「ていたんさんがすけっしょう」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

非晶質薄膜の表面の酸化を抑制しつつ、短時間で、結晶粒径の大きな多結晶薄膜を得ることができる非晶質薄膜の結晶化方法及びその装置、並びに薄膜トランジスタの製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a crystallizing method for an amorphous thin film and an apparatus therefor, that can provide a polycrystalline thin film having a large crystal grain size in a short period of time while suppressing oxidation of a surface of the amorphous thin film, and to provide a manufacturing method of a thin film transistor. - 特許庁

優れた光学的特性を有する二酸化スズの新しい単結晶ナノ構造体とこれを大量生産可能とする製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a single crystal tin dioxide nano structure body having excellent optical characteristics, and also to provide a manufacturing method for a mass-production of the structure body. - 特許庁

ｐ型単結晶シリコン基板１の表面に、所定間隔を隔ててソース領域２及びドレイン領域３が形成されている。例文帳に追加

A source region 2 and a drain region 3 are formed in the surface of a P-type single-crystal silicon substrate 1 at a prescribed interval. - 特許庁

チョクラルスキー法によってルツボから単結晶を引上げる単結晶引上装置を用いた単結晶の製造方法において、ルツボのチャージ量が多い場合であっても、装置に対し大きな負荷を与えることなく有転位化を抑制し、歩留まりと生産性を向上することのできる単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a single crystal which does not give a heavy load to an apparatus even when a material charge into a crucible is excessive, can suppress the occurrence of dislocation, and can improve the yield and productivity, in the method for manufacturing a single crystal by using a single crystal pulling apparatus for pulling the single crystal from a crucible by the Czochralski method. - 特許庁

結晶成長容器１１の内部でＩＩＩ族窒化物単結晶３を成長させる方法であって、結晶成長容器１１の少なくとも一部に、金属炭化物で形成されている気孔率が０．１％以上７０％以下の多孔質体を用いることを特徴とするＩＩＩ族窒化物単結晶の成長方法。例文帳に追加

In the method for growing the group III nitride single crystal 3 at the inside of a crystal growth vessel 11, a porous body formed from a metal carbide and having a porosity of 0.1-70% is used in at least a part of the crystal growth vessel 11. - 特許庁

絶縁体基板上に多結晶または単結晶の薄いニオブ酸カリウム層が形成されたニオブ酸カリウム堆積体およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a potassium niobate deposited body where a thin polycrystal or single crystal potassium niobate layer is formed on an insulation board, and its manufacturing method. - 特許庁

基板上に多結晶または単結晶の薄いニオブ酸カリウム層が形成されたニオブ酸カリウム堆積体およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a potassium niobate deposits wherein a polycrystal or single crystal thin potassium niobate layer is formed on a substrate and to provide a manufacturing method of the same. - 特許庁

大粒径で、高純度のアナターゼ型酸化チタン単結晶であって、工業的に製造でき低コストのものを提供すること。例文帳に追加

To provide a highly pure anatase-type titanium oxide single crystal having a large particle diameter, and capable of being industrially produced at a low cost. - 特許庁

高い生産効率でサファイア単結晶を製造することができるサファイア単結晶製造用αアルミナおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide α alumina for production of a sapphire single crystal, capable of producing a sapphire single crystal with high production efficiency, and a method for producing the same. - 特許庁

本発明は、結晶性が高く、粒内に空孔の無い誘電体粉末、特にチタン酸バリウム粉末を提供することを目的としている。例文帳に追加

To provide a dielectric powder, in particular, a barium titanate powder which is high in crystallinity and is free from pores in particles. - 特許庁

単結晶Ｓｉ基板１０を、多結晶Ｓｉガラス基板４０における、位置決め用基板３０のエッジ３２ａに対応させた設定位置に一括で接合する。例文帳に追加

The single-crystal Si substrates 10 are joined together at the same time at the set position of a polycrystalline Si glass substrate 40 which corresponds to the edge 32a of the positioning substrate 30. - 特許庁

再結晶処理した板材が高温耐垂下性に優れたランタン酸化物を含有するモリブデン板材を製造する過程において、焼結体の側面組織を微細結晶粒にすることにより、熱間加工性を向上させた。例文帳に追加

In the course of manufacturing the lanthanum-oxide-containing molybdenum sheet which can be provided with excellent high-temperature drooping resistance after being subjected to recrystallization treatment, the structure at the sides of a sintered compact is formed into microcrystal grains to improve hot workability. - 特許庁

炉内アルゴンガス雰囲気中に含まれる水分、酸素等の不純物を除去することにより、ＯＳＦ等の結晶欠陥の発生が少ないシリコン単結晶を提供する。例文帳に追加

To produce a silicon single crystal with slight formation of crystal defects such as an oxidation induced stacking fault(OSF) by removing impurities such as moisture or oxygen contained in an argon gas atmosphere in a furnace. - 特許庁

この酸化物半導体素子では、ＺｎＯからなるｎ型の単結晶基板１の上面に、ＺｎＯからなるｐ型の多結晶薄膜２が形成されている。例文帳に追加

According to the oxide semiconductor element, a p-type polycrystalline thin film 2, made of ZnO, is formed on the upper surface of an n-type single-crystal substrate 1 made of ZnO. - 特許庁

実質的に定比組成のタンタル酸リチウム単結晶を含む光学素子を製造する方法は、実質的に定比組成のタンタル酸リチウム単結晶に周期分極反転領域を形成する工程と、実質的に定比組成のタンタル酸リチウム単結晶の長手方向の両端部を切断する工程であって、両端部の周期分極反転領域のそれぞれは、先細りの分極反転部分を含む。例文帳に追加

The method for manufacturing the optical element containing the lithium tantalate single crystal with the substantially stoichiometric composition comprises: a step to form periodic polarization reversal regions on the lithium tantalate single crystal with the substantially stoichiometric composition; and a step to cut off both terminal portions, in longitudinal directions, of the lithium tantalate single crystal with the substantially stoichiometric composition, wherein the respective periodic polarization reversal regions on both terminal portions include tapered polarization reversal portions. - 特許庁

そして、多結晶シリコン膜３のチャネル領域中において、各ソース・ドレイン領域１０１間を繋ぐ単結晶領域１０２が、透明絶縁性基板１に対して垂直に複数形成されている。例文帳に追加

In the channel region of the poly-crystal silicon film 3, a plurality of single crystal regions 102 connecting between the source/ drain region 101 are formed vertical to the transparent insulating substrate 1. - 特許庁

大量生産に適したネオジムガレート単結晶上に望ましい配向を有する希土類１２３型超電導膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a rare earth 123-type superconducting film having a desired orientation on a neodymium gallate single crystal suitable for mass production. - 特許庁

ナノサイズの高結晶性で単一相を有する遷移金属酸化物を、大量生産が容易にできる製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing transition metal oxide nanoparticles, each of which has a nano-sized highly-crystalline single phase, easily in large quantities. - 特許庁

結晶系が三斜晶である亜鉛とタングステンからなる複合酸化物と、その製法方法を提供する。例文帳に追加

To provide a compound oxide comprising zinc and tungsten, with a crystal system of a triclinic system, and a method of producing the same. - 特許庁

フッ酸を必須成分とする飽和フッ化タンタル酸カリウム溶液を制御冷却することで、これらの再結晶を生成し、生成した当該再結晶を濾別採取して、濾別採取した当該再結晶を乾燥装置内で乾燥して結晶を得る方法において、フッ酸を必須成分とする飽和フッ化タンタル酸カリウム溶液は、フッ酸濃度が０．５ｍｏｌ／ｌ〜１０ｍｏｌ／ｌの溶液とすることを特徴とする低酸素フッ化タンタル酸カリウム結晶の製造方法等による。例文帳に追加

Thus, in a method of obtaining a crystal by cooling a saturated potassium tantalate fluoride solution under a controlled condition to form a recrystallized crystal, filtering and drying the recrystallized crystal in a dryer, the concentration of fluoric acid of the saturated potassium tantalate fluoride solution, which essentially contains fluoric acid, is regulated to be 0.5-10 mol/l. - 特許庁

低ボロン濃度の基板においても高いゲッタリング能力をもち重金属不純物濃度が低く結晶性に優れたエピタキシャルシリコン単結晶ウエーハを、高生産性でかつ簡単に作製する。例文帳に追加

To easily obtain in high productivity an epitaxial silicon single crystal wafer having high gettering ability, low in heavy metal impurity concentration and high in crystallinity even on a substrate of low boron concentration. - 特許庁

ＭＯＣＶＤ法による窒化ガリウム単結晶の成長速度を高め、従来より量産性に優れた窒化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a gallium nitride single crystal substrate which is more excellent in mass productivity than the conventional method by increasing the growing speed of the gallium nitride single crystal by MOCVD method. - 特許庁

単結晶試料又は配向性が高い多結晶試料であっても、電子後方散乱回折像のコントラストを改善することができる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method capable of improving a contrast of an electron backscattering diffraction image, even in the case of a monocrystal sample or a polycrystal sample having high orientation. - 特許庁

迅速かつ確実に多結晶シリコン塊を洗浄して効果的にシリコンの微粉末や小片、不純物を除去し、酸洗工程の酸液の劣化を抑えながら、高品質の単結晶シリコンの製造を可能とする。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing quality single crystal silicon effectively removing silicon minute powder, chips and impurities by rapidly and surely cleaning a polycrystalline silicon block while restraining deterioration of the acid solution of acid wash process. - 特許庁

これにより、種結晶３１上端の中心が芯ぶれしない位置に種結晶３１を合わせた後、袋ナット４４を締めて確実に固定する。例文帳に追加

After the seed crystal 31 is positioned at such a location that the upper end center of the seed crystal 31 does not cause run-out, it is fixed surely by fastening the nut 44. - 特許庁

機械的品質係数が高く、その上、共振周波数の温度安定性に優れたニオブ酸リチウム圧電単結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a lithium niobate piezoelectric single crystal having a high mechanical quality coefficient, and excellent in the temperature stability of resonance frequency. - 特許庁

Ｌｉが定比組成よりも過剰な組成の融液から育成されたタンタル酸リチウム単結晶において、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｉｎの少なくとも一種以上の元素をタンタル酸リチウム単結晶に対して０．１〜３ｍｏｌ％含有することを特徴とするLi_2O／（Ta_2O_5＋Li_2O）のモル分率が０．４９０以上０．５００未満の間にあるタンタル酸リチウム単結晶、およびその光素子、およびその製造方法。例文帳に追加

The optical element and the method of production are also provided. - 特許庁

Ｓｉ層密閉工程では、Ｓｉ層７１が形成された単結晶ＳｉＣ基板７０に３Ｃ−ＳｉＣ多結晶層７２を形成することで、Ｓｉ層７１を密閉する。例文帳に追加

In the Si-layer sealing process, a 3C-SiC polycrystal layer 72 is formed on the monocrystal SiC base 70 formed with the Si layer 71, so as to seal the Si layer 71. - 特許庁

赤外散乱体や転位クラスター等と呼ばれるgrown-in欠陥の密度の低い単結晶を育成することのできる単結晶引き上げ装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a single crystal pulling-up device with which the single crystal low in the density of grown-in defects called as infrared scatter or dislocation cluster can be grown. - 特許庁

本ＧａＮ単結晶体１０は、ウルツ型結晶構造を有し、３０℃において、弾性定数Ｃ_11が３４８ＧＰａ以上３６５ＧＰａ以下かつ弾性定数Ｃ_13が９０ＧＰａ以上９８ＧＰａ以下、または、弾性定数Ｃ_11が３５２ＧＰａ以上３６２ＧＰａ以下である。例文帳に追加

This GaN single-crystal mass 10 is of a wurtzite-type crystal structure, wherein at 30°C, its elastic constant C_11 is 348 GPas or greater and 365 GPa or less and its elastic constant C_13 is 90 GPa or greater and 98 GPa or less, or its elastic constant C_11 is 352 GPa or greater and 362 GPa or less. - 特許庁

結晶相が均一で、高密度なＰｂＯ含有量の多いチタン酸ジルコン酸鉛系焼結体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a high-density lead zirconium titanate-based sintered body having uniform crystalline phases and containing a large amount of high-density PbO. - 特許庁

低群速度を有するフォトニック結晶光導波路４の両端に通常の群速度を有するフォトニック結晶光導波路３、５を連結した構成のフォトニック結晶光導であって、使用する所望の光に対してそれぞれのフォトニック結晶光導波路の欠陥バンドが形成されている。例文帳に追加

The photonick crystal optical waveguide is configured by connecting photonick crystal optical waveguides 3, 5 having a normal group velocity to both ends of a photonick crystal optical waveguide 4 having a low group velocity, and a defective band of each photonick crystal optical waveguide is formed to the light desired to use. - 特許庁

結晶性が高く、クラックや剥離等の欠陥が少ないペロブスカイト型チタン含有複合酸化物膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a pervoskite type titanium-containing composite oxide film having high crystallinity and reduced defects such as cracks, peeling off or the like. - 特許庁

結晶性が高く、クラックや剥離等の欠陥が少ないペロブスカイト型チタン含有複合酸化物膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a perovskite type titanium-containing complex oxide film having high crystallinity and less defects such as cracks and peeling. - 特許庁

温度係数が劣化することなく、タンタル酸リチウム結晶の電気機械結合係数を向上させ、かつ結晶育成が容易な、高品質の表面弾性波素子用基板、及びその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a high-quality substrate for surface acoustic wave element, and method for manufacturing the substrate for surface acoustic wave element, in which an electromechanical coupling coefficient of lithium tantalate crystal is improved without deteriorating a temperature coefficient, and in which crystal growth is facilitated. - 特許庁

成長する単結晶上部の冷却が充分に行えることで引上速度の向上が可能となり、生産性の高い結晶引上装置を提供する。例文帳に追加

To provide a crystal pulling up device high in productivity, with which the upper part of a growing single crystal can be sufficiently cooled, thereby it becomes possible to increase the speed of pulling up. - 特許庁

るつぼ内に投入された酸化アルミニウムの原材料から得られるサファイア単結晶の収率を向上させることが可能なサファイア単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a sapphire single crystal with which the yield of the sapphire single crystal obtained from an aluminum oxide raw material charged into a crucible can be improved. - 特許庁

従来のゲル拡散法における不具合を改善し、蛋白質など生体高分子の単結晶を大型で良質な状態で均一に生成する結晶成長方法及び装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a method and device for crystal growth for evenly generating a large-sized single crystal of a biopolymer, such as protein, in a good state, by improving deficiencies in a conventional gel diffusion method. - 特許庁

生産性を犠牲にすることなくＣＯＰ密度を低減させることが可能なシリコン単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a silicon single crystal, capable of reducing COP density without sacrificing productivity. - 特許庁

低酸素濃度、特に１５ｐｐｍａ（ＡＳＴＭ’７９）以下の極低酸素濃度、さらには１０ｐｐｍａ以下の超低酸素濃度のＣＺシリコン単結晶を安定的に供給することができるシリコン単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a silicon single crystal by which a CZ silicon single crystal containing oxygen of low concentration, in particular, of an extremely low concentration of ≤15 ppma(ASTM'79) or further of an ultra-low concentration of ≤10 ppma can be stably supplied. - 特許庁

バルク単結晶に匹敵するスイッチング特性を多結晶薄膜で得られる、電荷軌道整列ペロブスカイトマンガン酸化物薄膜及び該薄膜を備えてなるスイッチング素子、並びに該薄膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a charge-orbital alignment perovskite manganese oxide thin film with which switching characteristic equal to that of a bulk single crystal can be obtained by a polycrystalline thin film; and to provide a switching element having the same and a method for producing the thin film. - 特許庁

密度が大きく、かつ耐放射線性に優れたチェレンコフ材料用タングステン酸鉛単結晶を提供する。例文帳に追加

To produce a lead tungstate single crystal useful as a Cherenkov material, which has a high density and is excellent in resistance to radiated rays. - 特許庁

非磁性ガーネット単結晶基板１上に、白金または白金合金の膜を任意の形状および厚さに形成する工程と、融剤として酸化鉛を含有する磁性ガーネット原料融液と前記非磁性ガーネット単結晶基板１を接触させ、この非磁性ガーネット単結晶基板１上の白金または白金合金を融剤によって除去しながら、非磁性ガーネット単結晶基板１上に磁性ガーネット単結晶膜３を育成する工程とを備える。例文帳に追加

The inventive method comprises a step for forming a platinum alloy film of arbitrary shape and thickness on a nonmagnetic garnet single crystal substrate 1, and a step for growing a magnetic garnet single crystal film 3 on the nonmagnetic garnet single crystal substrate 1 by bringing a magnetic garnet material liquid containing lead oxide as flux into contact with the nonmagnetic garnet single crystal substrate 1 and removing platinum or platinum alloy therefrom by means of the flux. - 特許庁

既存のものよりはるかに結晶性に優れ、光学材料、電極、導電体、ガスセンサ、光記録材料等の種々のデバイスへの応用に有利な酸化ガリウム単結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a gallium oxide single crystal having a crystallinity superior to those of conventional ones and being favorable for applications to various devices such as an optical material, electrode, conductor, gas sensor, optical recording material, or the like. - 特許庁

ＭＦＭＩＳ構造薄膜２の最下層のシリコン基板４上には、γ−Ａｌ_２Ｏ_３単結晶膜６が形成されている。例文帳に追加

The γ-Al_2O_3 single crystal film 6 is formed on the lowermost silicon substrate 4 of an MFMIS-structure thin film 2. - 特許庁