「けっしょうばんない」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

表面欠陥の無い窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶基板および窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶膜、それらを製造するための窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物の結晶製造方法、ならびにそれらを用いたデバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride-based III-V compound crystalline substrate and a nitride-based III-V compound crystalline film both of which are free from surface defects, a method of manufacturing a nitride-based III-V compound crystal used for manufacturing the substrate and film, and a method of manufacturing a device using the substrate and film. - 特許庁

このような接合工程の後、外部から衝撃を加えることでイオン注入層１１内でのＳｉ−Ｓｉ結合を切り、単結晶Ｓｉ基板１０の表面近傍の所定の深さ（平均イオン注入深さＬ）に相当する位置の結晶面に沿って単結晶シリコン薄膜を機械的に剥離する。例文帳に追加

By applying shock from outside after the bonding process, Si-Si bonds inside the ion implanted layer 11 are cut to automatically peel off a single crystal silicon thin film along the crystal plane at a position corresponding to the predetermined depth (average ion implantation depth L) near the surface of the single crystal Si substrate 10. - 特許庁

本発明の板状結晶の製造装置は、原料をルツボ内で加熱溶融し、基板上で原料の結晶を凝固成長させる板状結晶の製造装置であって、ルツボの開口部における辺部縁上に複数の可動式断熱手段を備えることを特徴とする。例文帳に追加

In the apparatus for manufacturing a plate-like crystal, in which a raw material is heated and melted in a crucible and the crystal of the raw material is solidified and grown on the substrate, a plurality of movable heat insulating means are provided on the edge parts of side parts of the opening part of the crucible. - 特許庁

本発明の膜磁石は、非結晶質相を内包したＮｄ_2Ｆｅ_14Ｂ型結晶相１が非結晶質相２に囲まれた組織を有する膜磁石材が、５×１０^-6〜１０×１０^-6／Ｋの熱膨張係数を有する基板３上に形成されている。例文帳に追加

In this membrane magnet, the membrane magnet material having a structure where Nd2Fe14B crystal phase 1 including a non-morphous phase is surrounded by the non-morphous phase 2, is formed on the substrate 3 having a thermal expansion coefficient of 5×10-6 to 10×10-6/K. - 特許庁

トレンチ内に結晶性に優れたエピタキシャル膜を配置することができる半導体基板の製造方法及び半導体基板を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor substrate which can arrange an epitaxial film superior in crystallinity in a trench and to provide a semiconductor substrate. - 特許庁

非酸化性雰囲気中でボロンをシリコン単結晶基板（基板１）内に熱拡散させる第１の熱拡散工程を行う。例文帳に追加

A first thermal diffusion process is executed for thermally diffusing boron inside a monocrystalline silicon wafer (wafer 1) in a non-oxidized atmosphere. - 特許庁

エピタキシャル成長用内部改質基板及びそれを用いて作製される結晶成膜体、デバイス、バルク基板及びそれらの製造方法例文帳に追加

INSIDE MODIFIED SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH AND CRYSTAL FILM FORMATION BODY FABRICATED USING THE SAME, DEVICE, BULK SUBSTRATE, AND FABRICATING METHODS THEREOF - 特許庁

前記窒化珪素膜の膜厚は、２７ｎｍ〜１１３ｎｍの範囲内であり、前記遮光基板は、白色結晶化ガラス基板であることを特徴としている。例文帳に追加

A film thickness of the silicon nitride film is in a range of 27-113 nm, and the light shielding substrate is a white crystallized glass substrate. - 特許庁

半導体デバイス用基板１０は、結晶性のシリコン基板１１の内部に、構造変化層１２が形成されたものである。例文帳に追加

In the substrate 10 for semiconductor devices, a structure transition layer 12 is formed inside a crystalline silicon substrate 11. - 特許庁

次いで、原料基板１００にアニール処理を施し、原料基板１００内の結晶性を回復させる。例文帳に追加

Then, the raw-material substrate 100 is so subjected to an annealing processing as to recover the crystallinity of its inside. - 特許庁

結晶化シリコン層を形成するにあたって、基板本体１０ｄ上に金属触媒層８および第１非結晶シリコン層４ｘを形成した後、熱処理を行ない、第１非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８との間での相互拡散により、第１非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを入れ替える。例文帳に追加

When the crystallized silicon layer is formed, a metal catalyst layer 8 and a first amorphous silicon layer 4x are formed on a substrate body 10d and heat-treated to replace the first amorphous silicon layer 4x and metal catalyst layer 8 with each other through interdiffusion between the first amorphous silicon layer 4x and metal catalyst layer 8. - 特許庁

貼り合わせた状態の基板を１２０℃以上２５０℃以下（但し、支持基板の融点を超えない温度）の比較的低い温度で加熱し、さらに、外部衝撃を付与することで、熱処理後の貼り合せ基板の単結晶Ｓｉ基板１０の水素イオン注入界面１２に沿ってＳｉ結晶膜を剥離する。例文帳に追加

The substrates under the state stuck together are then heated at a relatively low temperature of 120-250°C (not exceeding the melting point of a supporting substrate), and an external impact is applied thereto thus exfoliating a silicon crystal film along the hydrogen ion implantation interface 12 of the single crystal Si substrate 10 in the substrates stuck together after heat treatment. - 特許庁

他の治療法では病状が改善されない免疫性血小板減少性紫斑病（itp）の患者の治療に用いられる薬物。例文帳に追加

a drug used to treat patients with immune thrombocytopenic purpura (itp) who do not get better with other forms of treatment.  - PDQ®がん用語辞書 英語版

内因性アロキサジン類、ビタミンＫ類及びビタミンＬから選ばれる内因性光増感剤を含む水性血小板添加剤溶液。例文帳に追加

The aqueous solution of the platelet additive contains an endogenous photosensitizer selected from endogenous alloxazines, vitamin Ks and vitamin L. - 特許庁

Ｓｉ単結晶基板上において、表面欠陥密度の少ないＳｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ膜を有する半導体多層膜を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor multilayer film having an Si_1-XGe_X film of low surface defect density on an Si single crystal substrate. - 特許庁

同じ凍結乾燥アッセイ試薬中の酸化防止剤は、アラキドン酸の酸化速度を低下させるが、血小板機能を干渉しない。例文帳に追加

An antioxidant within the same lyophilized assay reagent reduces the oxidation rate of arachidonic acid but does not interfere with platelet function. - 特許庁

半導体基板に形成されたトレンチの内部に空洞を残すことなく、トレンチ内を結晶品質の高いエピタキシャル膜で埋めること。例文帳に追加

To fill the inside of a trench with an epitaxial film having high crystal quality without leaving any cavity in the trench formed on a semiconductor substrate. - 特許庁

半導体デバイス用基板として有用な大面積でかつ歪が少ない高品質単結晶ダイヤモンドを安定して得ることを目的とする。例文帳に追加

To stably provide a high-quality single crystal diamond useful as a substrate for a semiconductor device, and having a large area and little strain. - 特許庁

上記(1)または(2)の鋼管は、ＡＳＴＭオーステナイト結晶粒度番号で７以上の組織を持つものであることが望ましい。例文帳に追加

The above (1) or (2) steel tube desirably has the structure of ASTM austenite grain size No.7 or more. - 特許庁

小サイズの結晶しか得られない半導体材料を実用サイズにアップスケールしつつ、高品質の半導体エピタキシャル基板を提供する。例文帳に追加

To provide a high quality semiconductor epitaxial substrate while up scaling a semiconductor material producing only a small size crystal to practical size. - 特許庁

比抵抗値の面内バラツキが５％以内であることを特徴とするプラズマエッチング用単結晶シリコン電極板。例文帳に追加

In the monocrystal silicon electrode plate for plasma etching, the in-plane variations of the specific resistance value is within 5%. - 特許庁

シリコン単結晶基板の主裏面に欠陥がない埋込拡散シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of an embedded diffusion silicon epitaxial wafer with no defects on the main back surface of a silicon monocrystalline substrate. - 特許庁

従来例に比較してより結晶欠陥の少ない窒化物半導体の成長方法と窒化物半導体基板を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a nitride semiconductor and a nitride semiconductor substrate in which crystal defects are suppressed as compared with prior art. - 特許庁

好ましくない血栓生成に基づく生活習慣病や喘息の予防に日常的に使用可能な、新規な血小板凝集抑制剤を提供する。例文帳に追加

To obtain a novel platelet aggregation inhibitor capable of being daily used for preventing undesirable life habit diseases caused by platelet aggregation and asthma. - 特許庁

結晶欠陥の少ない高品質な３Ｃ−ＳｉＣ層を形成することが可能な立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a cubic crystal silicon carbide semiconductor substrate by which a high-quality 3C-SiC layer with few crystal defects is formed. - 特許庁

ＣＯＸ−１及びＣＯＸ−２を阻害することのない強力な血小板凝集抑制剤を提供すること。例文帳に追加

To provide a strong platelet aggregation inhibitor not inhibiting COX-1 and COX-2. - 特許庁

これらの抗増殖薬は、抗血小板剤、抗血栓剤、または抗凝固剤を含むがそれらに限定されないその他の薬物と併用され得る。例文帳に追加

The antiproliferative chemical includes antiplatelet agent, antithrombotic agent, or anticoagulant agent, and may be used with other chemical that is not limited to them. - 特許庁

有機金属気相成長を行った際の乾燥ムラに起因する結晶層の欠陥が少ない化合物半導体基板を提供する。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor substrate that is reduced in defect of a crystal layer caused by uneven drying when metal organic vapor phase epitaxy is performed. - 特許庁

これまでにない高品質な窒化物系化合物半導体結晶及び窒化物系化合物半導体基板を製造する方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide methods for manufacturing a nitride-based compound semiconductor crystal and a nitride-based compound semiconductor substrate, each having an unprecedented high quality. - 特許庁

特に、液晶表示素子の少なくとも入射側に設けた防塵基板に複屈折のない透光性複酸化物結晶体を用いる。例文帳に追加

The transmissive double oxide crystal having no birefringence is used at least for the dustproof substrate disposed on the incident side of the liquid crystal display element. - 特許庁

転位密度が小さく反りの少ない窒化物系３−５族化合物半導体単結晶の自立基板を提供する。例文帳に追加

To provide a self-supporting substrate of nitride III-V group compound semiconductor crystal having a small dislocation density and little warpage. - 特許庁

反りまたは歪みが少なく、かつ結晶欠陥の少ないエピタキシャル・ラテラル・オーバーグロース基板を提供する。例文帳に追加

To provide an epitaxial lateral overgrowth substrate less in warpage or distortion and little crystal defect. - 特許庁

不揮発性半導体記憶装置における基板のトンネル酸化膜の下側の領域に結晶欠陥を生じさせないようにする。例文帳に追加

To prevent crystal defects in a region under a tunnel oxide film which is formed on a substrate of a nonvolatile semiconductor memory device. - 特許庁

ゲート電極脇の酸化膜を除去する際に、基板結晶面を弗酸にさらすことなく、また、ゲート電極剥がれが起こらないようにする。例文帳に追加

To prevent the crystal panel of a substrate from being exposed to hydrofluoric acid and a gate electrode from separating off when an oxide film located near the gate electrode is removed. - 特許庁

結晶欠陥の少ない化合物半導体のエピタキシャル成長を可能とする化合物半導体成長用Ｓｉ基板の提供。例文帳に追加

To provide an Si substrate for growing compound semiconductor with which a compound semiconductor which is reduced in crystal defect can be grown epitaxially. - 特許庁

これにより、ＧａＮ基板とＡｌＧａＮ層のなす格子不整合を小さくし、クラックや結晶欠陥が発生しないようにする。例文帳に追加

Consequently, lattice mismatching between the GaN substrate and the AlGaN layer is lessened and there is not occurrence of cracks and crystal defects. - 特許庁

基板中に結晶欠陥が発生しないように改良された半導体装置を提供することを主要な目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which is improved so as not to generate crystal defects in side its substrate. - 特許庁

この方法において、肌理出しした表面は肌理出ししない表面と比べて血小板癒着力を向上させて凝血を促進する。例文帳に追加

The textured surface improves blood platelet adhesive strength to promote blood coagulation better than a non-textured surface. - 特許庁

結晶欠陥の少ない高品質かつ大面積のIII族窒化物の半導体基板およびその作製方法および発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a group III nitride compound semiconductor substrate of high quality which has little crystal defect and a large area, a manufacturing method of the substrate, and a light emitting element. - 特許庁

これにより、絶縁性基板１上における貼付デバイス２０を貼り合わせる箇所においてシリコンの結晶化が行われることがない。例文帳に追加

In this way, silicon crystallization does not occur at the spot planned for the bonding of the stick-on device 20 on the insulating substrate 1. - 特許庁

結晶欠陥の少ない高品質なエピタキシャル膜が形成された立方晶炭化珪素半導体基板を提供する。例文帳に追加

To provide a cubic crystal silicon carbide semiconductor substrate on which a high-quality epitaxial film with few crystal defects is formed. - 特許庁

テクスチャ構造を有する結晶シリコン基板を効率よく提供し、かつ、凸凹の大きさにムラがないテクスチャ構造を形成すること。例文帳に追加

To provide a crystal silicon substrate with a texture structure efficiently and to form the texture structure without unevenness in a size of roughness. - 特許庁

有機物やタンパク質、血小板付着などの付着が少ない透水性の高い高性能な分離膜モジュールを提供することにある。例文帳に追加

To provide a separation membrane module of high water permeability and high performance, which hardly allows an organic substance, protein, platelet or the like to adhere to itself. - 特許庁

高温ブロー成形において結晶粒の異常成長が生じず、かつキャビテーションも少ないアルミニウム合金板を提供する。例文帳に追加

To provide an aluminum alloy sheet which is free from any abnormally grown grains and has reduced cavitation as well in high-temperature blow forming. - 特許庁

簡便な方法により、異なる方向に伸長する結晶粒を同一の基板上に形成することができ、しかも、素子寸法が増大しない。例文帳に追加

To make is possible to form crystal grains elongating in different directions on a same substrate in a simple method without increase of an element size. - 特許庁