「けっしょうばんない」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

良好な結晶配向性を維持しつつも中間層を薄膜化することで、膜の内部応力に起因する基板の反り返りを防止し、生産性にも優れた配向多結晶基材とそれを備えた酸化物超電導導体を提供する。例文帳に追加

To provide an oriented polycrystal substrate in which the warpage of a substrate caused by film internal stress is prevented by thin-filming an intermediate layer while maintaining its satisfactory crystal orientational properties, and which has excellent productivity as well, and to provide an oxide superconductor provided therewith. - 特許庁

比抵抗が１×１０^8Ω・ｃｍ〜８×１０^8Ω・ｃｍのような高い比抵抗を有し、結晶主面に平行な面内における比抵抗値および／またはキャリア移動度のばらつきが低減されたＧａＡｓ結晶基板を提供する。例文帳に追加

To provide a GaAs crystal substrate which has a high specific resistance such a specific resistance of 1×10^8 to 8×10^8 Ω cm and reduces dispersion of a specific resistance value and/or a carrier mobility within a plane parallel to a main crystal surface. - 特許庁

アニール用のヒーター３８を複数本の細長ヒーター３８ａに分割し、基板１０の両側辺が中央よりも高温になるよう加熱すると、両側辺の（１１１）結晶配向強度が高くなり、（１１１）結晶配向強度の面内分布が向上する。例文帳に追加

When a heater 38 for annealing is divided into a plurality of small heaters 38a, and heated so that both side ridges of the substrate 10 are hotter than the center part, the (111) crystal orientation intensity of the two ridges becomes higher, and the in-plane distribution of the (111) crystal orientation intensity is enhanced. - 特許庁

面方位が（１００）であるシリコンウエハ（単結晶シリコン基板）１を用い、結晶方位依存性を利用した異方性ウエットエッチングを行うことにより、壁面１１ａの面方位が（１１１）である貫通穴１１を、形成する薄膜パターンに対応させた開口部として形成する。例文帳に追加

Performing anisotropic wet etching using crystal orientation dependence using a silicon wafer (a single-crystal silicon substrate) 1 whose face direction is (100), forms penetrating holes 11, whose wall surfaces 11a have face directions of (111), as opening parts correspond to the thin film pattern made to form. - 特許庁

グラファイト基板２２中の炭素が溶融Ｆｅ−Ｓｉ合金１２内に溶解し、溶解した炭素と溶融Ｆｅ−Ｓｉ合金１２中のＳｉとが化合したＳｉＣがＳｉＣ種結晶２１を基に析出することにより、ＳｉＣ単結晶成長層１３が成長する。例文帳に追加

Carbon in the graphite substrate 22 is melted into the molten Fe-Si alloy 12, and SiC to which the molten carbon and Si in the molten Fe-Si alloy 12 combine deposits on the basis of the SiC seed crystal 21, whereby a SiC single crystal growth layer 13 grows. - 特許庁

しかし、オゾン水処理による非晶質シリコン膜表面への極薄シリコン酸化膜の成膜工程を実際の工程に適用した結果、ロット内の一部の基板に於いて、熱結晶化後の結晶質シリコン膜に渦状の模様の発生が認められた。例文帳に追加

As pretreatment of the spin doping process of a catalytic element solution, a step of forming an extremely thin silicon oxide film by ozone water treatment is practically included in the actual process. - 特許庁

フローチャネル内壁への堆積物付着によるフローチャネルの割れを防止すると共に、結晶基板上に原料ガスを効率よく供給できる化合物半導体結晶気相成長方法及び気相成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method of growing a compound semiconductor crystal in a vapor phase, by which the formation of cracks in a flow channel caused by the sticking of deposits on the inner wall of the flow channel can be prevented and a gaseous raw material can be supplied efficiently onto a crystal substrate. - 特許庁

非単結晶半導体薄膜４の膜厚を５０ｎｍ未満として、基板２上においてレーザ照射を、ライン状の光最小強度領域を有するＶ型の光強度分布１を形成するような位相シフタ５１を用いて、一方向成長に結晶化する。例文帳に追加

The film thickness of a non-single crystal semiconductor thin film 4 is set to less than 50nm, and laser irradiation is crystallized in one direction growth on a substrate 2 by using a phase shifter 51 forming V-type optical intensity distribution 1 having an optical minimum region of a line shape. - 特許庁

ＳＬＳ結晶化技術を利用して単結晶シリコンを形成する際に、既存より非晶質シリコン層を一定範囲内で厚く蒸着して、シリコン層が熔融過程で容易に凝集することを防止して、平板表示装置用薄膜トランジスタの信頼性及び生産収率を向上させる。例文帳に追加

To improve reliability and production yield of a thin film transistor for a flat-type display unit by preventing a silicon layer from becoming easily aggregated in a melting step, by thickly vapor depositing an amorphous silicon layer in a predeter mined range from existing ones, when a single crystal silicon is formed by utilizing SLS crystallization technology. - 特許庁

本発明は、良好な結晶配向性を維持しつつも中間層を薄膜化することで、膜の内部応力に起因する基板の反り返りを防止できる多結晶薄膜の提供と、臨界電流密度が高く超電導特性の良好な酸化物超電導導体を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a polycrystalline thin film capable of preventing warpage of a substrate due to internal stress of the film, by thinning an interlayer while maintaining good crystal orientation; and to provide an oxide superconductor with high critical current density and a superb superconducting property. - 特許庁

結晶ｃ軸方向の電子有効質量を（０００１）面内の電子有効質量で除した値で定義される有効質量比αが０．５以上１．５以下である炭化珪素単結晶基板上に導電性の窒化物半導体エピタキシャル薄膜を配した窒化物半導体ヘテロ構造である。例文帳に追加

In a nitride semiconductor heterostructure, a conductive nitride epitaxial thin film is provided on a silicon carbide single crystal substrate having an effective mass ratio (α) of 0.5 or more and 1.5 or less defined as a value obtained by dividing the electron effective mass in a crystal (c) axis direction with the electron effective mass in (0001) face. - 特許庁

本発明は、良好な結晶配向性を維持しつつも中間層を薄膜化することで、膜の内部応力に起因する基板の反り返りを防止し、生産性にも優れた多結晶薄膜と酸化物超電導導体を提供することを第一の目的とする。例文帳に追加

To provide a polycrystalline thin film which prevents the occurrence of warping of a substrate due to membranous internal stress by reducing an intermediate layer in its thickness while maintaining excellent crystal orientation, and which is superior in productivity; and to provide an oxide superconductive conductor. - 特許庁

一実施の形態による半導体装置は、基板上に形成された素子分離絶縁膜と、前記素子分離絶縁膜により前記基板上に区画された素子領域およびダミーパターン領域と、前記素子領域内の前記基板上に形成された第１のエピタキシャル結晶層と、前記ダミーパターン領域内の前記基板上に形成された第２のエピタキシャル結晶層と、を有する。例文帳に追加

A semiconductor device comprises: an element isolation insulating film formed on a substrate; an element region and a dummy pattern region on the substrate that are partitioned by the element isolation insulating film; a first epitaxial crystal layer formed on the substrate in the element region; and a second epitaxial crystal layer formed on the substrate in the dummy pattern region. - 特許庁

大口径の窒化物半導体結晶基板の製造に関して特殊な工程を使用しない、簡便で低コストで済む窒化物結晶基板の製造方法及び発光素子用窒化物半導体基板の製造方法、並びに発光素子用窒化物半導体基板及び半導体発光素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a nitride crystal substrate which does not use a special process with regard to the manufacture of a large diameter nitride semiconductor crystal substrate and can be carried out simply and at a low cost, and a manufacturing method of a nitride semiconductor substrate for a light emitting element, as well as a nitride semiconductor substrate for a light emitting element and a semiconductor light emitting element. - 特許庁

また、石英反応管１内で酸素を含まない雰囲気中で炭化珪素単結晶基板５上に炭化珪素薄膜を成長させる場合には酸化反応がないので、炭化珪素薄膜の劣化が防止される。例文帳に追加

In the case that the silicon carbide thin film is grown on the silicon carbide single crystal substrate 5 in an atmosphere free from oxygen in the quartz reaction tube 1, deterioration of the silicon carbide thin film is inhibited, because no oxidation reaction occurs. - 特許庁

化合物半導体単結晶基板上に薄膜半導体層をエピタキシャル成長させる際に、化合物半導体単結晶基板として、基板オフ角度の精度が不純物取り込み濃度のばらつきが所定の許容値内に収まる範囲内のものを用い、これによりシート抵抗値を所要の範囲内に収めるようにした。例文帳に追加

When the thin film semiconductor layer is epitaxially grown on the compound semiconductor single crystal substrate, the compound semiconductor single crystal substrate which has such accuracy of the substrate off angle that variations in entrapped impurity concentrations fall within prescribed acceptable values is used, and thus the sheet resistance values fall within a prescribed range. - 特許庁

ＹＳＺ基板やＭｇＯ基板などからなる基板１０１上にパルス・レーザ・デポジション法やスパッタリング法などによりアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を成長させ、このアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を反応性固相エピタキシャル成長法により結晶化させることにより単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３を形成する。例文帳に追加

An amorphous oxychalcogenide system thin film 102 is grown on a substrate 101 comprising a YSZ substrate, a MgO substrate, or the like, by the pulse laser deposition method and the sputtering method, and a single-crystal oxychalcogenide system thin film 103 is formed by crystallizing the amorphous oxychalcogenide system thin film 102 by the reactive solid-phase epitaxial growth method. - 特許庁

このため、例えば基板１１の上に遮蔽体が形成されているなどのために、複数方向からのビームが基板の上に均一に照射されなくても、基板１１の上のどの部分にも単結晶薄膜か軸配向多結晶薄膜７１の少なくとも何れかが形成されているので、目立った特性上の劣化を引き起こさない。例文帳に追加

Therefore, even if a shield is formed on the board 11 to prevent the board 11 from being uniformly irradiated with the beam, at least either the single crystal thin film or the axis-oriented polycrystalline thin film 71 is formed on every part of the board 11, so that the single crystal thin film is restrained from deteriorating in particular characteristics. - 特許庁

半導体基板Ｗの主表面上に単結晶薄膜を気相成長させる気相成長装置１００は、半導体基板Ｗを座ぐり２ｃ内で下方から水平に支持する盤状のサセプタ２を備えている。例文帳に追加

A vapor phase growing apparatus 100 for performing vapor growing of the single crystalline thin film on the main surface of the semiconductor substrate W is provided with a plate-like susceptor 2 for horizontally supporting the semiconductor substrate W from downward in a counerbore 2c. - 特許庁

結晶の対称性のミスマッチが無い半導体基板を高スループットかつ低コストで製造することが可能な半導体基板の製造方法、半導体基板、発光素子及び電子素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor substrate capable of manufacturing a semiconductor substrate having no mismatch in symmetry of crystals at high throughput and low cost, and to provide a semiconductor substrate, a light-emitting element and an electronic element. - 特許庁

ＴＭＡＨにＳｉ基板１２を浸漬して裏面エッチング窓２６からＳｉ基板１２を結晶異方性エッチングし、Ｓｉ基板１２に貫通孔１４を設ける。例文帳に追加

The Si substrate 12 is immersed in TMAH to etch crystal-isotropically the Si substrate 12 through the etching window 26 of the back side, and a through hole 14 is formed on the Si substrate 12. - 特許庁

SiC基板１１の周囲にはSiC多結晶体１３及びSiCパウダー１４を入れ、SiC基板１１の下及び黒鉛製坩堝１２の内壁にはTa板１５を設置する。例文帳に追加

A polycrystalline SiC body 13 and SiC powder 14 are placed around the SiC substrate 11, and Ta plates 15 are placed under the substrate 11 and on inner walls of the crucible 12. - 特許庁

これにより、基板１３との界面において正方晶の窒化ガリウムが混在されていない、六方晶のみの窒化ガリウム単結晶を基板１３上において生成することができる。例文帳に追加

By the method, a gallium nitride single crystal comprising only a hexagonal crystal can be grown on the substrate 13, in which tetragonal gallium nitride is not mixed on the interface between the crystal and the substrate 13. - 特許庁

このような大きな単結晶を窒化ガリウム系の半導体層形成用の成長基板に提供し、基板上には、広い面域に渡って格子欠陥のない半導体膜が形成される。例文帳に追加

Such the large crystals are provided as growing substrates for growing gallium nitride based semiconductor layers, and semiconductor membranes free from lattice defects are formed over wide area on the substrate. - 特許庁

窒化物半導体と良好な格子整合性を有する元基板を利用して、結晶欠陥の少ない高品質な窒化物半導体基板を簡易な方法で製造すること。例文帳に追加

To manufacture a high-quality nitride semiconductor substrate, having few crystal defects by using a simple method through utilization of a base substrate, having proper lattice matching with nitride semiconductor. - 特許庁

ここで、シャフト２２は、窒素富化層を有し、かつ、オーステナイト結晶粒度の粒度番号が１１番を超え、かつ、残留オーステナイト量が１０体積％以上５０体積％以下である。例文帳に追加

The shaft 22 has a nitrogen enriched layer and has the grain size number of austenite crystal grain size exceeding No.11 and the residual amount of austenite being 10 to 50 vol.%. - 特許庁

大口径であり，機械的強度が高く，結晶欠陥が少ない半導体基板，およびその半導体基板を利用した半導体装置，およびそれらの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a large-diameter semiconductor substrate having high mechanical strength with few crystal defects, to provide a semiconductor device which uses the semiconductor substrate, and to provide their manufacturing method. - 特許庁

結晶欠陥の少ない窒化物半導体のエピタキシャル膜を成長可能な窒化物半導体用成長基板と、その基板を用いた窒化物半導体発光素子、並びにその発光素子の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor growth substrate on which an epitaxial film of a nitride semiconductor reduced at its crystal defects is allowed to grow, a nitride semiconductor light emitting element using the substrate, and a method for manufacturing the light emitting element. - 特許庁

本発明に係る薄膜トランジスタは、基板と、前記基板上に多結晶ないし非晶質の酸化チタニウムを用いて形成される活性層と、前記活性層上に形成される絶縁膜とを含む。例文帳に追加

The thin-film transistor includes a substrate, an active layer formed thereon by using a polycrystalline or amorphus titanium oxide, and an insulating film formed on the active layer. - 特許庁

共通液室９内であって、基板１の裏面側には断面略三角形状の梁１が、結晶異方性エッチングによって基板１の部材と一体に形成されている。例文帳に追加

The section appropriately triangular shape beam 1 is integrally formed with the member of the substrate 1 by a crystal anisotropic etching in the common liquid chamber 9, on the back surface side of the substrate 1. - 特許庁

結晶性が良好で亀裂や反りのない良質の窒化物半導体基板を高い生産性で製造することができる窒化物半導体基板の製造方法を提供する例文帳に追加

To provide a method for fabricating a high quality nitride semiconductor substrate having good crystallinity without cracks nor warpage with high productivity. - 特許庁

フォトニックバンドギャップのバンド幅が狭く、且つ光遮断性に優れ、含有する有機成分の熱分解を伴う程の加熱処理工程を必要としない、光応答性フォトニック結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a photoresponsive photonic crystal having narrow bandwidth of a photonic band gap and excellent light shielding properties and dispensing with a heat treatment step involving thermal decomposition of a contained organic component. - 特許庁

単結晶ＳｉＣ基板と炭素原料供給板とを含む積層構造を容器６ａ内に収納し、この容器６ａを密閉容器７内に収納して熱処理を行う。例文帳に追加

A layered structure containing a single crystal SiC substrate and a carbon source material supply plate is stored in a container 6a, and the container 6a is stored in a sealed container 7 and subjected to heat treatment. - 特許庁

基板面内で非対称な結晶特性を持っている基板に対して、エピタキシャル薄膜の面内分布を打ち消すことが可能な温度分布を得ることができる気相成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor-phase epitaxial device which obtains a temperature distribution that can cancel an in-surface distribution of an epitaxial thin film on a substrate having crystal characteristics nonsymmetric in the substrate surface. - 特許庁

基板の放熱性が高くて基板に形成される窒化物半導体層の結晶欠陥が少ない窒化物半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor device having a substrate high in heat radiation capability and small in a crystal defect of a nitride semiconductor layer formed on the substrate, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

これにより、偏波無依存のフォトニックバンドギャップが大きく、かつ、高屈折率部分の屈折率を大きくしてもバンドギャップの飽和や減少が生じないフォトニック結晶を提供することが可能となる。例文帳に追加

This provides a photonic crystal in which a photonic bandgap that does not depend upon polarization is large and the bandgap is not saturated or reduced even though the refractive index of a high refractive index part is increased. - 特許庁

これはＸ板水晶基板が結晶軸に対して熱膨張が少ないので、Ｚ板水晶基板に比べて歪みがおきにくく、割れる確率が低くなる。例文帳に追加

Since thermal expansion of the X-plate crystal substrate is lesser for the crystal axis, distortion is not easily generated in comparison with the Z-plate crystal substrate and probability of crack becomes lower. - 特許庁

結晶シリコン基板の格子間酸素濃度を１×１０^１８ｃｍ^−３以下とすれば、ＳＯＩ基板のシリコン層（ＳＯＩ層）の電気的特性（抵抗率）の変動が実用上問題ない程度に抑えられる。例文帳に追加

Taking the interstitial oxygen concentration of the silicon substrate 1×10^18 cm^-3 or less can decrease the fluctuation in the electric characteristics (resistivity) of a silicon layer (SOI layer) of the SOI substrate to a degree free from problems in practical use. - 特許庁

基板１の主表面上に、基板１に含まれないＩｎ系化合物またはＺｎ系化合物を構成材料とする前段バッファ層２’を多結晶層またはアモルファス層として積層形成させる。例文帳に追加

On the main surface of a substrate 1, a pre-stage buffer layer 2', composed of an In-based compound or a Zn-based compound which are not contained in the substrate 1, is laminated as a polycrystal layer or an amorphous layer. - 特許庁

犠牲層２３が貫通孔１４内に露出したら、犠牲層２３がエッチング除去し、保護膜２４とＳｉ基板１２の間に隙間１９を生成し、Ｓｉ基板１２を表面側と裏面側から結晶異方性エッチングする。例文帳に追加

When the sacrificial layer 23 is exposed in the through hole 14, the sacrificial layer 23 is removed by etching, then a clearance 19 is produced between the protection film 24 and Si substrate 12, and the Si substrate 12 is etched crystal-isotropically from both sides of surface and back. - 特許庁

こうしたスタンパは、基板上に凹凸パターンを形成する工程と、その凹凸パターンの上にＸ線回折において結晶性ピークを有していない材料１１０の層を形成する工程と、前記基板及び前記凹凸パターンと、前記Ｘ線回折において結晶性ピークを有していない材料１１０の層との密着面を剥離する工程とを含む方法で製造できる。例文帳に追加

The stamper can be produced by a method including: a stage where a rugged pattern is formed on a substrate; a stage where a layer of the material 110 having no crystalline peak in X-ray diffraction is formed on the rugged pattern; and a stage where the adhesion face among the substrate, the rugged pattern and the layer of the material 110 having no crystalline peak in X-ray diffraction is peeled. - 特許庁

大気圧プラズマ中には多数の原子や分子などが存在することから、大気圧プラズマ中のイオンは単結晶ＡｌＮ基板６の表面６Ａに衝突する前に何らかの原子や分子と衝突し、直接単結晶ＡｌＮ基板６の表面６Ａに衝突しないので、表面６Ａにダメージを与えない。例文帳に追加

Since there exist many atoms, molecules, etc. in the atmospheric pressure plasma, ions in the atmospheric pressure plasma collide against atoms and molecules of some sort before colliding with the surface 6A of the single crystal AlN substrate 6 and do not directly collide against the surface 6A of the single crystal AlN substrate 6, thus causing no damage to the surface 6A. - 特許庁

化学研磨で、単結晶サファイア基板を研磨しても表面粗さは平坦化されているものの、凹凸分布に規則性が見られないため、窒化物半導体をエピタキシャル成長させるのに適していない。例文帳に追加

To solve the problem of a single-crystal sapphire substrate that even though surface roughness is planarized, after chemical polishing, no regularity is seen in its roughness distribution, therefore it is not suitable for the epitaxial growth of a nitride semiconductor. - 特許庁

例えば、成長表面としての単結晶シリコン基板上にピエゾ電気膜をエピタキシャル成長させることにより、粒界がほとんどないまたは全くない改良されたピエゾ電気膜が製造される。例文帳に追加

For example, by epitaxially growing the piezoelectric film on a single crystal silicon substrate as the growing surface, an improved piezoelectric film completely or nearly free from a grain boundary is manufactured. - 特許庁

湾曲結晶部分１２と基板部分１３の線膨張係数が同一又は殆ど差がないため、化学エッチング処理を行っても湾曲表面に割れの生じないゲルマニウム湾曲分光素子１５を得ることができる。例文帳に追加

Since the coefficient of linear expansion of the curved crystal 12 and that of the substrate are identical or substantially without a difference from each other, the germanium curved spectral element can be obtained that will not produce cracks in its curved surface, even if it is subjected to chemical etching treatment. - 特許庁