「けっしょうばんない」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

大出力のエネルギービーム６を、互いに略垂直な方向に細線部を有する薄膜４に対して、細線部５の長手方向から略４５度傾いた方向７に移動させながら照射することにより、基板上での高精度な位置合わせを必要とせずに、任意の場所に任意の大きさで結晶性薄膜を形成する。例文帳に追加

The thin film 4 having thin lines nearly perpendicular to each other is irradiated with a large output energy beam 6 while moving the beam 6 in the direction 7 tilted about 45° from the longitudinal direction of the thin lines 5 to form a crystalline thin film having any size in any location without requiring high precision alignment on the substrate. - 特許庁

エピタキシャル成長系統１０１においては、テンプレート１０の面１０ａを最初の結晶成長面とするハライド気相成長を行い、それと並行して同時にエッチング系統１０２においては、テンプレート１０の面１０ｂ（シリコン基板Ａの裏面）に窒素（Ｎ_2 ）ガスを２ｓｌｍの割合で継続的に吹き付けた。例文帳に追加

In an epitaxial growth system 101, a halide vapor-phase epitaxy is performed with a face 10a of a template 10 as a first crystal growth surface, and on a parallel with it and simultaneously, in an etching system 102 a nitrogen (N_2) gas is continuously sprayed on a face 10b (rear face of a silicon substrate A) of the template 10 at a rate of 2slm. - 特許庁

半導体デバイスを作製するための半導体基板として使用する単結晶基板表面において、長さ０．３μｍ以上でありかつ長さが幅の３倍以上であるライン状の凹凸欠陥あるいは短冊状の形状を有した凹形状欠陥、あるいは直径が０．５μｍ以上でありかつ直径が深さあるいは高さの１０倍以上であるシャローピットあるいはマウンド状欠陥を検査することを特徴とする検査方法およびこれらの欠陥のない半導体基板の製造方法。例文帳に追加

The method inspects the surface of a single-crystal substrate for use as a semiconductor substrate for manufacturing a semiconductor device for defects which are strip-shape or groove-shape defects ≥0.3 μm in length with the width ≥3 times the length, or shallow pit-shape defects or mound-shape defects ≥0.5 μm in diameter with the depth or height ≥10 times the diameter. - 特許庁

本発明の基板上に積層する多結晶シリコンゲルマニウム層中の内部応力を制御する方法は、シリコンゲルマニウム層内の内部応力の範囲を選択するステップ、蒸着圧力を選択するステップ、及び、蒸着温度を選択するステップを含み、シリコンゲルマニウム層内の内部応力が選択した範囲内となるように、蒸着圧力と蒸着温度のうちの少なくとも一つが選択されることを特徴とする。例文帳に追加

The method of controlling internal stress in a polycrystalline silicon-germanium layer laminated on a substrate includes a step of selecting a range of internal stress in the silicon-germanium layer, a step of selecting evaporation pressure, and a step of evaporation temperature; and at least one of evaporation pressure and evaporation temperature is selected so that internal stress in the silicon-germanium layer becomes within the selected range. - 特許庁

硬化性樹脂、硬化剤、及び、熱伝導性フィラーを含有する基板穴埋め用熱伝導性ペースト組成物であって、前記熱伝導性フィラーは、化学式ＭｇＣＯ_３で示される結晶水を含まない炭酸マグネシウム無水塩（Ａ１）、及び／又は、該炭酸マグネシウム無水塩（Ａ１）の表面が、有機樹脂、シリコーン樹脂、又は、シリカにより被覆されている被覆体（Ａ２）からなる炭酸マグネシウム系フィラー（Ａ）である基板穴埋め用熱伝導性ペースト組成物。例文帳に追加

The heat conductive paste composition for filling the substrate, i.e., a magnesium carbonate based filler (A) includes a carbon magnesium anhydrous salt (A1) not containing crystallization water represented by the chemical formula: MgCO_3 and/or a cover body (A2) in which a surface of the magnesium carbonate anhydrous salt (A1) is covered by an organic resin, a silicone resin or silica. - 特許庁

本発明の薄膜作製方法は、基板上に、ＣＶＤ法により金属元素を含有する前駆体膜を作製する前駆体膜作製ステップと、前駆体膜を、容器内において、アルカリ性水溶液に浸漬する浸漬ステップと、容器を密閉する密閉ステップと、密閉された容器内において、水熱処理により前駆体膜を結晶化して、基板上に金属酸化物の薄膜を作製する水熱処理ステップとを含む。例文帳に追加

The method for manufacturing the thin film comprises a step of manufacturing a precursor film containing a metal element by the CVD method, a step of dipping the precursor film in an alkaline water solution in a container, a step of sealing the container, and a hydrothermal process step of crystallizing the precursor film in the sealed container by a hydrothermal process to form a metal oxide thin film on a substrate. - 特許庁

半導体基板１０の主面に、活性層１４を挟んで上下の反射ミラー層１２、１８が形成され、上下の反射ミラー層１２、１８の少なくとも一方にその周縁部が酸化された選択酸化層１６を備えた面発光型半導体レーザにおいて、半導体基板１０の主面を、基準となる結晶軸を含む面に対して傾斜させ、選択酸化層１６を、主面と平行な面で切断したときの外周形状が少なくとも特異点のないマクロ的に滑らかな形状の被酸化層を周縁部から酸化して形成する。例文帳に追加

Here, the main surface of a semiconductor substrate 10 is tilted against a reference plane containing a crystal axis, and related to the selectively oxidized layer 16, a layer which is to be oxidized wherein the profile provided, when it is cut along the plane parallel to the main surface is smooth in a macro manner, comprising at least no singular point, is oxidized starting with a peripheral edge. - 特許庁

本発明の配線基板100は、基板上に、電気絶縁状態と導電状態とを相互に相変化可能な相変化材料を含む相変化層10の少なくとも一部に、前記相変化層10の相変化により導電状態にされた導電性線路20,21が形成されており、前記相変化材料は、カルコゲナイド半導体を含み、レーザ光の照射によって電気絶縁状態と導電状態とに変化し、結晶相で導電状態となり、アモルファス相で電気絶縁状態となる。例文帳に追加

The phase change material includes a chalcogenide semiconductor, and changes to the electrical insulating state and the conductive state by irradiating the laser beam, and becomes the conductive state by a crystal phase, and becomes the electrical insulating state by an amorphous phase. - 特許庁

血管新生作用を有する薬物としては、たとえば、塩基性線維芽細胞増殖因子、肝細胞増殖因子、他のＦＧＦ、血管内皮細胞増殖因子、血小板由来増殖因子、トランスホーミング増殖因子、アンジオポエチン、アンジオスタチン、アドレノメジュリンなどの細胞増殖因子、インターロイキン、ケモカイン、およびこれらをコードする遺伝子、生理活性低分子物質および、上述の血管新生を促す作用をもつ物質を誘導する薬物が挙げられる。例文帳に追加

The neovascularization action-having medicine includes basic fibroblast growth factors, hepatocyte growth factors, other FGF, endothelial cell growth factors, platelet-originated growth factors, transforming growth factors, cell growth factors such as angiopoietin, angiostatin, and adrenomedulin, interleukin, kemokine, and genes encoding them, physiologically active low molecular substances, and medicines for inducing the above-mentioned neovascularization-promoting action-having substances. - 特許庁

基板１の上面に、ＧａＡｓ系化合物半導体の単結晶薄膜から成るｎ型クラッド層３、活性層４及びｐ型クラッド層５を積層してなる発光素子２を備え、該発光素子２に通電しながら活性層４内で電子と正孔とを再結合させることによって発光素子２を発光させる半導体発光装置において、前記発光素子２の活性層４に、Ｚｎを不純物として１×１０^19個／ｃｍ^3〜２×１０^20個／ｃｍ^3の密度でドーピングする。例文帳に追加

The light emitting device comprises a light emitting element 2 composed of an n-type clad layer 3 of a GaAs compound single crystal film, an active layer 4 and a p-type clad layer 5 laminated one above another on the upside of a substrate 1 and the element 2 is energized to recombine electrons with holes in the active layer 4, thereby causing the emitting element 2 to emit a light. - 特許庁

セラミックや金属等の支持基板上に絶縁層が形成され、その絶縁層上に光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換層が設けられ、入射光により発生したキャリアを取り出すために、光電変換層の入射光面倒に第1の電極が、その反対の絶縁層側の面に第2の電極が形成された太陽電池において、支持基板上の光電変換層が形成されていない領域または絶縁層上の光電変換層が形成されていない領域に形成された第3の電極が前記第2の電極に接続されている構造とすることにより、入射光と反対の面の電気抵抗を低減し、高効率で大面積の結晶系太陽電池を得る。例文帳に追加

By attaining a structure for which a third electrode formed in an area, where the photoelectric conversion layer is not formed on the supporting substrate or in the area where the photoelectric conversion layer is not formed on the insulation layer is connected to the second electrode, the electrical resistance of the surface opposite to the incident light is reduced, and the crystal system solar battery of high efficiency and the large area is obtained. - 特許庁

(a)写真は，通常は適正な図面とはみなされない。写真は，出願日を取得する目的では受理されるが，一般に非公式の図面とみなされる。写真は，次項に記載する特別な範疇に該当する場合にのみ受理される。写真現像用の原版は，絶対に受理されない。 (b)庁は，墨による図面では正確に又は十分に描写することができない発明を例示するために，墨による図面の代わりに，感光紙に焼き付けた白黒の写真，又は(写真平版又はその他スクリーン印刷による写真の複製でない)顕微鏡写真を受理することが可能であるが，次の範疇のものに限定する。結晶構造，金属組織，織物地等，粒状構造及び装飾効果。写真又は顕微鏡写真は，墨による図面よりも発明を明瞭に示さなければならず，また，当該図面に関する規則に従うものとする。 (c)当該写真が受理されるためには，写真業界で一般に認められている次の特性を有する印画紙，すなわち表面が滑らかで，白無地の印画紙に焼き付けた写真，又は適切な寸法のブリストル紙を台紙にした写真でなければならない。例文帳に追加

(a) Photographs are not normally considered to be proper drawings. Photographs are acceptable for obtaining a filing date and generally considered to be informal drawings. Photographs are only acceptable where they come within the special categories as set forth in the paragraph below. Photolitographs of photographs are never acceptable. (b) The Office is willing to accept black and white photographs or photomicrographs (not photolitographs or other reproduction of photographs made by using screens) printed on sensitized paper in lieu of India ink drawings, to illustrate the inventions which are incapable of being accurately or adequately depicted by India ink drawings restricted to the following categories: crystalline structures, metallurgical microstructures, textile fabrics, grain structures and ornamental effects. The photographs or photomicrographs must show the invention more clearly than they can be done by the India ink drawings and otherwise comply with the rules concerning such drawings. (c) Such photographs to be acceptable must be made on photographic paper having the following characteristics which are generally recognized in the photographic trade: paper with a surface described as smooth, tint, white, or be photographs mounted on a proper sized Bristol board. - 特許庁

本発明は、一対の偏光板間に液晶セルを挟持してなる液晶表示素子と、この液晶表示素子の裏面側に重設される光学シートと、この光学シートの裏面側に重設される面光源のバックライトとを備える方形の液晶表示モジュールであって、上記光学シートが光学的異方性がある樹脂製の基材フィルムを有し、短辺方向を基準として、上記バックライト表面から出射される光線の偏光方向の角度をγ、裏面側偏光板の透過軸方向の角度をδとすると、上記基材フィルムの結晶軸方向の角度が、下記数式（Ｉ）及び数式（II）で計算される数値εを中心とした±５０％範囲内（０．５ε以上１．５ε以下）であることを特徴とする。例文帳に追加

This invention discloses the liquid crystal display module comprising: a liquid crystal display element holding a liquid crystal cell between a pair of polarizing plates; an optical sheet lapped on the back side of this liquid crystal display element; and a surface light source of back-light lapped on the back side of this optical sheet. - 特許庁