「"side gate"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

GATE LOCK DEVICE FOR SIDE GATE例文帳に追加

サイドゲートのゲートロック装置 - 特許庁

To solve the problem that it is difficult to lift and close a side gate of a flat body of a truck while it is easy to lower the side gate, because the side gate is long and heavy.例文帳に追加

トラックの平ボディのサイドゲートは長くて重いので、下ろす時は良いがそれを持ち上げて閉じるのが大変である。 - 特許庁

The side gate was closed with pylons. 例文帳に追加

通用門はパイロンでふさがれていた。 - Weblio英語基本例文集

a side gate for carrying out the dead of a house of a house of a warrior called 'Imimon' 例文帳に追加

忌み門という,武家屋敷などの不浄門 - EDR日英対訳辞書

a side gate in a theatre during the Edo period of Japan 例文帳に追加

江戸時代の劇場などに作られたくぐり戸 - EDR日英対訳辞書

SIDE GATE TYPE ORGANIC FET AND ORGANIC EL例文帳に追加

サイドゲート型有機ＦＥＴ及び有機ＥＬ - 特許庁

SIDE GATE VALVE DEVICE FOR INJECTION MOLDING MACHINE例文帳に追加

射出成形機用サイドゲートバルブ装置 - 特許庁

The source-side gate insulating layer 25 includes a second source-side gate insulating layer 25b made of aluminum oxide.例文帳に追加

ソース側ゲート絶縁層２５は、酸化アルミニウムからなる第２ソース側ゲート絶縁層２５ｂを含む。 - 特許庁

The metal concentration of a p-side gate electrode 106C is set higher than the metal concentration of the n-side gate electrode 106B.例文帳に追加

ｐ側のゲート電極１０６Ｃの金属濃度は、ｎ側のゲート電極１０６Ｂの金属濃度よりも高くなるように設定されている。 - 特許庁

To safely move a cab by a cab movement device with a body side gate and a cab side gate surely closed.例文帳に追加

本体側ゲートとキャブ側ゲートとが確実に閉扉した状態において、キャブ移動装置によってキャブを安全に移動させる。 - 特許庁

A fixed side gate body 17 and a movable side gate body 18 are arranged on both sides of a passage of the yarn Y in the tension apparatus 3.例文帳に追加

テンション装置３における糸Ｙの糸道の両側に固定側のゲート体１７と可動側のゲート体１８を配置する。 - 特許庁

A packing 22 is inserted between the upper side gate insert 20A and the lower side gate insert 20B.例文帳に追加

前記上側堰入子２０Ａと前記下側堰入子２０Ｂの間には、パッキン２２が挟装されることとする。 - 特許庁

GATE CUTTER IN SIDE GATE TYPE HOT RUNNER MOLD APPARATUS例文帳に追加

サイドゲ—ト式ホットランナ金型装置におけるゲ—ト切断装置 - 特許庁

The resin 4 is injection filled toward the core of a side gate 4.例文帳に追加

サイドゲート４コアに向け樹脂５を射出充填する。 - 特許庁

The display device has left side and right side gate drivers.例文帳に追加

本発明の表示装置は左側および右側のゲートドライバを有している。 - 特許庁

SUPPORTING METHOD AND STRUCTURE OF SIDE GATE FOR BI-DRUM TYPE CONTINUOUS CASTING例文帳に追加

双ドラム式連続鋳造用サイド堰の支持方法および支持構造 - 特許庁

SONOS MEMORY ELEMENT EQUIPPED WITH SIDE GATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

サイドゲートを備えるＳＯＮＯＳメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

The sprue insert 20 is provided in a molten metal inlet of the casting mold, and is composed of: a cylindrical upper side gate insert 20A constituted of the ceramic raw material; and a cylindrical lower side gate insert 20B connected to the lower part of the upper side gate insert 20A at the upper part thereof.例文帳に追加

鋳造用金型の溶湯金属入口に設けられる湯口入子であって、セラミック素材で構成される筒型の上側堰入子２０Ａと、上部が前記上側堰入子２０Ａの下部に接続される筒型の下側堰入子２０Ｂと、から構成される鋳造用金型の湯口入子２０とする。 - 特許庁

Since the upper end part of the side gate 45 is formed into a sharp angle part 45C4 with a high rigidity, even if the bucket of a hydraulic excavator collides with the upper part of the side gate 45, an impact load can be received by the angle part 45C4, and the side gate can be suppressed from being deformed.例文帳に追加

これにより、サイドゲート４５の上端部が剛性の高い鋭角な角部４５Ｃ４となるので、サイドゲート４５の上部に油圧ショベルのバケットが衝突したとしても、このときの衝撃荷重を角部４５Ｃ４によって受けることができ、サイドゲート４５が変形するのを抑えることができる。 - 特許庁

The facing method includes: a substrate facing step of performing the substrate facing on a side gate opposing area 42 of a rim forming part 41 of an upper mold 40, the side gate opposing area 42 being opposite to a side gate 11; and a main facing step of performing the main facing on the rim forming part 41 and a lower face 44, after the substrate facing step.例文帳に追加

塗型方法は、上型４０のリム部形成部４１の、サイドゲート１１に対向するサイドゲート対向領域４２に、下地塗型を行う下地塗型工程と、次いで、リム部形成部４１と下面４４とに、本塗型を行う本塗型工程と、を含む。 - 特許庁

When the twin-roll casting machine having the circular wearing step 6 formed at the side gate 2, accompanying the rotation-sliding contact with the cooling rolls 1 is operated, the side gate 2 is pushed downward with a second cylinder in a state where the side gate 2 is brought into contact with the end surfaces of the cooling rolls 1, with a first cylinder.例文帳に追加

冷却ロール１の回動摺接に伴う円弧状摩耗段差６がサイド堰２に形作られている双ロール鋳造機の操業時に、第１のシリンダによりサイド堰２を冷却ロール１の端面に接触させた状態で、第２のシリンダによりサイド堰２を下方へ向けて押圧する。 - 特許庁

A semiconductor logic element 1 has a second front-side gate electrode 7 formed at a location which is on a front-side gate insulating film 5 and which is counterposed to a second back-side gate electrode 5.例文帳に追加

基板に支持された半導体層と、互いに離れて形成されたソースおよびドレインと、当該ソースおよびドレイン間に位置する半導体層部分の厚さ方向の両側の面にそれぞれ絶縁膜を介して形成され互いに対向する第１および第２ゲートとを有する。 - 特許庁

The front of the temple complex is to the west and the Kara-mon gate (Chinese gate) and side gate face onto Higashioji-dori Street. 例文帳に追加

伽藍は西側を正面とし、東大路通りに面して唐門と通用門がある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

SIDE GATE TYPE INJECTION MOLDING MOLD AND METHOD OF MANUFACTURING MOLDED PART USING THE SAME例文帳に追加

サイドゲート式の射出成形金型およびそれを用いた成形部品の作製方法 - 特許庁

The seal member 9 is an injection molded product formed by injecting resin from a side gate.例文帳に追加

シール部材９を、サイドゲートから樹脂を射出することにより形成した射出成形品とする。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory device is includes: a memory gate (21) on a charge accumulation layer (24); a first side gate (22); a second side gate (23); a first impurity implantation region (31) in the first side gate (22) side; a second impurity implantation region (32) in the second side gate(23) side; and channel regions (33, 34, 35).例文帳に追加

電荷蓄積層（２４）の上のメモリゲート（２１）と、第１サイドゲート（２２）と、第２サイドゲート（２３）と、第１サイドゲート（２２）側の第１不純物注入領域（３１）と、第２サイドゲート（２３）側の第２不純物注入領域（３２）と、チャネル領域（３３、３４、３５）とを具備する不揮発性半導体記憶装置を構成する。 - 特許庁

The block insulating layer 34a is formed continuously to the source side gate insulating layer 46B.例文帳に追加

ブロック絶縁層３４ａは、ソース側ゲート絶縁層４６Ｂと連続して形成されている。 - 特許庁

A space 22 is formed on the interior side of a side gate 2 by a projecting part 21.例文帳に追加

サイドゲート２の車内側には、突出部２１により空間２２が形成される。 - 特許庁

The memory transistors 21 and 23 each comprise side gate insulation films 21A and 23A and side gate electrodes 21B and 23B insulated from a central gate electrode 22B, which are formed in this order.例文帳に追加

メモリトランジスタ２１、２３は、それぞれ、順次形成された側方ゲート絶縁膜２１Ａ、２３Ａ及び中央ゲート電極２２Ｂと絶縁された側方ゲート電極２１Ｂ、２３Ｂを有する。 - 特許庁

Through the provision of the resistors R1, R2, the charging time of the high side gate GH1 is shorter than its discharge time, and the charging time of the low side gate GL1 is longer than its discharge time.例文帳に追加

抵抗Ｒ１，Ｒ２を設けることにより、ハイサイドゲートＧＨ１の充電時間はその放電時間より短く、ローサイドゲートＧＬ１の充電時間はその放電時間より長くなる。 - 特許庁

Electrons are tunneled by applying a voltage between the thin wire 2 and side gate 3 and the electrons are taken out of surface potentials of the thin wire to the side gate 3, so that the thin wire 2 becomes nonconductive.例文帳に追加

細線２とサイドゲート３との間に電圧を印加して電子をトンネリングさせ、細線の表面準位からサイドゲート３に電子を取り出すと、細線２は非導通状態となる。 - 特許庁

To provide a gate driver having programmable dead time insertion function, in a dead time generator that is incorporated into a integrated circuit and new, with the integrated circuit that includes a high-side gate driver and a low-side gate driver.例文帳に追加

集積回路に組み込む新規なデッドタイム生成器であって、集積回路が、ハイサイドゲートドライバとローサイドゲートドライバとを含むものを提供すること。 - 特許庁

In this dead time generator, a high-side gate driver and a low-side gate driver drives an output switch so that the dead time is generated during ON-time of the output switch.例文帳に追加

本デッドタイム生成器は、ハイサイドゲートドライバとローサイドゲートドライバが、出力スイッチのオン時間の間にデッドタイムが生じるように出力スイッチを駆動する。 - 特許庁

At this time, the gate insulating layer 4 has a thick film part, formed by laminating the lower-layer-side gate insulating layer 4a and upper-layer-side gate insulating layer 4b, where at least the outer peripheral end of the lower electrode 3c and the upper electrode 6c overlaps.例文帳に追加

その際、少なくとも下電極３ｃの外周端部と上電極６ｃとが重なる部分では、ゲート絶縁層４において下層側ゲート絶縁層４ａと上層側ゲート絶縁層４ｂとが積層した厚膜部分とする。 - 特許庁

Next, a thin upper-layer-side gate insulating layer 4b is formed and the upper-layer-side gate insulating layer 4b is used as a dielectric layer 4c of the retentive capacity 1h.例文帳に追加

次に、薄い上層側ゲート絶縁層４ｂを形成し、この上層側ゲート絶縁層４ｂを保持容量１ｈの誘電体層４ｃとして用いる。 - 特許庁

A source side selection transistor SSTr includes: a source side columnar semiconductor layer 47b extending upward from the columnar portions; a second source side gate insulating layer 46d and a first source side gate insulating layer 46b for surrounding the source side columnar semiconductor layer 47b; and a source side conductive layer 42b for surrounding the first source side gate insulating layer 46b.例文帳に追加

ソース側選択トランジスタＳＳＴｒは、柱状部から上に延びるソース側柱状半導体層４７ｂ、ソース側柱状半導体層４７ｂを取り囲む第２ソース側ゲート絶縁層４６ｄ、第１ソース側ゲート絶縁層４６ｂ、及び第１ソース側ゲート絶縁層４６ｂを取り囲むソース側導電層４２ｂを備える。 - 特許庁

When electrons are supplied from the side gate to the surface potentials of the thin wire 2, the thin wire 2 becomes conductive.例文帳に追加

また、細線２の表面準位にサイドゲートから電子を供給すると、細線２は導通状態となる。 - 特許庁

Thereafter, the cavity 22 is filled with a resin material through a sprue 28 and a side gate 30 to be solidified, and the molds are subsequently opened to take out the molded product 1.例文帳に追加

その後キャビティ22に樹脂材料をスプルー28、サイドゲート30を介して充填し固化した後、型開して成形品１を取り出す。 - 特許庁

The left side gate driver is connected so as to supply selection signals to TFTs of the left half pixels on the pixel part.例文帳に追加

左側のゲートドライバは、画素部の左側半分の画素のＴＦＴに選択信号を供給するように接続されている。 - 特許庁

A low side gate drive circuit 312 includes: a pMOS transistor Q3; an nMOS transistor Q4; and a resistor R2.例文帳に追加

ローサイドゲート駆動回路３１２は、ｐＭＯＳトランジスタＱ３およびｎＭＯＳトランジスタＱ４と、抵抗Ｒ２とを有する。 - 特許庁

A high side gate drive circuit 311 includes: a pMOS transistor Q1; an nMOS transistor Q2; and a resistor R1.例文帳に追加

ハイサイドゲート駆動回路３１１は、ｐＭＯＳトランジスタＱ１およびｎＭＯＳトランジスタＱ２と、抵抗Ｒ１とを有する。 - 特許庁

An angle is adjusted so that the downstream side arm 32 inclines upward by an angle 8 to the upstream side gate arm 10.例文帳に追加

下流側アーム３２が上流側ゲートアーム１０に対して角度θだけ上方に傾くように角度調整した。 - 特許庁

Then a thin upper-layer side gate insulating layer 4b is formed and used as a dielectric layer 4c of the retention capacitor 1h.例文帳に追加

次に、薄い上層側ゲート絶縁層４ｂを形成し、この上層側ゲート絶縁層４ｂを保持容量１ｈの誘電体層４ｃとして用いる。 - 特許庁

The whole drain-side gate conductive layer 42 is formed in a region 90 directly over the fourth word line conductive layer 32d.例文帳に追加

ドレイン側ゲート導電層４２の全体は、第４ワード線導電層３２ｄの直上の領域９０に形成されている。 - 特許庁

Also, the right side gate driver is connected so as to supply selection signals to TFTs of the right half pixels on the pixel part.例文帳に追加

かつ、右側のゲートドライバは、画素部の右側半分の画素のＴＦＴに選択信号を供給するように接続されている。 - 特許庁