「ていたんさんがすけっしょう」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

ルチル（ＴｉＯ_2）単結晶を赤外線集中加熱炉を用いたフローティングゾーン（ＦＺ）法によって酸素圧０．３ＭＰａ以上の高圧酸素中で育成することにより、サブグレインや小傾角粒界のないルチル単結晶を製造する方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for producing a rutile (TiO_2) single crystal free from subgrains or small tilt grain boundaries, by growing the rutile single crystal within high pressure oxygen of 0.3 MPa or more by a floating zone (FZ) method using an infrared-concentrated oven. - 特許庁

酸化チタンの結晶性は成膜初期のスパッタ粒子の入射角度で決定され、その入射角度が８６°以下であればアナターゼ型結晶が成長するので、成膜装置１によれば光触媒活性の高いアナターゼ型酸化チタン薄膜を得ることができる。例文帳に追加

The crystallinity of titanium oxide is determined by the incident angle of sputter particles at the initial stage of film deposition, and, anatase type crystals grow when the incident angle is ≤86°, so that an anatase type titanium oxide thin film having high photocatalytic activity can be obtained by the film deposition system 1. - 特許庁

酸化チタン層は、アナターゼ型酸化チタン粒子を含み、隣接する酸化チタン粒子が結合し、結合した酸化チタン粒子の結晶格子が粒子間の界面にて整合している。例文帳に追加

The titanium oxide layer contains particles of anatase titanium oxide and the particles of titanium oxide bond to their adjacent particles of titanium oxide so that the crystal lattice of the bonded particles of titanium oxide is matched at an interface between the particles. - 特許庁

上記の摺動剤を非酸化性雰囲気中で４００℃以上に加熱することにより、積層構造物の最外層が六方結晶の酸化物層からなり、六方結晶酸化物層にはさまれていない炭素系インターカラントを昇華する。例文帳に追加

The sliding agent, wherein the outermost layer of the layered structure comprises the oxide layer of the hexagonal crystal, is heated to ≥400°C in a non-oxidizing atmosphere, thereby subliming any carbonaceous intercalant not enclosed between the oxide layers of the hexagonal crystal. - 特許庁

高品質の１３族窒化物、特に窒化ガリウムの塊状単結晶を、簡易、且つ、安全に効率よく得る方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method capable of simply, safely and efficiently obtaining a high quality group 13 element nitride compound, especially a bulky single crystal of gallium nitride. - 特許庁

大気圧プラズマを用いて、従来の熱的な手法に比べ、より低温で、かつ、より高速に高品位な単結晶３Ｃ-ＳｉＣ薄膜をＳｉ基板上に形成することが可能なＳｉ基板表面の炭化による単結性ＳｉＣの形成方法及び結晶性ＳｉＣ基板を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a single crystal SiC by carbonization of a surface of a Si substrate allowing formation of a high quality single crystal 3C-SiC thin film on the surface of the Si substrate by using atmospheric pressure plasma at a lower temperature and a higher speed as compared with a conventional thermal method, and to provide a crystalline SiC substrate. - 特許庁

シリコン単結晶を製造する際のシリコン単結晶の有転位化を回避し、かつ、高い耐熱性を有し、生産性、歩留まりの低下を抑制することができる石英ガラスルツボ及びその製造方法、並びにそのような石英ガラスルツボを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a quartz glass crucible capable of avoiding dislocation of a silicon single crystal during production of the silicon single crystal, having high heat resistance, and suppressing decrease in productivity and yield, a method for producing the same, and a method for producing a silicon single crystal using the quartz glass crucible. - 特許庁

シリコン単結晶を製造する際のシリコン単結晶の有転位化を回避し、かつ、高い耐熱性を有し、生産性、歩留まりの低下を抑制することができる石英ガラスルツボ及びその製造方法、並びにそのような石英ガラスルツボを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a quartz glass crucible with which the occurrence of dislocation of a silicon single crystal in producing the silicon single crystal is avoided, which has high heat resistance, and with which lowering of productivity and a yield is suppressed, and a method for manufacturing the same, and to provide a method for producing the silicon single crystal, in which the quartz glass crucible is used. - 特許庁

窒化物半導体からなる自立した単結晶基板を形成し、その単結晶基板を裏面から研磨して所定の厚さに形成する窒化物半導体自立基板において、単結晶基板の外周面に、その基板の表面側から角度θが７０°以上〜１３０°以下となる傾斜面が形成されているものである。例文帳に追加

The nitride semiconductor self-supporting substrate is manufactured by forming a self-supporting single crystal substrate made of nitride semiconductor and by polishing the single crystal substrate from the rear surface to a predetermined thickness, wherein on the outer periphery surface of the single crystal substrate, an inclined surface is formed such that its angle θ from the surface side of the substrate is not less than 70° and not more than 130°. - 特許庁

シリコン原料の溶解時およびシリコン融液の保持時においてはヒータの熱を坩堝に効率的に作用させ、坩堝周辺を冷却する際には、坩堝周辺の熱を放散させることができ、単結晶シリコンの製造サイクル時間の短縮及び電力コストの低減を図ることが可能な単結晶シリコンの製造装置及び単結晶シリコンの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for producing single crystal silicon where heat from a heater is efficiently applied to a crucible when melting a silicon raw material and holding a silicon melt, where heat around the crucible is radiated when cooling the surroundings of the crucible and where the shortening of the producing cycle time of the single crystal silicon and the reduction of an electric power cost are aimed. - 特許庁

シリコン単結晶を引上げ育成する工程で、引上げ後の１１００℃から９００℃の温度範囲を３．０℃／ｍｉｎ以上の冷却速度で冷却して、高温酸化処理時に発生する酸化誘起積層欠陥が１×１０^2／ｃｍ^2以下の性状を有するシリコン単結晶を得る。例文帳に追加

A silicon single crystal having such a property that the oxidation-induced stacking faults generated during high temperature oxidation treatment is ≤1×10^2/cm^2 is obtained by cooling a silicon single crystal at a cooling speed of ≥3.0°C/min within a temperature range of 1,100-900°C after pulling, in a process for pulling and growing the silicon single crystal. - 特許庁

棒状部はネック部に懸吊されかつ２つの円錐状の端部を有し、この端部の一方がネック部と結合している形で、単結晶をチョクラルスキー法により引き上げる、＜１１３＞方位を有するシリコンからなる単結晶の製造方法例文帳に追加

The method for producing the silicon single crystal with the <113> orientation comprises pulling the silicon single crystal by a Czochralski method in the form of an ingot which is suspended from a neck part and has two conical end parts, one of which is connected to the neck part. - 特許庁

本発明は結晶欠陥が少なく、高い活性を示す二酸化チタン組成物や二酸化チタン含有層、およびこの二酸化チタン含有層を用いたパターン形成体等を提供することを主目的としている。例文帳に追加

To provide a titanium dioxide composition and a titanium dioxide-containing layer which has few crystal defects and exhibits high activity, and to provide a pattern formation body using the titanium dioxide-containing layer. - 特許庁

導電率が１×１０^−１３Ω^−１・ｃｍ^−１以上、９．９９×１０^−１２Ω^−１・ｃｍ^−１以下であり、焦電性が抑制されたタンタル酸リチウム結晶の製造方法、及びタンタル酸リチウム結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a lithium tantalate crystal which has electrical conductivity of 1×10^-13 to 9.99×10^-12 Ω^-1×cm^-1 and in which the pyroelectric property is suppressed; and to provide the lithium tantalate crystal. - 特許庁

本発明の１つの太陽電池は、単結晶又は多結晶のシリコン基板１０の表面上に形成される化学的酸化膜である酸化シリコン薄膜２０と、その酸化シリコン薄膜２０上に形成されるアモルファスシリコン層３０とを備えている。例文帳に追加

A solar cell of the present invention comprises: a silicon-oxide thin film 20 which is an electrochemical oxidation film formed on a surface of a monocrystalline or polycrystalline silicon substrate 10; and an amorphous silicon layer 30 formed on the silicon-oxide thin film 20. - 特許庁

圧力容器内において、珪素が溶解したリチウムフラックス２３に炭化珪素単結晶基板２５を接触させる工程と、前記圧力容器内にメタン２６を導入し、前記リチウムフラックス２３に前記メタン２６を接触させることにより、前記リチウムフラックス２３から前記単結晶基板２５上に２Ｈ炭化珪素単結晶２７を成長させる工程とを包含する炭化珪素単結晶の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing a silicon carbide single crystal includes a process for bringing a silicon carbide single crystal substrate 25 into contact with a lithium flux 23 in which silicon dissolved in a pressure vessel, and a process for growing a 2H silicon carbide single crystal 27 on the single crystal substrate 25 from the lithium flux 23 by introducing methane 26 into the pressure vessel and bringing the methane 26 into contact with the lithium flux 23. - 特許庁

特定のセリウム付活オルト珪酸塩化合物の単結晶について、蛍光出力のバックグラウンドの増加が十分に抑制され、しかも蛍光出力のばらつきも十分に防止でき蛍光出力特性が十分に向上可能となり、更には、結晶の着色の発生が抑制され、着色による蛍光出力の低下を防止するために有効な単結晶の熱処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for heat treating a single crystal by which an increase in the background of fluorescence output and a dispersion in the fluorescence output can be sufficiently suppressed, the fluorescence output characteristics can be sufficiently improved, the coloration of the crystal can be suppressed, and further a deterioration in the fluorescence output caused by the coloration can be effectively prevented for a single crystal of a specific cerium-activated orthosilicate compound. - 特許庁

本発明の目的は、単結晶ウエハー表面の材料を除去することがなく、機械加工により生じた加工変質層を基板部分と全く同様な結晶構造に修復することであり、部品の加工精度を維持したままで、生産コストの削減、環境負荷の低減が期待できる、大気中で作動可能で、高速・高能率で簡単な単結晶ウエハーの表面欠陥の修復方法及び修復装置を提供することである。例文帳に追加

To provide a method and a device for repairing an affected layer caused by machining work so as to have a crystal structure just the same as a substrate part without removing a material of a surface of a single crystal wafer. - 特許庁

一回の結晶成長工程で、表面が平坦で、膜厚が制御され、再現性良く結晶欠陥の低減を実現できる３族窒化物半導体の積層構造、その製造方法、及び３族窒化物半導体装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a laminating structure of a 3-group nitride semiconductor capable of realizing a flat surface, a controlled film thickness and the reduction of crystal defect by a one time crystal growing process with excellent reproducibility, and provide a manufacturing method thereof and a 3-group nitride semiconductor device. - 特許庁

タンタル酸リチウム（ＬＴ）結晶を用いてＬＴ基板を製造する工程において、結晶育成後の冷却過程、熱歪み除去のための熱処理工程およびポーリング処理工程のいずれかで、ＬＴ結晶を低酸素濃度雰囲気下で、１２００〜１６５０℃の保持温度で、４時間以上、熱処理する。例文帳に追加

In a step of using an LT crystal to manufacture the LT substrate, the LT crystal is thermally treated longer than four hours in a holding temperature of 1200 to 1650°C under a low oxygen concentration atmosphere in any one of a cooling step after crystal growth, a thermal treatment step for thermal distortion removal and a polling treatment step. - 特許庁

先端キャップ（３６）を越えて延在する先端壁を有していて、該先端壁が単結晶ミクロ組織を有する第１の合金を含む先端壁（３４）を備えたタービン翼形部（１８）に材料を体積させる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for accumulating a material in a turbine blade-shaped part (18) having a tip wall (34) extended by crossing a tip cap (36) and including first alloy having single crystal microtexture. - 特許庁

特定のセリウム付活珪酸塩化合物の単結晶、特にＬｎとしてイオン半径がＴｂよりも小さいＤｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｙ及びＳｃからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を用いた単結晶であって、蛍光特性に十分優れたシンチレータ用単結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a single crystal for a scintillator sufficiently excellent in fluorescence property, which uses a single crystal of a specific cerium-activated silicate compound, particularly uses, as Ln, at least one element having a smaller ion radius than that of Tb being selected from a group consisting of Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y and Sc. - 特許庁

特定のセリウム付活オルト珪酸塩化合物の単結晶、特にＬｎとしてイオン半径がＴｂよりも小さいＤｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｙ及びＳｃからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を用いた単結晶であって、蛍光特性に十分優れたシンチレータ用単結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a single crystal for scintillator, which has sufficiently excellent fluorescence characteristics, is a specific single crystal of a specific cerium-activated orthosilicate compound, and comprises at least one kind of element selected from Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y and Sc having an ion radius smaller than Tb as Ln. - 特許庁

特定のセリウム付活珪酸塩化合物の単結晶、特にＬｎとしてイオン半径がＴｂよりも小さいＤｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｙ及びＳｃからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を用いた単結晶であって、蛍光特性に十分優れたシンチレータ用単結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a scintillator single crystal of a cerium-doped silicate compound, particularly a scintillator single crystal that uses as Ln at least one element selected from the group consisting of Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y and Sc having an ionic radius smaller than Tb, the scintillator single crystal having superior fluorescent properties. - 特許庁

チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子の平均径が１５０ｎｍ以下であり、かつ前記結晶粒子のＸ線回折パターンから求められる格子定数（ａ、ｂ、ｃ）の積で表されるユニットセル当りの体積Ｖが０．０６４３ｎｍ^３以下であることを特徴とする。例文帳に追加

The crystal grain consisting mainly of barium titanate is characterized in that the average particle diameter is ≤150 nm and the volume V per unit cell which is expressed by the product of lattice constants (a, b, c) determined by an X-ray diffraction pattern of the crystal grain, is ≤0.0643 nm^3. - 特許庁

０．２〜３０４ＭＰａの圧力のガスを導入可能な筒状の圧力容器１１内に挿入されたカーボン又はＳｉＣ製のコンテナ１３の内部に単結晶体１２が収容され、単結晶体をこの単結晶体の絶対温度による融点の０．８５倍以上の温度まで加熱可能なヒータ１４がコンテナの外周面を所定の間隔をあけて囲む。例文帳に追加

The outer peripheral face of the container is enclosed with heaters 14 capable of heating the single crystal to a temperature of ≥0.85 the melting point of the single crystal based on absolute temperature at given intervals. - 特許庁

ＢａＬｉＦ_３単結晶体を融液成長法で製造した際に、結晶中心部と周辺部で真空紫外光の透過率が異なりやすいという問題を解決し、真空紫外光透過用の光学部材を作製するための原材料として用いることの可能な、光透過率の均一性に優れたＢａＬｉＦ_３単結晶体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a BaLiF_3 single crystal excellent in uniformity of light transmittance capable of solving a problem wherein the transmittance for vacuum UV light tends to be different at the central part and the peripheral part of a crystal, when a BaLiF_3 single crystal is manufactured by a melt growth method, and being usable as a raw material for manufacturing an optical member for vacuum UV light transmission. - 特許庁

残留１，２−ジクロロエタンの濃度が５ｐｐｍを超えるゾニサミド（化学名：１，２−ベンズイソキサゾール−３−メタンスルホンアミド）の結晶から残留１，２−ジクロロエタンの濃度が５ｐｐｍ以下であるゾニサミドの結晶を効率的に製造する方法、および該方法によって得られる残留１，２−ジクロロエタンの濃度が５ｐｐｍ以下の抗てんかん薬として有用なゾニサミドの高純度結晶の提供。例文帳に追加

To provide a method for producing a high purity crystal of zonisamide (the chemical name: 1, 2-benzoisoxazole-3-methanesulfonamide) containing ≤5 ppm 1, 2-dichloroethane in concentration from a zonisamide crystal containing ≥5ppm residual 1, 2-dichloroethane in concentration, and provide the high purity crystal of zonisamide containing ≤5 ppm residual 1, 2 dichloroethane in concentration and useful as an antiepileptic agent. - 特許庁

垂直ブリッジマン法を用いる化合物半導体単結晶の製造装置において、単結晶の育成が行われるルツボ２と、このルツボ２の周りに配置されたヒータ３との間に、垂直方向に延在する熱シールド部材４を介在させ、この熱シールド部材４の上方にルツボ２内の固液界面Ｋが位置するようにしたことを特徴とする化合物半導体単結晶の製造装置を提供する。例文帳に追加

In an apparatus for manufacturing the compound semiconductor single crystal by the vertical Bridgman method, a heat shielding member 4 extending in the vertical direction is interposed between a crucible 2 in which the single crystal is grown and a heater 3, arranged around the crucible 2, in such a manner that the solid-liquid interface K in the crucible 2 is located above the heat shielding member 4. - 特許庁

本発明の耐蝕型圧力センサ１０は、感圧抵抗素子２１を積層する単結晶質サファイアダイアフラム１７と、円形の切欠部１３Ａを有する底部１３の内側に単結晶質サファイアダイアフラム１７を設けたボディー本体部１１とを備え、切欠部１３Ａを介し結晶質サファイアダイアフラム１７にかかる圧力を検出することとした。例文帳に追加

The corrosion resistant pressure sensor 10 is provided with a single crystal sapphire diaphragm 17 formed by built-up pressure sensitive resistor elements 21, and a sensor body section 11 equipped with the single crystal sapphire diaphragm 17 inside its bottom section 13 containing a circular notch 13A, to detect the pressure applied to the single crystal sapphire diaphragm 17 via the notch 13A. - 特許庁

本発明のマグネシウム合金鍛造品は、準結晶相またはその近似結晶相が分散されているマグネシウム母相が等軸状であることを特徴とし、本発明は、前記のマグネシウム合金鍛造品において、マグネシウム母相のアスペクト比が2.5以下であることを特徴とする。例文帳に追加

Regarding the magnesium alloy forging, a magnesium mother phase into which a quasicrystal phase or a crystal phase approximate thereto is dispersed has an equiaxial shape, and, in the magnesium alloy forging, the aspect ratio of the magnesium mother phase is ≤2.5. - 特許庁

面間隔ｄ（００２）が０．３４３ｎｍ以下、かつ、結晶子の大きさＬｃ（００２）が４．０ｎｍ以上の結晶構造を有する炭素繊維を編紐あるいは組紐状に編み込んだカーボンワイヤーを発熱体とし、該発熱体を石英ガラス部材中に封入されている。例文帳に追加

Carbon fibers having a crystal structure in which a surface separation d (002) is 0.343 nm or less, and the size of crystal unit Lc (002) is 4.0 nm or more are knitted in string or braid state to form the carbon wire exothermic body, and this is encapsulated into a gualtz glass member. - 特許庁

基板上に形成されたアモルファスシリコン膜を触媒元素により結晶化させて得られる結晶性シリコン膜を利用する半導体装置の作製方法において、該シリコン膜を酸化種と非酸化種の混合ガス中で熱酸化することによって、結晶性シリコン膜表面の平坦性を向上するとともに酸化欠陥数を低減する。例文帳に追加

In the method for fabricating semiconductor device utilizing a crystalline silicon film obtained by crystallizing an amorphous silicon film formed on a substrate using a catalytic element, planarity on the surface of the crystalline silicon film is enhanced while decreasing the number of oxidation defects by thermally oxidizing the silicon film in a mixture gas of an oxidation species and a nonoxidation species. - 特許庁

微小な気泡に起因するピットやマイクロバブルが大幅に減少し、電子部品材料や光学用部品材料に適した高品質な酸化アルミニウム単結晶、及びマイクロバブルの発生を抑制して効率的に酸化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide aluminium oxide single crystal having high quality which is reduced in pits and micro-bubbles that are caused by fine bubbles and is suitable for a material of electronic parts and a material of optical parts, and to provide a method for efficiently manufacturing aluminium oxide single crystal by suppressing the generation of micro-bubbles. - 特許庁

測定方法：酸化チタン結晶を酸化チタン濃度が３．７５ｇ／Ｌとなるように純水中に分散させて分散液とし、該分散液の電気伝導度を測定する。例文帳に追加

The measurement method: the titanium oxide crystal is dispersed in pure water so that the concentration of titanium chloride becomes 3.75g/L to obtain a dispersion and the electric conductivity of the dispersion is measured. - 特許庁

新規で有用な結晶方位を有するタンタル酸リチウム単結晶基板を用いて、通過帯域特性の挿入損失や帯域内偏差が最適な弾性表面波フィルタを提供すること、及び、所望の比帯域幅を有する弾性表面波フィルタを容易に設計できる、圧電結晶基板の最適な方位決定方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a surface acoustic wave filter which has the optimum insertion loss of passing band characteristics and the optimum in-band deviation by using a lithium tantalate single-crystal substrate which has a new and useful crystal azimuth and to provide the optimum azimuth determining method for a piezoelectric crystal substrate which makes it possible to easily design a surface acoustic wave filter having a desired specific band width. - 特許庁

Ｓｉ（００１）基板２上にＢＴＯ単結晶薄膜６等をエピタキシャル成長させるための電気光学的単結晶薄膜成長用基板１であって、Ｓｉ（００１）基板上にＳｉとＢＴＯとの格子不整合を緩衝する緩衝層３，４，５が２層以上形成されている。例文帳に追加

The substrate 1 for growing the electro-optic single crystal thin film is provided for epitaxially growing a BTO single crystal thin film 6 or the like on an Si (001) substrate 2, wherein two or more layers of buffer layers 3, 4, 5 for buffering the lattice mismatch between Si and BTO are formed on the Si (001) substrate 2. - 特許庁

粗クラリスロマイシンまたはクラリスロマイシンの他の結晶型を有機溶媒中でギ酸で処理して結晶性クラリスロマイシンギ酸塩を生成し、クラリスロマイシンギ酸塩を水と水混和性有機溶媒の混合物中で塩基で中和させる段階を含む簡単な高収率工程によって純粋なクラリスロマイシン結晶型IIを製造することができる。例文帳に追加

Pure clarithromycin crystal form II can be produced by a simple high-yield process including stages for treating crude clarithromycin or clarithromycin of another crystal form with formic acid in an organic solvent to form crystalline clarithromycin formate and neutralizing clarithromycin formate with a base in a mixture of water and a water-compatible organic solvent. - 特許庁

シード・ウェル４０３０の直下に位置する断熱材２０６０中の中空コア２０３０によって成長している結晶の中心部が冷却され得、結晶インゴットの均一・水平な成長と、平坦な結晶−溶融帯の界面が得られ、従って、均一な電気的特性を備えたウェーハを得る事が出来る。例文帳に追加

The central part of the growing crystal is cooled by a hollow core 2030 in the insulating material 2060 located directly under the seed well 4030, and a uniform and horizontal growth of a crystal ingot and the interface of a flat crystal-melt zone are obtained, therefore, a wafer provided with a uniform electrical characteristic is obtained. - 特許庁

ファフィア属酵母から得られ、当該酵母菌体由来不純物および当該不純物に起因する臭気を有するアスタキサンチン粗結晶を調製する工程と、得られたアスタキサンチン粗結晶を、水を含んでいてもよい炭素数１〜４のアルコールと接触させる工程と、アルコールを除去し、不純物および臭気が低減されたアスタキサンチン結晶を取得する工程とを包含する精製アスタキサンチン結晶の製造方法。例文帳に追加

The method for producing purified astaxanthin crystal includes: a step of preparing astaxanthin rough crystal obtained from Phaffia rhodozyma and having impurity derived from the yeast and odor derived from the impurity; a step of bringing the obtained astaxanthin rough crystal into contact with 1-4C alcohol which may contain water; and a step of removing the alcohol and obtaining astaxanthin crystal with reduced impurity and odor. - 特許庁

単結晶基板上に強誘電体酸化物薄膜形成用塗布液を塗布・乾燥し、ついで仮焼を施す工程を複数回繰り返すことにより所定の膜厚を有する強誘電体酸化物仮焼薄膜を堆積させた後、当該仮焼薄膜を結晶化させる。例文帳に追加

The method for producing the thin film comprises coating a coating liquid for forming the ferroelectric oxide thin film on the single crystal substrate, drying the coated liquid, and then calcining the product, and further repeating the these processes several times to accumulate a ferroelectric oxide calcination thin film having a prescribed film thickness, and subsequently crystallizing the calcined thin film. - 特許庁

この光ファイバ結合装置は、２つの光ファイバ５，６それぞれの端部が固定される固定部１Ｖ，１Ｖと、上記端部間を伝搬する光の光路内に配置されたホトニック結晶２と、ホトニック結晶２に外力を印加する外力印加手段３とを備える。例文帳に追加

This optical fiber coupler has fixing sections 1V and 1V, to which the respective ends of two optical fibers 5 and 6 are fixed, a photonic crystal 2 which is arranged within the optical path of the light propagating between the ends and an external force impressing means 3 which impresses external force to the photonic crystal 2. - 特許庁

非単結晶半導体膜のレーザ光入射面上に絶縁膜として少なくとも酸化シリコン膜と酸窒化シリコン膜とを所定の膜厚に順次積層し、所定の光強度分布に位相変調した均一化レーザ光を絶縁膜の側から非単結晶半導体膜に照射する。例文帳に追加

As an insulating film, at least a silicon oxide film and a silicon nitride film are laminated, in the order to a laser beam incidence plane of a non-single-crystalline semiconductor film up to a prescribed thickness, and a uniform laser beam that is phase-modulated to a specific light intensity distribution is irradiated to the non-single-crystalline semiconductor film from the insulating film side. - 特許庁

窒素をドープしたシリコン融液からシリコン単結晶インゴットを製造する方法において、酸素濃度を制御することにより、シリコン単結晶のＯＳＦリングの発生を十分に抑制でき、ウェーハ面内のＢＭＤ分布が均一なシリコンウェーハを切出すことができるシリコン単結晶インゴットの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of producing a silicon single crystal ingot, by which the concentration of oxygen is controlled when the silicon single crystal ingot is produced from a silicon melt doped with nitrogen and the formation of OSF ring is sufficiently suppressed, thereby silicon wafers each having uniform BMD distribution in the wafer surface can be cut out from the ingot. - 特許庁

血液または血漿を浄化する治療において、酸化チタンを用いて、血液または血漿等の液体中に含まれる胆汁酸を効率的に除去することができる方法および装置ならびにそれらに好適に用いられる血液浄化剤を提供する。例文帳に追加

To provide a method and a device for efficiently removing bile acid included in the liquid such as blood or blood plasma by using titanium oxide in the treatment of purifying the blood or blood plasma, and a blood purification agent to be appropriately used for the above. - 特許庁