「けっしょうばんない」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Ｓｉ単結晶基板とリン化硼素層との大きな格子不整合度に因り、結晶欠陥密度の少ない単結晶のリン化硼素層を安定して形成できない問題点を解決する。例文帳に追加

To solve the problem that a boron phosphide layer of a single crystal having little crystal defect density cannot be stably formed due to a large lattice mismatching degree of an Si single crystal substrate and the boron phosphide layer. - 特許庁

焼戻しマルテンサイトの旧オーステナイト結晶粒度番号（JIS G O551）が＃11〜＃15で、最大の結晶粒径を8μm以下とする。例文帳に追加

The old austenite grain size (JIS G 0551) of tempered martensite is #11 to 15, and the maximum grain size is ≤8 μm. - 特許庁

調整可能な光結晶、および、バンドギャップ内の伝達を可逆的にチューニングするために光結晶の屈折率を調整する方法例文帳に追加

CONTROLLABLE PHOTOCRYSTAL AND METHOD OF CONTROLLING REFRACTIVE INDEX OF PHOTOCRYSTAL FOR REVERSIBLY TUNING TRANSMISSION IN BAND GAP - 特許庁

基板面内の結晶粒の位置や結晶粒径を容易に制御することができる半導体薄膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor thin film capable of easily controlling the position of a crystal grain and the crystal grain size in a substrate plane. - 特許庁

これにより、炭化ケイ素単結晶から切り出された炭化ケイ素単結晶基板５０が内部の温度によって熱せられる。例文帳に追加

Thereby, a silicon carbide single crystal substrate 50 cut out from a silicon carbide single crystal is heated with the temperature of the inside. - 特許庁

境界領域１１は、主表面に沿った方向においてＳｉＣ単結晶基板１に隣接し、内部に結晶粒界を有する。例文帳に追加

The boundary region 11 is contiguous to the SiC single crystal substrate 1 in the direction along the principal face, and has a grain boundary internally. - 特許庁

多結晶金属基板１１の結晶性に関する情報が窒化ガリウム系結晶層１０に伝えられないので、多結晶金属基板の結晶性に関する情報の影響を受けることなく、非晶質中間層１２の非晶質性に関する情報に基づいて、良好な結晶配向性を有して形成される。例文帳に追加

The gallium nitride crystal layer having a good crystal orientation is formed based on the informations related to the amorphous properties of the amorphous intermediate layer 12 without being influenced by the informations related to the crystallinity of the polycrystalline metal substrate because the propagation of the informations related to the crystallinity of the polycrystalline metal substrate 11 to the gallium nitride crystal layer 10 is suppressed. - 特許庁

サファイア基板の如き単結晶α−Ａｌ_２Ｏ_３基板上に、酸窒化アルミニウム層を介して最外層に単結晶窒化アルミニウム膜が積層されそして単結晶窒化アルミニウム内の転位密度が１０^８個／ｃｍ^２以下である単結晶窒化アルミニウム積層基板。例文帳に追加

The single crystal aluminum nitride laminated substrate is provided by laminating the single crystal aluminum membrane to the most outer layer via an acid aluminum layer on a single crystal α-Al_2O_3 substrate such as a sapphire substrate, wherein the transition density of the single aluminum nitride is 10^8/cm^2. - 特許庁

比抵抗値の面内バラツキが少ないプラズマエッチング用単結晶シリコン電極板例文帳に追加

MONOCRYSTAL SILICON ELECTRODE PLATE FOR PLASMA ETCHING WITH LITTLE IN-PLANE VARIATION OF SPECIFIC RESISTANCE VALUE - 特許庁

炭化珪素基板の製造方法であって、少なくとも、マイクロパイプの密度が３０個／ｃｍ^２以下の単結晶炭化珪素基板と多結晶炭化珪素基板を準備し、前記単結晶炭化珪素基板と前記多結晶炭化珪素基板とを貼り合わせる工程を行い、その後、前記単結晶炭化珪素基板を薄膜化する工程を行い、多結晶基板上に単結晶層を形成した基板を製造することを特徴とする炭化珪素基板の製造方法。例文帳に追加

The manufacturing method of silicon carbide substrate is characterized in manufacturing a substrate including a single crystal layer formed on a polycrystal substrate with the steps of preparing at least for single crystal silicon carbide substrate having density of micropipe of 30 pieces/cm^2 or less and polycrystal silicon carbide substrate and then bonding the single crystal silicon carbide substrate and the polycrystal silicon carbide substrate, and thereafter making thinner the single crystal silicon carbide substrate. - 特許庁

ルツボ４内に種結晶となる炭化珪素単結晶基板１０を配置し、ルツボ４内に、Ｓｉを含有するガスとＣを含有するガスとを含む混合ガスを導入することにより、炭化珪素単結晶基板１０から炭化珪素単結晶を成長させる。例文帳に追加

The silicon carbide single crystal is grown from a silicon carbide single crystal substrate 10 being a seed crystal by arranging the silicon carbide single crystal substrate 10 being the seed crystal in a crucible 4 and introducing a mixed gas comprising a gas containing Si and a gas containing C. - 特許庁

単結晶シリコン基板１上にシリコンをエピタキシャル成長させる形成工程 において、酸素雰囲気中で単結晶シリコン基板１上に単結晶シリコンの単結晶性を崩さない程度の酸素を含有させつつ当該半導体をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

In a process (1) for epitaxially growing silicon on a single crystal silicon substrate 1, a semiconductor is grown epitaxially on the single crystal silicon substrate 1 in an oxygen atmosphere while adding oxygen to such an extent as the single crystallinity of the single crystal silicon is not collapsed. - 特許庁

ルツボ４内に種結晶となる炭化珪素単結晶基板１０を配置し、ルツボ４内に、少なくともＳｉを含有するガスとＣを含有するガスとを含む混合ガスを導入することにより、高温雰囲気下で炭化珪素単結晶基板１０から炭化珪素単結晶１６を成長させる。例文帳に追加

A silicon carbide single crystal substrate 10 becoming the species of crystal is placed in a crucible 4 and mixture gas of gas containing at least Si and gas containing C is introduced into the crucible 4 in order to grow a silicon carbide single crystal 16 from the silicon carbide single crystal substrate 10 under a high temperature atmosphere. - 特許庁

そのための成長方法として、基板表面をアルシン雰囲気での熱処理することによるバッファ層、あるいは、通常単結晶が成長しない程度の低温での多結晶体バッファ層を形成することにより、多結晶体基板上に良質な単結晶膜を形成することができる。例文帳に追加

A single crystal film having good quality can be formed on a polycrystalline substrate by an epitaxial growth method where a buffer layer is formed by heat-treating the surface of the substrate in arsin atmosphere or a polycrystalline buffer layer is formed at a temperature low enough not to start epitaxial growth of a single crystal. - 特許庁

ルツボ４内に種結晶となる炭化珪素単結晶基板１０を配置し、ルツボ４内に、Ｓｉを含有するガスと、Ｃを含有するガスとの混合ガスを混合ガス導入管１３から導入することにより、炭化珪素単結晶基板１０から炭化珪素単結晶を成長させる。例文帳に追加

A silicon carbide single crystal is grown from a silicon carbide single crystal substrate 10 being a seed crystal by arranging the silicon carbide single crystal substrate 10 being the seed crystal in a crucible 4 and introducing a mixed gas of a gas containing Si and a gas containing C from a mixed gas introducing tube 13. - 特許庁

フッ化カルシウム単結晶薄膜２の厚さが１５ｎｍ以上であれば、基板面に垂直方向にｃ軸配向し、膜面内で結晶ドメイン回転のない高品質の酸化亜鉛単結晶膜３が得られる。例文帳に追加

When the thickness of the single crystal thin film 2 of calcium fluoride is 15 nm or more, a high-quality zinc oxide single crystal film 3, which is oriented to a c axis in the vertical direction with respect to the surface of the substrate and is free from the rotation of a crystalline domain in the surface of the film, is obtained. - 特許庁

また、この血液成分採取装置１は、血小板採取バッグ２６内の空気を除去する第１の送液ポンプ１１を有し、血小板採取バッグ２６内に血小板を採取した後に、第１の送液ポンプ１１により血小板採取バッグ２６および血漿採取バッグ２５内の空気を除去する空気除去操作を行うように構成されている。例文帳に追加

The blood component sampling system 1 has a first liquid sending pump 11 for removing the air in the blood platelet sampling bag 26 and is constituted to carry out an air removing operation to remove the air in the blood platelet sampling bag 26 and the blood plasma sampling bag 25 by the first liquid sending pump 11 after sampling the blood platelets in the blood platelet sampling bag 26. - 特許庁

その部材のオーステナイト結晶粒の粒度番号が１０番を超える範囲にある。例文帳に追加

The grain size number of austenite crystal grain of the member is within a range over No.10. - 特許庁

育成容器内でフラックスおよびＩＩＩ族原料を含む融液に種結晶基板を浸漬し、窒素含有雰囲気下で、この種結晶基板上に窒化物単結晶を育成する。例文帳に追加

The nitride single crystal is grown on the seed crystal substrate in a nitrogen-containing atmosphere by immersing the seed crystal substrate in a molten liquid containing a flux and a group III starting material in a growing vessel. - 特許庁

血液成分採取装置は、採血、及び採血した血液の遠心分離を行い、得られた血漿及び血小板を血漿採取バッグ及び血小板採取バッグに蓄えた後に、血液ポンプを逆転させて、血漿採取バッグから余剰血漿を遠心ボウルを介してドナーに返還する（ステップＳ１０１）。例文帳に追加

This blood component collecting apparatus collects blood, centrifugally separates the collected blood, stores the obtained plasma and platelets in a plasma collection bag and a platelet collection bag, then reverses a blood pump and retransfuses the surplus platelets from the platelet collection bag to the donor via a centrifugal bowl (step S101). - 特許庁

分子線エピタキシー法により閃亜鉛鉱型結晶基板上に窒化物結晶を成長させる方法であって、前記閃亜鉛鉱型結晶基板の［１１１］Ａ方向から０〜４５度の角度をなす方向から、窒素原料を前記閃亜鉛鉱型結晶基板上ないし該基板上に形成された層の上に供給する工程を含むことを特徴とする窒化物結晶の成長方法。例文帳に追加

This method for growing the nitride crystal is characterized in that the method is to grow the nitride crystal on a zincblende type crystal substrate according to a molecular beam epitaxial method and comprises a step of feeding a nitrogen raw material from the direction at 0-45° from the [111] A direction of the zincblende type crystal substrate onto the zincblende type crystal substrate or a layer formed on the substrate. - 特許庁

質量％で、Ｃ：0.005％以上 0.030％以下およびSi：2.0％以上 4.5％以下を含有し、フォルステライト膜を有しない二次再結晶後の方向性電磁鋼板を、50％以上の圧下率で圧延したのち、再結晶焼鈍を行い、再結晶後の結晶粒径を最終板厚の1/2以下とする。例文帳に追加

A grain oriented silicon steel sheet after secondary recrystallization which comprises, by mass, 0.005 to 0.030% C and 2.0 to 4.5% Si, and does not have a forsterite film is rolled at a draft of ≥50%, and is thereafter subjected to recrystallization annealing so as to control the crystal grain size after the recrystallization to ≤1/2 of the final sheet thickness. - 特許庁

単結晶基板上のＳｉＣ緩衝層を用いてその上に結晶欠陥の少ない結晶性に優れるIII族窒化物半導体層を形成することができ、発光特性や高周波特性を向上させることができるようにする。例文帳に追加

To form a III nitride semiconductor layer excellent in crystallinity with few crystal defects on an SiC buffer layer formed on a single crystal substrate, and to enhance light emission characteristics and high frequency characteristics. - 特許庁

多結晶すなわち実質的に単結晶でないかアモルファスである基板２２上に多結晶III族窒化物層２８を成膜し、半導体層状構造２０を構成する。例文帳に追加

A polycrystalline III nitride layer 28 is film-formed on a substrate 22 of polycrystal, in short, substantially not a single crystal, or amorphous, to constitute a semiconductor layer structure 20. - 特許庁

SiGeC結晶を堆積したSi基板を熱アニールすることで、SiGeC結晶を緩和させると同時に、SiC微結晶を析出させて欠陥密度を低減し、薄くても欠陥の少ない緩和バッファ層を製造する。例文帳に追加

An Si substrate where an SiGeC crystal is deposited is subjected to heat annealing, thus relieving the SiGeC crystal, at the same time, depositing an SiC microcrystal for reducing defect density, and hence manufacturing the thin, relaxation buffer layer with less defects. - 特許庁

半導体デバイスへの応用が可能な、均質性を有し（ＳｉＣ結晶等の局所的構造がない）、良好な結晶性を持つＳｉＧｅＣ結晶を基板上に成長させる。例文帳に追加

To grow an SiGeC crystal that can be applied to a semiconductor device, and has uniformity (there is no local structure such as an SiC crystal) and excellent crystallinity on a substrate. - 特許庁

光デバイスなどの基板として用いられる単結晶を製造する過程で、結晶にクラックが発生しない結晶成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for growing a single crystal, which prevents cracks from being caused in a crystal in the process of producing a single crystal to be used as a substrate for an optical device or the like. - 特許庁

また、単結晶１１の引上げの妨げにならないよう、単結晶引上げ速度と同じ速度で単結晶１１と共に、熱遮蔽板５４が引き上げられるようにした。例文帳に追加

The heat shielding plate 54 is lifted together with the single crystal 11 at a speed equal to the single crystal pulling speed to prevent the hindrance to the pulling operation of the single crystal. - 特許庁

ＦＦ−ＭＯＤ法を用いて多結晶基板上に、大きい粒サイズの結晶粒からなり結晶粒界が少ない酸化物超電導薄膜を形成してＩｃの向上を図る技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology to improve Ic by forming a superconducting oxide thin film comprising large crystal grains and having few crystal grain boundaries, on a polycrystal substrate by a fluorine-free metal organic deposition (FF-MOD) method. - 特許庁

オフ角が０．５°以下とほとんどないオン基板のＳｉＣ単結晶からなる種結晶を用いてＳｉＣ単結晶を成長させる際に、異種多形のＳｉＣ単結晶の成長を防止し、高品質のＳｉＣ単結晶を製造することが可能なＳｉＣ単結晶の製造装置および製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and method for producing a silicon carbide single crystal, by which the growth of an SiC single crystal of different polymorphism is prevented and a high quality SiC single crystal is produced when the SiC single crystal is grown by using a seed crystal composed of an SiC single crystal of an ON-substrate in which the off-angle is almost zero, e.g., 0.5° or less. - 特許庁

単結晶基板１１中には遷移金属又はその窒化物もしくは酸化物の析出物がない。例文帳に追加

The transition metal or its nitride or oxide does not deposit in the substrate 11. - 特許庁

またこの基板とは格子整合しない別の化合物半導体の良質な結晶を得ることができる。例文帳に追加

Further, the superior quality of crystal of another compound semiconductor not lattice-matched with the above substrate can be obtained. - 特許庁

残留応力が低く、結晶欠陥が少ない窒化物系化合物半導体基板を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride-based compound semiconductor substrate low in residual stress and almost free from crystal defects. - 特許庁

ＣＯＸ−１およびＣＯＸ−２を阻害しない血小板凝集抑制薬の提供。例文帳に追加

To provide a platelet coagulation inhibitor not inhibiting COX-1 and COX-2. - 特許庁

加工時に割れ等の破損が生じることがない単結晶基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a single-crystal substrate without causing breakage such as a crack in processing. - 特許庁

ヒ素を含まない大型の自立したＧａＮ単結晶基板及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a large size self-supporting GaN single crystal substrate free from arsenic, and a method for producing the same. - 特許庁

窒化ガリウム単結晶基板の表面にエピタキシャル成長させる際に裏面に成長させない。例文帳に追加

To prevent growth on the rear side, when making epitaxial grow on the surface of a gallium nitride single-crystal substrate. - 特許庁

マイクロパイプ等の欠陥の少ない単結晶炭化ケイ素基板を実現する。例文帳に追加

To attain a single crystal silicon carbide substrate with little defects, such as micro pipe or the like. - 特許庁

欠陥密度の少ないＧａＮ単結晶のエピタキシャル成長基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a GaN single crystalline substrate which is epitaxially grown and has a few defect density. - 特許庁

欠陥や転位濃度の少ないダイアモンド結晶をダイアモンド以外の基板上に成長させる。例文帳に追加

To grow a diamond crystal having few defect and dislocation on a non-diamond substrate. - 特許庁

熱処理において、ベース基板支持及び単結晶半導体基板保持のトレイとして、凹部の底が深く、ベース基板に貼り付けられた単結晶半導体基板と接触しないトレイを用いて、単結晶半導体基板の熱分布の均一化を図る。例文帳に追加

In a heat treatment, uniform heat distribution in single crystal semiconductor substrates is achieved by using a tray which has depressed parts each with a large depth and is not in contact with the single crystal semiconductor substrates bonded to a base substrate as a tray for supporting the base substrate and holding the single crystal semiconductor substrates. - 特許庁

真空に保持できる結晶成長室２と、この結晶成長室２内に結晶材料用の原料を供給する原料供給部３と、結晶成長室２内に設けられ、下地用半導体基板Ｗを支持する支持部４とを備える。例文帳に追加

The crystal growing apparatus is provided with a crystal growth chamber 2 which can be kept to a vacuum state, material supplying sections 3 for supplying a crystal material into the crystal growth chamber 2, and a supporting section 4 which is installed inside the crystal growth chamber 2 to support the semiconductor substrate W for a basic material. - 特許庁

ＧａＮから成る半導体基板１の結晶成長面σでは、結晶欠陥の少ない平坦で結晶品質の良好な領域と、結晶欠陥集中領域とがａ軸方向において、略一定の周期Λ（≒４００μｍ）で繰り返し現れる。例文帳に追加

An area having less crystal defect that is flat and superior in crystal quality and another area having concentrated crystal defect appear repeatedly at a nearly constant cycle Λ (≈400 μm) in an (a) axis direction on the crystal growth surface σ of a semiconductor substrate 1 made of GaN. - 特許庁

ドライエッチングによりＧａＡｓ単結晶基板８にビアホール１０を形成するに際し、エッチング残留物が生成されない程度に酸素不純物の含有量が十分少ないＧａＡｓ単結晶基板８を用い、このＧａＡｓ単結晶基板８に対してドライエッチングを行う。例文帳に追加

When the via hole 10 is formed in a GaAs single crystal substrate 8 by dry etching, a GaAs single crystal substrate 8, in which the content of oxygen impurities is sufficiently small to an extent that an etching residual material is not formed, is used, and dry etching is applied to the GaAs single crystal substrate 8. - 特許庁

反応容器８内に、Ｓｉを含有するガスとＣを含有するガスとを含む原料ガスが導入され、種結晶となる炭化珪素単結晶基板９から炭化珪素単結晶２１が成長する。例文帳に追加

When raw material gas containing an Si-containing gas and a C-containing gas is fed into the reactor 8, a silicon carbide single crystal 21 is grown from the silicon carbide single crystal substrate 9 as the seed crystal. - 特許庁