「けっしょうばんない」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

エピタキシャル層表面の平坦化及び当該エピタキシャル層内の結晶欠陥の低減が可能なＧａＮ単結晶基板、窒化物系化合物半導体エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a GaN single crystal substrate capable of flattening the surface of an epitaxial layer and reducing crystal defects in the epitaxial layer, to provide a nitride compound semiconductor epitaxial substrate and to provide its manufacturing method. - 特許庁

熱処理を行い、損傷層に亀裂を生じさせて支持基板上に単結晶半導体層を残存させたまま単結晶半導体基板を剥離して除去する。例文帳に追加

Heat treatment is performed, the damaged layer is cracked to separate the single crystal semiconductor substrate for removal while a single crystal semiconductor layer remains on the support substrate. - 特許庁

血小板を染色するための色素としてカプリブルー、ナイルブルー及びブリリアントクレシルブルーからなる群より選択される少なくとも１種の色素を含有する血小板測定用試薬により、上記の課題を解決する。例文帳に追加

The reagent for measuring the platelet contains at least one kind of a coloring matter selected from the group consisting of capriblue, nileblue and briliant cresylblue. - 特許庁

半導体結晶基板１５の一面に、フッ化物を含有する電解液（ＨＦ）を接触させ、フッ化物を含有する電解液（ＨＦ）内に電極２５を配置し、電極と結晶基板との間に電源２７を配置して通電する。例文帳に追加

Electrolyte (HF) containing fluoride is brought into contact with one surface of a semiconductor crystal substrate 15, an electrode 25 is arranged in the electrolyte (HF) containing the fluoride, and a power supply 27 is arranged between the electrode and the crystal substrate for conduction. - 特許庁

光学結晶基板に形成された光導波路に、光学結晶基板の端面とは独立して、欠陥の無い光導波路の光入出射用端面を精度良く形成し、光学素子を製造する。例文帳に追加

To manufacture an optical element by accurately forming the end face for optical incidence and emission of an optical waveguide free from defects to the optical waveguide formed on an optical crystal substrate independently of the end face of the optical crystal substrate. - 特許庁

また、絶縁性基板１にシリコンナイトライド膜８あるいはシリコンカーバイド膜を設け、基板との界面付近で多結晶Ｓｉ層に発生する結晶欠陥の影響をなくす。例文帳に追加

In addition, a silicon nitride film 8 or a silicon carbide film is formed in the insulation substrate 1, thereby eliminating an influence of a crystal defect occurring in the polycrystalline Si layers near the boundary of the substrate. - 特許庁

複数枚の絶縁層被覆単結晶半導体基板に対して効率よくイオン注入を行い、大面積の単結晶半導体層を備えた半導体基板の作製方法を提供することを課題の一とする。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate containing a single crystal semiconductor layer of large area by efficiently implanting ion into a plurality of insulating layer covering single crystal semiconductor substrates. - 特許庁

ほぼ平坦な面を有する単結晶基板と、シリコン・オン・インシュレータ領域を有する、平坦面上の第１の面領域と、単結晶バルク領域である、平坦面上の第２の面領域と、シリコン・オン・インシュレータ領域内に形成された埋込み論理デバイスと、単結晶バルク領域内に形成された埋込みメモリ・デバイスと、バルク単結晶領域内のトレンチとを備える。例文帳に追加

This device comprises a monocrystal substrate having an almost flat surface, a first surface region on the flat surface having a silicon on insulator region, a second surface region on the flat surface which is a monocrystal bulk region, an embeded logic device which is formed in the silicon on insulator region, an embedded memory device which is formed in the monocrystal bulk region, and a trench in the bulk monocrystal region. - 特許庁

基板１０上にエピタキシャル層１１、１２、１３を成長させる前に、結晶成長炉内にアルシンと有機砒素原料とを同時に導入することにより、結晶成長炉内の残留セレンがアルシンと反応してセレン化水素となって結晶成長炉外へ排出されるので、結晶成長炉内の残留セレンが除去される。例文帳に追加

The simultaneous introduction of arsine and organoarsenic material into the crystal growth furnace before the growth of epitaxial layers 11, 12, and 13 on a substrate 10, makes the residual selenium in the crystal growth furnace to react with arsine to produce hydrogen selenide exhausted to the outside of the crystal growth furnace, resulting in removing the residual selenium in the crystal growth furnace. - 特許庁

血小板を血路壁からはぎ取らないようにして、カニューレから患者の血路内へ血液を供給する。例文帳に追加

To feed blood into a blood path of a patient from a cannula while thrombocytes are not stripped off from the wall of the blood path. - 特許庁

更に、トレンチ素子分離領域の形成されていないシリコン基板１内部に結晶欠陥層２が形成される。例文帳に追加

Then, a crystal defect 2 is formed inside of the silicon substrate 1 where the trench device-isolation region is not formed. - 特許庁

（０００１）結晶面内における格子定数が等方的でない窒化物半導体素子もしくは基板を作製する手段を提供する。例文帳に追加

To provide a means of manufacturing a nitride semiconductor element or substrate which has an anisotropic grating constant in a (0001) crystal pane. - 特許庁

表面２１ｓはｃ面に平行ではないが、種結晶となるＧａＮ自立基板２１は実質的にｃ面に平行な板状である。例文帳に追加

Although the surface 21s is not parallel to the c-plane, the GaN self-supporting 21 functioning as a seed crystal has a planar shape substantially parallel to the c-plane. - 特許庁

格子整合性が劣る基板を用いても、欠陥やクラックの内在しない、良質な薄膜結晶を有する誘電体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a dielectric element having a high-quality thin-film crystal which has no inherent defect or crack even if a substrate to be used is inferior to lattice consistency. - 特許庁

イルメナイト型構造を有するＬｉＮｂＯ_３やＬｉＴａＯ_３等の単結晶基板１上にアモルファス膜を形成し、次いで該アモルファス膜が形成された単結晶基板１を結晶化温度よりも高い温度に加熱してアモルファス膜を結晶化させ、ペロブスカイト型構造を有するエピタキシャル強誘電体膜２を形成する。例文帳に追加

The epitaxial ferroelectric film 2 having a perovskite type structure is formed by forming an amorphous film on a single crystal substrate 1 of LiNbO_3, LiTaO_3 or the like, having an ilmenite structure, then heating the single crystal substrate 1 on which the amorphous film has been formed to a temperature higher than the crystallization temperature so as to crystallize the amorphous film. - 特許庁

本発明に係る半導体発光素子は、基板上に該基板の主面に対して傾斜した傾斜結晶面を有する結晶層を形成し、上記傾斜結晶面に平行な面内に延在する第１導電型層、活性層、及び第２導電型層を上記結晶層に形成してなり、頂部近傍を除去した形状であることを特徴とする。例文帳に追加

The semiconductor light emitting element is constituted by forming a crystal layer with a slanting crystal surface oblique to a main surface of a substrate on the substrate and then forming a 1st conductivity type layer, and active layer, and a 2nd conductivity type layer which extend in a plane parallel to the slanting crystal surface on the crystal layer, and then removing the vicinity of a peak. - 特許庁

炭化珪素単結晶基板上にエピタキシャル薄膜を有する炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハであって、エピタキシャル薄膜が炭化珪素単結晶基板上に形成された第1のエピタキシャル薄膜とこの第1のエピタキシャル薄膜内に形成された第2のエピタキシャル薄膜とを有する炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ及びその製造方法。例文帳に追加

The silicon carbide single-crystal epitaxial wafer having epitaxial thin film on a silicon carbide single crystal substrate comprises a first epitaxial thin film in which the epitaxial thin film is formed on the silicon carbide single crystal substrate, and a second epitaxial thin film which is formed within the first epitaxial thin film, and the method for producing the same are disclosed. - 特許庁

ヘマトクリット値の低い供血者や低い採血流量の供血者であっても、白血球や赤血球の混入が少ない良好な血小板含有血漿の採取を行うことができる血液成分採取装置を提供する。例文帳に追加

To provide a blood component sampler that can sample desirable platelet-including plasma with fewer leukocytes and erythrocytes mixed, even from a donor with a low hematocrit value and one with a low sampling blood flow. - 特許庁

これにより、ＳｉＣ単結晶基板４のマイクロパイプを高い率で閉塞し、格子欠陥の少ないＳｉＣ単結晶膜を形成することができるようになる。例文帳に追加

Thereby, micropipes in the SiC single crystal substrate 4 is blocked at a high rate, and it becomes possible to form the SiC single crystal film almost free from lattice defects. - 特許庁

欠陥の少ない炭化珪素単結晶を得ることができる炭化珪素単結晶の製造方法と、それを用いて作られた炭化珪素基板とを提供する。例文帳に追加

To provide a silicon carbide single crystal manufacturing method which can obtain silicon carbide single crystal with few defects, and a silicon carbide substrate produced thereby. - 特許庁

Si基板表面にヘテロエピタキシャル成長させることにより、Siウェハ上に結晶欠陥の少ない単相の3C-SiC単結晶薄膜を形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming 3C-SiC single crystal thin film of a single phase having less crystal defects on an Si wafer by making hetero epitaxial growth on the surface of an Si substrate. - 特許庁

上記サファイア単結晶基板はサファイア結晶の同一面内における格子定数のバラツキの分布が０．００２Å以内であることを特徴とする。例文帳に追加

The sapphire single crystal substrate is characterized in that the distribution of the variation of the lattice constant in the same plane of the sapphire crystal is within 0.002 Å. - 特許庁

基板上のコーティング膜と単結晶シリコン薄膜の被覆膜との接着性を向上し、単結晶シリコン薄膜の接着剥がれを生じさせない。例文帳に追加

To prevent an adhered monocrystal silicon membrane from peeling off by improving the adhesion between a coating film on a substrate and the monocrystal silicon membrane to be coated. - 特許庁

また、光透過性基板２に対する単結晶シリコン薄膜５の接着力は０．６Ｎ／ｍ以上であり、単結晶シリコン薄膜５の接着剥がれを生ずることがない。例文帳に追加

Further, an adhesive strength of the monocrystal silicon membrane 5 to the light transmissive substrate 2 is ≥0.6N/m, such that the adhered monocrystal silicon membrane 5 does not peel off. - 特許庁

基板上に結晶を成長させる際、格子不整合や結晶の転位などの歪みや欠陥がない半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which has no distortion or defect such as lattice mismatch or crystal dislocation when crystal growth is made on a substrate, and also to provide a method for manufacturing the semiconductor device. - 特許庁

屈折率の周期的な分布を持ったフォトニック結晶を光が伝播する場合、フォトニックバンドギャップに相当するエネルギーを有する光は、このフォトニック結晶中を伝播できない。例文帳に追加

When light is propagated in photonic crystal having a periodic distribution of refractive indexes, light having energy corresponding to a photonic band is not propagated in the photonic crystal. - 特許庁

これにより、従来のように（０００１）面を主面とするウルツ鉱型の結晶構造を持つ半導体基板上に半導体結晶を成長した場合のような六方柱状晶を含むことがない。例文帳に追加

As a result, the substrate does no contain the hexagonal columnar crystals as in the case the semiconductor crystal is grown on the semiconductor substrate having the crystalline structure of the wurtzite type having the (0001) face as its main surface like heretofore. - 特許庁

シリコンを下地基板として、クラックや多結晶塊（高熱に伴う反応部）のない、転位密度の低い高品質の半導体結晶を効率よく生産する。例文帳に追加

To efficiently produce a semiconductor crystal of low transition density and high quality without cracks or polycrystalline lumps (high heat reaction part), while using silicon as a base wafer. - 特許庁

次に、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層４の上面より単結晶シリコン層８が上方向に成長し、結晶欠陥の少ないＳＯＩ基板を得ることができる。例文帳に追加

Subsequently, a single crystal silicon layer 8 grows upward from the top surface of the γ-Al_2O_3 layers 4, and thus, an SOI substrate having less crystal defect can be obtained. - 特許庁

結晶品質がそれ程良好でない安価なＺｎＯ単結晶基板を用いても、ＭｇＺｎＯ系酸化物素子層を高品質にて成長できる化合物半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a compound semiconductor element which is capable of growing an MgZnO series oxide element layer with high quality even when an inexpensive ZnO single crystal substrate whose crystal quality is not so good is employed. - 特許庁

完全に単結晶化した、結晶欠陥が極めて少ない、高品質で平坦な窒化物半導体層を比較的簡便に形成できる窒化物半導体層付き基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a substrate with a nitride semiconductor layer, which can relatively and easily form a high quality flat nitride semiconductor layer that is completely crystallized in a single crystal and that has an extremely small number of crystal defects. - 特許庁

比較的安価なシリコンを下地基板として用い、転位が少なく、クラックや多結晶塊（高温反応部）のない高品質の半導体結晶を効率よく生産する。例文帳に追加

To efficiently produce a high quality semiconductor crystal having little transition and no cracks or polycrystalline lump (high temperature reaction part) by using a comparatively inexpensive silicon as a base wafer. - 特許庁

シリコン基板は、単結晶シリコン層の下方に埋め込み絶縁層を有する第１の領域と、この第１の領域に隣接し単結晶シリコン層の下方に埋め込み絶縁層を有さない第２の領域とを備える。例文帳に追加

The silicon substrate has a first region which has an embedded insulating layer below a single-crystal silicon layer and a second region which is adjacent to the first region and does not have the embedded insulating layer below the single silicon layer. - 特許庁

製造が簡単で貫通転位の少ない良質なＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶基板およびＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶膜、それらを製造するための方法、およびそれらを用いたデバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a III-V-group compound crystal substrate and a III-V-group compound crystal film of satisfactory quality which are easily manufactured and have small penetration dislocation, a method for manufacturing them, and a manufacturing method for a device which uses them. - 特許庁

Ｓｉ単結晶基板上に、平坦かつ反位相領域の存在しない高品質な３Ｃ−ＳｉＣ単結晶膜を簡便に形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for simply forming a high quality 3C-SiC single crystal film flat and free from an anti-phase domain on an Si single crystal substrate. - 特許庁

安価で、結晶Ｓｉ型太陽電池の一般的な作製プロセスにおいて十分な焼結性を有するため低抵抗化が実現でき、Ｓｉ基板との間の界面抵抗が少ない結晶Ｓｉ太陽電池用電極を提供する。例文帳に追加

To provide a crystal Si solar battery electrode that can reduce a resistance for having a sufficient sintering property in a general production process of a crystal Si-type solar battery, and has a small resistance of an interface with a Si substrate at low cost. - 特許庁

Ｓｉ層密閉工程では、Ｓｉ層７１が形成された単結晶ＳｉＣ基板７０に３Ｃ−ＳｉＣ多結晶層７２を形成することで、Ｓｉ層７１を密閉する。例文帳に追加

In the Si-layer sealing process, a 3C-SiC polycrystal layer 72 is formed on the monocrystal SiC base 70 formed with the Si layer 71, so as to seal the Si layer 71. - 特許庁

加熱工程では、単結晶ＳｉＣ基板７０を加熱することで、３Ｃ−ＳｉＣ多結晶層７２の内側でＳｉ層７１を溶融させてＳｉ融液層７１ａを形成する。例文帳に追加

In the heating process, the monocrystal SiC base 70 is heated to melt the Si layer 71 inside the 3C-SiC polycrystal layer 72 to form an Si molten solution layer 71a. - 特許庁

複数のタイル基板を用いて主表面におけるピットの発生が少ない大型のＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a group III nitride crystal which has a large size and has a small number of pits formed in the main surface of the crystal by using a plurality of tile substrates. - 特許庁

有機金属気相成長結晶法を用い、凸部と凹部の幅に粗密のある段差状ストライプ・パターンを有する基板上に、ＧａＮを選択成長させ、転位やクラックの少ない、高品質の結晶を実現する。例文帳に追加

To realize crystal of high quality which has small dislocation and cracking by selectively growing GaN on a substrate having a stepped striped pattern consisting of projection and recessed parts in various widths by using an organic metal vapor-phase grown crystal method. - 特許庁

単結晶半導体層を支持基板上に形成する際に、単結晶半導体層に欠損が生じた領域を、効率的に修復し、かつ該領域のトランジスタ特性を損なわない方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of efficiently repairing a region with a defect caused in a single-crystal semiconductor layer in forming the single-crystal semiconductor layer on a support substrate, and preventing a transistor characteristic in the region from being impaired. - 特許庁

結晶中への意図しない不純物の取込みがなく、半導体材料、電子部品、光学部品などに好適に用いられる、高品質で大型のダイヤモンド単結晶基板を提供する。例文帳に追加

To provide a high quality, large size diamond single crystal substrate in which no unwilled impurity is included and which is suitably used as a semiconductor material, an electronic part, an optical part or the like. - 特許庁

主面がａ面（｛１１−２０｝面）とされ、結晶方向で１個ないし３個の扁平な側面（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｆｌａｔ）を有することを特徴とするａ面窒化物半導体単結晶基板を提供する。例文帳に追加

Provided is an a-plane nitride semiconductor single crystal substrate characterized by having a major surface oriented to be an a-plane ({11-20}) and one to three flat side-surfaces in crystallographic orientations (orientation flats). - 特許庁

微結晶シリコン膜を光電変換層に適用した薄膜系の太陽電池を形成する場合に、所定の結晶方位配向性を有する光電変換層の薄膜形成を阻害しない太陽電池用基板を得ること。例文帳に追加

To provide a substrate for a solar battery, which never disturbs the formation of a thin film of a photoelectric conversion layer having a predetermined crystal orientation when forming a thin-film solar battery where a fine crystal silicon film is applied to a photoelectric conversion layer. - 特許庁

基板１１の上に軸配向多結晶薄膜７１をあらかじめ形成した後に、複数方向からビームを照射することによって薄膜７１を単結晶薄膜へ転換する。例文帳に追加

An axis-oriented polycrystalline thin film 71 is previously formed on a board 11 and irradiated with a beam from various directions to turn to a single crystal thin film. - 特許庁