「けっしょうばんない」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

ＰＤＰの前面ガラス基板１の内面側に形成された行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆する誘電体層３が、比誘電率εが９以下の誘電材料によって形成され、この誘電体層３を被覆する保護層に、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体が含まれている。例文帳に追加

A dielectric layer 3 covering row electrode pairs X and Y formed on the inside surface side of a front glass substrate 1 of this PDP is formed with a dielectric material having specific permittivity ε not greater than 9; and a magnesium crystalline body for carrying out cathode luminescence light emission having a peak in a wavelength range of 200-300 nm by being excited by an electron beam is included in a protective layer covering the dielectric layer 3. - 特許庁

ジヒドロキシベンゼンを現像主薬とし、ホウ素化合物を実質的に含有しない現像液の液保存性と結晶析出性、比較的銀量が多いハロゲン化銀感光材料の長期ランニング性、及びアスペクト比８以上の平板状ハロゲン化銀粒子を含むハロゲン化銀写真感光材料のローラーマーク故障および残色性を改良する。例文帳に追加

To improve the preservability and crystal depositing property of a developing solution using dihydroxybenzene as a developing agent and not substantially containing a boron compound, the suitability of a silver halide photosensitive material containing a relatively large amount of silver to long- term running and the roller mark trouble and color leaving property of a silver halide photographic sensitive material containing flat platy silver halide grains having an aspect ratio of ≥8. - 特許庁

Ｓｉからなり、面方位が（１１１）または（１１１）と等価な面方位である半導体結晶成長用基板１１の半導体層を形成する表面に、凹凸の少ない表面状態を有する鏡面な部分１２と、鏡面な部分１２の表面粗さよりも大きい表面粗さを有する荒れた部分１３とを形成する。例文帳に追加

On a surface of a substrate 11 for semiconductor crystal growth, which is made of Si and has a plane orientation (111) or a plane orientation equivalent to (111), where a semiconductor layer is formed, a mirror-surface part 12 having a small-unevenness surface state and a roughened part 13 having surface roughness larger than the surface roughness of the mirror-surface part 12 are formed. - 特許庁

血小板の粘着、活性化を十分に抑制し、長期にわたり抗凝固活性を有する生体由来材料を安定に存在させることができ、かつ安全性が高いこと、そして用途の制限が少なく、製造方法が煩雑ではないためコストが小さくできる生体適合性組成物、およびそれを用いた生体適合性医療用具を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a biocompatible composition which constrains adhesion and activation of a blood platelet sufficiently, can stably keep a tissue-derived biomaterial with an anticoagulant activity existing for a long time, has excellent safety, is little restricted in application and can be produced simply so that production cost is low, and a biocompatible medical equipment using the same. - 特許庁

シリコン及び／又はシリコン化合物と有機溶媒を含有するスピンオングラス材料を基板に塗布した後に、酸素を主成分とするガスにより形成されたプラズマ中で結晶化が生じない条件下で、前記スピンオングラス材料塗膜を高密度化することによりアモルファススピンオングラス膜を形成する。例文帳に追加

After a spin on glass material containing silicon and/or silicon compound and organic solvent is applied on a substrate, an amorphous spin on glass film is formed by raising the density of the spin on glass material under the condition that crystallization does not occur in a plasma formed by a gas whose main component is oxygen. - 特許庁

化合物半導体単結晶基板４とＧａとを配置した反応容器１０６内に塩化水素を導入するとともに、該反応容器１０６内に導入される塩化水素中の水分濃度を常時１０ｐｐｍ以下に規制しつつ、Ｇａ含有化合物半導体層をハイドライド気相成長法により成長させる。例文帳に追加

Hydrogen chloride is introduced into a reaction vessel 106 in which the compound semiconductor monocrystal substrate 4 and Ga are arranged, the moisture concentration in hydrogen chloride introduced into the reaction vessel 106 is regulated to be ≤10 ppm at all times and the Ga- containing compound semiconductor layer is grown by hydride vapor phase growth is grown. - 特許庁

従来にない平均短径が細いロッド状又はチューブ状の棒状結晶を基板上に立設してなり、表面積を大きくすることができるので、高感度のセンサーとして有用な金属酸化物構造体、及び該金属酸化物構造体を効率よく、低コストで製造することができる金属酸化物構造体の製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a metal oxide structure obtained by erecting rod-like crystals having a rod-like shape or a tube-like shape and an unprecedented small average short diameter, and useful as a high sensitive sensor because the surface area can be enlarged, and to provide a producing method of a metal oxide structure which can produce the metal oxide structure efficiently and at a low cost. - 特許庁

半導体基板１を覆う接続溝３を含む絶縁膜２上にバリア金属膜４を介して、ＣＶＤ法により表面に結晶粒子に起因する凹凸が実質的に生じない程度の膜厚の第１銅薄膜５を形成した後、リフロー処理を施して同銅薄膜５の表面を流動させる。例文帳に追加

A first copper thin film 5 is formed by a CVD process on an insulating film 2, having connection grooves therein and covering a semiconductor substrate 1 via a barrier metal film 4 and having such a thickness as not to cause practical generation of its rough surface resulting from crystalline grains, and then subjected to a reflow process to fluidize the surface of the film 5. - 特許庁

超伝導トンネル接合を用いた放射線センサーにおいて、単結晶基板上に共通の不感領域を取り囲まない７個以上の超伝導直列接合で検出素子を構成する、あるいは中心にエネルギー測定用の超伝導直列接合を設け、その外側に入射位置測定用の４つ以上の超伝導直列接合を設けて検出素子を構成する。例文帳に追加

A radiation sensor using a superconducting tunnel junction configures a detecting element having seven or more superconducting series junctions not surrounding a common dead zone on a mono-crystalline substrate, or a detecting element having a superconducting series junction for measuring energy in the center of the substrate and four or more superconducting series junctions for measuring an incident position outside the superconducting series junction for measuring energy. - 特許庁

パッケージ２を封止する固体撮像素子カバー４０として、重金属等の不純物の少ない単結晶からなるＺカット水晶板３を備えているので、α線の発生が少なく固体撮像素子１へのダメージを防止した固体撮像素子カバー４０および撮像装置１０を得ることができる。例文帳に追加

There are obtained an imaging device 10 and a solid-state imaging element cover 40 which generates less α rays and prevents the damage to the solid-state imaging element 1, wherein a Z-cut crystal plate 3 made of single crystal having less impurities such as heavy metal is provided to seal a package 2. - 特許庁

本発明は、外表面へエンドトキシンを吸着する血液浄化用中空糸膜および中空糸膜型人工腎臓を提供すること、また、中空糸膜中の親水性高分子が少なくかつ血小板を吸着させない血液浄化用中空糸膜および中空糸膜型人工腎臓を提供すること。例文帳に追加

To provide a hollow fiber membrane for hematocatharsis and a hollow fiber membrane type artificial kidney in which endotoxine is adsorbed on an outer surface and to provide a hollow fiber membrane for hematocatharsis and a hollow fiber membrane type artificial kidney in which a hydrophilic polymer in the hollow fiber membrane is less and a blood platelet is not adsorbed. - 特許庁

層状チタン酸化物をナノレベルの厚さで剥離することによって得られるチタニアナノシートを出発物質とし、このチタニアナノシートをカチオン性ポリマー溶液で処理した任意の基板上に厚さを制御して積層し、加熱し、ｃ軸配向性を有するアナターゼ結晶ないしはその薄膜を得、回収する。例文帳に追加

The anatase crystal having orientation in the c-axial direction or its thin film is obtained and recovered by using a titania nano-sheet obtained by peeling a layered titanium oxide in nano-level thickness as a starting material, laminating the titania nano-sheet on an optional substrate treated with a cationic polymer solution with controlled thickness and heating. - 特許庁

ＬＤＤ/オフセト領域を具備している薄膜トランジスターに関するもので、前記ＬＤＤ/オフセット領域ではポリシリコン基板の“プライマリー”結晶粒境界が位置してないことを特徴とする薄膜トランジスターを提供することによって、漏洩電流特性等の電気的特性が優れる薄膜トランジスターを提供することができる。例文帳に追加

The thin-film transistor having LDD/offset regions to be provided is constituted such that a "primary" grain boundary of the polysilicon base layer is not positioned in the LDD/offset regions, thereby a thin-film transistor having excellent electrical characteristics such as leakage current characteristics is provided. - 特許庁

シリコン単結晶基板９と、その上に形成された、例えば酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンを主成分とする絶縁膜１０とによって構成された異物検査用ダミーウエハＳＷｄを用いることにより、プラズマＣＶＤ装置の反応室内または搬送室内のマイナス電荷に帯電したＳｉＯ微粒子を検出する。例文帳に追加

A minus charged fine SiO particle in the reaction chamber or the carrying chamber of a plasma CVD system is detected using a silicon single crystal substrate 9, and a dummy wafer SWd for detecting dust formed thereon of an insulation film 10 principally comprising silicon oxide, silicon nitride or silicon oxide nitride. - 特許庁

その後、高周波電界の印加を中止し、プラズマ処理チェンバ内を酸化性ガス雰囲気あるいは窒化性ガスの雰囲気に置き換え、再び、高周波電界を印加して前記の基板上に形成されているシリコン薄膜のプラズマ酸化処理あるいはプラズマ窒化処理を行うシリコンナノ結晶構造体の形成方法。例文帳に追加

Then, the silicon thin film is subjected to plasma oxidation or plasma nitriding treatment by discontinuing the application of the high-frequency electric field, replacing the atmosphere inside the chamber with an oxidizing or nitriding gas atmosphere and resuming the application of the high-frequency electric field. - 特許庁

下部膜上に非晶質アルミニウム酸化物層を形成する第１ステップと、非晶質アルミニウム酸化物層内に水素（Ｈ）または水酸基（ＯＨ）を導入する第２ステップと、水素または水酸基が導入された非晶質アルミニウム酸化物層を結晶化させる第３ステップと、を含むことを特徴とするアルミニウム酸化物層のエネルギーバンドギャップを高める方法である。例文帳に追加

The method of raising the energy band gap of an aluminum oxide layer includes a first step of forming an amorphous aluminum oxide layer on a bottom film, a second step of introducing hydrogen (H) or hydroxyl group (OH) into the amorphous aluminum oxide layer, and a third step of crystallizing the amorphous aluminum oxide layer with the introduced hydrogen or hydroxyl group. - 特許庁

窒化物半導体結晶から裏面研削、外周研削、表面研削・研磨してミラーウエハーとする際に、反りが少なく、クラックが発生せず、基板作製プロセス歩留まりが高く、デバイス面内歩留まりが高い加工方法によって作製した窒化物系半導体ウエハ−とそれを使ったデバイスを提案する。例文帳に追加

To provide a nitride-based semiconductor wafer manufactured by a processing method hardly causing warpage, never causing a crack, and achieving a high substrate manufacturing process yield and a high device in-plane yield in forming a mirror wafer from a nitride semiconductor crystal by executing back grinding, outer periphery grinding, and surface grinding/polishing; and to provide a device using the same. - 特許庁

面内磁気記録方式および垂直磁気記録方式の何れにおいても、高密度記録のためのランプロード方式にも十分対応し得る良好な表面特性を兼ね備え、高速回転化、衝撃に耐え得る高強度を有し、各ドライブ部材に合致する熱膨張特性や耐熱性をも兼ね備えた、溶融温度が低く生産性に優れた情報記録媒体用ディスク基板用等の結晶化ガラスを提供する。例文帳に追加

To provide a crystallized glass which exhibits an excellent surface property satisfactorily corresponding to a ramp load system for high density recording in any of a horizontal magnetic recording system and a perpendicular magnetic recording system, high strength durable to high speed rotation and shocks, both of heat expansion property and heat resistance suitable with each drive component, a low melting point and an excellent productivity. - 特許庁

発明者等は、P2Y12阻害剤について鋭意検討した結果、3位に置換されたカルバモイル基を有し、該カルバモイル基上の置換基が-(カルバモイル基に隣接する炭素原子が置換されているポリメチレン)-CO_2R（ただし、Rは-H又は低級アルキル）であるキノロン誘導体が、優れた血小板凝集阻害作用を有すること、また、体内動態が改善していることを見出し本発明を完成した。例文帳に追加

As a result of zealous examination of P2Y12 inhibitors, there are found that a quinolone derivative having a substituted carbamoyl group at the 3-position wherein the substituent on the carbamoyl group is -(polymethylene substituted on a carbon atom adjacent to the carbamoyl group)-CO_2R (R is -H or a lower alkyl) has an excellent platelet aggregation-inhibiting action, and improves in vivo dynamics. - 特許庁

微結晶シリコンを用いた第１の半導体層１１４上に第２の半導体層１１５を積層させた上で、第１の半導体層１１４及び第２の半導体層１１５の側面でオーミックコンタクト層１１７、１１８とコンタクトを取ることにより、コンタクト歩留まりを向上させ、良好な特性を備えるトランジスタを有するトランジスタ基板及びその製造方法を提供することができる。例文帳に追加

The second semiconductor layer 115 after being laminated on the first semiconductor layer 114 using the microcrystal silicon is brought into contact with the ohmic contact layers 117, 118 on side faces of the first semiconductor layer 114 and second semiconductor layer 115 to improve the contact yield, thereby providing the transistor substrate having the transistor with the excellent characteristics, and the method of manufacturing the transistor substrate. - 特許庁

この抗癌作用は、（１）血小板存在下に新生血管の増殖を抑制すること、（２）血管内皮(細胞)増殖因子Ｖａｓｃｕｌａｒ ｅｎｄｏｔｈｅｌｉａｌ ｇｒｏｗｔｈ ｆａｃｔｏｒ（ＶＥＧＦ）を阻害し、シクロオキシゲナーゼｃｙｃｌｏｏｘｉｇｅｎａｓｅ（ＣＯＸ）を阻害すること、等による作用機序による癌細胞の増殖を抑制する効果として説明できる。例文帳に追加

The anticancer action can be explained as an effect to suppress the proliferation of cancer cells by a mechanisms such as (1) the suppression of new vascular reproduction in the presence of thrombocyte, (2) the inhibition of vascular endothelial growth factor (VEGF) to inhibit cyclooxigenase (COX), or the like. - 特許庁

蛍光体層、例えばＣｓＩの柱状結晶を成長させた蛍光板４は、スプラッシュ(ＣｓＩが完全に蒸気化する前に、固形化の状態で真空槽内に飛び出し、その固形物が蒸着面に付着し、その結果凹凸部が形成去されること)によって凹部および／または凸部が形成された面を有する。例文帳に追加

The fluorescent substance layer, for example, a fluorescent plate 4 obtained by growing a columnar crystal of CsI has a face having a recessed part and/or a protruded part formed by splash (caused by flying out of the CsI in a solid state before being completely vaporized into a vacuum vessel, and attaching of the solid on the vacuum evaporation surface to form the uneven part). - 特許庁

基板上にＧｄＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_7-δ（δ＝０〜１）の超電導層を形成した酸化物超電導線材において、前記超電導層の内部に、柱状又は棒状のＢａＺｒＯ_３が、超電導結晶のｃ軸に対して傾き、かつ、隣接する長手方向がねじれる状態で分散していることを特徴とする酸化物超電導線材。例文帳に追加

In an oxide superconducting wire material where a superconductive layer of GdBa_2Cu_3O_7-δ(δ=0-1) is formed on a substrate, columnar or rod-like BaZrO_3 is dispersed in the superconductive layer while inclining against the c-axis of superconducting crystal in such a state as the adjoining longitudinal directions are twisted. - 特許庁

導電性の結晶により構成される基板５１１上に、大きさの異なる第１の量子ドット１２及び第２の量子ドット１３を形成して状態密度関数が互いに等しくなる量子準位間で共鳴効果を起こさせ、照射光学系５１８から照射される光の波長に応じて第１の量子ドット１２内で励起された励起子を第２の量子ドット１３の量子準位へ注入させる。例文帳に追加

First and second quantum dots 12 and 13 having different sizes are formed on a substrate 511 made of a conductive crystal to cause a resonance effect between quantum levels when their state density functions become the same, so that excitons excited within the first quantum dot 12 according to the wavelength of light emitted from the illumination optical system 518 are injected to the quantum level of the second quantum dot 13. - 特許庁

この発明は、鉛を連続して押出しさらに所定の温度範囲で圧延加工することによって、再結晶を促進させて緻密化して耐食性を改善し、また内部残留応力を低減することによってエキスパンド加工での平坦化を向上させた高品質のＰｂ−Ｃａ−Ｓｎ−Ｂａ系鉛合金よりなる格子基板を製造できるようにしたものである。例文帳に追加

To enable to manufacture a grid base board made of Pb-Ca-Sn-Ba group lead alloy with high quality and improved flatness at an expanding process, by improving corrosion resistance by densifying lead by promoting re-crystallization thereof, by continuously squeezing and rolling the lead in a prescribed temperature range, and by reducing residual inside stress. - 特許庁

炭化珪素単結晶基板の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル膜の内部で通電時に電子と正孔が再結合するバイポーラ型半導体装置において、電流通電により拡大した積層欠陥面積を縮小し、増加した炭化珪素バイポーラ型半導体装置の順方向電圧を回復させる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for reducing a stacking fault area enlarged by current energization and recovering an increased forward voltage of a silicon carbide bipolar semiconductor device, in the bipolar semiconductor device in which electrons are recoupled to holes upon energization in a silicon carbide epitaxial film grown from a surface of a silicon carbide monocrystal substrate. - 特許庁

発光波長がフォトニック結晶のフォトニックバンドギャップの波長域内にある２波長半導体レーザ素子１０１の出力光１３１、１３２が合波導波路の２つの入力端に各々結合され、合波導波路の出力端から合波された２波長の出力光１３３が出射される。例文帳に追加

The output light rays 131 and 132 of a two-wavelength semiconductor laser element 101 the light emitting wavelength of which falls within the wavelength region of the photonic band gap of the photonic crystal are respectively coupled with the two input terminals of the multiplexed waveguide, and multiplexed two- wavelength output light 133 is emitted from the output terminal of the waveguide. - 特許庁

真空引き可能になされた処理容器４内において被処理体Ｗに所定の処理を施す処理装置の透過窓３０の製造方法において、前記透過窓の透明板３４の表面に、３５０℃以下の温度で厚さ１．０μｍ以下のアルミナ（Ａｌ_2 Ｏ_3）結晶膜よりなる保護膜３６を形成する。例文帳に追加

In a manufacturing method of a transmission window 30 of a treatment device for performing a specified treatment to a work W in a treatment container 4 which can be evacuated, a protective film 36 consisting of an alumina (Al2O3) crystalline film of ≤1.0 μm in thickness at temperatures of ≤350°C is formed on a surface of a transmission plate 34 of the transmission window. - 特許庁

下地基板１上にエピタキシャル法によって、バッファ層２、チャネル層３、及び電子供給層４から成る窒化ガリウム半導体結晶層を形成した後、エピタキシャル成長炉内で連続してＡｌＮを電子供給層４上に誘電体膜の前駆体として積層し、しかる後、積層した前駆体に対して酸化処理を施すことによって誘電体膜５を形成する。例文帳に追加

The method of manufacturing a semiconductor epitaxial crystal substrate comprises steps for forming a nitride gallium semiconductor crystal layer composed of a buffer layer 2, a channel layer 3 and an electron supply layer 4 on a base substrate 1 by an epitaxial method, laminating AlN continuously in an epitaxial growth furnace on the electron supply layer 4 as a precursor of a dielectric film, and then performing oxidation treatment to the laminated precursor to form a dielectric film 5. - 特許庁

導電性の結晶により構成される基板１１上に、大きさの異なる第１の量子ドット１２及び第２の量子ドット１３を形成して状態密度関数が互いに等しくなる量子準位間で共鳴効果を起こさせ、第１の量子ドット１２内に存在する励起子を第２の量子ドット１３の量子準位へ注入させる。例文帳に追加

The first quantum dot 12 and the second quantum dot 13 varying in sizes are formed on a substrate 11 composed of a conductive crystal and a resonance effect is induced between the quantum levels at which state density functions are equaled to each other, allowing the exciton existing within the first quantum dot 12 to be implanted into the quantum level of the second quantum dot 13. - 特許庁

多層配線基板を製造するにあたり、絶縁層となる結晶転移型の熱可塑性樹脂製のフィルム８に貼付された銅箔をエッチングして導体パターン３を形成すると共に層間接続部を構成するビアホール内に導電ペースト９を充填した基材７を形成し、それら基材７を積層して熱プレスして一体化する。例文帳に追加

In manufacturing the multilayer circuit board, copper foils each stuck on thermoplastic resin films 8 of crystal transition which serve as the insulating layers are etched to form the conductive patterns 3, base members 7 are formed in each of which conductive paste 9 is filled in via holes that constitute the interlayer connectors, and the base members 7 are stacked and subjected to thermal pressing for integration. - 特許庁

可撓性基板上に柱状結晶蛍光体を含有する蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの読み取りシステムにおいて、該放射線画像変換パネルを読み取り装置内で曲げて搬送し、かつ搬送の曲率半径が５０〜５００ｍｍであることを特徴とする放射線画像変換パネルの読み取りシステム。例文帳に追加

The reading system for a radiation image conversion panel having a phosphor layer containing a columnar crystal phosphor on a flexible substrate is characterized in that the radiation image conversion panel is bent and conveyed in a reading device and that the radius of curvature of conveyance is 50 to 500 mm. - 特許庁

漏光防止部材４は、半導体材料と当該半導体材料とは屈折率の異なる材料の組み合わせからなる周期構造を有し、受光素子２の厚み方向に直交する面内の全方向において受光素子２の受光波長に対してフォトニックバンドギャップを有するフォトニック結晶により構成されている。例文帳に追加

The light leak prevention member 4 is formed of photonic crystal in which has a cyclic structure composed of a combination of a semiconductor material and a material differing in refractive index from the semiconductor material and has a photonic band gap to the light reception wavelength of the light receiving element 2 in all directions in a plane crossing the thickness of the light receiving element 2 at right angles. - 特許庁

短時間で透明導電層を結晶化させること、及び、基板の熱収縮処理を行い、導電層のパターニング、貼り合せの前に、後工程で加えられる熱による寸法変化を抑制することで、複数の透明導電性フィルムのパターン位置合わせ精度を向上させる透明導電性積層体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a transparent conductive laminate which improves pattern alignment accuracy of a plurality of transparent conductive films by suppressing a dimensional change due to heat applied during a post process by conducting crystallization of a transparent conductive layer in a short time and a heat contraction processing of a substrate prior to patterning and joining of the conductive layer. - 特許庁

液晶画像表示装置（ＬＣＤ）における偏光板の保護フィルムとして好適なセルロースエステルフィルムについて、液晶表示素子の薄膜化に伴い、偏光板用保護フィルムを薄膜化した場合においても、結晶状異物の発生を抑えることができて、偏光板用保護フィルムに適した品質の良いセルロースエステルフィルムを提供する。例文帳に追加

To provide a cellulose ester film of good qualities suitable as a protecting film for a polarizing plate in a liquid crystal image display device (LCD) which can suppress generation of crystalline foreign matters even when the thickness of the protecting film for the polarizing plate is reduced coping with the reduction of the thickness of the liquid crystal display device. - 特許庁

結晶性高分子化合物を含む結合材に、金属系導電性粉末を混合・分散した高分子ＰＴＣ組成物を、シート状に成形して両側に電極板を配置した高分子ＰＴＣ素子で、導電性粉末の占積率を低くしても、所要の電気抵抗を発現し得る高分子ＰＴＣ素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a polymer PTC element capable of exhibiting a required electric resistance even when reducing the space factors of its conductive powders, with respect to the polymer PTC element wherein a polymer PTC composition obtained by mixing dispersively metal-based conductive powders with the binder containing a crystalline polymer compound is so molded in the form of a sheet as to provide electrode plates on both its sides. - 特許庁

細胞増殖因子は、例えば、塩基性線維芽細胞増殖因子（ｂＦＧＦ）、酸性線維芽細胞増殖因子（ａＦＧＦ）、血小板由来増殖因子（ＰＤＧＦ）、トランスフォーミング増殖因子β１（ＴＧＦ−β１）、血管内皮細胞増殖因子（ＶＥＧＦ）および結合組織増殖因子（ＣＴＧＦ）を用いることができる。例文帳に追加

As the cell growth factor, for example, a basic fibroblast growth factor (bFGF), an acidic fibroblast growth factor (aFGF), a platelet derived growth factor (PDGF), a transforming growth factor β1(TGF-β1), a vascular endothelial cell growth factor (VEGF) and a connective tissue growth factor (CTGF) can be used. - 特許庁

光導波路１５ａと、光導波路１５ａ内に形成された周期分極反転構造２０とを備えている光導波路デバイス１０の製造方法であって、強誘電体単結晶基板１に設けられた、周期分極反転構造２０の位置を特定する位置特定手段を基準として光導波路１５ａを形成する光導波路形成工程を備える。例文帳に追加

The method of manufacturing the optical waveguide device 10 provided with an optical waveguide 15a and a periodical polarization inversion structure 20 formed in the optical waveguide 15a is provided with an optical waveguide forming stage for forming the optical waveguide 15a on the basis of a position specifying means which is provided in a ferroelectric single crystal substrate 1 and specifies the position of the periodical polarization inversion structure 20. - 特許庁

半導体発光装置は、結晶面（１００）のＳｉ基板１の表面側に設けられた凹部と裏面から立ち上がって互いに対向する側面の夫々に交差する傾斜面を有し、凹部内に実装された半導体発光素子の電極に接続された電極パターンがスルーホール及び裏面を介して前記傾斜面まで延びている。例文帳に追加

The semiconductor light-emitting device includes slopes crossing each of mutually opposite sides rising from a recess provided in a top surface side of a Si substrate 1 with a crystalline plane (100) and a backside, and an electrode pattern connected to electrodes of the semiconductor light-emitting device mounted in the recess extends to the slopes via the through-holes and the backside. - 特許庁

金型のキャビテイ８の固定側金型のキャビテイ面１５に、アルミナ（Al_2O_3）単結晶であるサファイア柱から切断され、成形品の表面形状と同一形状に切り出された２００μm厚のサファイア板１６が載置され、吸引孔１７によって、真空吸引されてキャビテイ面１５上に保持されている。例文帳に追加

A sapphire plate 16 of 200 μm thickness which is cut from a sapphire column of an alumina (Al_2O_3) single crystal and cut off in the same shape as the surface shape of a molding is mounted on a cavity surface 15 of a fixed side mold of the cavity 8 of a mold and held on the cavity surface 15 by being vacuum-sucked by a suction hole 17. - 特許庁

腐食性の強い環境においても使用することができるとともに、０．２％耐力が２９５Ｎ／ｍｍ^2 以上、３４５Ｎ／ｍｍ^2 以上又は４９０Ｎ／ｍｍ^2 以上であり、かつオーステナイト結晶粒度が粒度番号５〜１４の大きさであステンレス鋼鉄筋及びこのステンレス鋼鉄筋を低いコストで製造する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a stainless-steel reinforcing bar usable even under highly corrosive environments and having ≥295 N/mm^2, ≥345 N/mm^2 or ≥490 N/mm^2 0.2% proof stress and also having a grain size of austenitic grain size No.5-14 and also to provide a method for manufacturing the stainless-steel reinforcing bar at a low cost. - 特許庁

ＷＳｉ膜を形成する方法は、(1)ＷＦ_6およびＳｉ_2Ｈ_2Ｃｌ_2を含む原料ガスを用いる化学的気相成長法によってＳｉおよびＷを主要構成元素としヘキサゴナル結晶相を有する堆積膜6を形成し、(2)堆積膜6が形成された基板2をアンモニア雰囲気中においてアニールを行いＷＳｉ膜を形成する、各ステップを備える。例文帳に追加

A method for forming a WSi film includes a step (1) of forming a deposit film 6, containing Si and W as main components and having a hexagonal crystal phase chemical vapor growth using a gaseous start material containing WF6 and Si2H2Cl2 and a step (2) forming a WSi film annealing a substrate 2, on which the deposit film 6 is formed in an ammonia atmosphere. - 特許庁

Ｃ面サファイア単結晶基材１ａの上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮからなる表面層１ｂをエピタキシャル形成した後、該積層体を１３００℃以上の温度で加熱することで、面内圧縮応力が作用してなる、実質的に原子レベルで平坦な表面層が形成されてなるテンプレート基板を得る。例文帳に追加

A template substrate having a flat surface layer formed substantially in an atomic level with in-plane compression stress applied is obtained by epitaxially forming the surface layer 1b made of AlN by a MOCVD method on a C-face sapphire single crystal base material 1a, and then by heating the laminate at a temperature of 1,300°C or higher. - 特許庁

第１光ガイド部は光導波路２の外部に配置されたフォトニック結晶を有し、かつ、第２光ガイド部は光導波路２の屈折率よりも低い屈折率を有する領域を有しており、第１光ガイド部、および第２光ガイド部は、いずれも、電気光学効果を示す材料から形成された基板内に設けられている。例文帳に追加

The first optical guide part has a photonic crystal disposed at the external part of the optical waveguide 2, the second optical guide part has a region having a refractive index lower than that of the optical waveguide 2, and both the first and the second optical guide parts are provided in the substrate formed of a material exhibiting an electrooptical effect. - 特許庁

単結晶シリコン基板上に、２層のマスク層を形成し、第１のマスク層を用いて異方性エッチング及び等方性エッチングを行い所望のマイクロレンズ用型よりもやや径の小さい凹部を形成した後に、第２のマスク層を用いて等方性エッチングを行ってその凹部を拡大することにより、所望の寸法のマイクロレンズ用型を得る。例文帳に追加

A two-layered mask layer is formed on a single crystal silicon substrate, anisotropic etching and isotropic etching are performed by using a first mask layer to form a concave part having a diameter a little smaller than that of a desired microlens mold and, thereafter, isotropic etching is performed and the concave part is magnified by using a second mask layer to provide the microlens mold having a desired dimensions. - 特許庁