by an etching using a mask 8 consisting of an SiO2 film and following the formation, optical confinement layers 10 which are N-type Aly2 Ga(1-y2)As layers are selectively formed on both sides of a ridge part 12 utilizing the mask 8 by an MOCVD method.例文帳に追加

ＳｉＯ_2よりなるマスク８を用いたエッチングにより、リッジ形状の上部第２クラッド層６およびコンタクト層７を形成し、続いてＭＯＣＶＤ法により、マスク８を利用して、ｎ型Ａｌ_y2Ｇａ_(1-y2)Ａｓである光閉じ込め層１０を、リッジ部１２の両側に選択的に形成する。 - 特許庁

A CPU 20 obtains information expressing a resolution of an image, and information expressing a direction (whether lateral or longitudinal) to a transporting direction transporting a recording medium by analyzing PDL data received from a host 400, and determines a band size by which band numbers are N based on the obtained information.例文帳に追加

ＣＰＵ２０は、ホスト４００から受信したＰＤＬデータを解析して、画像の解像度を示す情報と、記録用紙を搬送する搬送方向に対する記録用紙の向き（縦向き又は横向き）を示す情報とを取得し、取得した情報に基づいて、バンド数がＮ個となるバンドサイズを決定する。 - 特許庁

If there are N tracks in a hypertrack, the islands in each track of the hypertrack are shifted in a direction along the track by 1/N times IS, from the islands in adjacent and separate tracks in the same hypertrack.例文帳に追加

一つのハイパートラック内にN個のトラックが存在する場合には、ハイパートラックの各トラックにおけるアイランドは、同じハイパートラック内の隣り合った別のトラックにおけるアイランドからISの1/N倍の長さ分だけトラックに沿った方向にずれて配置されている。 - 特許庁

The p-type GaNAs diffusion preventing layer 504 prevents Se which are n-type impurities that the n-type AlGaAs emitter layer 505 is doped with from being diffused in the p-type GaAs base layer 503 during the crystal growth or processes.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮＡｓ拡散防止層５０４は、ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層５０５にドーピングされたｎ型不純物であるＳｅが、結晶成長中またはプロセス中にｐ型ＧａＡｓベース層５０３に拡散することを防止している。 - 特許庁

Examples of specific compounds are N-methyl-4-[7-(4-cyano-3-trifluoromethylphenyl)-8-oxo-6-thioxo-5,7-diaza-spiro[3.4]oct-5-yl]-2-fluorobenzamide, 4-[3-(4-azidephenyl)-4,4-dimethyl-5-oxo-2-thioxoimidazolidin-1-yl]-2-trifluoromethylbenzonitrile and the like.例文帳に追加

具体的化合物として、Ｎ−メチル−４−［７−（４−シアノ−３−トリフルオロメチルフェニル）−８−オキソ−６−チオオキソ−５，７−ジアザ−スピロ［３．４］オクト−５−イル］−２−フルオロベンズアミド、４−［３−（４−アジドフェニル）−４，４−ジメチル−５−オキソ−２−チオキソイミダゾリジン−１−イル］−２−トリフルオロメチルベンゾニトリル等が例示される。 - 特許庁

To obtain disodium salts of delivery agents for delivering activators, which delivery agents are N-(5-chlorosalicyloyl)-8-aminocaprylic acid, N-(10-[2-hydroxybenzoyl]amino)decanoic acid, N-(8-[2-hydroxybenzoyl]amino)caprylic acid, and the like, ethanol solvates of the disodium salts and monohydrates of the disodium salts, and to provide a method for producing the delivery agents.例文帳に追加

本発明は、活性剤を送達するためのＮ−（５−クロロサリチロイル）−８−アミノカプリル酸、Ｎ−（１０−［２−ヒドロキシベンゾイル］アミノ）デカン酸、またはＮ−（８−［２−ヒドロキシベンゾイル］アミノ）カプリル酸などの送達剤の二ナトリウム塩、二ナトリウム塩のエタノール溶媒和物、および二ナトリウム塩の一水和物、ならびにそれらを調製する方法に関する。 - 特許庁

This baseband signal receiving circuit is provided with a sampling means, which samples the baseband signals in a given clock phase of N kinds of clock phases having frequencies which are N (an integer of 2 or larger) times as high as the symbol transmitting speed of the baseband signals and a sample clock extracting circuit which obtains the information on sampling clock phases.例文帳に追加

本発明のベースバンド信号受信回路は、ベースバンド信号のシンボル送信速度のＮ（２以上の整数）倍の周波数を有するＮ種類のクロック位相のうち、与えられたクロック位相でベースバンド信号をサンプリングするサンプリング手段と、サンプリングクロック位相の情報を得るサンプルクロック抽出回路とを備える。 - 特許庁

The first semiconductor chip includes an active pixel sensor, a digital input/output section, and a plurality of control circuits, where all transistors of the active pixel sensor are n-type or p-type transistors, and at least one of the control circuits is operated under control of a timing signal externally inputted into the digital input/output section.例文帳に追加

前記第１半導体チップは、アクティブピクセルセンサ、デジタル入力/出力部、および複数の制御回路を含み、前記アクティブピクセルセンサのトランジスタは全てｎ型またはｐ型トランジスタであり、前記制御回路の少なくとも一つは、外部から前記デジタル入力/出力部に入力されるタイミング信号の制御の下で動作する。 - 特許庁

A control device moves an optical pickup to a part before a reading start position (S1), obtains land pripit addresses and data addresses, and when the obtained land prepit addresses or the obtained data addresses are n continuous addresses (YES in S3), establishes the addresses of the obtained continuous addresses as interpolation addresses (S4).例文帳に追加

制御装置は、光ピックアップを読取り開始位置の手前に移動し（Ｓ１）、ランドプリピットアドレスとデータアドレスの取得動作を行い、取得したランドプリピットアドレス、又はデータアドレスのいずれかがｎ個連続したアドレスであった場合には（Ｓ３でＹＥＳ）、連続したアドレスが取得できた方のアドレスを補間アドレスとして確定する（Ｓ４）。 - 特許庁

To provide techniques for discriminating combinations of electrodes and organic semiconductors of organic TFTs which are improved in electron injection efficiency and hole injection efficiency, to actualize two kinds of TFTs which are n-channel TFTs and p-channel TFTs, and further to provide complementary organic thin film transistor (organic CTFT) and an organic CTFT array forming desired arbitrary circuit constitution with organic CTFTs.例文帳に追加

有機ＴＦＴにおいて、電子注入効率とホール注入効率を改善した電極と有機半導体の組み合わせをそれぞれ判別する手法を提供し、また、ｎ型チャネルＴＦＴとｐ型チャネルＦＥＴの２種類のＴＦＴを実現し、さらに、相補型有機薄膜トランジスタ（有機ＣＴＦＴ）および、有機ＣＴＦＴによる所望の任意回路構成を形成する有機ＣＴＦＴアレイを提供する。 - 特許庁

The electroluminescent element is characterized by satisfying n_S<n_M<n_E, when it is assumed that the refraction index of the transparent substrate, that of the middle-refraction-index layer, and that of the first electrode layer are n_S, n_M and n_E, respectively.例文帳に追加

本発明は、透明基板上に中間屈折率層、第一電極層、発光層、第二電極層を順次積層したエレクトロルミネッセンス素子であって、前記透明基板の屈折率をｎ_Ｓ、中間屈折率層の屈折率をｎ_Ｍ、第一電極層の屈折率をｎ_Ｅとした時、ｎ_Ｓ＜ｎ_Ｍ＜ｎ_Ｅであることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の提供である。 - 特許庁