「ていたんさんがすけっしょう」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

低酸素フッ化タンタル酸カリウム結晶、低酸素フッ化ニオブ酸カリウム結晶の製造方法、当該製造方法で得られた結晶及びこれらの結晶の酸素分析方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a low-oxygen potassium tantalate fluoride crystal and a low-oxygen potassium niobate fluoride crystal, the crystals obtained by these methods, and a method of analyzing oxygen contained in them. - 特許庁

フラックスを用いた酸化亜鉛単結晶の連続引上げ法において、酸化亜鉛種子結晶の昇華を抑制し、結晶製造初期段階での種子結晶の溶損および育成途中での結晶の脱落を防ぐことが可能な酸化亜鉛単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of producing a zinc oxide single crystal by which a seed crystal can be prevented from melting in the initial stage of the production of a crystal and the crystal during growing can be prevented from dropping while suppressing sublimation of the zinc oxide seed crystal in a continuous pulling method for a zinc oxide single crystal using a flux. - 特許庁

泡欠陥が著しく低減された酸化物単結晶を提供する。例文帳に追加

To provide an oxide single crystal in which bubble defects are remarkably reduced. - 特許庁

チョクラルスキー法による酸化物単結晶の製造方法において、酸化物単結晶の特性の均一性及び育成の再現性が高く、かつ任意の長さの結晶育成を可能にする単結晶製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a single crystal, which is based on a Czochralski method and by which an oxide single crystal having uniform characteristics and an arbitrary length can be grown in high reproductibility. - 特許庁

誘電体膜のパターン３を半導体単結晶薄膜４が覆っている。例文帳に追加

A semiconductor single crystal film 4 covers the pattern 3 of the dielectric film. - 特許庁

ＬＰＥ法で酸化物単結晶基板の両面に酸化物単結晶膜を育成し、この酸化物単結晶膜付き基板を切断して酸化物単結晶膜を得るときに、切断後に研磨をしなくても所望の厚みが得られる、酸化物単結晶膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of producing an oxide single crystal film, by which the single crystal film having a desired thickness can be obtained without polishing after cutting the single crystal when the oxide single crystal films are grown on both surfaces of an oxide single crystal substrate by a LPE method and the oxide single crystal film is obtained by cutting the substrate having the oxide single crystal films. - 特許庁

反射板３０は、単結晶と同期して回転するように、単結晶の上部にかつ単結晶引上げ軸２２の周方向であって単結晶からの放熱が抑制される位置に部分的に配置されている。例文帳に追加

Reflecting plate 30 is partially disposed over the single crystal and in the peripheral direction of a single crystal pull up axis 22 and at the position where the heat radiation from the single crystal is inhibited to rotate synchronously with the single crystal. - 特許庁

全血中、血清中、もしくは多血小板血漿中のセロトニン濃度、単位血小板中に含まれるセロトニン濃度、又は全血中、血清中、もしくは多血小板血漿中のセロトニン濃度を更に単位血小板当たりの濃度に換算した値を求め、その値が高いほどニコチン依存度が高いと判定する。例文帳に追加

It is determined that nicotine dependency is high when the value is high. - 特許庁

自動的に結晶軸とルツボ軸の軸芯出しを精度よく行うことができ、育成中の単結晶の振れを抑制することができ、生産性よく単結晶を製造できる単結晶引上方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for pulling a single crystal which is capable of automatically aligning precisely a crystal axis and a crucible axis, suppressing swinging of a growing single crystal and manufacturing a single crystal with high productivity. - 特許庁

制御部５０は、所望する酸化ガリウム単結晶の重量を特定する。例文帳に追加

The control part 50 determines a desired weight of the gallium oxide single crystal. - 特許庁

所望の結晶品質のシリコン単結晶をより確実に得ることができ、生産性や歩留りの向上を実現するシリコン単結晶の製造システムおよびこれを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a system for manufacturing a silicon single crystal securely preparing a silicon single crystal having a desired crystal quality and improving productivity and a yield and a method for manufacturing a silicon single crystal using the system. - 特許庁

酸化ガリウム単結晶の再現性を確保することができる酸化ガリウム単結晶の製造装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a process for producing a gallium oxide single crystal by which the reproducibility of the gallium oxide single crystal is secured. - 特許庁

シリコン単結晶基板１１上に酸素が添加された第１のシリコン結晶層１２を形成する工程と、第１のシリコン結晶層１２上にシリコン・ゲルマニウム結晶層１３を形成する工程と、シリコン・ゲルマニウム結晶層１３上に第２のシリコン結晶層１４を形成する工程と、熱処理により第２のシリコン結晶層１４に歪みを与える工程とを有する。例文帳に追加

The method includes a step of forming a first silicon crystalline layer 12 doped with oxygen atoms on a silicon single crystalline substrate 11, a step of forming a silicon/germanium crystalline layer 13 on the first layer 12, a step of forming a second silicon crystalline layer 14 on the silicon/ germanium crystalline layer 13, and a step of heat-treating the second layer 14 to provide distortion thereto. - 特許庁

高耐光損傷性を有するニオブ酸リチウム単結晶およびタンタル酸リチウム単結晶、ならびに、これを用いた光学素子を提供する。例文帳に追加

To provide a lithium niobate single crystal and a lithium tantalite single crystal, having high OPTICAL DAMAGE resistance, and to provide an optical element using the single crystal. - 特許庁

従来より長い針状の炭酸塩結晶の製造方法、その炭酸塩結晶を用いた酸化物陰極及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing carbonate crystal of needle shape longer than before and to provide an oxide cathode using the carbonate crystal, and its manufacturing method. - 特許庁

従って、結晶支持部２３１を安定に低温に維持することができ、単結晶塊ＣＬを良好な効率で安定に成長させることができる。例文帳に追加

Therefore, the crystal support part 231 can be stably kept at a low temperature and the single crystal block CL can be stably and efficiently grown. - 特許庁

希土類珪酸塩単結晶を鏡面研磨する場合に、へき開割れの発生が十分に防止された希土類珪酸塩単結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a rare earth silicate single crystal which is prevented sufficiently from the occurrence of cleavage at the time of mirror-polishing a rare earth silicate single crystal. - 特許庁

チタン酸バリウムを主成分とする多結晶体からなり、この多結晶体は、耐還元性酸化物ガラスを含有して耐還元性を有している。例文帳に追加

This material consists of a polycrystalline material essentially comprising barium titanate, and the polycrystalline material contains reduction- resistant oxide glass and has resistance to reduction. - 特許庁

β−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶の導電性制御を効率よく行うことができるＧａ_２Ｏ_３系単結晶の導電率制御方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for controlling a conductivity of Ga_2O_3 series monocrystal, capable of effectively controlling conductive properties of β-Ga_2O_3 series monocrystal. - 特許庁

安価にかつ大きなチタン酸バリウムの単結晶を製造することができるチタン酸バリウム単結晶の製造方法およびチタン酸バリウム単結晶を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing barium titanate single crystal capable of obtaining a large one with an economical cost, and to provide a barium titanate single crystal. - 特許庁

短時間で結晶化し、成形したガラスの形状と表面状態を保持しつつ結晶化する結晶性ガラス、及び、機械的強度が優れ、建材用結晶化ガラスとして好適な熱膨張係数を有し、アルカリ金属酸化物の含有量が少なく優れた化学的耐久性を有する結晶化ガラス、並びに該結晶性ガラス及び結晶化ガラスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide crystallizable glass which crystallizes in a short time and crystallizes while retaining the shape and surface state of a glass molding thereof, crystallized glass having excellent mechanical strength, a coefficient of thermal expansion suitable for use as crystallized glass for building materials, a low alkali metal oxide content and excellent chemical durability, and a method for producing the crystallizable glass and crystallized glass. - 特許庁

一般式ＡＢＯ_3で表される特定のペロブスカイト型酸化物を含む積層構造を有する圧電体であって、該積層構造は、正方晶、菱面体晶、擬似立方晶、斜方晶および単斜晶のいずれかから選択された結晶相を有する層状の第１の結晶相と、これと異なる結晶相で上記結晶相のいずれかから選択された結晶相を有する層状の第２の結晶相と、第１の結晶相と前記第２の結晶相の間に、結晶相が層の厚さ方向において漸次に変化する境界相とを有し、全体として単結晶構造または一軸配向結晶構造を有する。例文帳に追加

The laminate structure has a single crystal structure or a uniaxial orientation crystal structure as a whole. - 特許庁

高い平坦性と高結晶性を有する酸化物超電導結晶基板３と、高強度の補強用結晶基板５とが、酸化物超電導結晶基板３を構成する酸化物超電導単結晶または酸化物超電導多結晶の融点よりも低融点の材料からなる低融点層を最外層に有する中間層７を介して接着された酸化物超電導積層基板１。例文帳に追加

This oxide superconducting laminated substrate 1 is manufactured by joining an oxide superconducting crystal substrate 3 having high flatness and high crystal properties to a high strength reinforcing crystal substrate 5, while interposing between them, an intermediate layer 7 consisting of a material having a lower melting point than that of the constituent oxide superconducting single crystal or polycrystal of the oxide superconducting crystal substrate 3. - 特許庁

高純度のタンパク質結晶が短時間で得られるような工業生産に適したタンパク質の結晶化方法を提供するものである。例文帳に追加

To provide a method for crystallizing a protein by which a high purity protein crystal can be obtained in a short time and which is well suited to industrial production. - 特許庁

結晶支持部２３１に放熱凹部２３２が形成されており、貫通孔２４３が断熱カバー部材２４０に形成されているので、結晶支持部２３１が放熱されて単結晶塊ＣＬが高効率に成長する。例文帳に追加

In the crystal growing device, a heat radiation recess 232 is formed on a crystal support part 231 and a through hole 243 is formed in a heat insulating cover member 240, and therefore the crystal support part 231 radiates heat to efficiently grow a single crystal block CL. - 特許庁

単結晶化率がよく、生産性がよく、かつ、原料シリコンの利用効率のよい単結晶引上げ方法を提供する。例文帳に追加

To provide a pulling method for a single crystal high in single crystallization rate, productivity and favorable in use efficiency of raw material silicon. - 特許庁

光デバイスなどの基板として用いられる単結晶を製造する過程で、結晶成長後のアニールで結晶内の酸素欠損が回復でき、結晶にクラックが発生しない結晶成長装置およびその方法を提供する。例文帳に追加

To provide a device for growing a crystal and a method thereof, recovering a crystal from a state of oxygen deficiency by annealing after growing the crystal and preventing cracks in the crystal in the process of producing a single crystal to be used as a substrate of an optical device or the like. - 特許庁

単結晶の成長軸方向における酸素濃度の均一性を確保することができる単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing single crystals by which the uniformity in the concentration of oxygen in the growing axial direction of single crystals can be secured. - 特許庁

アナターゼ型結晶とルチル型結晶が不均一に混合共存する酸化チタン試料の混合比分布画像を得る方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for obtaining the mixing ratio distribution image of a titanium oxide sample wherein a anatase type crystal and a rutile type crystal coexist in a non-uniform mixing ratio. - 特許庁

昇華用原料微粉末５とキャリアガス３を炭化ケイ素種結晶を備える炭化ケイ素単結晶成長雰囲気内に供給する工程と、昇華用原料微粉末５を加熱し昇華させる工程と、昇華したガスを炭化ケイ素種結晶２上に供給し炭化ケイ素種結晶上に炭化ケイ素単結晶を成長させる工程と、を含む炭化ケイ素単結晶の製造方法。例文帳に追加

The method for producing a silicon carbide single crystal includes steps of: supplying a source fine powder 5 for sublimation and a carrier gas 3 to an atmosphere for growing a silicon carbide single crystal, the atmosphere including a silicon carbide seed crystal; heating to sublimate the source fine powder 5 for sublimation; and supplying the sublimated gas onto the silicon carbide seed crystal 2 to grow a silicon carbide single crystal on the silicon carbide seed crystal. - 特許庁

Ｓｉ単結晶基板２上に外方へ開孔し、かつ、表面が厚さ０．１〜１００ｎｍの３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層３によって被覆された多孔質Ｓｉ単結晶層４が形成されている。例文帳に追加

A porous Si single crystal layer 4 where holes are open to an outer direction and which is coated with a 3C-SiC single crystal layer 3 having a surface thickness of 0.1-100 nm is formed on an Si single crystal substrate 2. - 特許庁

結晶成長炉１００内に、少なくとも原料融液１１と単結晶１３の固液界面１４を加熱する固液界面加熱用ヒータ１２０と、固化後の単結晶１３を加熱する結晶加熱用ヒータ１３０と、結晶加熱用ヒータ１３０の裏側領域を冷却する冷却装置１５０とが配設されている単結晶の製造装置。例文帳に追加

The manufacturing apparatus for the single crystal is provided with a heater 120 for heating a solid-liquid interface that heats at least the solid-liquid interface 14 between raw material melt 11 and the single crystal 13 in a crystal growth furnace 100, a heater 130 for heating the crystal that heats the single crystal 13 after solidification and a cooling device 150 that cools the backside of the heater 130 for heating the crystal. - 特許庁

結晶吸引管２１の旋回部２１ｂを旋回させて、その先端をバスケット１０の内周の結晶側に変位させる過程で掻取刃２２Ａ，２２Ｂ及び２３を結晶中に進入させて、結晶を掻き取る。例文帳に追加

While the rotary part 21b of the sucking pipe 21 is rotated to displace its top end to the crystal side on the inner wall of the basket 10, the scraping blades 22A, 22B and 23 are made to intrude into the crystal to scrape the crystal. - 特許庁

低欠陥密度で種結晶基板としても使用可能な程度に大型である３Ｃ−ＳｉＣ単結晶を容易に成長させることができる３Ｃ−ＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a 3C (cubical)-SiC single crystal, which allows easy growth of a 3C-SiC single crystal having a low defect density and a size being large to an extent that it can be also used as a seed crystal substrate. - 特許庁

耐久性があり、交換が不要となり、保守費用の削減が図れ、かつ、シリコン単結晶引上げの生産性が高いシリコン単結晶引上げ装置を提供するシリコン単結晶引上げ装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for pulling a silicon single crystal in which the apparatus has the durability, the exchange is not required, the maintenance expenditures are reduced and the productivity of silicon single crystal pulling is high. - 特許庁

Ｓｉ単結晶基板１上に厚さ１００ｎｍ〜３μｍ程度のｃ−ＢＰ単結晶層３及び厚さ５〜８０ｎｍ程度のｃ−ＢＮ単結晶層４を順に介在して厚さ１〜１０μｍ程度のダイヤモンド単結晶膜５が形成されている。例文帳に追加

In the diamond semiconductor, a single-crystal diamond film 5 having a thickness of about 1-10 μm is formed on a single-crystal Si substrate 1 through a single-crystal c-BP layer 3 having a thickness of about 100 nm to 3 μm and a single-crystal c-BN layer 4 having a thickness of about 5-80 nm in this order. - 特許庁

酸化タングステン及び／又はこの固溶体を含む結晶相を含有する結晶化ガラスが提供される。例文帳に追加

The crystallized glass comprises a crystalline phase containing tungsten oxide and/or the solid solution thereof. - 特許庁

フラックス法により結晶成長した窒化ガリウム単結晶基板３１には、クラックがほとんど生じていなかった（１．Ｆ）。例文帳に追加

The nitride gallium single crystal substrate 31 grown by the flux method is almost free of cracks (1.F). - 特許庁

特定の形状に揃った欠陥の少ない酸化亜鉛単結晶およびこのような単結晶を再現性良く製造することができる酸化亜鉛単結晶の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a zinc oxide single crystal having a particular uniform shape and few defects; and to provide a method for producing the same, by which such a single crystal can be produced with good reproducibility. - 特許庁

高純度で大径の単結晶が得られるIII族酸化物系単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a group III element oxide-based single crystal in which a highly pure and large-sized single crystal can be obtained. - 特許庁

気相法による窒化アルミニウム単結晶の製造において、原料ガスや炉内に含まれる酸素に由来する窒化アルミニウム単結晶への酸素の固溶を低減するための単結晶製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a production method for an aluminum nitride single crystal by a gas phase process for reducing the solid solubilizing of oxygen derived from that included in a raw material gas or in a furnace to the single crystal. - 特許庁

ＣａＦ_２の格子定数は単結晶シリコンの格子定数と略同一の格子定数をもつため、シリコン層３のアニール処理による再結晶化により、結晶性に優れたデバイス形成層を低コストで提供することができる。例文帳に追加

Since the lattice constant of CaF2 is substantially the same as that of single-crystal silicon, the recrystallinity of the layer 3 due to annealing allows a device forming layer of high crystallinity to be provided at a low cost. - 特許庁

多結晶粒子の平均粒径は０．３〜３．０ｍｍであり、単結晶体の安定な雰囲気は不活性ガス雰囲気等である。例文帳に追加

The average particle diameter of the polycrystal particles is 0.3-3.0 mm and the stable atmosphere of the single crystal is an inert gas atmosphere, etc. - 特許庁

単結晶中の赤外線散乱体欠陥の密度が低く、単結晶外周部において再結合ライフタイムの低下が抑制されたシリコン単結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon single crystal which is low in the density of the IR scattering body defects in the single crystal and is suppressed in the shortening of recombination life time in the outer peripheral part of the single crystal. - 特許庁

平滑で膜厚均一性が高く結晶性の良好な酸化物単結晶薄膜および半導体薄膜の形成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for forming an oxide single crystal thin film that has smoothness and high film thickness uniformity and that has good crystallinity, and to provide a method for forming a semiconductor thin film. - 特許庁