「けっしょうばんない」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

新規で有用な結晶方位を有するタンタル酸リチウム単結晶基板を用いて、通過帯域特性の挿入損失や帯域内偏差が最適な弾性表面波フィルタを提供すること、及び、所望の比帯域幅を有する弾性表面波フィルタを容易に設計できる、圧電結晶基板の最適な方位決定方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a surface acoustic wave filter which has the optimum insertion loss of passing band characteristics and the optimum in-band deviation by using a lithium tantalate single-crystal substrate which has a new and useful crystal azimuth and to provide the optimum azimuth determining method for a piezoelectric crystal substrate which makes it possible to easily design a surface acoustic wave filter having a desired specific band width. - 特許庁

すなわち、本方法によれば、加圧及び加熱によって鉄板１３’内に多結晶ダイヤモンド基板１２を構成する炭素の原子又は分子が拡散していくため、鉄板１３’の表面パターン形状に併せて多結晶ダイヤモンド基板１２の表面が加工される。例文帳に追加

Since the carbon atoms or molecules constituting the polycrystalline diamond substrate 12 are diffused into the iron plate 13' by the pressing and heating, the surface of the polycrystalline diamond substrate 12 is processed in the form of the surface pattern of the iron plate 13'. - 特許庁

少なくとも一対の赤外線発生源と反射鏡とからなる赤外線照射装置により、反応器内部に基板ホルダーを介して固定した着色基板の単結晶成長面両面を略均一に加熱して、単結晶を製造する。例文帳に追加

The single crystal is manufactured by nearly uniformly heating both the surfaces of the colored substrate for growing single crystal, fixed at the inside of a reactor through a substrate holder, by an infrared irradiation device having at least a couple of infrared generation sources and reflecting mirrors. - 特許庁

血管内にステントが留置されているときの血小板血栓形成過程の数学モデルを開発し、先ず、予め記憶されたステントの特性に関する情報を参照して、予め記憶された計算式から、血小板の活性化グレードに対応した接着力を計算する計算式を選択する。例文帳に追加

The mathematical model of a platelet thrombus forming process when the stent is indwelled inside the blood vessel is developed, information relating to the characteristics of the stent stored beforehand is referred to first, and a calculating formula for calculating adhesive strength corresponding to the activation grade of thrombocytes is selected from the calculating formulas stored beforehand. - 特許庁

オフ角度の小さな炭化珪素単結晶基板上に、高品質でドーピング密度の面内均一性に優れた炭化珪素エピタキシャル膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an epitaxial silicon carbide single-crystal substrate in which a high-quality silicon carbide epitaxial film having excellent in-plane uniformity of doping density is disposed on a silicon carbide single-crystal substrate having a small off angle, and to provide a method for producing the same. - 特許庁

詳しくは、凸量よりも平均粒径（Ｄ５０）が大きな多結晶ダイヤモンド砥粒４１を選択し、この多結晶ダイヤモンド砥粒４１を固定したポリッシング定盤４３を用いてポリッシング加工を行い、多層セラミック基板１を得た。例文帳に追加

More specifically, the polycrystal diamond abrasive grains 41 larger in the average particle diameter (D50) than in the convex amount is selected, and the polishing is performed by using a polishing plate 43 for polishing with the polycrystal diamond abrasive grains 41 fixed thereon to obtain the multilayer ceramic substrate 1. - 特許庁

また、単結晶基板１は、主成分がシリコンからなる単結晶基板であって、孔径１０〜２００ｎｍ、螺旋径１００〜６００ｎｍの螺旋状の孔が形成されており、その孔の底に銀、白金及びパラジウムのうちから選ばれる一種以上の金属の微粒子が存在することを特徴とする。例文帳に追加

In the single-crystal substrate 1, a main constituent is silicon, spiral holes each having a hole diameter of 10-200 nm and a spire diameter of 100-600 nm are formed, and a fine particle of one or more kinds of metals selected from among silver, platinum and palladium is present in the bottom of each hole. - 特許庁

５本の第１電極３３３が電気光学結晶基板３３１の周期分極反転構造内を進む入射光ＬＩの進行方向Ｚと略垂直なＸ方向に互いに離間して電気光学結晶基板３３１の一方主面３３２上に配列されている。例文帳に追加

Five lines of first electrodes 333 are arrayed on one side principal surface 332 of an electro-optical crystalline substrate 331, while they are separated from one another in the X direction that is substantially vertical to the traveling direction Z of incident light L1 which travels in a periodically polarization-reversed structure of the electro-optical crystalline substrate 331. - 特許庁

血液成分採取装置１は、第１および第２の血小板採取バッグ２６ａ、２６ｂ、第８および第９の流路開閉手段８８、８９、濁度センサ１９、中間バッグ２７ａ内の濃厚血小板を分配する分配操作において、その制御を行なう制御部３を有する。例文帳に追加

The blood component collector 1 has first and second platelet collection bags 26a and 26b, eighth and ninth channel opening and closing means 88 and 89, a turbidity sensor 19, and a control section 3 which controls a distribution operation to distribute concentrated blood platelets in an intermediate bag 27a. - 特許庁

浸漬手段は、坩堝移動手段によって第１チャンバ内で並列になるように配置される２つの坩堝のうちから選択される１つの坩堝に下地基板を浸漬し、下地基板の結晶生成面で多結晶シリコンウエハを凝固成長させる。例文帳に追加

The dipping means can dip the ground substrate into one of crucibles selected from the two crucibles that are arranged in parallel within the first chamber by the crucible-transferring means, and can grow by solidification of a polycrystalline silicon wafer on the surface for crystalline growth of the ground substrate. - 特許庁

一方の光ファイバ５内に光を伝搬させつつ外力印加手段３によってホトニック結晶２に外力を印加すると、ホトニック結晶２のホトニックバンドギャップが変化し、このホトニックバンドギャップに応じた波長の光が他方の光ファイバ５から出力されることとなる。例文帳に追加

When the external force is impressed to the photonic crystal 2 by the external force impressing means 3, while the light is propagated into the one optical fiber 5, the photonic band gap of the photonic crystal 2 is changed and the light of the wavelength meeting this photonic band gap is eventually outputted from the other optical fiber 6. - 特許庁

本発明の光ファイバアレイ用基板１０は、ガラス、又は非晶質ガラス中に結晶を析出させた結晶化ガラスからなり、上面に複数の光ファイバ固定用のＶ溝１２が形成されており、光ファイバアレイ用基板１０の内部にＶ溝１２に略平行な孔部１１を有する。例文帳に追加

The substrate 10 for the optical fiber array is made of glass or crystallized glass made by depositing crystal in amorphous glass and has a plurality of V grooves 12 for optical fiber fixation formed on its top surface and also has a hole part 11 nearly parallel to the V groove 12 in the substrate 10 for the optical fiber array. - 特許庁

半導体ウェーハの電気的特性を測定する一方、該半導体ウェーハの主表面に、半導体結晶格子により回折現象を起こしうる一定波長の入射線ビームを入射させたときの、該半導体単結晶基板からの特定結晶面に由来する回折線の測定を行ない、該回折線の測定情報と電気的特性との関係（回折線／特性関係）を決定する。例文帳に追加

Electric characteristics of a semiconductor wafer are measured, while measuring diffracted rays derived from a prescribed crystal face from a semiconductor single crystal substrate when incident beams of fixed wavelength which cause a diffraction phenomenon due to a semiconductor crystal lattice are incident on a main surface of the semiconductor wafer, and a relation (diffracted rays/characteristic relationship) between measurement information of the diffracted rays and the electric characteristics is determined. - 特許庁

基板上に形成された薄膜半導体装置の製造方法において、半導体膜が結晶性の良い大粒径の結晶粒から成り、チャネル形成領域の結晶粒界の位置が制御されており、電気特性が良く、寄生バイポーラ効果が抑制されており、電気特性ばらつきの少ない薄膜半導体装置を製造する方法を提供する例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a thin-film semiconductor device where a semiconductor film comprises crystal grains having excellent crystallinity and large particle size, the position of a crystal grain boundary in a channel formation region is controlled, electrical characteristics are superior, parasitic bipolar effect is inhibited, and variation in the electrical characteristics is small in the manufacturing method of the thin-film semiconductor device formed on a substrate. - 特許庁

基板上に形成された薄膜半導体装置の製造方法において、半導体膜が結晶性の良い大粒径の結晶粒から成り、チャネル形成領域の結晶粒界の位置が制御されており、電気特性が良く、短チャネル効果を抑制することができ、電気特性ばらつきの少ない薄膜半導体装置を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a thin film semiconductor device which is formed on a substrate to exhibit various merits that semiconductor film is formed of large size crystal particle having excellent crystallization property, location of crystal particle of channel forming area is controlled, electrical characteristics is excellent and short channel effect can be suppressed. - 特許庁

結晶欠陥や反り、割れ、剥離などが発生しない厚膜状の磁性ガーネット単結晶膜を、高品質で歩留まり良く、液相エピタキシャル成長により安定して、低コストで形成することができる磁性ガーネット単結晶膜形成用基板、光学素子およびその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a substrate for forming a magnetic garnet single crystal film with which a thick magnetic garnet single crystal film free from the generation of a crystal defect or warp, a crack, peeling or the like, and having high quality can be formed stably at a low cost and in a high yield by liquid phase epitaxial growth; and to provide an optical element and a method for manufacturing the same. - 特許庁

このようにする場合、プラズマイオン注入法でｉｍｐｕｒｉｔｙの濃度を精密に制御しつつも直接に半導体基板にｉｍｐｕｒｉｔｙをイオン注入しないために基板の結晶構造を損傷させない。例文帳に追加

In this case, impurity concentration is precisely controlled by a plasma ion implantation method, but impurity ions are not implanted directly into the semiconductor substrate, so that the crystalline structure of the substrate is not damaged. - 特許庁

圧電デバイス用基板の製造方法と圧電デバイス用基板、及びこれを用いた弾性表面波デバイスにおいて、結晶中の欠陥等が少ないとともに、バラツキの少ない伝搬速度が得られること。例文帳に追加

To obtain the propagation rate with little scattering while there are few defects or the like in the crystal in a manufacture method of a board for a piezoelectric device, the board for the piezoelectric device, and a surface acoustic wave device using this. - 特許庁

本発明は、高濃度にボロンドープされたシリコン単結晶ウェーハであって、該ウェーハを基板に用いてエピタキシャル成長されたミスフィット転位の発生しない低濃度のボロンドープシリコン単結晶エピタキシャルウェーハを提供する。例文帳に追加

To provide a low concentration boron-doped silicon single crystal epitaxial wafer which is formed by epitaxial growth using a substrate which is a high concentration boron-doped silicon single crystal wafer and does not cause miss-fit dislocation. - 特許庁

絶縁性基板上に、接着剤を用いないで単結晶シリコン集積回路を作製すると共に、単結晶シリコン集積回路の活性領域が水素イオン注入等のダメージを受けず、素子本来の特性を十分に発揮することのできる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device where a single crystal silicon integrated circuit is made on an insulating substrate without an adhesive, an active area does not receive damage due to a hydrogen ion implantation etc., and the proper characteristic of the device can be sufficiently shown. - 特許庁

化合物半導体結晶基板１１上に、化合物半導体結晶を気相エピタキシャル成長させる化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置１０において、反応炉１８内で原料ガス流路Ｇを形成する反応管１６内にスロープ２３を有する。例文帳に追加

In a compound semiconductor epitaxial wafer manufacturing apparatus 10 in which a compound semiconductor crystal is subjected to vapor phase epitaxial growth on a compound semiconductor crystal substrate 11, a slope 23 is provided in a reaction tube 16 which forms a material gas passage G in a reactor 18. - 特許庁

転位の低減された、結晶性が良好な窒化物半導体を得ることができる窒化物半導体の成長方法を提供することであり、更に、得られた結晶性が良好で且つ転位の少ない窒化物半導体を基板とする窒化物半導体素子を提供することである。例文帳に追加

To provide a method of growing a nitride semiconductor capable of obtaining a nitride semiconductor whose transposition is reduced and which is excellent in crystallinity and to provide the nitride semiconductor device using the nitride semiconductor where an obtained crystallinity is excellent and transposition is scarce as a substrate. - 特許庁

透明導電膜を結晶化させることにより透明電極の耐薬品性を高めることができると共に、透明導電膜の結晶化時に高分子材料基板を変形・劣化させることがない透明電極の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a transparent electrode in which chemical resistance of the transparent electrode is increased by crystallizing a transparent conductive film, and the polymer material substrate is not deformed or deteriorated in crystallization of the transparent conductive film. - 特許庁

微結晶シリコン膜を光電変換層に適用した薄膜系の太陽電池を形成する場合に、所定の結晶方位配向性を有する光電変換層の薄膜形成を阻害しない太陽電池用基板の製造方法を得ること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a substrate for a solar cell, the method not inhibiting thin-film formation of a photoelectric conversion layer having a predetermined crystal orientation property when forming a thin film-based solar cell with a microcrystal silicon film applied to the photoelectric conversion layer. - 特許庁

ＺｒＢ_２又はＴｉＢ_２の単結晶には、０．０５〜３重量％以下のＭｏＢ_２若しくはＷＢ_２の少なくとも一つを含有し、単結晶には、亜粒界を含まないので、半導体層を成長形成するための主面を有する基板とすることができる。例文帳に追加

The ZrB_2 or TiB_2 single crystal containing 0.05-3 wt.% at least either MoB_2 or WB_2 is freed from a subordinate grain boundary, so that it can be used as a substrate having the principal face for growing a semiconductor layer. - 特許庁

その結果、支持基板５００と単結晶シリコン層２３０の熱膨張係数の差に由来する熱応力が溝２６０で緩和されるため、貼り合わせ強度向上させるための熱処理や酸化工程などを行っても、転位やクラックのない高品位な単結晶シリコン層を得られる。例文帳に追加

As a result, thermal stress due to the difference of coefficients of thermal expansion between a retaining substrate 500 and the single crystal silicon layers 230 is relieved by the trenches 260 so that a single crystal silicon layer of high quality is obtained wherein dislocation and cracks are not developed even if thermal treatment, an oxidation process, etc., which are used for improving sticking intensity are performed. - 特許庁

ＧａＮなどの良質な六方晶系の窒化物半導体結晶を成長させるのに適した、ＺｎＯ薄膜付き石英基板において、半導体結晶成長時に ７００〜９００ ℃の温度に加熱されても、ＺｎＯ系薄膜にマイクロクラックが発生しないよう、耐熱性を改善する。例文帳に追加

To provide a quartz substrate with a zinc oxide thin film suitable for growing a good quality hexagonal system nitride semiconductor crystal such as GaN, which has heat resistant properties so that micro cracks are not generated on the zinc oxide thin film, even if it is heated to a temperature of 700-900°C at the time of the growth of the semiconductor crystal. - 特許庁

単結晶Ｓｉ薄膜を有する特性の安定した大型かつ安価な基板であり、単結晶Ｓｉ薄膜の接合強度および接合界面に働く応力にムラやバラツキのない半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device using a large and inexpensive substrate showing the stable characteristics, which also includes a single crystal Si thin film and not generating any variations and fluctuations in the junction strength of the single crystal Si thin film and in the stress working on the junction interface, and also to provide a method of manufacturing the semiconductor device. - 特許庁

芳香族ポリエステル系樹脂積層体として、結晶化ピーク温度が１３０〜１８０℃である芳香族ポリエステル系樹脂を予備発泡させて得た、結晶化度が１〜８％の範囲にある予備発泡粒子を型内発泡成形した型内発泡成形体と金属板とを積層一体化する。例文帳に追加

The aromatic polyester resin laminate is manufactured by integrally laminating an in-mold foamed molded object, which is formed by the in-mold foam molding of prefoamed particles with a degree of crystallization of 1-8% obtained by prefoaming an aromatic polyester resin with a crystallization peak temperature of 130-180°C, to a metal panel. - 特許庁

単結晶シリコンに対し選択性を有するストッパとして結晶状態の乱れの少ないものを採用し、かつそのストッパをデバイス形成層に有効利用することが可能な、貼り合わせ法によるＳＯＩ基板の製造方法を実現する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a SOI substrate through a pasting method, wherein the material having few crystal disorders is used for a stopper which has a selectivity with respect to crystalline silicon to effectively use the stopper for a device forming layer. - 特許庁

この時、前記第２透明電極は別途のＰＲパターニング工程を行わないで、基板の全面に透明電極を形成した後、これを部分的に結晶化して、非晶質と結晶質の選択的エッチングを通じてパターニング工程を行う。例文帳に追加

At this time, a separate PR patterning step is not performed to the second transparent electrode and after the transparent electrode is formed on the entire surface of the substrate, the transparent electrode is partially crystallized and a patterning step is performed through selection etching of an amorphous and crystal states. - 特許庁

深い凖位への遷移による発光が抑制されてバンド端発光が支配的となり、室温付近でも高効率発光する、結晶欠陥、結晶転位が生じ難く、かつ立方晶ＢＮの混在が極めて少ない六方晶ＢＮ膜を有する半導体発光素子を実現すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor light emitting device which hardly has crystal defects and crystal dislocation and includes a hexagonal-crystal BN film with very little mixture of cubic-crystal BN and which emits light with high efficiency near room temperature since light emission by transition to a deeper level is suppressed and band-edge emission becomes predominant. - 特許庁

シリコン結晶育成時に例えばリンとゲルマニウムが一緒に高濃度ドープされたシリコン結晶基板上に、シリコンエピタキシャル層をＣＶＤ法で成長させるプロセスにおいて、そのプロセス温度を１０００〜１０９０℃の範囲内（より望ましくは、１０５０〜１０８０℃）の範囲内にする。例文帳に追加

The process temperature of a process of growing a silicon epitaxial layer by a CVD method on the silicon crystal substrate doped with, for example, phosphorus and germanium together during the growth of silicon crystal is set within a range of 1,000 to 1,090°C (preferably, 1,050 to 1,080°C). - 特許庁

基板１０５上に活性層を介してフォトニック結晶層１３０を有する面発光レーザであって、前記フォトニック結晶層は、少なくとも面内方向に共振させる第１の周期構造と、面内方向の光の強度分布を変調させる第２の周期構造とを有する。例文帳に追加

The surface emitting laser has a photonic crystal layer 130 on a substrate 105 via an active layer, wherein the photonic crystal layer has a first periodic structure that resonates at least in the direction of plane and a second periodic structure that modulates the intensity distribution of light in the direction of plane. - 特許庁

また、半導体結晶成長用基板本体１１の表面１３の保護膜１４が形成されていない領域上にＡｌＮからなるバッファ層２１を形成し、バッファ層２１上に膜厚が３μｍのＧａＮ結晶からなる半導体層２２を形成する。例文帳に追加

Further, a buffer layer 21 made of AlN is formed in a region where the protective film 14 is not formed, on the surface 13 of the substrate body 11 for growing a semiconductor crystal, and a semiconductor layer 22 comprising a GaN crystal having a film thickness of 3 μm is formed on the buffer layer 21. - 特許庁

表面における結晶軸のばらつきが少ないＧａＮ基板の製造方法、ＧａＮ基板及びこのＧａＮ基板を用いて作製した半導体デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a GaN substrate manufacturing method by which the variation of crystal axis in the surface is reduced, a GaN substrate, and a semiconductor device fabricated by using the GaN substrate. - 特許庁

基板１０１上の半導体層１０３に基板温度１００℃以下で光照射による半導体層１０３の結晶化をおこない、しかる後に基板温度１００℃以下で半導体層１０３にプラズマ処理を施す。例文帳に追加

Light is radiated onto a semiconductor layer 103 on a substrate 101 at 100°C or lower in substrate temperature for crystallization, and then the semiconductor layer 103 is treated by a plasma at 100°C or lower in substrate temperature. - 特許庁

透明なサファイア基板にシリコン単結晶を形成して、このシリコン薄膜にＬＳＩを形成するＳＯＳプロセスにおいて、基板の裏面に形成された光透過防止膜により基板に反りが生じないようにする。例文帳に追加

To prevent a board from being warped by forming a silicon film where an entire film is turned amorphous on the backside an insulating board before a semiconductor device is formed as a light transmission prevention film. - 特許庁

ＧａＮ自立基板１１において、基板表面に垂直な結晶方位がＣ軸方向から０．０９°以上傾斜していると同時に、基板面内におけるその傾きのばらつきが、±１°以内とする。例文帳に追加

In a GaN self-standing substrate 11, the crystal orientation vertical to the substrate surface is set to be inclined by 0.09° or more from the C-axis direction, and at the same time, the dispersion in the inclination within the substrate surface is suppressed to be within ±1°. - 特許庁

圧力容器内において、珪素が溶解したリチウムフラックス２３に炭化珪素単結晶基板２５を接触させる工程と、前記圧力容器内にメタン２６を導入し、前記リチウムフラックス２３に前記メタン２６を接触させることにより、前記リチウムフラックス２３から前記単結晶基板２５上に２Ｈ炭化珪素単結晶２７を成長させる工程とを包含する炭化珪素単結晶の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing a silicon carbide single crystal includes a process for bringing a silicon carbide single crystal substrate 25 into contact with a lithium flux 23 in which silicon dissolved in a pressure vessel, and a process for growing a 2H silicon carbide single crystal 27 on the single crystal substrate 25 from the lithium flux 23 by introducing methane 26 into the pressure vessel and bringing the methane 26 into contact with the lithium flux 23. - 特許庁

湾曲した窒化物半導体結晶から、面内および基板間で格子面方向のばらつきが少ない窒化物半導体基板を得る方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a nitride semiconductor substrate having a less fluctuation in the direction of a grating surface in the surface and between substrates from a curved nitride semiconductor crystal. - 特許庁

本発明では、非晶質半導体薄膜を基板あるいは絶縁膜上に堆積するにあたり、特に、その膜を構成する主元素からなる非晶質膜の平均原子間隔分布が、単結晶の平均原子間隔分布にほぼ一致するように形成し、これに再結晶化エネルギーを付与し固相成長を行い単結晶半導体薄膜３を形成する。例文帳に追加

A recrystallization energy is applied to the amorphous film to form a single crystal semiconductor film 3 with solid phase growth. - 特許庁

近接配置される半導体膜の一方のみを精度良く選択的に結晶化することができ、アモルファスＴＦＴと微結晶シリコンＴＦＴを同じ透明絶縁性基板上に同時に形成することや、非晶質シリコンと微結晶シリコンが一つの半導体層内で混在したＴＦＴを得ることが可能となる。例文帳に追加

To accurately and selectively crystallize only one of semiconductor films arranged adjacent to each other, to form an amorphous TFT and a microcrystal silicon TFT on the same transparent insulating substrate at the same time, and to provide a TFT with amorphous silicon and microcrystal silicon mixed in a semiconductor layer. - 特許庁

成長工程では、加熱制御を行うことで、Ｓｉ融液層７１ａが、３Ｃ−ＳｉＣ多結晶層７２からＣとＳｉとを取り込むとともに、取り込んだＣとＳｉ融液層中のＳｉとを結合させることで、当該単結晶ＳｉＣ基板７０に４Ｈ−ＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

In the growing process, heating control is effected to allow the Si molten solution layer 71a to take C and Si in from the 3C-SiC polycrystal layer 72 and the C taken in is coupled with the Si in the Si molten solution layer, whereby epitaxial growth of a 4H-SiC monocrystal on the monocrystal SiC base 70 is effected. - 特許庁

大口径の基板を多数同時に処理することが可能であるとともに、構造が簡単で、反応室内の断熱性も十分で処理時間の短縮化が図れ、しかも結晶膜の純度も良好で、得られた結晶のばらつきも可及的に少なくすることができる半導体結晶の成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a simple-structured semiconductor crystal growth apparatus which can treat many substrates having a large diameter at the same time, can shorten the treatment time due to the sufficient heat insulation property of a reaction chamber, can attain high purity for a crystal film, and can make the variation in obtained crystals as small as possible. - 特許庁