「けっしょうばんない」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

単位パターンの凹部の内面及び下地基板の表面上に、凹部が完全には埋め尽くされない条件で、非晶質または多結晶の半導体膜を堆積させる。例文帳に追加

On the inner face of the recess of the unit pattern and the surface of the base substrate, an amorphous or a polycrystalline semiconductor film is deposited under the condition that the recesses are not filled completely. - 特許庁

単結晶基板に起因する保磁力の異方性(モジュレーション)という課題を解消し、媒体面内において保磁力異方性の極めて少ない、かつ超平滑な高記録密度に適した磁気記録媒体を提供する。例文帳に追加

To solve the problems that conventionally anisotropy (modulation) in the coercive force caused by a single-crystal substrate and to provide a magnetic recording medium which has every little anisotropy of the coercive force in the medium plane and which is smooth and suitable for high recording density. - 特許庁

非単結晶薄膜を有する基板１を載せたテーブル５を圧力釜６内に収容した後、補助ボンベ２７から圧力釜６内にアルゴンガスを供給することによって圧力釜６内を６気圧にする。例文帳に追加

A table 5, mounted with a substrate 1 with a non-single crystal thin film, is introduced into an autoclave 6, and argon gas is supplied into the autoclave 6 from an auxiliary gas cylinder 27 to keep the inner pressure of the autoclave 6 at about six times as high as the atmospheric pressure. - 特許庁

内輪２１、外輪２３、およびボール２４のうち少なくともいずれか１つの部材が窒素富化層を有し、その部材のオーステナイト結晶粒の粒度番号が１０番を超える範囲にある。例文帳に追加

At least one member of the inner ring 23, the outer ring 23 and the ball 24 has a nitrogen-enriched layer, and the grain number of austenite grains of the member exceeds 10. - 特許庁

また、歯車の表層に窒素富化層を有し、かつ、前記窒素富化層におけるオーステナイト結晶粒の粒度番号が１０番を越える範囲にある。例文帳に追加

Further, a nitrogen-enriched layer is prepared on the tooth surface, and a grain number of austenite crystal grains on the nitrogen enriched layer is in a range exceeding No.10. - 特許庁

半導体基板の表面が処理室内の雰囲気にさらされることを可及的に防止することにより、半導体基板およびその表面に形成される半導体層の結晶性の向上を図る。例文帳に追加

To improve crystallization of a semiconductor substrate and a semiconductor layer formed thereon by preventing the surface of the semiconductor substrate from being exposed as much as possible to the atmosphere inside a processing chamber. - 特許庁

前記個別電極１２は、単結晶シリコン基板１０に形成された凹部１０Ａ内であって、かつ、前記シリコン基板１０上に形成された酸化シリコン膜１１上に形成されている。例文帳に追加

The individual electrode 12 is provided in the recessed part 10A formed to a single crystal silicon substrate 10 and formed on the silicon oxide film 11 formed on the silicon substrate 10. - 特許庁

シリコン構造体においては、単結晶Ｎ型シリコン基板１２に、それぞれ基板広がり面に対してほぼ垂直な側壁を有する複数の孔１１が形成されている。例文帳に追加

In a silicon structure, on a single crystal N type silicon substrate 12, a plurality of holes 11 each having a side wall almost vertical to a substrate spread surface are formed. - 特許庁

酸化物透明導電膜を、金属ターゲット２２と基板２４が搭載された非加熱基板ホルダー２６とを具えるチャンバ１２内で、水素ラジカルを含有する雰囲気で直流スパッタ法を用いて結晶成長させる。例文帳に追加

The transparent conductive oxide film is subjected to crystal growth in a chamber 12 having a metal target 22 and a non-heating substrate holder 26 with a substrate 24 mounted thereon by using a DC sputter method in an atmosphere containing hydrogen radicals. - 特許庁

内輪３ａ〜３ｄ、外輪２ａ〜２ｄ、および円すいころ４ａ〜４ｄのうち少なくともいずれか１つの部材が浸炭窒化層を有し、その部材のオーステナイト結晶粒の粒度番号が１０番を超える範囲にある。例文帳に追加

At least one member out of the inner rings 3a-3d, the outer rings 2a-2d and the tapered roller bearings 4a-4b has a carbonitrided layer whose austenitic grain size number exceeds No. 10. - 特許庁

Ｐ型のＰ基板１ｐの主面ｆ１上にダイオードＰＮＤ２を形成し、そのダイオードＰＮＤ２に逆方向電圧を印加したときの電気特性を検査することで、Ｐ基板１ｐ内の結晶欠陥を検出する。例文帳に追加

A diode PND2 is formed on a principal surface f1 of a P-type P substrate 1p, and a crystal defect in the P substrate 1p is detected by inspecting an electric characteristic in applying a reverse voltage to the diode PND2. - 特許庁

外輪２および内輪３の表層部には第１の窒素富化層が形成されており、第１の窒素富化層におけるオーステナイト結晶粒の粒度番号は１０番を超えている。例文帳に追加

A first nitrogen-enriched layer is formed on surface layer parts of the outer ring 2 and the inner ring 3, and the fineness number of austenitic crystal grains in the first nitrogen-enriched layers exceeds 10. - 特許庁

光回路基板５内に部分的にフォトニック結晶２、３および４が形成され、この光回路基板５の端面にレーザ１、受光素子６、光ファイバ７が接続されている。例文帳に追加

The photonic crystals 2, 3 and 4 are partially formed within an optical circuit substrate 5, and a laser 1, a light receiving element 6 and an optical fiber 7 are connected to the end surface of the optical circuit substrate 5. - 特許庁

深溝玉軸受４１の内輪３３、外輪３１およびボール３５のうち少なくともいずれか１つの部材が浸炭窒化層を有し、その部材のオーステナイト結晶粒の粒度番号が１０番を超える範囲にある。例文帳に追加

At least any one member of an inner ring 33, an outer ring 31 and balls 35 of the deep groove ball bearing 41 has a carbo-nitrided layer, and the grain size number of austenitic grain of the member exceeds 10. - 特許庁

少なくとも容器の内面となる金属板表面に降温結晶化熱量が２〜１０ｃａｌ／ｇの熱可塑性樹脂皮膜層を有する熱可塑性樹脂積層金属板。例文帳に追加

A thermoplastic resin laminated metal plate is constituted by providing a thermoplastic resin film layer with temp. falling crystallization calorie of 2-10 cal/g on the surface of a metal plate becoming at least the inner surface of a container. - 特許庁

導光板内にフォトニック結晶領域を形成することで入射光の漏れを防止し、発光効率及び輝度を向上させた導光板、導光板の製造方法及びバックライトユニットを提供する。例文帳に追加

To provide a light guide plate preventing an incident light from being leaked by forming a photonic crystal area within the light guide plate, and improving a luminous efficiency and a brightness, and also to provide a method of manufacturing the light guide plate, and a back light unit. - 特許庁

基板を、強誘電体材料の結晶化温度以上まで加熱するとともに、基板面内の温度の最高値と最低値との差が０．７×ΔＱ_ＭＡＸ〔°〕以下になるように制御する。例文帳に追加

The substrate is heated to the crystallization temperature of the ferroelectric material or higher, and at the same time, the heating of the substrate is controlled so that a difference between highest and lowest values of the in-plane temperature of the substrate becomes ≤0.7×ΔQ_MAX (°). - 特許庁

光回路基板５内に部分的にフォトニック結晶２、３および４が形成され、この光回路基板５の端面にレーザ１、受光素子６、光ファイバ７が接続されている。例文帳に追加

The photonic crystals 2, 3 and 4 are formed partially in the optical circuit board 5 and a laser 1, a photodetecting element 6 and an optical fiber 7 are connected to an end surface of this optical circuit board 5. - 特許庁

膜厚、不純物濃度等について、従来より一層、高い基板面内均一性及び基板間均一性で化合物半導体層をエピタキシャル成長させるプラネタリー型化合物半導体結晶成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a planetary type compound semiconductor crystal growing device which can epitaxially grow a compound semiconductor layer with in-plane uniformity and substrate-to-substrate uniformity, which are higher than the conventional example with respect to the film thickness, impurity concentration, etc. - 特許庁

ルツボ４内において混合ガス導入管１３からの混合ガスを邪魔板２０に当ててガスの流れを変えてから炭化珪素単結晶基板１０に導く。例文帳に追加

At this time, the flow direction of the mixed gas supplied from a mixed gas introducing tube 13 is changed by allowing the mixed gas to collide to a baffle plate 20 and then the mixed gas is introduced onto the silicon carbide single crystal substrate 10. - 特許庁

高輝度発光素子等の高電力印加素子用基板として、素子内部に蓄積される熱を減らし素子の寿命を増加させることができる高熱伝導の窒化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a single-crystal gallium nitride substrate having high thermal conductivity which may reduce heat accumulated inside a device to increase durability of the device as a substrate for a high power impressing device such as a high-luminescent light emitting device. - 特許庁

チャンバに向けて基板を搬送するときに、簡易な構成で、基板の表面に付着した酸素などのチャンバ外部の気体がチャンバ内に持ち込まれるのを防止することができる結晶成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for growing a crystal capable of preventing gases present outside a chamber such as oxygen adhered on the surface of a substrate from being brought into a chamber by a simple system when a substrate is conveyed to a chamber. - 特許庁

ＳＯＩ基板表面内に複数の異なる結晶方位を有し、その各部において基板へのリーク電流の増大や消費電力の増大を抑制可能な半導体装置及びその製造方法を実現する。例文帳に追加

To realize a semiconductor device which has a plurality of different crystal orientations in the front surface of an SOI substrate and which can control the increase of a leakage current to the substrate and the increase of a power consumption and to realize a method of manufacturing the same. - 特許庁

強誘電体単結晶基板の一表面上に設けられた第一の電極と、この第一の電極と対向するように基板に設けられた第二の電極との間に電圧を印加することにより、基板内に周期分極反転構造を形成するのに際して、電圧印加の際に強誘電体単結晶にダメージが発生するのを抑制する。例文帳に追加

To prevent a ferroelectric single crystal from being damaged due to voltage application when forming a periodical polarization inverting structure in a ferroelectric single crystal substrate by applying a voltage between a first electrode provided on one surface of the substrate and a second electrode provided on the substrate so as to face the first electrode. - 特許庁

磁気光学層は、非磁性ガーネットからなる基板の表面の画素位置に設けた凹部内に磁性ガーネット単結晶が結晶成長的に基板と一体化した状態で埋設され、且つ基板表面が平坦化されており、それによって凹部間の仕切り壁により互いに磁気的に分離されたセルが形成されるセル埋め込み構造である。例文帳に追加

The magnetooptical layer includes a magnetic garnet single crystal, integrally embedded in a substrate by crystal growth in recessed portions provided at pixel positions of the surface of the substrate made of nonmagnetic garnet, with the substrate surface being flattened, and thereby forming a cell-embedded structure having cells magnetically separated from one another by partition walls between the recessed portions. - 特許庁

結晶成長装置２０は、基板２６がサセプターホルダ２７とサセプター２４とで結晶成長面を下方に向けた状態で反応容器２１内に設置され、サセプターロッド２２を上下移動させて、噴射口が基板２６方向に向けて配設されたガス供給管２８と基板２６との位置調整が行われる。例文帳に追加

In a crystal growing device 20, a substrate 26 is placed in a reactive chamber 21 with its crystal growing surface down by a susceptor holder 27 and a susceptor 24 and a susceptor rod 22 is moved up and down to adjust a position between the substrate 26 and a gas supply pipe 28 arranged with its injection port toward the substrate 26. - 特許庁

したがって、メイン基板５は、薄い壁の凸部４から成長し、基板１，５の熱膨張係数の差に起因する歪の影響を受けにくく、安価なＳｉ基板１上に貫通転位の少ない良質な結晶のＡｌＮ基板５を作成できる。例文帳に追加

Accordingly, the main substrate 5 is grown from the convex part 4 on a thin wall, hardly effected by a strain caused by the difference of thermal expansion coefficient between the substrate 1 and the substrate 5, and an AlN substrate 5 of good quality crystal, little in through dislocation, can be prepared on an inexpensive Si substrate 1. - 特許庁

薬剤を含む注入可能な薬学的生成物、ペプチドが結合する不溶性のキャリアを含む薬剤、その薬剤が結合したフィブリノゲンを介して不活性血小板よりも活性化血小板に結合するようフィブリノゲンを結合し得るペプチド（そしてここでそのペプチドはフィブリノゲンではない）を提供すること。例文帳に追加

To provide an injectable pharmaceutical product comprising an agent, the agent comprising an insoluble carrier to which is bound a peptide, and the peptide being capable of binding fibrinogen such that the agent binds via the bound fibrinogen to activated platelets in preference to inactive platelets wherein the peptide is not fibrinogen. - 特許庁

実施の形態によるイメージセンサは、下部配線と回路（ｃｉｒｃｕｉｔｒｙ）が形成された第１基板と、前記下部配線と接触するとともに前記第１基板とボンディングされた結晶半導体層（ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｌａｙｅｒ）と、前記結晶半導体層内に前記下部配線と電気的に連結されるように形成されたフォトダイオードと、前記フォトダイオード内に形成された光遮断層と、を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The image sensor according to an embodiment includes a first substrate where a lower interconnection 110 and the circuitry are formed, a crystalline semiconductor layer bonded to the first substrate 100 in contact with the lower interconnection 110, the photodiode formed in the crystalline semiconductor layer to be electrically coupled to the lower interconnection, and a light shield layer formed in the photodiode. - 特許庁

炉心管４内を走行するテープ状線材７は、熱処理炉５内の急速加熱領域Ａを通過する際に輻射加熱器６ａにより基板上の中間層の仮焼膜が急速加熱され、結晶化温度領域Ｂを通過する際に輻射加熱器６ｂ、６ｃおよび６ｄにより基板上の中間層が結晶化される。例文帳に追加

When the tape-like wire 7 traveling in the core tube 4 passes through a rapidly heating region A in the heat treatment furnace 5, the calcined film of the intermediate layer on the substrate is rabidly heated by a radiation heater 6a, and when it passes through a crystallization temperature region B, the intermediate layer on the substrate is crystallized by radiation heaters 6b, 6c, and 6d. - 特許庁

シリコン単結晶ウエハを基板として用いる太陽電池用基板において、シリコン単結晶ウエハの外周円に内接する正六角形よりも大きく、該ウエハの外周円が内接する正六角形よりも小さな正六角形で切り取られた、頂点に円形部分を残す擬正六角形８のウエハが、２つまたは４つに分割されていることを特徴としている。例文帳に追加

In a substrate for solar cell, utilizing a silicon single-crystal wafer as a substrate, a quasi-regular hexagonal wafer 8 having circular parts at the vertexes, being cut by a right hexagon large than a right hexagon inscribing the outer circumferential circle of the silicon single-crystal wafer but smaller than a right hexagon which circumscribes the outer circumferential circle of the wafer, is divided into two or four. - 特許庁

３．０〜５．０％と比較的少ないＭｇを含有するＡｌ−Ｍｇ合金について、微細な再結晶粒組織を有し、強度、成形性に優れた板材を再結晶焼鈍を経ることなく製造することが可能とするアルミニウム合金板の製造方法および当該方法により得られるアルミニウム合金板を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing an aluminum alloy sheet by which, as for an Al-Mg alloy containing a relatively small amount of Mg of 3.0 to 5.0%, a sheet material having a fine recrystallized grain structure and excellent in strength and formability can be produced without undergoing recrystallization annealing and to provide an aluminum alloy sheet obtainable by the same method. - 特許庁

結晶配向したルチル型酸化チタンからなる下層膜が形成された基板表面に、基板温度及びスパッタリング圧を制御した状態で、酸素を含むプラズマ中でチタンを含むターゲットをスパッタリングすることによって、前記下層膜の表面に結晶欠陥少ないルチル型酸化チタンが含まれた上層膜を形成した複層構造を有する酸化チタン膜を得ることができる。例文帳に追加

The titanium oxide film having a multilayer structure, in which an upper layer film containing the rutile type titanium oxide less in the crystal defects is formed on an under layer film, can be obtained by sputtering a target containing titanium in a plasma containing oxygen while controlling the substrate temperature and the sputtering pressure on the surface of the substrate, on which the under layer film composed of crystal oriented rutile type titanium oxide is formed. - 特許庁

ゲージ部１６及びその周辺のシリコン単結晶基板１０表面が、力伝達ブロック１２と塵埃侵入防止部１８とが接合されて形成された密閉空間内に封止されているので、シリコン単結晶基板１０と力伝達ブロック１２との間に塵埃が入り込むことが無く、力検知性能に悪影響を及ぼすことが無い。例文帳に追加

Since a gage part 16 and a silicon single crystal substrate 10 surface of its periphery are sealed in a closed space formed by joining the force transmitting block 12 and a dust intrusion preventing part 18, no dust will intrude between the silicon single crystal substrate 10 and the force transmitting block 12, and there will be no adverse effect to force detecting performance. - 特許庁

この際、圧電性酸化物単結晶ウェーハ基板が、プレートのウェーハ保持位置となる凹部内で自由に回転することによりウェーハ基板裏面に擦れキズが生じないよう、ウェーハ基板と同一形状（オリエンテーションフラット（ＯＦ）付き）に型抜きされたテンプレートを用い、回転を防止する。例文帳に追加

In this case, rotation is prevented, by using a template drawn in the same pattern shape (with orientation flat (OF)) as the wafer substrate, so that an abrasion is not caused on the wafer substrate reverse, when the piezoelectric oxide monocrystal wafer substrate freely rotates in a recessed part becoming a wafer holding position of the plate. - 特許庁

基板の表面に結晶欠陥が少ないルチル型酸化チタンを含み、可視光応答性と高い光触媒活性を有する酸化チタン膜を形成するための方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a titanium oxide film containing rutile type titanium oxide less in crystal defects on the surface of a substrate and having high visible light responsiveness and high photocatalytic activity. - 特許庁

平坦でかつ結晶欠陥が極端に少ない（好ましくは無転位の）窒化ガリウム半導体層をｃ面以外の主面を持つ窒化ガリウム基板上に形成することができる窒化物半導体製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a nitride semiconductor capable of forming a flat gallium-nitride semiconductor having extremely small crystal defects (preferably a non-dislocation) on a gallium-nitride board with a main surface excepting a C surface. - 特許庁

半導体基板に形成されたトレンチの内部に空洞を残すことなく、トレンチ内を結晶品質の高いエピタキシャル膜で埋めることができる半導体ウエハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a semiconductor wafer which can fill a trench with an epitaxial film of high crystal quality without leaving a cavity in the inside of the trench formed in a semiconductor substrate. - 特許庁

上層にエピタキシャル層を成長させた場合に、その結晶性を劣化させることのない、Ｘ線ロッキングカーブ半値幅が良好な窒化物系半導体基板を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor substrate having a favorable half-value width in an X-ray rocking curve and inducing no degradation of the crystallinity of an epitaxial layer when the epitaxial layer is grown on the substrate. - 特許庁

基板３０２上に形成された非晶質珪素膜上に、ニッケル含有層を形成し、５５０℃、４時間の加熱処理をおこない結晶性珪素膜３０３を得る。例文帳に追加

A crystalline silicon film 303 is obtained by forming a nickel- containing layer on an amorphous silicon film, formed on a substrate 302 and heat-treating the silicon film and layer for four hours at 550°C. - 特許庁

４インチ以上の口径のシリコン基板に、結晶欠陥の少ない、化合物半導体によるエピタキシャル層を均一にかつ安価に形成する。例文帳に追加

To form an epitaxial layer of a compound semiconductor with few crystal defects and uniformly on a silicon substrate having a bore diameter not less than 4 inches and at a low cost. - 特許庁

薄膜半導体装置１００を製造する為、成膜工程を行ない、絶縁基板０の上に非晶質又は比較的粒径の小さな多結晶の半導体薄膜を形成する。例文帳に追加

For manufacturing a thin-film semiconductor device 100, a film forming process is performed and a polycrystalline semiconductor thin-film of amorphous or relatively small particle size is formed on an insulating substrate 0. - 特許庁

サファイア基板上に場所依存性の少ない良質な窒化ガリウム系化合物半導体結晶を気相成長させることが可能な気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor growth method by which a gallium nitride-based compound semiconductor crystal having high quality and small location dependence can be grown on a sapphire substrate. - 特許庁

該ガラス基板８上の前記非晶質半導体膜９にレーザ光２０を照射して該非晶質半導体膜を融点を超えない温度に加熱して、前記非晶質半導体膜９を結晶化させる。例文帳に追加

A laser beam 20 is irradiated onto the amorphous semiconductor film 9 on the glass substrate 8 to heat the amorphous semiconductor film at a temperature not higher than its melting point and crystallize the amorphous semiconductor film 9. - 特許庁

合金成分およびドーピング材、とくにゲルマニウムおよびガリウムの位置による濃度変動の少ない太陽電池の基板用シリコン多結晶およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate silicone polycrystal of a solar cell with less concentration fluctuation by positions of an alloy component and a doping material, especially germanium and gallium, and to provide a manufacturing method of the polycrystal. - 特許庁