「けっしょうばんない」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

基板とは異なる化合物単結晶層をエピタキシャル成長させる化合物単結晶の製造方法であって、エピタキシャル成長させた結晶内に生じる面欠陥を低減し得る方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method, with which a surface defect generated in an epitaxially grown crystal can be reduced, in a production method for compound single crystal for epitaxially growing a compound single crystal layer different from a substrate. - 特許庁

スリット状の開口部23を有し、開口部23を結晶成長時に基体21の結晶成長面内で移動可能とした遮蔽板24を、結晶成長用原料供給部25と基体2１との間に配置したことを特徴とする。例文帳に追加

A shielding plate 24 which has a slit-like opening part 23 capable of being moved within a crystal growing surface of a substrate 21 when the crystal is grown is provided between the substrate 21 and a supplying part 25 for supplying a raw material for growing the crystal. - 特許庁

一方向凝固させたシリコンインゴットＣを作製する方法であって、ルツボ１内に貯留させたシリコン融液Ｌに多結晶シリコンの種結晶Ｓを浸した後、該種結晶と共に前記シリコンインゴットを引き上げて作製する工程を有し、前記種結晶は、平板状である。例文帳に追加

The method of manufacturing a unidirectional solidified silicon ingot C has a process for dipping a polycrystalline silicon seed crystal S into a silicon molten liquid L stored in a crucible 1 and pulling up the silicon ingot with the seed crystal, wherein the seed crystal is planar. - 特許庁

一例として、当該半導体基板１００は、シリコン結晶上に形成され、かつ、シリコン結晶を露出する開口１１０を有し、結晶の成長を阻害する阻害体１０８をさらに含み、Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘＣ（０≦ｘ＜１）エピタキシャル結晶１０４は、開口１１０の内部に形成されている。例文帳に追加

For example, the semiconductor substrate 100 additionally comprises an inhibitor 108 for inhibiting crystal growth, the inhibitor being formed on the silicon crystal and having an opening 110 from which the silicon crystal is exposed, and the Si_xGe_1-xC (0≤x<1) epitaxial crystal 104 is formed inside the opening 110. - 特許庁

箔状白金板を結晶育成用の白金ルツボの内側に挿入した本発明ルツボ構造により、VB法でのLN単結晶成長において白金ルツボとLN単結晶の大きな熱膨脹差があるにもかかわらず、再現性良くクラックの無い単結晶を得ることが可能となる。例文帳に追加

A single crystal free of cracks can be obtained with high reproducibility regardless of a large difference in thermal expansion between a platinum crucible and an LN (lithium niobate) single crystal in the process of growing an LN single crystal by VB (vertical Bridgeman) method, by employing a crucible structure of the present invention having a foil type platinum plate inserted inside the platinum crucible for growing a crystal. - 特許庁

抗凝固剤入りの血液から多血小板血漿および有形成分を分離した後の血漿６に、ガラス材料からなる吸着部材９を投入し、血漿６内の繊維素原１１を吸着除去する血清１２の分離方法を提供する。例文帳に追加

There is provided a method for separating the blood serum 12 comprising charging an adsorptive member 9 composed of a glass material into a plasma 6 after separating the PRP and a material ingredient from the blood containing an anticoagulant and adsorbing and removing a fibrinogen 11 in the plasma 6. - 特許庁

これにより、例えばＨＶＰＥ法により単結晶層２を形成する際に、反応管内に存在する雰囲気によって基板１の表面がエッチングされて、表面の結晶品質が劣化することを抑止できるので、結晶品質の良い単結晶層２を形成することができる。例文帳に追加

Thus, when forming a single crystal layer 2 by, for example, an HVPE method, the surface of the substrate 1 is etched with the atmosphere present in a reactive tube to suppress the degradation of the crystal quality of the surface, resulting in forming the single crystal layer 2 of high crystal quality. - 特許庁

本発明は、位相シフタ１と被処理基板２との間で、結晶化シリコン７が生成されない複数の箇所にそれぞれスペーサ３を配置して、位相シフタ１と被処理基板２との間の距離を一定にすることにより、非晶質な半導体膜１１を結晶化された粒径が揃うように結晶化処理を行う位相シフタを用いた結晶化装置及び結晶化方法である。例文帳に追加

By a device and a method for crystallization, the phase shifter 1 is used for crystallizing an amorphous semiconductor film 11 so that the diameters of crystallized grains may become uniform by fixing the distance between the phase shifter 1 and the substrate 2 to be treated by disposing spacers 3 respectively at a plurality of places where no crystallized silicon 7 is produced between the shifter 1 and the substrate 2. - 特許庁

mgdfはトロンボポエチンという蛋白由来で、通常は体内で作られて血小板産生を助ける。例文帳に追加

mgdf comes from the protein thrombopoietin, which is normally made in the body to help make platelets.  - PDQ®がん用語辞書 英語版

単結晶シリコン基板１０１上に可動電極１１２を有する片持ち梁１０２を設ける。例文帳に追加

A cantilever beam 102 having movable electrodes is arranged on a single crystal silicon substrate 101. - 特許庁

基板上に積層する多結晶シリコンゲルマニウム層中の内部応力を制御する方法例文帳に追加

METHOD OF CONTROLLING INTERNAL STRESS IN POLYCRYSTALLINE SILICON-GERMANIUM LAYER LAMINATED ON SUBSTRATE - 特許庁

次いで、水素雰囲気の反応室内でシリコン単結晶基板に熱処理を施す。例文帳に追加

Subsequently, heat treatment is effected to the silicon single crystal substrate in a reaction chamber of hydrogen atmosphere. - 特許庁

そして、非硬化部３３を構成する鋼のオーステナイト結晶粒度は、８番以上である。例文帳に追加

An austenite crystal grain size of steel constituting the non-hardened portion 33 is #8 or more. - 特許庁

さらに、表層部の旧オーステナイト結晶粒度は、粒度番号で１０以上である。例文帳に追加

Furthermore, the number of an old austenite crystal grain size on the surface layer portion is 10 or greater. - 特許庁

基板上に形成された多結晶シリコン半導体層により構成された内蔵駆動回路である。例文帳に追加

The incorporated driving circuit is constituted of a polycrystalline silicon semiconductor layer formed on a substrate. - 特許庁

導波路20は、フォトニック結晶のバンドギャップ内の光を伝送することができる。例文帳に追加

The waveguide 20 is capable of transmitting light within a band gap of the photonic crystal. - 特許庁

少なくとも単結晶半導体の上側層を含む基板内に分離領域が形成される。例文帳に追加

An isolation region is formed in a substrate including at least an upper side layer of a single crystal semiconductor. - 特許庁

多結晶シリコン基板１の表面に、ドライエッチングを行い微細な凹凸２を形成する。例文帳に追加

Dry etching is executed, and fine irregularities 2 are formed on a polycrystalline silicon substrate. - 特許庁

生体内血小板増殖効能が向上した新規なヒトトロンボポイエチン誘導体例文帳に追加

NOVEL HUMAN THOROMBOPOIETIN DERIVATIVE WITH IMPROVED PLATELET PROLIFERATION EFFECT IN VIVO - 特許庁

圧電単結晶基板の裏面１３からイオン注入を行い、イオン注入層を形成する。例文帳に追加

Ion implantation is executed from a rear surface 13 of a piezoelectric single crystal substrate to form an ion implantation layer. - 特許庁

Ｓｉ層形成工程では、単結晶ＳｉＣ基板７０の表面にＳｉ層７１を形成する。例文帳に追加

In the Si-layer formation process, an Si layer 71 is formed on the surface of a monocrystal SiC base 70. - 特許庁

または、前記基板内全域に高密度の結晶格子欠陥を形成した。例文帳に追加

High-density control lattice defects are formed in the vicinity of the substrate surface or the entire area in the substrate. - 特許庁

次いで、基板７１の全面に異種原子層７７および８１を結晶成長する。例文帳に追加

Then, different kinds of atom layers 77, 81 are subjected to crystal growth on the entire surface of the substrate 71. - 特許庁

当該シリサイド膜付近の基板表面２Ｓ内の結晶欠陥密度は周辺よりも高い。例文帳に追加

Crystal defect in the surface of substrate 2S is higher in the vicinity of the silicide film than on the periphery thereof. - 特許庁

当該シリサイド膜付近の基板表面２Ｓ内の結晶欠陥密度は周辺よりも高い。例文帳に追加

The crystal defect density on a surface of substrate 2S is higher in the vicinity of the silicide film than in the periphery of the silicide film. - 特許庁

単結晶半導体基板と、単結晶半導体基板から分離した単結晶半導体層が設けられた半導体基板と、の表面に、ハロゲンを含有する酸化膜を形成することで、基板表面又は内部に存在する不純物を減少させる。例文帳に追加

An oxide film containing halogen is formed on each of surfaces of a single crystal semiconductor substrate and of a semiconductor substrate provided with a single crystal semiconductor layer separated from the single crystal semiconductor substrate, whereby impurities that exist on the surfaces of and inside the substrates are decreased. - 特許庁

このようにして得られた基板１４は、基板表面と特定の結晶格子面とが成す角度が基板の面内で略同じとなるため、湾曲した窒化物半導体結晶１２から、結晶格子面が揃った複数の基板１４を切り出すことが可能となる。例文帳に追加

Because the angle between the surface of the substrate and a specific crystal grating surface becomes almost equal in the surface of the substrate 14 thus obtained, a plurality of substrates 14 having a uniform crystal grating surface can be cut out from the curved nitride semiconductor crystal 12. - 特許庁

単結晶基板１１中には遷移金属又はその窒化物もしくは酸化物の析出がないか、又はその析出物が単結晶基板１１上に形成した半導体素子の特性に影響を与えることがない。例文帳に追加

The transition metal or its nitride or oxide does not deposit in the substrate 11, or its deposit does not affect the property of the semiconductor device formed on the substrate 11. - 特許庁

水晶育成を進めると制御板のないＺ軸方向に結晶成長するが、種子水晶の制御板と密接している面は結晶成長がない。例文帳に追加

While growing of the quartz proceeds, the crystal grows in the Z axis direction where no controlling plate is disposed but does not grow on the face of the seed quartz tightly in contact with the controlling plate. - 特許庁

異種基板を用いて割れがなく反りの少ないＩＩＩ族窒化物結晶基板を製造する方法およびその製造方法により得られるＩＩＩ族窒化物結晶基板を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a group III nitride crystal substrate causing no crack and small warpage even using a different kind substrate therewith, and a group III nitride crystal substrate obtained by using the method. - 特許庁

ドライエッチングによる半導体基板へのビアホール形成プロセスにおいて、柱状の残留物をビアホール中に発生させないＧａＡｓ単結晶基板の製造方法及びＧａＡｓ単結晶基板を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a GaAs single crystal substrate, by which the generation of a columnar residual material in a via hole can be suppressed in a process for forming the via hole in a semiconductor substrate by dry etching; and to provide the GaAs single crystal substrate. - 特許庁

ＡｌＮ結晶層８０の格子間距離は、ＡｌＮ結晶体本来の格子定数にほぼ一致するので、Ｓｉ基板１と格子整合している場合のように、Ａｌ結晶層８０には、Ｓｉ基板１との格子定数の相違に起因する歪みが内在することがない。例文帳に追加

Since the inter-lattice distance of the AlN crystal layer 80 substantially agrees with the lattice constant intrinsic of AlN crystal, the Al crystal layer 80 contains no distortions caused by the difference in lattice constant with the Si substrate 1 as in the case when lattice matches the Si substrate 1. - 特許庁

結晶欠陥の少ない半導体発光素子用基板を形成できるサファイヤ基板及び半導体発光素子用基板を提供すること。例文帳に追加

To provide sapphire substrates and substrates for semiconductor light emitting devices which can form the substrates for semiconductor light emitting devices with few crystal defects. - 特許庁

かゝる本発明は、るつぼ１００内に雰囲気ガスｇを導入すると共に、結晶材料２０を昇華させて単結晶板４０を成長させる単結晶の製造方法において、るつぼのガス排出口１３０側をガス透過性の多孔質材で形成して、るつぼ内のガス流制御を行う単結晶の製造方法にあり、これによって、結晶材料ガスの析出・成長を効率よく行うことができる。例文帳に追加

The method for manufacturing the single crystal comprises introducing an atmospheric gas (g) into a crucible 100 and, growing a single crystal plate 40 by sublimating the crystal material 20, wherein the gas stream in the crucible is controlled by forming the gas discharge port 130 side of the crucible with a gas-permeable porous material, whereby it is possible to efficiently performing deposition/growth of a crystal material gas. - 特許庁

結晶欠陥のないビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を液相エピタキシャル成長によって形成するための単結晶基板として好適に用いることができる、高品質なＣａ、Ｎｂ、Ｇａ及びＯから実質的に構成されるガーネット単結晶を製造する方法、及び単結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a garnet single crystal which substantially comprises high quality Ca, Nb, Ga, and O, and can be suitably used as a single crystal substrate for forming a bismuth-substituted rare earth/iron garnet single crystal without crystal defects by liquid phase epitaxial growth, and a single crystal. - 特許庁

この試薬は、血小板の懸濁液からなる固定血小板の液体プレパレーションであって、血小板は操作時にセリンプロテアーゼインヒビターで処理され、固定され、そしてリストセチンまたは蛇毒を含まない水溶液、好ましくは緩衝溶液中に懸濁された血小板の液体プレパレーションである。例文帳に追加

The reagent is the liquid preparation of the fixed platelet consisting of the suspension of the platelet, the platelet is processed by the serine protease inhibitor during the operation, and fixed, and the liquid preparation of the platelet suspended in an aqueous solution containing ristocetin or snake venom, preferably in a buffer solution. - 特許庁

ｍ番目の障壁層を結晶成長させる工程と、ｍ番目の障壁層の上にｍ番目の井戸層を結晶成長させる工程と、ｍ番目の井戸層の上にｍ＋１番目の障壁層を結晶成長させる工程と、をリアクタ内で順に繰り返して、ｎ＋１層の障壁層とｎ層の井戸層とを交互に結晶成長させて発光層を形成する。例文帳に追加

Growth is interrupted for a fixed period during formation process or upon completion of a well layer 313b and/or a barrier layer 313a. - 特許庁

ｍ番目障壁層を結晶成長させる工程、ｍ番目障壁層の上にｍ番目井戸層を結晶成長させる工程、ｍ番目井戸層の上にｍ＋１番目障壁層を結晶成長させる工程をリアクタ内で順に繰り返し、ｎ＋１層障壁層とｎ層井戸層を交互に結晶成長させ発光層を形成する発光層形成工程を含む。例文帳に追加

The length of the growth-interruption period is set within a prescribed range, so that the dots of InGaN in quantum-size which contribute to light emission are formed evenly for promoting quantum effect when dotted, while variation in luminous wavelength among dots is suppressed. - 特許庁

圧電単結晶基板の周囲を固定治具で固定後に、水素イオンを注入して圧電単結晶基板内にイオン注入層を形成後に、圧電単結晶基板表面を固定治具で固定していた部分以外に絶縁膜を形成する。例文帳に追加

The periphery of a piezoelectric monocrystal substrate is fixed by a fixing tool, hydrogen ions are then implanted to form an ion implantation layer in the piezoelectric monocrystal layer, and an insulating film is formed thereafter on any other surface of the piezoelectric monocrystal substrate than the portions fixed by the fixing tool. - 特許庁

結晶シリコン基板内部および結晶シリコン基板とシリコン半導体層との界面における欠陥を、結晶シリコン基板にダメージを与えることなく、有効に修復することができる光起電力装置の製造方法を得ること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a photovoltaic device capable of effectively repairing a defect inside a crystalline silicon substrate and at an interface between the crystalline silicon substrate and a silicon semiconductor layer, with no damage on the crystalline silicon substrate. - 特許庁

液相エピタキシャル成長室内で、ＧａＰ（ガリウム・燐）単結晶基板にエピタキシャル成長層を形成する場合に、ＧａＰ単結晶基板をＰ（燐）からなる気体雰囲気中に曝気させることにより、高温中でのＧａＰ単結晶基板からのＰの解離を抑制させる。例文帳に追加

To suppress dissociation of a semiconductor single crystal substrate in a high temp. by aerating this substrate composed of a metal and an element more volatile than the metal in a gas atmosphere composed of an easily volatile element, and contacting and chilling it with a semiconductor growing solution composed of a metal and an easily volatile element. - 特許庁

半導体結晶基板１５の一面をフッ化物を含有する電解液１２に接触させ、該フッ化物を含有する電解液内に電極２５を配置し、該電極と結晶基板との間に通電すると共に結晶基板に光源３１より光１８を照射してホールと電子の対を発生する。例文帳に追加

The surface of a semiconductor crystal substrate 15 is brought into contact with a fluoride-containing electrolytic solution, an electrode 25 is arranged in the electrolytic solution, a voltage is applied between the electrode 25 and the crystal substrate 15, and the crystal substrate 15 is irradiated with light 18 radiating from a light source 31 to generate electron-hole pairs. - 特許庁

多数の突起部を有する下地基板上に III族窒化物系化合物より成る基板層（所望の半導体結晶）を成長させた場合、突起部の大きさや配置間隔や結晶成長諸条件等によっては、各突起部間に半導体結晶が積層されていない空洞が形成される。例文帳に追加

When a substrate layer (a desired semiconductor crystal) of a group III nitride-based compound is grown on a ground substrate having a plurality of projection parts, cavities where no semiconductor crystal is deposited are formed at each of spaces between the projected parts, depending on the size of each projected part, the distance between the projected parts, crystal growth conditions, or the like. - 特許庁

下地基板（Ｓｉ基板）上に半導体結晶Ａよりも融点又は耐熱性が高い例えばＳｉＣやＡｌＮ等より成る反応防止層を成膜すれば、結晶Ａを長時間高温で結晶成長させる場合においても、シリコン界面付近に高温反応部が形成されない。例文帳に追加

By filming the reaction-proofing layer composed of SiC or AlN, for example, having a fusing point or thermal resistance higher than that of the semiconductor crystal A on the base wafer (Si wafer), even if the crystal A is grown at a high temperature for a long time, the high temperature reaction part is not formed near a silicon interface. - 特許庁

基板の面内において成長温度に分布が生じるのを緩和し、目的とする窒化物系化合物半導体の結晶品質を面内で均一化できる、窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板および窒化物系化合物半導体の結晶成長方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a substrate used for crystal growth of a nitride-based compound semiconductor, which can make the crystal quality of the target nitride-based compound semiconductor uniform in a surface of a substrate by reducing generation of a distribution of growth temperature in the surface of the substrate; and to provide a method for crystal growth of the nitride-based compound semiconductor. - 特許庁